本發(fā)明涉及一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)具有低輻射、體積小及低耗能等優(yōu)點，已逐漸取代傳統(tǒng)的陰極射線管顯示器(cathode ray tube display,CRT)，因而被廣泛地應(yīng)用在筆記型電腦、個人數(shù)字助理(personal digital assistant，PDA)、平面電視，或移動電話等信息產(chǎn)品上。

傳統(tǒng)液晶顯示器的驅(qū)動方式是利用外部源極驅(qū)動電路(source driver)和柵極驅(qū)動電路(gate driver)來驅(qū)動面板上的像素以顯示影像，近年來逐漸發(fā)展成將驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)直接制作于顯示面板上，例如將柵極驅(qū)動電路(gate driver)整合于液晶面板的技術(shù)。

然而，由于傳統(tǒng)薄膜晶體管柵極及漏極易存在著寄生電容，因此在驅(qū)動的過程中，像素單元會受寄生電容的影響，而造成所謂的饋通效應(yīng)(feed through effect)。饋通效應(yīng)會造成顯示裝置畫面閃爍(image flicker)的情形，因此導(dǎo)致顯示裝置畫面品質(zhì)下降。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明實施例，本發(fā)明提供一種顯示裝置，包含：一第一基板；一第二基板；一顯示介質(zhì)層，位于該第一基板與該第二基板之間；一主動層，位于該第一基板上；一第一絕緣層，位于該主動層上；一第一電極層，位于該第一絕緣層上，該第一電極層包含沿一第一方向延伸的一柵極線，以及沿一第二方向延伸的一突出部，該第一方向與該第二方向正交；一第二絕緣層，位于該第一電極層上；以及，一第二電極層，位于該第二絕緣層上，該第二電極層包含沿該第二方向延伸的一數(shù)據(jù)線，以及一導(dǎo)電圖案，該數(shù)據(jù)線及該導(dǎo)電圖案分別位于該突出部的兩側(cè)，且該數(shù)據(jù)線及該導(dǎo)電圖案分別經(jīng)由一第一接觸孔及一第二接觸孔電連接該主動層。此外，該導(dǎo)電圖案 包含一第一部分與一第二部分，該第一部分介于該第二部分及該柵極線之間，該第一部分與該第二部分的一交界面延該第一方向延伸，且該第一部分對該基板的投影與該突出部對該基板的投影于第二方向至少部分重疊。其中，該第一部分在該第一方向上具有一第一最大寬度A，該第二部分在該第一方向上具有一第二最大寬度B，該第一最大寬度A小于該第二最大寬度B。

根據(jù)本發(fā)明其他實施例，本發(fā)明所述的顯示裝置，也可包含：一第一基板；一第二基板；一顯示介質(zhì)層，位于該第一基板與該第二基板之間；一主動層，位于該第一基板上；一第一絕緣層，位于該主動層上；一第一電極層，位于該第一絕緣層上，該第一電極層包含沿一第一方向延伸的一柵極線；一第二絕緣層，位于該第一電極層上；以及，一第二電極層，位于該第二絕緣層上，該第二電極層包含沿一第二方向延伸的一數(shù)據(jù)線以及一導(dǎo)電圖案，其中該第一方向與該第二方向正交，且該數(shù)據(jù)線及該導(dǎo)電圖案分別經(jīng)由一第一接觸孔及一第二接觸孔電連接該主動層。其中，該柵極線由一第一柵極線部及一第二柵極線部所構(gòu)成，其中該第一柵極線部與該主動層重疊，其中該第一柵極線部對該基板的投影與該導(dǎo)電圖案對該基板的投影具有一第一最小距離D2，而該第二柵極線部對該基板的投影與該導(dǎo)電圖案對該基板的投影具有一第二最小距離D3，其中該第一最小距離D2大于該第二最小距離D3。

為讓本發(fā)明的特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出優(yōu)選實施例，并配合所附的附圖，作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例所述的顯示裝置的平面示意圖；

圖2A至圖2F為圖1所述的顯示裝置沿切線2-2’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3～圖5為本發(fā)明其他實施例所述的顯示裝置的平面示意圖；

圖6A至圖6F為圖5所述的顯示裝置沿切線6-6’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7～圖8為本發(fā)明其他實施例所述的顯示裝置的平面示意圖。

符號說明

10 顯示裝置；

12 第一基板；

14 主動層；

14A 第一主動層部；

14B 第二主動層部；

16 第二電極層；

16A 柵極線；

16B 突出部；

16C 第一柵極線部；

16D 第二柵極線部；

18 第二電極層；

18A 數(shù)據(jù)線；

18B 導(dǎo)電圖案

18B1 第一導(dǎo)電圖案部

18B2 第二導(dǎo)電圖案部

19 交界面

2-2’ 切線

20 第一絕緣層

21 接觸孔

22 第二絕緣層

23 接觸孔

24 第三絕緣層

25 非平面的側(cè)面

27 接觸孔

6-6' 切線

A 最大寬度

B 最大寬度

D1 最小距離

D2 最小距離

D3 最小距離

W1 最大寬度

W2 最大寬度

X 第一方向

Y 第二方向

具體實施方式

以下針對本發(fā)明的顯示裝置作詳細(xì)說明。應(yīng)了解的是，以下的敘述提供許多不同的實施例或例子，用以實施本發(fā)明的不同樣態(tài)。以下所述特定的元件及排列方式僅為簡單描述本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅用以舉例而非本發(fā)明的限定。此外，在不同實施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明，不代表所討論的不同實施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸的情形?；蛘?，也可能間隔有一或更多其它材料層的情形，在此情形中，第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。

必需了解的是，為特別描述或圖示的元件可以此技術(shù)人士所熟知的各種形式存在。此外，當(dāng)某層在其它層或基板“上”時，有可能是指“直接”在其它層或基板上，或指某層在其它層或基板上，或指其它層或基板之間夾設(shè)其它層。

且在附圖中，實施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，并以簡化或是方便標(biāo)示。再者，附圖中各元件的部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所知的形式，此外，特定的實施例僅為揭示本發(fā)明使用的特定方式，其并非用以限定本發(fā)明。

再者，說明書與權(quán)利要求中所使用的序數(shù)例如“第一”、“第二”、“第三”等的用詞，以修飾權(quán)利要求的元件，其本身并不意含及代表該請求元件有任何之前的序數(shù)，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是制造方法上的順序，該些序數(shù)的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區(qū)分。

本發(fā)明實施例所述的顯示裝置，可通過具有特定形狀設(shè)計的導(dǎo)電圖案(例如作為漏極)降低與柵極線之間的寄生電容(parasitic capacitance)，以降低饋通效應(yīng)(feed through effect)，避免顯示裝置畫面閃爍(image flicker)現(xiàn)象，并增加顯示裝置的效能。本發(fā)明實施例所述的顯示裝置可包含低溫多晶硅薄膜晶體管(low-temperature polysilicon thin film transistor，LTPS-TFT)，其中該低溫多晶硅薄膜晶體管作為通道的主動層可例如為L型、或U型。

請參照圖1，為本發(fā)明一實施例所述的顯示裝置10平面示意圖，該圖僅繪示第一基板、主動層、第一電極層、以及第二電極層，其他元件(例如第二基板、位于第一基板與第二基板之間的顯示介質(zhì)層例如液晶層)省略之， 用以說明該主動層、第一電極層、以及第二電極層之間的關(guān)系。該顯示裝置10包含一主動層14配置于一第一基板12之上。該主動層14可由一第一主動層部14A及一第二主動層部14B所構(gòu)成，其中該第一主動層部14A沿一第一方向X延伸以及該第二主動層部14B沿一第二方向Y延伸，其中該第一方向X與該第二方向Y正交，本發(fā)明各實施例所指的正交，意味著該第一方向X與該第二方向Y之間具有一個90度的夾角且容許有正負(fù)10度以內(nèi)的誤差，且該第一主動層部14A連接該第二主動層部14B。該主動層14的形狀可例如為L型，如圖1如示。一第一電極層16配置于一第一絕緣層(未繪示)之上，其中該第一絕緣層可配置于該第一基板12之上并覆蓋該主動層14。換言之，該第一電極層16與該主動層14以該第一絕緣層相隔。該第一電極層16可包含沿一第一方向X延伸的一柵極線16A，以及沿一第二方向Y延伸的一突出部16B，且該柵極線16A連接該突出部16B。該第一電極層16的形狀可例如為T型，如圖1如示。該第一電極層16的該突出部16B與該主動層14的該第一主動層部14A部分重疊，而該第一電極層16的該柵極線16A與該主動層14的該第二主動層部14B部分重疊。一第二絕緣層(未繪示)可配置于該第一絕緣層之上并覆蓋該第一電極層16。一第二電極層18配置于該第二絕緣層上。

仍請參照圖1，該第二電極層18包含沿該第二方向Y延伸的一數(shù)據(jù)線18A以及一導(dǎo)電圖案18B，其中該數(shù)據(jù)線18A與該導(dǎo)電圖案18B彼此電連接但未直接接觸，且該數(shù)據(jù)線18A及該導(dǎo)電圖案18B分別位于該第一電極層16的該突出部16B的左右兩側(cè)。換言之，該數(shù)據(jù)線18A對該第一基板12的投影以及部分該導(dǎo)電圖案18B對該第一基板12的投影被該第一電極層16的該突出部16B對該第一基板12的投影所分隔，即該第一電極層16的該突出部16B對該第一基板12的投影配置于該數(shù)據(jù)線18A對該第一基板12的投影以及部分該導(dǎo)電圖案18B對該第一基板12的投影之間。該數(shù)據(jù)線18A經(jīng)由一貫穿該第一絕緣層及該第二絕緣層的一接觸孔(未繪示)與該主動層14電連接，而該導(dǎo)電圖案18B則經(jīng)由一貫穿該第一絕緣層及該第二絕緣層的另一接觸孔(未繪示)與該主動層14電連接。

該導(dǎo)電圖案18B由一第一導(dǎo)電圖案部18B1與一第二導(dǎo)電圖案部18B2所構(gòu)成，且該第一導(dǎo)電圖案部18B1配置于該第二導(dǎo)電圖案部18B2及該柵極線16A之間，即該第二導(dǎo)電圖案部18B2以及該柵極線16A被該第一導(dǎo)電 圖案部18B1所分隔開。詳細(xì)地說，該第一導(dǎo)電圖案部18B1對該第一基板12的投影配置于該第二導(dǎo)電圖案部18B2對該第一基板12的投影以及該柵極線16A對該第一基板12的投影之間。該第一導(dǎo)電圖案部18B1連接該第二導(dǎo)電圖案部18B2，且該第一導(dǎo)電圖案部18B1與該第二導(dǎo)電圖案部18B2之間具有一交界面19，而該交界面19沿該第一方向X延伸，如圖1所示。

此外，該第二導(dǎo)電圖案部18B2對該第一基板12的投影與該突出部16B對該第一基板12的投影于第二方向Y至少部分重疊。在此，第一導(dǎo)電圖案部18B1在該第一方向X上具有一最大寬度A、該第二導(dǎo)電圖案部18B2在該第一方向X上具有一最大寬度B，且該最大寬度A小于該最大寬度B，以縮小該導(dǎo)電圖案18B與該第一電極層16(例如該突出部16B)之間因重疊而產(chǎn)生的寄生電容(parasitic capacitance)，從而降低饋通效應(yīng)(feed through effect)，避免顯示裝置畫面閃爍(image flicker)現(xiàn)象。

根據(jù)本發(fā)明某些實施例，該第一最大寬度A可介于約2.0μm至14.0μm之間、而該第二最大寬度B可介于約3.0μm至15.0μm之間，且該第一最大寬度A及該第二最大寬度B的比值介于0.50至0.90之間，優(yōu)選的介于0.75至0.85之間。此外，根據(jù)本發(fā)明實施例，為進(jìn)一步降低饋通效應(yīng)，該第一導(dǎo)電圖案部18B1對該第一基板12的投影與該突出部16B對該第一基板12的投影之間的最小距離D1可大于0。根據(jù)本發(fā)明實施例，該最小距離D1可介于約0.1μm至1.0μm之間。

圖2A至圖2F為圖1沿著切線2-2’的一系列剖視圖，用以說明圖1所述顯示裝置10的制造流程。首先，請參照圖2A，提供一第一基板12，并在其上形成一主動層14。該第一基板12可為石英、玻璃、硅、金屬、塑膠、或陶瓷材料。該主動層14的形狀可例如為L型。如圖1所示，該主動層14可由一第一主動層部14A及一第二主動層部14B所構(gòu)成，其中該第一主動層部14A沿一第一方向X延伸以及該第二主動層部14B沿一第二方向Y延伸，且該第一主動層部14A連接該第二主動層部14B。該主動層14可為低溫多晶硅(low temperature polysilicon，LTPS)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，IGZO)、或其他本技術(shù)領(lǐng)域常用的金屬氧化物半導(dǎo)體材料，然而本發(fā)明并不限于此。

接著，請參照圖2B，形成一第一絕緣層20于該第一基板12之上，并覆蓋該主動層14。該第一絕緣層20的材質(zhì)可為有機(jī)絕緣材料(例如：光感性 樹脂)或無機(jī)絕緣材料(例如：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、或上述材質(zhì)的組合)。接著，請參照圖2C，形成一第一電極層16于該第一絕緣層20之上，其中該第一電極層16可包含沿一第一方向X延伸的一柵極線16A，以及沿一第二方向Y延伸的一突出部16B，且該柵極線16A連接該突出部16B(請參照圖1)。該第一電極層16的材質(zhì)可為鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金。

接著，請參照圖2D，形成一第二絕緣層22于該第一絕緣層20之上，并覆蓋部分該第一電極層16。該第二絕緣層22的材質(zhì)可為有機(jī)絕緣材料(例如：光感性樹脂)或無機(jī)絕緣材料(例如：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、或上述材質(zhì)的組合)，且該第二絕緣層22的材質(zhì)可與第一絕緣層20的材質(zhì)相同或不同。接著，請參照圖2E，形成貫穿第一絕緣層20以及第二絕緣層22的接觸孔21及23，分別露出該第二主動層部14B及該第一主動層部14A的上表面。

最后，形成一第二電極層18于該第二絕緣層22之上，請參照圖2F及圖1。其中，該第二電極層18包含沿該第二方向延伸的一數(shù)據(jù)線18A以及一導(dǎo)電圖案18B，其中該數(shù)據(jù)線18A與該導(dǎo)電圖案18B彼此電連接但未直接接觸，且該數(shù)據(jù)線18A及該導(dǎo)電圖案18B分別位于該第一電極層16的該突出部16B的左右兩側(cè)，即該突出部16B對該第一基板12的投影位于該數(shù)據(jù)線18A對該第一基板12的投影以及部分該導(dǎo)電圖案18B對該第一基板12的投影之間。此外，該數(shù)據(jù)線18A經(jīng)由貫穿該第一絕緣層20及該第二絕緣層22的接觸孔21與該第二主動層部14B電連接，而該導(dǎo)電圖案18B則經(jīng)由貫穿該第一絕緣層20及該第二絕緣層22的接觸孔23與該第一主動層部14A電連接。根據(jù)本發(fā)明某些實施例，該顯示裝置10可還包含一遮光層(未繪示)配置于該第一基板12之上，并位于該主動層14之下。其中，該遮光層可例如為一黑色矩陣，，該黑色矩陣的材料可為有機(jī)絕緣材料(例如：光感性樹脂)或金屬材料，且該主動層14與該遮光層之間可以一絕緣層(未繪示)相隔。

根據(jù)本發(fā)明另一實施例，該第一導(dǎo)電圖案部18B1對該第一基板12的投影與該突出部16B對該第一基板12的投影之間的最小距離D1可為0，即該第一導(dǎo)電圖案部18B1對該第一基板12的投影緊鄰該突出部16B對該第一基板12的投影，請參照圖3。此外，根據(jù)本發(fā)明其他實施例，該第一導(dǎo)電圖 案部18B1對該第一基板12的投影與該突出部16B對該第一基板12的投影可部分重疊，且該重疊的距離于該第一方向X約為0.1μm至0.5μm之間，請參照圖4。

請參照圖5，為本發(fā)明另一實施例所述的顯示裝置10平面示意圖，該圖僅繪示第一基板、主動層、第一電極層、以及第二電極層，其他元件(例如第二基板、位于第一基板與第二基板之間的顯示介質(zhì)層例如液晶層、絕緣層)省略之，用以說明該主動層、第一電極層、以及第二電極層之間的關(guān)系。該顯示裝置10包含一主動層14配置于一第一基板12之上。該主動層14可由一第一主動層部14A及一第二主動層部14B所構(gòu)成，其中該第一主動層部14A對于該第一基板12的投影可為L型，由沿一第一方向X延伸的第一部分與沿一第二方向Y延伸的第二部分所構(gòu)成，該第二主動層部14B可沿一第二方向Y延伸，且該第一主動層部14A連接該第二主動層部14B。該主動層14的形狀可例如為U型，如圖5如示。一第一電極層16配置于一第一絕緣層(未繪示)之上，其中該第一絕緣層可配置于該第一基板12之上并覆蓋該主動層14。換言之，該第一電極層16與該主動層14以該第一絕緣層相隔。該第一電極層16可例如為沿該第一方向X延伸的柵極線，且該第一電極層16可由一第一柵極線部16C及一第二柵極線部16D所構(gòu)成。其中，該第一電極層16與該第一主動層部14A重疊的部分被定義為該第一柵極線部16C，即該第一主動層部14A對該第一基板12的投影涵蓋了該第一柵極線部16C對該第一基板12的投影。此外，該第一電極層16并未與該第一主動層部14A重疊的部分則被定義為該第二柵極線部16D，即該第一主動層部14A對該第一基板12的投影與該第二柵極線部16D對該第一基板12的投影緊鄰，也就是說，該第一主動層部14A對該第一基板12的投影并未與該第二柵極線部16D對該第一基板12的投影重疊。一第二絕緣層(未繪示)可配置于該第一絕緣層之上并覆蓋該第一電極層16。一第二電極層18配置于該第二絕緣層上。

仍請參照圖5，該第二電極層18包含沿該第二方向Y延伸的一數(shù)據(jù)線18A以及一導(dǎo)電圖案18B，其中該數(shù)據(jù)線18A與該導(dǎo)電圖案18B彼此電連接但未直接接觸。該數(shù)據(jù)線18A經(jīng)由一貫穿該第一絕緣層及該第二絕緣層的一接觸孔(未繪示)與該主動層14電連接，而該導(dǎo)電圖案18B則經(jīng)由一貫穿該第一絕緣層及該第二絕緣層的另一接觸孔(未繪示)與該主動層14電連接。根據(jù)本發(fā)明實施例，該導(dǎo)電圖案18B具有一非平直的側(cè)邊25(例如為一凹陷邊 緣)，且該非平直的側(cè)邊25是該導(dǎo)電圖案18B鄰近該第一電極層16的一側(cè)邊。此外，該第一柵極線部16C對該第一基板12的投影與該導(dǎo)電圖案18B對該第一基板12的投影之間具有一最小距離D2，而該第二柵極線部16D對該第一基板12的投影與該導(dǎo)電圖案18B對該第一基板12的投影之間具有一最小距離D3，其中該最小距離D2大于該最小距離D3，以降低該導(dǎo)電圖案18B與該第一電極層16之間的寄生電容(parasitic capacitance)，從而降低饋通效應(yīng)(feed through effect)，避免顯示裝置畫面閃爍(image flicker)現(xiàn)象。根據(jù)本發(fā)明某些實施例，該最小距離D2可介于約1.0μm至5.0μm之間，而該最小距離D3可介于約0.5μm至4.5μm之間，且該最小距離D3及該最小距離D2的比值(D3/D2)可介于約0.50至0.95之間，優(yōu)選介于0.80至0.90之間。

圖6A至圖6F是圖5沿著切線6-6’的一系列剖視圖，用以說明圖5所述顯示裝置10的制造流程。首先，請參照圖5A，提供一第一基板12，并在其上形成一主動層14。該第一基板102可為石英、玻璃、硅、金屬、塑膠、或陶瓷材料。該主動層14的形狀可例如為U型。如圖5所示，該主動層14可由一第一主動層部14A及一第二主動層部14B所構(gòu)成，該第一主動層部14A對于該第一基板12的投影為L型，由沿一第一方向X延伸的第一部分與沿一第二方向Y延伸的第二部分所構(gòu)成，該第二主動層部14B沿一第二方向Y延伸，且該第一主動層部14A連接該第二主動層部14B。該主動層14可為低溫多晶硅(low temperature polysilicon，LTPS)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，IGZO)、或其他本技術(shù)領(lǐng)域常用的金屬氧化物半導(dǎo)體材料，然本發(fā)明并不限于此。

接著，請參照圖6B，形成一第一絕緣層20于該第一基板12之上，并覆蓋該主動層14。該第一絕緣層20的材質(zhì)可為有機(jī)絕緣材料(例如：光感性樹脂)或無機(jī)絕緣材料(例如：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、或上述材質(zhì)的組合)。接著，請參照圖6C，形成一第一電極層16于該第一絕緣層20之上，其中該第一電極層16可沿該第一方向X延伸，并作為柵極線。該第一電極層16可由一第一柵極線部16C及一第二柵極線部16D所構(gòu)成。其中，該第一電極層16與該第一主動層部14A重疊的部分被定義為該第一柵極線部16C，即該第一主動層部14A對該第一基板12的投影涵蓋了該第一柵極線部16C對該第一基板12的投影。此外，該第一電極層16并未與該第一主動層部14A的部分則被定義為該第二柵極線部16D，即該第一主動層 部14A對該第一基板12的投影與該第二柵極線部16D對該第一基板12的投影緊鄰，也就是說，該第一主動層部14A對該第一基板12的投影并未與該第二柵極線部16D對該第一基板12的投影重疊，請參照圖5。該第一電極層16的材質(zhì)可為鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金。

接著，請參照圖6D，形成一第二絕緣層22于該第一絕緣層20之上，并覆蓋該第一電極層16。該第二絕緣層22的材質(zhì)可為有機(jī)絕緣材料(例如：光感性樹脂)或無機(jī)絕緣材料(例如：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、或上述材質(zhì)的組合)，且該第二絕緣層22的材質(zhì)可與第一絕緣層20的材質(zhì)相同或不同。接著，請參照圖6E，形成貫穿第一絕緣層20以及第二絕緣層22的接觸孔21及23，分別露出該第一主動層部14A及該第二主動層部14B的上表面。

最后，形成一第二電極層18于該第二絕緣層22之上，請參照圖6F及圖5。其中，該第二電極層18包含沿該第二方向Y延伸的一數(shù)據(jù)線18A以及一導(dǎo)電圖案18B，其中該數(shù)據(jù)線18A與該導(dǎo)電圖案18B彼此電連接但未直接接觸。此外，該數(shù)據(jù)線18A經(jīng)由貫穿該第一絕緣層20及該第二絕緣層22的接觸孔23與第二主動層部14B電連接，而該導(dǎo)電圖案18B則經(jīng)由貫穿該第一絕緣層20及該第二絕緣層22的接觸孔21與該第一主動層部14A電連接。根據(jù)本發(fā)明某些實施例，該顯示裝置10可還包含一遮光層(未繪示)配置于該第一基板12之上，并位于該主動層14之下。其中，該遮光層可例如為一黑色矩陣，該黑色矩陣的材料可為有機(jī)絕緣材料(例如：光感性樹脂)或金屬材料，且該主動層14與該遮光層之間可以一絕緣層(未繪示)相隔。根據(jù)本發(fā)明其他實施例，該遮光層對該第一基板12的投影可與該導(dǎo)電圖案18B對該第一基板12的投影部分重疊、或者該遮光層對該第一基板12的投影與該導(dǎo)電圖案18B對該第一基板12的投影未重疊。

根據(jù)本發(fā)明實施例，請參照圖7，該顯示裝置10還包含一第三絕緣層24配置于該第二絕緣層(未繪示)之上并覆蓋該第二電極層18。其中，一接觸孔27貫穿該第三絕緣層24，并露出該導(dǎo)電圖案18B，以利后續(xù)所形成的一像素電極(未繪示)經(jīng)由該接觸孔27與該導(dǎo)電圖案18B電連接。該接觸孔27對于該第一基板12的投影在該第一方向X上具有一最大寬度W1，而該接觸孔27對于該第一基板12的投影在該第二方向Y上具有一寬度最大W2， 其中該最大寬度W1不等于該最大寬度W2。舉例來說，該接觸孔27對于該第一基板12的投影在該第一方向X上的最大寬度W1可大于該接觸孔27對于該第一基板12的投影在該第二方向Y上的最大寬度W2，如圖7所示。如此以來，通過上述接觸孔27的形狀設(shè)計，可縮小遮蔽柵極線16與接觸孔27的黑色矩陣(未繪示)在該第二方向Y的寬度，以利開口率的提升。在此，該最大寬度W1介于約3.0μm至15.0μm之間，而該最大寬度W2介于約2.0μm至13.0μm之間，該最大寬度W2與該最大寬度W1的比值(W2/W1)可介于約0.5至0.8之間，優(yōu)選介于0.65至0.75之間。

另一方面，根據(jù)本發(fā)明其他實施例，請參照圖8，該接觸孔27對于該第一基板12的投影在該第一方向X上的最大寬度W1可小于該接觸孔27對于該第一基板12的投影在該第二方向Y上的最大寬度W2。如此以來，通過上述接觸孔27的形狀設(shè)計，可在維持像素電極與導(dǎo)電圖案18B具有一定的接觸面積的前提下，降低像素間距(pixel pitch)，增加像素單元的集成度。在此，該最大寬度W1介于約2.0μm至13.0μm之間，而該最大寬度W2介于約3.0μm至15.0μm之間，該最大寬度W1與該最大寬度W2的比值(W1/W2)介于約0.5至0.8之間，優(yōu)選介于0.65至0.75之間。

雖然結(jié)合以上實施例公開了本發(fā)明，但應(yīng)該了解的是，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作更動、替代與潤飾。此外，本發(fā)明的保護(hù)范圍并未局限于說明書內(nèi)所述特定實施例中的制作工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者可從本發(fā)明揭示內(nèi)容中理解現(xiàn)行或未來所發(fā)展出的制作工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結(jié)果都可根據(jù)本發(fā)明使用。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍包括上述制作工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組成、裝置、方法及步驟。另外，每一權(quán)利要求構(gòu)成個別的實施例，且本發(fā)明的保護(hù)范圍也包括各個權(quán)利要求及實施例的組合。