本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點光源器件、背光模組及顯示裝置。

背景技術(shù)：

色域是一個描述顯示器能夠達到的色還原能力的指標。目前行業(yè)內(nèi)采用藍光激發(fā)量子點材料產(chǎn)生白光的背光方案，其可到達100％NTSC(National Television Standards Committee，簡稱(美國)國家電視標準委員會)的色域。

現(xiàn)有技術(shù)中，通過藍光照射量子點(英文為：Quantum Dots)，可以激發(fā)不同尺寸的量子點釋放出純度高的紅光和綠光，并與剩余的純藍光混合得到高亮度的白光。目前在將量子點應用到直下式顯示器上時，行業(yè)內(nèi)的一種背光模組采用在膜片上涂覆量子點的方法，具體結(jié)構(gòu)如圖1所示，發(fā)光芯片102設置在背板101上，來自發(fā)光芯片102發(fā)射的藍光照射在涂有量子點的膜片103上，從而可以激發(fā)涂有量子點的膜片103上的量子點材料發(fā)出純度高的紅光和綠光。在上述方案中，由于需要量子點材料需要涂滿整個膜片103，因此量子點的使用量比較多，導致該方案的成本比較高。

為了解決上述成本較高的問題，行業(yè)中的另一種方案是將量子點放置在發(fā)光二級管(Light Emitting Diode，簡稱LED)芯片上方作為點光源，圖2示例性示出采用這種點光源的背光模組的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2a所示，在背板201上設置多個點光源202。每個點光源202的結(jié)構(gòu)可參考圖2b，包括：LED芯片202a，以及設置LED芯片202上方的量子點層202b，這種方式節(jié)省了量子點的使用量。

然而，由于每個點光源202中的LED芯片202a的光強呈朗伯分布，即LED芯片202a發(fā)光角度越小的單位面積所產(chǎn)生的光功率就越高，且角度較小的單位面積照射到量子點層202b的光功率可以到達60～100W/cm²。如圖2b所示，量子點層202b與LED芯片202a正對區(qū)域接收到的光功率要比斜對LED芯片區(qū)域接收到的光功率大，而量子點層接收光功率大的區(qū)域，產(chǎn)生的溫度要比量子點層接收光功率小的區(qū)域產(chǎn)生的溫度高。由于量子點材料 在高溫影響下會導致其失效，所以量子點層可承受的藍光照射的極限一般在5W/cm²以下，因此，LED芯片202a正上方的量子點層202b更容易受到高強度的藍光照射，從而導致量子點失效。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種量子點發(fā)光器件、背光模組及顯示裝置，至少解決現(xiàn)有技術(shù)中位于LED芯片正上方的量子點易失效的問題。

本發(fā)明實施例提供一種量子點發(fā)光器件，包括：

基座；

發(fā)光芯片，所述發(fā)光芯片設置在所述基座上；

量子點層，所述量子點層設置在所述基座上，位于所述發(fā)光芯片的出光方向上、且與所述發(fā)光芯片之間具有間隙，其中，所述量子點層在與所述發(fā)光芯片相對的表面上設置有反射點，所述反射點至少分布在所述量子點層與所述發(fā)光芯片正對的區(qū)域。

較佳地，所述基座為呈凹槽狀，所述發(fā)光芯片設置于所述基座的凹槽底部，所述量子點層設置于所述基座的凹槽開口處，其中，所述基座與發(fā)光芯片及所述量子點層封裝為一體結(jié)構(gòu)。

較佳地，所述基座的凹槽內(nèi)壁可反射光線。

較佳地，所述反射點分布在整個量子點層所限定的區(qū)域；在經(jīng)過所述發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心的直線上，任意相鄰兩個反射點之間的距離從所述中心到所述量子點層的邊緣逐漸增大。

較佳地，所述反射點分布在整個量子點層所限定的區(qū)域，且所述反射點的尺寸從與所述發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到所述量子點層的邊緣逐漸變小。

較佳地，所述反射點為半球體狀，且在所述量子點層上呈同心圓狀分布，其中，每個同心圓上分布的各個反射點的半徑相等，且所述每個同心圓上分布的反射點的半徑隨著所述每個同心圓的半徑的增大而減小，每個所述同心圓上分布的多個反射點的密度隨著所述每個同心圓的半徑的增大而減小。

較佳地，所述量子點層包括：

相向設置的第一基板和第二基板，以及密封在所述第一基板和所述第二基板之間量子點和位于量子點四周的水氧隔離材料。

較佳地，所述量子點材料包含紅色量子點、綠色量子點和樹脂；所述發(fā)光芯片為藍光芯片。

較佳地，所述反射點的材料包括SiO₂、CaCO₃、TiO₂、BaSO₄中的一種或者多種反射材料。

較佳地，所述量子點層上設置的反射點為印刷式網(wǎng)點。

本發(fā)明實施例提供一種直下式背光模組，包括：

背板；

多個上述實施例提供的所述的量子點發(fā)光器件，所述量子點發(fā)光器件設置在所述背板上；

光學膜片組，所述光學膜片組設置在所述量子點發(fā)光器件的出光方向。

本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括：

上述實施例提供的所述的直下式背光模組；

顯示面板，所述顯示面板設置在所述直下式背光模組的出光方向。

本發(fā)明實施例還提供一種側(cè)入式背光模組，包括：

反射片；

導光板，所述導光板具有入光面、出光面及反射面，所述反射片設置在所述導光板的反射面上；

多個上述實施例提供的量子點發(fā)光器件，所述量子點發(fā)光器件設置在所述導光板入光面一側(cè)；

光學膜片組，所述光學膜片組設置在所述導光板的出光面方向。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括：

上述實施例提供的側(cè)入式背光模組；

顯示面板，所述顯示面板設置在所述側(cè)入式背光模組的出光方向。

本發(fā)明實施例中，量子點層設置在基座上，位于發(fā)光芯片的出光方向上，且量子點層與該發(fā)光芯片之間具有間隙；因此，量子點層可以接收來自發(fā)光芯片發(fā)出的照射光。由于在量子點層與該發(fā)光芯片相對的表面設置有反射點，且反射點至少分布在該量子點層與該發(fā)光芯 片的正對區(qū)域。即發(fā)光芯片正對區(qū)域設置的反射點可以將來自發(fā)光芯片正對區(qū)域的光部分反射，減少了發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點層接收發(fā)光芯片照射的光功率，避免了發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點層因高溫而失效的問題，進而由于反射點將來自發(fā)光芯片正方向的光反射，是被反射的光從量子點層的邊緣部分進行到量子點層，所以量子點發(fā)光器件中的量子點層接收到的光照相對均勻。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種涂布量子點膜片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為現(xiàn)有技術(shù)中一種設置有量子點層的點光源結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為圖2a中LED芯片上方設置量子點層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例適用的一種背光模組光學結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a為本發(fā)明實施例提供的一種量子點發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4b為本發(fā)明實施例提供的發(fā)光芯片發(fā)出光被反射點反射之后，再次照射到量子點層的光路示意圖；

圖4c為本發(fā)明實施例提供的量子點層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a為本發(fā)明實施例提供的一種反射點在量子點層的分布示意圖；

圖5b為圖5a中任意一條直線上的分布的多個反射點在量子點層上的剖面示意圖；

圖6a為本發(fā)明實施例提供的一種反射點在量子點層的分布示意圖；

圖6b為圖6a中多個反射點設置在量子層上的剖面示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的另一種反射點在量子點層的分布示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例提供的另一種反射點在量子點層的分布示意圖；

圖9為本發(fā)明實施例提供的一種直下式背光模組結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實施例提供的一種側(cè)入式背光模組結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實施例提供的另一種顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供的量子點發(fā)光器件，在量子點層與發(fā)光芯片相對的表面上設置有反射點，且該反射點至少分布在該量子點層與該發(fā)光芯片正對的區(qū)域，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在接收光照射不均勻的問題。

在本發(fā)明實施例中，涉及的技術(shù)術(shù)語如下：

1、背光源：為薄膜晶體管液晶顯示屏(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)提供一個面內(nèi)亮度均勻分布的光源。

2、直下式背光方式(英文為：Direct or Bottom Back-Light Type)：是將發(fā)光體直接放在顯示屏的下面，并在整個背光面上大量均勻分布發(fā)光體。

3、擴散片，分為上擴散片和下擴散片，位于光源一側(cè)擴散片叫下擴散片，位于顯示屏一側(cè)的擴散片叫上擴散片，下擴散片的作用主要是讓光線透過擴散涂層發(fā)生漫反射，使光線均勻分布，保證背光源面內(nèi)亮度均一化；上擴散片的作用是防止位于棱鏡片上的棱鏡圖案與顯示屏直接接觸發(fā)生刮傷，所以上擴散片也叫保護片。

4、棱鏡片，位于上擴散片和下擴散片之間，作為一種聚光裝置，主要是利用全反射和折射，將經(jīng)過下擴散片出來的光，集中在一定角度范圍內(nèi)出射，從而提高該視野范圍內(nèi)的亮度。

5、反射片，反射冷陰極熒光燈(Cold Cathode Fluorescent Lamp，簡稱CCFL)或者LED等光源的光線，使其進入導光板或者擴散片，提高背光源的光利用率。

6、量子點：是一種由II-VI族或III-V族元素的化合物組成的納米顆粒。量子點的量子尺寸效應使得半導體量子點的光電性質(zhì)產(chǎn)生了巨大的變化，當半導體量子點顆粒的尺寸小于激子的波爾半徑時所產(chǎn)生的量子尺寸效應改變了半導體材料的能級結(jié)構(gòu)，使之有一個連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂蟹肿犹匦缘姆至⒛芗壗Y(jié)構(gòu)。利用這一現(xiàn)象即可在同一中反應中制備出不同粒徑的半導體量子點，產(chǎn)生不同頻率的光發(fā)射，從而可以方便的調(diào)控出多種發(fā)光顏色。

圖3示例性的示出本發(fā)明實施例適用的一種直下式背光模組光學結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖3所示，背光模組包括：背板301、點光源302、下擴散片303、棱鏡片304和上擴散片305。其中，點光源302可以是LED發(fā)光芯片，可以是冷陰極熒光管，還可以是電致發(fā)光(electroluminescent，簡稱EL)，在此不一一列舉。

如圖3所示，來自點光源302的光照射到下擴散片303上，通過下擴散片303之后的光線會比較均勻的照射到棱鏡片304上，棱鏡片304將來自下擴散片303的比較分散的光集中在一定角度范圍內(nèi)并同上擴散片射出，從而為顯示屏提供了一個面內(nèi)亮度均勻分布的光源。在上述實施例中，若光源采用CCFL或者LED，則需要在背光源的底部，即在圖3的背板301上設計一張反射片，將CCFL或者LED照射過來的光反射出去。由于普通LED電視采用的是藍色LED芯片加黃色熒光粉形成白光，或者紫外(近紫外)LED加紅、綠、藍熒光粉形成白光，或者獨立的紅、綠、藍三色LED一體封裝形成白光。但是上述方法中產(chǎn)生的紅、綠、藍三基色的純度不足，導致紅、綠、藍三基色可以混合出來的顏色比較少，因而所表現(xiàn)的色域也就比較窄，導致顯示屏上多數(shù)藍色、綠色以及部分紅色無法被準確的顯示出來。

研究表明，顯示屏色域的優(yōu)劣與電視機的很多指標有關(guān)，其中比較重要的一項指標就是背光源。根據(jù)上述專業(yè)術(shù)語解釋，可以知道，背光源主要是為顯示屏提供一個面內(nèi)亮度均勻分布的光源，而背光源對顯示屏色域影響的主要因數(shù)取決于紅、綠、藍三種光波的純度。而量子點受到受到電或者光的激發(fā)時，會根據(jù)量子點自身的半徑大小，發(fā)出各種不同顏色但是純度非常高的單色光。純度比較高的紅、綠和藍光混合可以得到純度高的白光，因此顯示屏的色域就會比較高，從而顯示屏上可以將多數(shù)藍色、綠色和紅色比較準確的顯示出來。

現(xiàn)有技術(shù)中，一般上將量子點層設置在LED芯片的正上方，而由于量子點有遇到高溫會失效的問題，因此，在將量子點應用到背光源時，可能會因為量子點層在LED芯片正上方的放置位置，導致量子點層與LED芯片正對區(qū)域接收到的光功率大，產(chǎn)生了量子點不能承受的溫度，導致量子點失效，從而影響顯示屏顯示效果。

基于上述分析，并考慮到量子點具有遇高溫會失效的問題。在本發(fā)明實施例中，提供一種在量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點層上設置反射點的方法，利用設置在量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點，將照射到量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域的光反射，避免了發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點接收到的大的光功率，產(chǎn)生量子點不能承受的溫度，導致量子點失效，影響光源器件接收光照不均勻以及顯示屏顯示效果的問題。

圖4a示例性示出本發(fā)明實施例提供的一種量子點發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖。該量子點發(fā)光器件可以作為背光模組的點光源。

參見圖4a，本發(fā)明實施例提供的一種量子點發(fā)光器件，主要包括：基座401，發(fā)光芯片402，量子點層403和反射點404。其中，發(fā)光芯片402設置在基座401上；量子點層403設置在基座401上，位于發(fā)光芯片402的出光方向，且量子點層403和發(fā)光芯片402之間具有間隙；量子點層403在與發(fā)光芯片402相對的表面上設置有反射點404，而且反射點404至少分布在量子點層403與發(fā)光芯片402正對的區(qū)域。

需要說明的是，所謂反射點404至少分布在量子點層403與發(fā)光芯片402正對的區(qū)域，是指反射點404可以僅分布在發(fā)光芯片402正對的區(qū)域，還可以分布在量子點層403上更大的區(qū)域，例如，可以在整個量子點層403 上均有分布。另外，此處“分布”一般是指多個反射點在某個區(qū)域內(nèi)分散設置，其中某個反射點可以與其他反射點間隔開來，也可以與其他某個或某些個緊鄰，只要照射到量子點層403的上述區(qū)域(分布有反射點的區(qū)域)的部分光線可從反射點間的間隙穿過，部分光線可被反射點反射即可。

在本發(fā)明實施例中，由于在量子點層與發(fā)光芯片相對的表面設置有反射點，且反射點至少分布在該量子點層與發(fā)光芯片的正對區(qū)域，即發(fā)光芯片正對區(qū)域設置的反射點可以將來自發(fā)光芯片正對區(qū)域的光部分反射，減少了發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點層接收發(fā)光芯片照射的光功率，避免了發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點層因高溫而失效的問題，進而由于反射點將來自發(fā)光芯片正方向的光反射，使被反射的光從量子點層的邊緣部分進行到量子點層，所以量子點發(fā)光器件中的量子點層接收到的光照相對均勻。

參見圖4a，本發(fā)明實施例中，基座401呈凹槽狀，發(fā)光芯片402設置于基座401的凹槽底部，而量子點層設置于基座401的凹槽開口處。其中，基座401，發(fā)光芯片402和量子點層403封裝為一體結(jié)構(gòu)，形成第一種量子點發(fā)光器件。在現(xiàn)有技術(shù)中，由于發(fā)光芯片402和量子點層403之間的距離比較近，當來自發(fā)光芯片402的光若直接照射到與發(fā)光芯片402正對區(qū)域的量子點層之后，容易使得量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點材料失效。而在本發(fā)明實施例中，由于在量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域設置有反射點404，而該反射點404會對來自發(fā)光芯片402發(fā)出的光進行反射，從而可以改變來自發(fā)光芯片402發(fā)出光的光路，并將發(fā)光芯片402發(fā)出的光反射到基座401上。從而避免了量子點層403與發(fā)光芯片402正對區(qū)域的量子點材料失效的問題。

在本發(fā)明實施例中，可以將多個發(fā)光芯片402設置在基座401的凹槽底部，同時將量子點層403設置在基座的凹槽開口處。其中，基座的凹槽開口處可以對應的是導光板，即將量子點層403設置在導光板的下側(cè)。在本發(fā)明實施例中，凹槽開口處還可以對應的是光學膜片組，即將量子點層403設置在光學膜片組的下側(cè)。在上述實施例中，由于量子點層與發(fā)光芯片的距離相對比較遠，所以，與發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點層的量子點材料不會因為發(fā)光芯片的照射而導致量子點材料失效的問題。而由于在量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域設置的反射點，反射點會對來自發(fā)光芯片正對區(qū)域的光進行反射，改變發(fā)光芯片發(fā)出光的傳輸方向，將于發(fā)光芯片正對 區(qū)域的光反射到基座上，從而使得照射到量子點層的光線更均勻。

在本發(fā)明實施例中，為了提高對發(fā)光芯片發(fā)出光的利用率，基座的凹槽內(nèi)壁可反射光線。示例的，基座的凹槽內(nèi)壁涂有反射層。又示例的，基座可以采用的材料具有反射可見光的特性，進一步的還可以具有耐藍光輻射和耐高溫等特性。

圖4b示例性示出發(fā)光芯片發(fā)出光在發(fā)光器件中的光路示意圖。參見圖4b，與發(fā)光芯片402正對區(qū)域的量子點層403上設置的反射點404將來自發(fā)光芯片402發(fā)出的光反射到基座401上，由于基座401可以反射光，所以基座401可以將來自反射點404反射的光再次反射出去，從而使得被反射點404反射的光通過基座401反射之后，再次照射到量子點層402上。采用上述方法，可以使得發(fā)光芯片402發(fā)出的光均勻的照射到量子點層403上，并且避免量子點層403與發(fā)光芯片正對區(qū)域接收高溫照射而導致量子點失效的問題。進一步地，由于基座401具有耐藍光輻射和耐高溫的特性，即使被反射點404的反射的光強度比較大，基座401也不會因此而失效，從而影響被反射點404反射的光再次反射。優(yōu)選地，基座的組成材料可以是環(huán)氧樹脂(Epoxy Molding Compound，簡稱為EMC)材料。本發(fā)明實施例中，對基座的組成材料不做具體的限定。

在本發(fā)明實施例中，為了更好的保護量子點，在量子點上下各設置一層基板，將量子點密封在上下基板中。而將量子點密封在上下基板一般采用的封裝工藝是激光燒融，或者火燒方法。而在實際應用中，若直接將量子點密封在上下基板上，會存在靠近上下基板密封點的量子點會因為高溫影響，而導致失效的問題。在本發(fā)明實施例中，為了避免量子點材料在密封過程中因為高溫影響，導致量子點材料失效的問題，在將量子點密封在上下基板的同時，還會在量子點的四周設置水氧隔離材料。

圖4c示例性示出本發(fā)明實施例提供的量子點層結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖4c，量子點層包括：第一基板403-1，第二基板403-2，量子點403-3和量子點403-3四周的水氧隔離材料403-4。其中，第一基板403-1和第二基板403-2相向設置，量子點403-3和量子點四周的水氧隔離材料403-4都被密封在第一基板403-1和第二基板403-2之間。優(yōu)選地，第一基板和第二基板可以是玻璃基板。本發(fā)明實施例中，對第一基板和第二基板的材料不做具體的限定。

由于量子點層四周設置了水氧隔離材料，一方面節(jié)約了量子點；一方面，避免了量子點在高溫密封時由于高溫而導致失效的問題；另一方法，同時避免了量子點因遇水或者遇氧而導致失效的問題。優(yōu)選地，水氧隔離材料材料可以選擇二氧化硅材料。本發(fā)明實施例中，對水氧隔離材料組成材料不做具體限定。

在本發(fā)明實施例中，量子點材料包含紅色量子點、綠色量子點和樹脂，由于量子點發(fā)光效率高并且發(fā)射譜線窄，因此，能將來自發(fā)光芯片的光高效轉(zhuǎn)化成接近單色光的紅光或者綠光，進而提高色域，提高畫面的顯示品質(zhì)。由于量子點層包含的量子點尺寸不同，因此，可將來自發(fā)光芯片的光轉(zhuǎn)化為不同顏色的光，一般紅光量子點的尺寸大約為7nm，綠光量子點的尺寸大約為3nm。

由于核-殼型量子點對發(fā)光芯片的進行轉(zhuǎn)化，從吸收和發(fā)射光譜來看，核-殼結(jié)構(gòu)的量子點具有更加優(yōu)異的發(fā)光特性，能夠明顯減少納米顆粒的表面缺陷，大大提高了發(fā)光效率，因此，核-殼型紅光量子點和核-殼型綠光量子點利于提高發(fā)光效率。優(yōu)選地，紅色量子點和綠色量子點可以是核-殼型量子點。本發(fā)明實施例中，對紅色量子點和綠色量子點的材質(zhì)不做具體的限定。

由于藍光波長較短，具有較高的能量，可以將紅光量子點和綠光量子點激發(fā)分別轉(zhuǎn)化為紅光和綠光。在本發(fā)明實施例中，發(fā)光芯片可以優(yōu)選的選擇發(fā)藍光的發(fā)光芯片，由于發(fā)光芯片發(fā)出的藍光接近單色光，因此，采用藍光發(fā)光芯片照射紅色量子點和綠色量子點，可以進一步的提高色域，提高畫面的顯示品質(zhì)。

在本發(fā)明實施例中，為了更好的保護與發(fā)光芯片相對區(qū)域的量子點層不會因為發(fā)光芯片發(fā)出的高強度光照射，而導致量子點材料失效的問題，在量子點層與發(fā)光芯片相對的表面設置有反射點，而且反射點至少分布在量子點層與發(fā)光芯片正對的區(qū)域。反射點可以將來自發(fā)光芯片發(fā)出的并且照射到反射點的光反射。進一步地，反射點由具有反射特性的材料組成。優(yōu)選地，反射點的材料包括SiO₂、CaCO₃、TiO₂、BaSO₄中的一種或者多種反射材料。本發(fā)明實施例中，對反射點的組成材料不做具體的限定。

反射點的形成方式優(yōu)選地，可以采用印刷方式將反射點設置在量子點層上，即將油墨印刷到量子點層上，以形成反射點，這種方式形成的 反射點稱為印刷式網(wǎng)點。其中，油墨可以采用具有高反射及散射特性的材料，其中可以包含有上述一種或者多種反射材料。本發(fā)明實施例中，對將反射點設置到量子點層的具體方法不做限定。

在本發(fā)明實施例中，由于量子點層與發(fā)光芯片相對的表面還包括有第二基板，因此，將反射點設置在量子層與發(fā)光芯片相對的表面，其實是將反射點設置在第二基板上，第二基板的材質(zhì)一般為玻璃材質(zhì)。

由于量子點層和發(fā)光芯片都設置在基座上，且量子點層位于發(fā)光芯片的出光方向，所有需要采用透明，且具有粘性的材料將量子點層從上側(cè)固定在基座上。優(yōu)選地，具有透明且具有粘性的材料可以是硅膠。在本發(fā)明實施例中，對透明且具有粘性的材料不做具體的限定。

基相同的發(fā)明構(gòu)思以及反射點在量子點層上不同的分布情況，本發(fā)明實施例還至少包括以下幾種具體的實施方式，具體參見實施例一至實施例四。

實施例一

以下結(jié)合附圖5a和附圖5b來進一步說明本發(fā)明實施例提供的在量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域至少設置有反射點的一種量子點發(fā)光器件。圖5a示例性示出本發(fā)明實施例提供的一種反射點子在量子點層上的分布示意圖；圖5b為圖5a中任意一條直線上的分布的多個反射點在量子點層上的剖面示意圖。

本發(fā)明實施例僅對反射點在量子點層上的分布做進一步限定，關(guān)于量子點發(fā)光器件的其他結(jié)構(gòu)可以參考上述實施例。

在本發(fā)明實施例中，反射點在量子點層上的具體分布參見圖5a，反射點分布在整個量子點層所限定的區(qū)域，即反射點既分布在發(fā)光芯片正對區(qū)域，還分布除了該正對區(qū)域以外的區(qū)域。其中，在經(jīng)過所述發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心的直線上，任意相鄰兩個反射點之間的距離從所述中心到所述量子點層的邊緣逐漸增大。

參見圖5a，以發(fā)光芯片正對區(qū)域中心點的反射點501為例，任意一個與反射點501相鄰的反射點所組成的直線上，都分布有反射點。而且任意一條直線上分布的多個反射點都以反射點501為中心，且呈對稱分布。

比如，通過反射點501的一條直線51上分布有多個反射點，而且這多個反射點都在反射點501的左右兩側(cè)分布。其中，與射點501與相鄰的反射點502之間的距離為d1，由于反射點502和反射點502-1分別與反射點501呈對稱分布，且距離反射點501的距離相等，所以，可以確定反射點502-1與反射點501之間的距離也為d1；與反射點502相鄰的反射點503之間的距離為d2，由于反射點503-1和反射點503分別與反射點501呈對稱分布，且距離反射點501的距離相等，且反射點502和反射點502-1分別與反射點501的距離都為d1，所以，可以確定反射點503-1與反射點502-1之間的距離為d2，且d2大于d1；根據(jù)上述規(guī)則，可以進一步確定，反射點504與反射點503之間的距離為d3，且反射點504-1與反射點503-1之間的距離也為d3，且d3大于d2；反射點505與反射點504之間的距離為d4，且反射點505-1與反射點504-1之間的距離也為d4，且d4大于d3；反射點506與反射點505之間的距離為d5，且反射點506-1與反射點505-1之間的距離也為d5，且d5大于d4；反射點507與反射點506之間的距離為d6，且反射點507-1與反射點506-1之間的距離也為d6，且d6大于d5；反射點508與反射點507之間的距離為d7，且反射點508-1與反射點507-1之間的距離也為d7，且d7大于d6。

根據(jù)上述分析以及圖5a所示，可以確定，通過發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點的任一直線上分布的任意兩個相鄰的反射點之間的距離，從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣逐漸增大。比如，反射點501與反射點502之間的距離d1小于反射點502與反射點503之間的距離d2；反射點503和反射點502之間的距離d2小于反射點504和反射點503之間的距離d3；同理，反射點506和反射點507之間的距離d6小于反射點508和反射點507之間的距離d7。

參見圖5b，多個反射點設置在量子點層5與發(fā)光芯片(圖中未示出)相對的表面上，多個反射點以與發(fā)光芯片正對區(qū)域中心點的一個反射點501為中心，呈對稱分布。比如，反射點502與反射點501之間的距離為d1，由于反射點502和反射點502-1以反射點501為中心，呈對稱分布，所以反射點502-1與反射點501之間的距離也為d1；反射點503與反射點502之間的距離為d2，由于發(fā)射點503和反射點503-1分別以反射點501為中心呈對稱分布，且反射點502、反射點502-1分別與反射點501之間的距離為d1，所以可以確定，反射點503-1和反射點5021之間的距離也 為d2，且d2大于d1；進一步地，反射點504與反射點503之間的距離為d3，反射點504-1與反射點503-1之間的距離為d3，反射點505與反射點504之間的距離為d4，反射點505-1與反射點504-1之間的距離為d4，反射點506與反射點505之間的距離為d5，反射點506-1與反射點505-1之間的距離為d5，且d5大于d4，d4大于d3，d3大于d2。

根據(jù)上述分析，可以確定，通過發(fā)光芯片正對區(qū)域中心的反射點的任一直線上分布的反射點，由于發(fā)光芯片正對區(qū)域中心的反射點與任意一個相鄰的反射點之間的距離都小于通過發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點的任一直線上其它任意相鄰的兩個反射點的距離，且距離發(fā)光芯片正對區(qū)域中心的反射點越遠的任意兩個相鄰的反射點之間的距離會越來越大，而由于發(fā)光芯片的光強呈朗伯分布，小角度單位面積上的光功率大于大角度單位面積上的光功率。在本發(fā)明實施例中，即使發(fā)光芯片的光強呈朗伯分布，存在小角度單位面積上的光功率高，單位時間內(nèi)通過的光子多的問題，會導致量子點層上與發(fā)光芯片正對的區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光比量子點層周邊區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光強。由于與發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點層設置的反射點比量子點層周邊區(qū)域設置的反射點多，因此，在量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點對來自發(fā)光芯片的光進行反射的幾率也會高于量子層周邊區(qū)域的反射點對來自發(fā)光芯片的光的反射幾率。當發(fā)光芯片發(fā)出的光照射在與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點上，會被該反射點反射，并且改變發(fā)光芯片發(fā)出光的光路，使來自發(fā)光芯片的光被反射到基座上，由于基座具有反射作用，所以來自發(fā)光芯片的光會再次被基座反射，而再次被反射的光可以從量子點的周邊區(qū)域進入到量子點層。采用本發(fā)明實施例提供的上述方法，即可以避免量子點層因發(fā)光芯片高功率照射而導致量子點失效，同時保證了量子點層可以均勻的接收發(fā)光芯片發(fā)出的光。

在本發(fā)明實施例中，多個量子點設置在量子點層與發(fā)光芯片相對的表面上，經(jīng)過所述發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心的直線上。優(yōu)選地，任意一條直線通過發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心，且發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心上有一個反射點，且任意一條直線上的多個反射點以發(fā)光芯片正對區(qū)域的中的反射點位中心，呈對稱分布。進一步地，任意一條直線上通過發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心，且發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心上也可以沒有反射點，但任意一條直線上的多個反射點同樣以發(fā)光芯片正對區(qū)域為中心，呈對稱分布。在本發(fā)明實施例中，對發(fā)光芯片正對區(qū)域是否設 置有反射點不做具體的限定。

在本發(fā)明實施例中，多個量子點設置在量子點層與發(fā)光芯片相對的表面上，多個反射點以與發(fā)光芯片正對區(qū)域中心的一個反射點為中心，呈對稱分布。優(yōu)選地，量子層與發(fā)光芯片相對的表面上設置的多個量子點的形狀為半球體狀。進一步地，量子層與發(fā)光芯片行對的表面上設置的多個量子點的形狀也可以是不規(guī)則的體狀。本發(fā)明實施例中，對量子層與發(fā)光芯片行對的表面上設置的多個量子點的形狀不做具體的規(guī)定。

在本發(fā)明實施例中，多個量子點設置在量子點層與發(fā)光芯片相對的表面上，當量子點的形狀為半球體狀時，優(yōu)選地，多個量子點的半徑相等；進一步地，多個量子的半徑也可以不相等。本發(fā)明實施例中，對多個量子點的半徑不做具體的限定。

在本發(fā)明實施例中，多個量子點設置在量子點層與發(fā)光芯片相對的表面上，多個反射點以與發(fā)光芯片正對區(qū)域中心點的一個反射點為中心，呈對稱分布。優(yōu)選地，同一直線上分布的任意兩個相鄰的反射點之間的距離，從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣可以按照設定數(shù)值進行遞增；進一步地，同一直線上分布的任意兩個相鄰的反射點之間的距離，從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣也可以按照任意數(shù)值進行遞增；進一步地，同一直線上分布的反射點之間的距離，可以按照從發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣整體呈遞增狀態(tài)進行遞增，但是對任意兩個相鄰的反射點之間的距離是否遞增不做限定，比如，發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點1，與量子點1相鄰的量子點2之間的距離為l2，與而與量子點2相鄰的量子點3之間的距離也為l2，但是量子點4和量子點5之間的距離為l4，其中，l4大于l2。本發(fā)明實施例中，對同一直線上分布的任意兩個相鄰的反射點之間的距離，從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣的遞增數(shù)值不做具體的限定。

實施例二

以下結(jié)合附圖6a和附圖6b來進一步說明本發(fā)明實施例提供的在量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域至少設置有反射點的一種量子點發(fā)光器件。圖6a示例性示出本發(fā)明實施例提供的一種反射點子在量子點層上的分布示意圖；圖6b為圖6a中多個反射點設置在量子層上的剖面示意圖。

本發(fā)明實施例僅對反射點在量子點層上的分布做進一步限定，關(guān)于量子點發(fā)光器件的其他結(jié)構(gòu)可以參考上述實施例。

在本發(fā)明實施例中，反射點在量子點層上的具體分布參見圖6a，反射點分布在整個量子點層所限定的區(qū)域，即反射點既分布在發(fā)光芯片正對區(qū)域，還分布除了該正對區(qū)域以外的區(qū)域。其中，所述反射點的尺寸從與所述發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到所述量子點層的邊緣逐漸變小。

參見圖6a，以發(fā)光芯片正對區(qū)域中心點的反射點601為例，當量子點的形狀為球體狀時。反射點601位于量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心點，且反射點601的半徑為r1(圖中未示出)，與反射點601相鄰的兩個反射點602和反射點602-1的半徑相等，均為r2(圖中未示出)，且r1大于r2；與反射點602相鄰的反射點603的半徑為r3(圖中未示出)，相應地，與反射點602-1相鄰的反射點603-1的半徑也為r3，且r2大于r3；根據(jù)上述規(guī)則，可以確定，與反射點604相鄰的反射點605的半徑為r5(圖中未示出)，相應地，與反射點604-1相鄰的反射點605-1的半徑也為r5，且r4(圖中未示出)大于r5。

參見圖6b，多個反射點設置在量子點層6與發(fā)光芯片(圖中未示出)相對的表面上，多個反射點的半徑從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣部分在逐漸變小。比如，反射點601的半徑r1大于反射點602和反射點602-1的半徑r2；反射點602的半徑r2大于反射點603的半徑r3，反射點602-1的半徑r2大于反射點603-1的半徑r3；同理，反射點604的半徑r4大于反射點605的半徑r5；相應地，反射點604-1的半徑r4大于反射點605-1的半徑r5。

根據(jù)上述分析，可以確定，在整個量子層所在區(qū)域內(nèi)設置的多個反射點，由于與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點的半徑比任意一個與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點相鄰的反射點的半徑都大，且距離發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點距離越遠的反射點的半徑會越小，而由于發(fā)光芯片的光強呈朗伯分布，小角度單位面積上的光功率大于大角度單位面積上的光功率。在本發(fā)明實施例中，即使發(fā)光芯片的光強呈朗伯分布，存在小角度單位面積上的光功率高，單位時間內(nèi)通過的光子多的問題，會導致量子點層上與發(fā)光芯片正對的區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光比量子點層周邊區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光強。由于量子點層與發(fā)光芯片相對的表面設置有反射點，與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點的半徑比任意一個與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點 相鄰的反射點的半徑都大，且反射點具有反射作用，可以將量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光進行反射。由于與發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點層設置的反射點的半徑大于量子點層周邊區(qū)域設置的反射點的半徑大，因此，在量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點對來自發(fā)光芯片的光進行反射的幾率也會高于量子層周邊區(qū)域的反射點對來自發(fā)光芯片的光的反射幾率。當發(fā)光芯片發(fā)出的光照射在與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點上，會被該反射點反射，并且改變發(fā)光芯片發(fā)出光的光路，使來自發(fā)光芯片的光被反射到基座上，由于基座具有反射作用，所以來自發(fā)光芯片的光會再次被基座反射，而再次被反射的光可以從量子點的周邊區(qū)域進入到量子點層。采用本發(fā)明實施例提供的上述方法，即可以避免量子點層因發(fā)光芯片高功率照射而導致量子點失效，同時保證了量子點層可以均勻的接收發(fā)光芯片發(fā)出的光。

在本發(fā)明實施例中，多個量子點設置在量子點層與發(fā)光芯片相對的表面上，優(yōu)選地，量子層與發(fā)光芯片行對的表面上設置的多個量子點的形狀為半球體狀。進一步地，量子層與發(fā)光芯片行對的表面上設置的多個量子點的形狀可以是不規(guī)則的形狀。本發(fā)明實施例中，對量子層與發(fā)光芯片相對的表面上設置的多個量子點的形狀不做具體的規(guī)定。

在本發(fā)明實施例中，多個量子點設置在量子點層與發(fā)光芯片相對的表面上，優(yōu)選地，反射點的半徑從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣可以按照設定數(shù)值進行有規(guī)則的遞減。進一步地，反射點的半徑從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣可以按照任意數(shù)值進行遞減。進一步的，反射點的半徑從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣可以整體按照遞減的規(guī)律變化，但是對從發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到邊緣任意相鄰的反射點的半徑是否遞減不做限定，比如，發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點1的半徑為r1，與量子點1相鄰的量子點2的半徑為r2，與量子點2相鄰的量子點3的半徑也為r2，但是量子點5的半徑為r4，其中，r1大于r2，r2大于r4。本發(fā)明實施例中，對設置在與發(fā)光芯片相對的表面上的多個量子點的半徑從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣的遞減數(shù)值不做具體的限定。

在本發(fā)明實施例中，多個量子點設置在量子點層與發(fā)光芯片相對的表面上，當反射點的半徑從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣可以按照設定數(shù)值進行有規(guī)則的遞減時，優(yōu)選地，反射點從與發(fā)光芯片正對 區(qū)域的中心到量子點的邊緣上，任意兩個相鄰的反射點之間的距離相等。本發(fā)明實施例中，對反射點從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點的邊緣上，任意兩個相鄰的反射點之間的距離不做具體的限定。

實施例三

以下結(jié)合附圖7來進一步說明本發(fā)明實施例提供的在量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域至少設置有反射點的一種量子點發(fā)光器件。圖7示例性示出本發(fā)明實施例提供的一種反射點子在量子點層上的分布示意圖。

本發(fā)明實施例僅對反射點在量子點層上的分布做進一步限定，關(guān)于量子點發(fā)光器件的其他結(jié)構(gòu)可以參考上述實施例。

在本發(fā)明實施例中，反射點在量子點層上的具體分布參見圖7，反射點的形狀為半球體狀，在量子點層上呈同心圓狀分布。其中，每個同心圓上分布的各個反射點的半徑相等，且每個同心圓上分布的反射點的半徑隨著每個同心圓的半徑的增大而減小，每個同心圓上分布的多個反射點的密度隨著每個同心圓的半徑的增大而減小。

參見圖7，以發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心設置的反射點的701為例，反射點701的半徑為r1(圖中未示出)，以反射點701為圓心，且與反射點701相鄰的第二個圓同心圓702上設置有多個反射點，其中，同心圓702上設置的多個反射點的半徑都為r2(圖中未示出)，且r1大于r2；以反射點701為圓心，與第二個同心圓702相鄰的第三個同心圓703上設置有多個反射點，且同心圓703上設置的多個反射點的半徑都為r3(圖中未示出)，其中，r3大于r2；進一步地，同心圓703上設置的反射點的密度小于同心圓702上設置的反射點的密度，其中，在本發(fā)明實施例中，密度指的是同一個圓上分布的反射點的數(shù)量與圓周長的比值。根據(jù)上述規(guī)則，可以確定，同心圓705上設置的多個反射點的半徑為r5(圖中未示出)，同心圓705上設置的反射點的半徑r5小于同心圓704上設置的反射點的半徑r4(圖中未示出)，而且，同心圓705的半徑大于同心圓704的半徑，即同心圓705上設置的反射點的密度小于同心圓704上設置的反射點的密度。

根據(jù)上述分析，可以確定，多個反射點設置在量子點層與發(fā)光芯片相對的表面上，由于多個反射點在量子點層上呈同心圓狀分布，而且每個同心圓上分布的各個反射點的半徑相等，且每個同心圓上分布的反射點的半 徑隨著每個同心圓的半徑的增大而減小，每個同心圓上分布的多個反射點的密度隨著每個同心圓的半徑的增大而減小，而由于發(fā)光芯片的光強呈朗伯分布，小角度單位面積上的光功率大于大角度單位面積上的光功率。在本發(fā)明實施例中，即使發(fā)光芯片的光強呈朗伯分布，存在小角度單位面積上的光功率高，單位時間內(nèi)通過的光子多的問題，會導致量子點層上與發(fā)光芯片正對的區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光比量子點層周邊區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光強。由于量子點層與發(fā)光芯片相對的表面設置有反射點，反射點具有反射作用，可以將量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光進行反射，而且在本發(fā)明實施例中，量子點層上設置的反射點具有以下分布特點：(1)與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心反射點的半徑比任意一個以該反射點為圓心的其它同心圓上設置的反射點的半徑大；(2)以發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心的反射點為圓心的其它同心圓上設置的反射點的密度隨著同心圓的半徑的增大而減小。所以，量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點對來自發(fā)光芯片的光進行反射的幾率也會高于量子層周邊區(qū)域的反射點對來自發(fā)光芯片的光的反射幾率。當發(fā)光芯片發(fā)出的光照射在與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點上，會被該反射點反射，并且改變發(fā)光芯片發(fā)出光的光路，使來自發(fā)光芯片的光被反射到基座上，由于基座具有反射作用，所以來自發(fā)光芯片的光會再次被基座反射，而再次被反射的光可以從量子點的周邊區(qū)域進入到量子點層。采用本發(fā)明實施例提供的上述方法，即可以避免量子點層因發(fā)光芯片高功率照射而導致量子點材料失效，同時保證了量子點層可以均勻的接收發(fā)光芯片發(fā)出的照射光。

在本發(fā)明實施例中，每個同心圓上分布的反射點的半徑隨著每個同心圓的半徑的增大而減小，優(yōu)選地，反射點的半徑從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣可以按照設定數(shù)值進行有規(guī)則的遞減。進一步地，反射點的半徑從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣可以按照任意數(shù)值進行遞減。進一步的，反射點的半徑從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣可以整體按照遞減的規(guī)律變化，但是對從發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到邊緣任意相鄰的同心圓上的反射點的半徑是否遞減不做限定。比如，發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點1的半徑為r1，與量子點1相鄰的同心圓2上的量子點2的半徑為r2，與同心圓2相鄰的同心圓3上的量子點3的半徑也為r2，但是同心圓5上的量子點5的半徑為r4，其中，r1大于r2，r2大于r4。本發(fā)明實施例中，對設置在與發(fā)光芯片相對的表面上 的多個量子點的半徑從與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心到量子點層的邊緣的遞減數(shù)值不做具體的限定。

在本發(fā)明實施例中，每個同心圓上分布的多個反射點的密度隨著每個同心圓的半徑的增大而減小，優(yōu)選地，每個同心圓上分布的多個反射點的密度隨著每個同心圓的半徑的增大而按照設置的數(shù)值進行有規(guī)則的減少。進一步地，每個同心圓上分布的多個反射點的密度隨著每個同心圓的半徑的增大可以按照任意數(shù)值進行遞減。進一步地，每個同心圓上分布的多個反射點的密度隨著每個同心圓的半徑的增大而做整體減小，但是對任意相鄰的同心圓上的反射點的半徑是否減小不做具體限定。本發(fā)明實施例中，對設置在每個同心圓上分布的多個反射點的密度隨著每個同心圓的半徑的增大而減小不做具體的限定。

實施例四

以下結(jié)合附圖8來進一步說明本發(fā)明實施例提供的在量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域至少設置有反射點的一種量子點發(fā)光器件。圖8示例性示出本發(fā)明實施例提供的一種反射點子在量子點層上的分布示意圖。

本發(fā)明實施例僅對反射點在量子點層上的分布做進一步限定，關(guān)于量子點發(fā)光器件的其他結(jié)構(gòu)可以參考上述實施例。

在本發(fā)明實施例中，反射點在量子點層上的具體分布參見圖8，反射點的形狀為半球體狀，在量子點層上呈同心圓狀分布。其中，每個同心圓上分布的各個反射點的半徑相等，每個同心圓上分布的反射點的半徑隨著每個同心圓的半徑的增大而減小，每個同心圓上分布的多個反射點的密度隨著每個同心圓的半徑的增大而減小，且每個同心圓之間的距離從所述中心到所述量子點層的邊緣逐漸增大。

參見圖8，以發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心設置的反射點的801為例，反射點801的半徑為r1(圖中未示出)，以反射點801為圓心，與反射點801相鄰的第二個圓同心圓802上設置有多個反射點，這多個反射點的半徑都為r2(圖中未示出)，且r1大于r2；進一步的，同心圓802上任一點與反射點801之間的距離為d1。以反射點801為圓心，與第二個同心圓802相鄰的第三個同心圓803上設置有多個反射點，這多個反射點的半徑都為r3(圖中未示出)，且r3大于r2；進一步地，同心圓803上任意一點與同 心圓802之間最短距離為d2，且d2大于d1；同心圓803上設置的反射點的密度小于同心圓802上設置的反射點的密度，在本發(fā)明實施例中，密度指的是同一個圓上分布的反射點的數(shù)量與圓周長的比值。根據(jù)上述規(guī)則，可以確定，同心圓805上設置的多個反射點的半徑為r5(圖中未示出)，同心圓805上設置的反射點的半徑r5小于同心圓804上設置的反射點的半徑r4；進一步地，同心圓805上任意一點與同心圓804之間最短幾率為d4，且d4大于d3，而且，同心圓805上設置的反射點的密度小于同心圓804上設置的反射點的密度。

根據(jù)上述分析，可以確定，多個反射點設置在量子點層與發(fā)光芯片相對的表面上，由于多個反射點在量子點層上呈同心圓狀分布，每個同心圓上分布的各個反射點的半徑相等，每個同心圓上分布的反射點的半徑隨著每個同心圓的半徑的增大而減小，每個同心圓上分布的多個反射點的密度隨著每個同心圓的半徑的增大而減小，且每個同心圓之間的距離從所述中心到所述量子點層的邊緣逐漸增大。由于發(fā)光芯片的光強呈朗伯分布，小角度單位面積上的光功率大于大角度單位面積上的光功率。在本發(fā)明實施例中，即使發(fā)光芯片的光強呈朗伯分布，存在小角度單位面積上的光功率高，單位時間內(nèi)通過的光子多的問題，會導致量子點層上與發(fā)光芯片正對的區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光比量子點層周邊區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光強。由于量子點層與發(fā)光芯片相對的表面設置有反射點，反射點具有反射作用，可以將量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域接收到發(fā)光芯片發(fā)出的光進行反射，而且在本發(fā)明實施例中，量子點層上設置的反射點具有以下分布特點：(1)與發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心反射點的半徑比任意一個以該反射點為圓心的其它同心圓上設置的反射點的半徑大；(2)以發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心的反射點為圓心的其它同心圓上設置的反射點的密度隨著同心圓的半徑的增大而減小。(3)以發(fā)光芯片正對區(qū)域的中心的反射點為圓心的每個同心圓之間的距離從所述中心到所述量子點層的邊緣逐漸增大。所以，量子點層與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點對來自發(fā)光芯片的光進行反射的幾率也會高于量子層周邊區(qū)域的反射點對來自發(fā)光芯片的光的反射幾率。當發(fā)光芯片發(fā)出的光照射在與發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點上，會被該反射點反射，并且改變發(fā)光芯片發(fā)出光的光路，使來自發(fā)光芯片的光被反射到基座上，由于基座具有反射作用，所以來自發(fā)光芯片的光會再次被基座反射，而再次被反射的光可以從量子點的周邊區(qū)域進入到量子點層。采用本發(fā)明實施例提供的上述方法，即可以避免量子點層因發(fā) 光芯片高功率照射而導致量子點材料失效，同時保證了量子點層可以均勻的接收發(fā)光芯片發(fā)出的照射光。

如圖9所示，為本發(fā)明實施例提供的一種直下式背光模組，包括：背板901，量子點發(fā)光器件902和光學膜片組903。其中，量子點發(fā)光器件901為本發(fā)明實施例中任意一種量子點發(fā)光器件，該量子點發(fā)光器件902設置在背板901上，光學膜片組903設置在量子點發(fā)光器件902的出光方向上。

如圖10所示，本發(fā)明實施例提供的一種側(cè)光式背光模組，包括：量子點發(fā)光器件1001，反射片1002，導光板1003和光學膜片組1004。其中，量子點發(fā)光器件1001為本發(fā)明實施例中任意一種量子點發(fā)光器件，該量子點發(fā)光器件1001設置在導光板1003的一側(cè)，反射片1002設置在導光板1003的下方，光學膜片組1004設置在導光板1003的出光方向上。

如圖11所示，為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的直下式背光模組1101和顯示面板1102，其中，顯示面板1102設置在直下式背光模組1101的出光方向。

如圖12所示，為本發(fā)明實施例提供的另一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的側(cè)入式背光模組1201和顯示面板1202，其中，顯示面板1202設置在側(cè)入式背光模組1201的出光方向。

在本發(fā)明實施例中，量子點層設置在基座上，位于發(fā)光芯片的出光方向上，且量子點層與該發(fā)光芯片之間具有間隙；因此，量子點層可以接收來自發(fā)光芯片發(fā)出的照射光。由于在量子點層與該發(fā)光芯片相對的表面設置有反射點，且反射點至少分布在該量子點層與該發(fā)光芯片的正對區(qū)域，從而使發(fā)光芯片正對區(qū)域的反射點可以將來自發(fā)光芯片正方向的光被反射，從而避免了發(fā)光芯片正對區(qū)域的量子點層因高溫照射而失效，導致光源器件存在接收光照不均勻的問題。

以上所述僅為本申請的較佳實施例而已，并不用于限制本申請，凡在本申請的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本申請的保護范圍之內(nèi)。

盡管已描述了本申請的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本申請范圍的所有變更和修改。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本申請進行各種改動和變型而不脫離本申請的精神和范圍。這樣，倘若本申請的這些修改和變型屬于本申請權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。