本發(fā)明實(shí)施例涉及光刻工藝和材料。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)在過(guò)去幾十年經(jīng)歷快速發(fā)展。半導(dǎo)體材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步產(chǎn)生了越來(lái)越多更小和更復(fù)雜的電路。因?yàn)榕c加工和制造有關(guān)的技術(shù)也經(jīng)歷了技術(shù)進(jìn)步，因此這些材料和設(shè)計(jì)進(jìn)步成為可能。隨著最小元件的尺寸減小，增加了減少圖案崩塌、圖案剝離和厚度損失的挑戰(zhàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供了一種方法，包括：將光刻膠層曝光于輻射源；以及將硬化劑應(yīng)用于所述光刻膠層，其中，在應(yīng)用所述硬化劑之后，所述光刻膠層的第一部分具有比所述光刻膠層的第二部分更高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)或更高的機(jī)械強(qiáng)度。

根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，還提供了一種方法，包括：將光刻膠層曝光于輻射源；顯影所述光刻膠層以形成部件；將硬化劑應(yīng)用于所述部件，其中，所述硬化劑提高所述部件的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)或增大所述部件的機(jī)械強(qiáng)度；以及將平滑劑應(yīng)用于所述部件，其中，所述平滑劑降低所述部件的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。

根據(jù)本發(fā)明的又一些實(shí)施例，還提供了一種用于光刻工藝的材料，包括：具有約150道爾頓至約3000道爾頓的分子量的材料，從而使得所述材料具有下列化學(xué)結(jié)構(gòu)之一：

其中：R_f代表第一間隔基團(tuán)；C代表包括碳的基團(tuán)；Ar代表包括芳香族的基團(tuán)；Re代表第二間隔基團(tuán)；P代表極性基團(tuán)；m代表從1至6的整數(shù)；n代表從1至20的整數(shù)。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1是顯示根據(jù)本文描述的原理的一個(gè)實(shí)例的示例性光刻膠曝光工藝的圖示。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面的在示例性實(shí)施例中用于制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。

圖3以及圖4A是根據(jù)圖2的方法建造的處于各個(gè)制造階段的半導(dǎo)體器件的截面圖。

圖4B、圖4C、圖4D至圖4F示出根據(jù)一些實(shí)施例建造的硬化劑。

圖5、圖6A以及圖6B是根據(jù)圖2的方法建造的處于各個(gè)制造階段的半導(dǎo)體器件的截面圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面，在示例性實(shí)施例中用于制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。

圖8A、圖8B、圖9A、9B、圖9C以及圖9D是根據(jù)圖7的方法建造的處于各個(gè)制造階段的半導(dǎo)體器件的截面圖。

圖10A、圖10B、圖10C以及圖10D示出根據(jù)一些實(shí)施例建造的平滑劑。

具體實(shí)施方式

應(yīng)當(dāng)理解，以下公開(kāi)內(nèi)容提供了許多不同的實(shí)施例或?qū)嵗詫?shí)現(xiàn)各個(gè)實(shí)施例的不同特征。下面將描述元件和布置的特定實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然這些僅僅是實(shí)例并不旨在限定本發(fā)明。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括第一部件和第二部件以直接接觸方式形成的實(shí)施例，也可以包括額外的部件可以形成在第一和第二部件之間，使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可以在各實(shí)施例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。這種重復(fù)僅是為了簡(jiǎn)明和清楚，其自身并不表示所論述的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

本發(fā)明提供了用于制造半導(dǎo)體器件的光刻方法。在本發(fā)明可交換地使用術(shù)語(yǔ)光刻(lithography)、浸沒(méi)式光刻、光刻(photolithography)和光學(xué)光刻。光刻是用于諸如半導(dǎo)體制造的微制造的工藝以選擇性去除薄膜或襯底的部分。所述工藝使用光將圖案(例如，幾何圖案)從光掩模轉(zhuǎn)印至襯底上的感光層(例如，光刻膠，或簡(jiǎn)稱為“光刻膠(resist)”)。光導(dǎo)致感光層的曝光區(qū)域中的化學(xué)變化，這可增加或降低曝光區(qū)域的溶解度。如果曝光區(qū)域變得更可溶，則將感光層稱為正性光刻膠。如果曝光區(qū)域變得難溶，則將感光層稱為負(fù)性光刻膠。在曝光襯底之前或之后可實(shí)施諸如曝光后烘烤工藝的烘烤工藝。顯影工藝使用顯影溶液選擇性去除曝光或未曝光區(qū)域，從而在襯底上方建立曝光圖案。然后，一系列化學(xué)處理可將曝光圖案雕刻/蝕刻至襯底(或材料層)中，同時(shí)圖案化的光刻膠保護(hù)底層襯底(或材料層)區(qū)域。可選地，可實(shí)施金屬沉積、離子注入或其他工藝。最后，適當(dāng)?shù)脑噭┤コ?或剝離)剩余的光刻膠并且襯底準(zhǔn)備好實(shí)施將在下一個(gè)階段的電路制造中重復(fù)的整個(gè)工藝。在復(fù)雜集成電路(例如，現(xiàn)代CMOS)中，襯底可經(jīng)歷多次光刻循環(huán)。

圖1是顯示示例性光刻膠曝光工藝100的圖。工藝100包括在襯底110上方涂覆光刻膠層120。在一些實(shí)施例中，襯底110包括硅?？蛇x地或額外地，襯底110可包括其他適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體材料、諸如鍺(Ge)、鍺化硅(SiGe)、碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、金剛石、砷化銦(InAs)、磷化銦(InP)、碳化硅鍺(SiGeC)和磷化鎵銦(GaInP)。襯底110還可包括諸如多種摻雜區(qū)、淺溝槽隔離(STI)區(qū)、源極/漏極部件、柵極堆疊件、介電部件和/或多級(jí)互連件的多種部件。

然后，通過(guò)光掩模(掩模或中間掩模)140將光刻膠層120曝光于來(lái)自光源130的輻射束135。光掩模140具有預(yù)定圖案。曝光工藝將產(chǎn)生包括諸如曝光的部件的多個(gè)曝光區(qū)域和多個(gè)未曝光區(qū)域的光刻膠圖案。圖1示出在不同色調(diào)中的光刻膠層120。區(qū)域120A示出被阻擋于光源130的區(qū)域，和因此在所述區(qū)域中沒(méi)有酸產(chǎn)生。相比之下，區(qū)域120B代表曝光于光，由此導(dǎo)致在區(qū)域120B內(nèi)的產(chǎn)酸化學(xué)反應(yīng)的區(qū)域。光源130可為多種光源，包括深紫外(DUV)光源。在一個(gè)實(shí)例中，光源130可為極紫外(EUV)光源。在一些實(shí)例中，諸如電子束(e-束)寫入的其他光源130?？蛇x地，曝光工藝可使用諸如離子束、x-射線和其他適當(dāng)?shù)钠毓饽芰康钠渌椛涫ｎ~外地，可在曝光工藝之前實(shí)施光刻膠120的預(yù)烘烤以固化和干燥光刻膠120。

在曝光期間，當(dāng)光刻膠層120為正色調(diào)光刻膠時(shí)，光刻膠層120的溶解度增加(即，酸將裂解酸可裂解聚合物，導(dǎo)致聚合物變得更親水)?？蛇x地，當(dāng)光刻膠層120為負(fù)色調(diào)光刻膠時(shí)，光刻膠層120的溶解度降低(即，酸將催化酸催化的可交聯(lián)聚合物，導(dǎo)致聚合物變得更疏水)。額外地，可使光刻膠層120實(shí)施曝光后烘烤(PEB)，然后通過(guò)任何適當(dāng)?shù)墓に囷@影光刻膠層120以在光刻膠層120中形成圖案。

隨后，顯影溶液可用于去除部分光刻膠層120。取決于光刻膠類型(例如，正性或負(fù)性色調(diào))，顯影溶液可去除曝光部分或未曝光部分。如果光刻膠層120包括負(fù)型光刻膠，則曝光部分不被顯影溶液溶解并且保留在襯底上方。如果光刻膠層120為正型光刻膠，則曝光部分被正色調(diào)顯影溶液，留下未曝光部分。如果光刻膠層120為被負(fù)色調(diào)顯影溶液顯影的正型光刻膠，則未曝光部分將溶解，留下曝光部分。剩余的曝光部分(或未曝光部分)限定圖案。

盡管光刻的現(xiàn)有方法通常適用于它們的預(yù)期目的，但它們并非在所有方面完全滿足要求。例如，當(dāng)光刻膠層120包括諸如羥基基團(tuán)(例如，-OH)或羧酸基團(tuán)(例如，-COOH)的堿性水可溶組分時(shí)，當(dāng)通過(guò)顯影劑顯影時(shí)，未曝光的圖案部分溶解。將該問(wèn)題稱為溶脹并且導(dǎo)致差的線寬變化、膜損失和光刻膠圖案碰撞(collision)。本發(fā)明提供了使用硬化處理以減少差的線寬變化、膜損失和光刻膠圖案碰撞的光刻工藝。

圖2示出根據(jù)一些實(shí)施例建造的，根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面，制造半導(dǎo)體器件300的方法200的流程圖。在各個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明重復(fù)引用數(shù)字和/或字母。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，使得重復(fù)的引用數(shù)字和/或字母表示各個(gè)實(shí)施例之中的類似部件，除非另外規(guī)定。

參考圖2以及圖3，方法200開(kāi)始于步驟202，諸如使用旋轉(zhuǎn)涂覆技術(shù)在襯底110上方沉積諸如光刻膠層120的感光層。然后，方法200進(jìn)行至步驟204，將光刻膠層120曝光于輻射源。通過(guò)具有預(yù)定圖案的光掩模(掩?；蛑虚g掩模)140將光刻膠層120曝光于來(lái)自光源(諸如光源130)的輻射束(諸如輻射束135)。曝光工藝在包括多個(gè)曝光區(qū)域310和多個(gè)未曝光區(qū)域320的光刻膠層120中形成潛在圖案(或圖案)。圖3示出在不同色調(diào)中的光刻膠層120。顏色較深區(qū)域120B代表導(dǎo)致酸產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的曝光區(qū)域310，而顏色較淺區(qū)域120A示出未曝光區(qū)域320，其被阻擋于光源130，因此沒(méi)有酸產(chǎn)生。在曝光區(qū)域310中，輻射束135到達(dá)光刻膠120以在曝光和未曝光區(qū)域310和320之間建立有效的溶解度轉(zhuǎn)變。

在步驟204之后，方法200具有分別由后綴“A”和“B”識(shí)別的2個(gè)路徑。這2個(gè)路徑在下文分別討論。參考圖2以及圖4A，對(duì)于路徑A，方法200通過(guò)將使用硬化劑410的硬化處理應(yīng)用于光刻膠層120進(jìn)行至步驟206A。硬化處理可包括在濕工藝工作臺(tái)或在腔室中實(shí)施的使用混合有硬化劑410的水溶液的濕法處理。硬化劑410的濃度為水溶液的約0.1％至約50％的范圍內(nèi)。

在硬化處理期間，硬化劑410與光刻膠層120的頂部反應(yīng)。具體地，硬化劑與光刻膠層120的頂部反應(yīng)以增加頂部的表面密度、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)或機(jī)械強(qiáng)度從而形成硬化的頂層120L。因此，硬化的頂層120L具有比位于硬化的頂層120L的正下方的光刻膠層的第二部分更高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。

在一個(gè)實(shí)例中，硬化劑410具有圖4B所示的化學(xué)結(jié)構(gòu)，所述化學(xué)結(jié)構(gòu)至少包括在括號(hào)之間的第一間隔基團(tuán)R_f1。第一間隔基團(tuán)R_f1可包括芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～12個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基、烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)。第一間隔基團(tuán)R_f1與極性基團(tuán)(P)_y連接，其中y為至少2的整數(shù)。極性基團(tuán)P可包括-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*；-C(O)R*；-Si(OR*)₃；-Si(R*)₃；環(huán)氧基基團(tuán)，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)的飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)。

在另一個(gè)實(shí)例中，硬化劑410具有圖4C所示的另一個(gè)化學(xué)結(jié)構(gòu)，所述化學(xué)結(jié)構(gòu)包括與連接基團(tuán)(L)z連接的在括號(hào)之間的第一間隔基團(tuán)R_f1，其中，z為至少2的整數(shù)。連接基團(tuán)L可包括-NH₂、-OH、-SH、-COOH、-COH-COOR、OCOR、COR酸酐、環(huán)氧基團(tuán)、en基團(tuán)、R’OR、R’OOR、R’OSOOR、RX，此處R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)的飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)。X為鹵化物。

硬化劑410還可包括表面活性劑。在一些實(shí)施例中，表面活性劑的濃度在水溶液的約0.1％至約10％的范圍內(nèi)。

硬化劑410還可包括溶劑或水溶液。在一些實(shí)施例中，硬化劑410的濃度在溶劑的約0.1％至50％的范圍內(nèi)。

硬化劑410的具體實(shí)例可包括但不限于分別在圖4D至圖4F中示出的蒽-1,8-二羧酸、二-乙醇胺和丙酮-1,3-二羧酸、乙二胺?？筛鶕?jù)本文描述的原理使用硬化劑410的其他形式。

在一些實(shí)施例中，硬化劑410的極性基團(tuán)(P)_y被光刻膠層120的頂部的可顯影官能團(tuán)(諸如-OH或-COOH)吸收或與其反應(yīng)以形成硬化的外層120L。在一些實(shí)施例中，通過(guò)硬化劑410和光刻膠層120的頂部之間的諸如范德華力、氫鍵、電子力和離子力的分子間力形成硬化的頂層120L。例如，當(dāng)極性基團(tuán)(P)_y包含羥基基團(tuán)而光刻膠層120表面包含羧酸基團(tuán)時(shí)，由于彼此之間的強(qiáng)氫鍵，羥基單元傾向于被羧酸基團(tuán)吸收。

在一些實(shí)施例中，通過(guò)諸如烷基化、縮合、羧化、酯化和/或酰胺化的共價(jià)鍵形成來(lái)形成硬化的頂層120L。例如，當(dāng)連接基團(tuán)(L)_z包含羥基基團(tuán)而光刻膠層120包含苯酚基團(tuán)時(shí)，羥基基團(tuán)傾向于與苯酚基團(tuán)反應(yīng)以在硬化劑410和光刻膠層120的外層之間形成共價(jià)鍵。

參考圖2以及圖5，通過(guò)顯影具有硬化的頂層120L的光刻膠層120，方法200沿著路徑A繼續(xù)進(jìn)行至步驟208A以形成光刻膠部件510。顯影溶液可用于去除光刻膠層120的部分。顯影溶液的實(shí)例為四甲基氫氧化銨(TMAH)。可使用諸如約2.38％TMAH顯影劑溶液的任何濃度水平的TMAH顯影劑溶液。取決于光刻膠類型，顯影溶液可去除曝光部分或未曝光部分。例如，如果光刻膠層120包括負(fù)型光刻膠，則曝光部分不被顯影溶液溶解并且保留在襯底110上方。如果光刻膠層120包括正型光刻膠，則曝光部分被顯影溶液溶解，留下未曝光部分。然后，可使半導(dǎo)體器件300實(shí)施諸如去離子(DI)水沖洗的沖洗工藝。沖洗工藝可去除殘留的顆粒。額外地，在將光刻膠層120顯影之前，實(shí)施曝光后烘烤(PEB)。

在顯影工藝期間，硬化的頂層120L減慢顯影劑(諸如TMAH)攻擊光刻膠層120。由于硬化的頂層120L減慢光刻膠層120的顯影，因此在光刻膠部件510的形成期間，發(fā)生更少的膜損失并且更少的線寬變化。

如上所述，在步驟204之后，方法200具有分別由后綴“A”和“B”識(shí)別的2個(gè)路徑?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到路徑B，參考圖2以及圖6A-6B，通過(guò)使用硬化劑410的原位硬化處理顯影光刻膠層120，方法200進(jìn)行至步驟206B以形成光刻膠部件510。原位硬化處理可包括諸如通過(guò)混合將硬化劑410引入到顯影溶液中。即，在路徑B下，在顯影光刻膠層120之前，沒(méi)有單獨(dú)應(yīng)用硬化劑410。相反，硬化劑410是被應(yīng)用于光刻膠層420的顯影溶液的部分。

在顯影工藝期間，硬化劑410被光刻膠層120吸收和/或與光刻膠層120反應(yīng)，這在許多方面與上述關(guān)于圖4A討論的那些類似。硬化劑410具有多極性基團(tuán)P，硬化劑410被光刻膠層120的頂層中的官能團(tuán)(例如，-OH或-COOH)吸收和/或與所述光刻膠層120的頂層中的官能團(tuán)(例如，-OH或-COOH)反應(yīng)。通過(guò)使光刻膠層120的表面對(duì)顯影劑具有更低的親和力，硬化劑410減慢顯影劑溶液(諸如TMAH)對(duì)光刻膠層120的攻擊。它導(dǎo)致光刻膠部件510的機(jī)械強(qiáng)度增加，從而減輕光刻膠部件510的塌陷。

可在方法200之前、期間和之后實(shí)施額外的步驟，對(duì)于方法200的其他實(shí)施例，可替換或消除上述一些步驟。例如，對(duì)于路徑A，在步驟206A之后以及在步驟208A之前實(shí)施固化工藝。固化工藝可包括紫外線(UV)固化、等離子體固化、輻射固化、烘烤或任何適當(dāng)工藝。

圖7是用于制造半導(dǎo)體器件300的另一種光刻工藝的示例性方法1000的流程圖。本發(fā)明在各個(gè)實(shí)施例中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，使得重復(fù)的參考數(shù)字和/或字母表示各個(gè)實(shí)施例中的類似部件，除非另外規(guī)定。方法1000從步驟1002和步驟1004開(kāi)始，所述步驟1002和步驟1004與方法200的步驟202和步驟204類似。為了簡(jiǎn)單和清楚，關(guān)于步驟202和步驟204的上述描述分別適用于步驟1002和步驟1004，并且在此處不再重復(fù)。

接下來(lái)，參考圖7和圖8A，通過(guò)顯影光刻膠層120，方法1000進(jìn)行至步驟1006以形成光刻膠部件1200。顯影工藝在許多方面與上述關(guān)于圖5討論的那些類似。如上述討論的，光刻膠層120通常包含諸如羥基基團(tuán)(例如，-OH)或羧酸基團(tuán)(例如，-COOH)的一些堿性水溶性基團(tuán)。在顯影工藝期間，這些堿性水溶性基團(tuán)有時(shí)導(dǎo)致圖案的未曝光部分被顯影劑部分溶解(或者通過(guò)顯影劑溶脹)。光刻膠層120的未曝光部分的該非預(yù)期的部分溶解(或溶脹)導(dǎo)致光刻膠部件1200具有波浪形輪廓/側(cè)壁1200S，如圖8B所示。本發(fā)明提供了可使用可調(diào)節(jié)的平滑工藝減少光刻膠部件1200的波浪形輪廓的程度的方法。

參考圖7以及圖9A-9B，方法1000進(jìn)行至步驟1008，將可調(diào)節(jié)的平滑工藝應(yīng)用于光刻膠部件1200從而減少波浪形輪廓的程度?？烧{(diào)節(jié)的平滑工藝包括將硬化劑410和平滑劑1300應(yīng)用于光刻膠部件1200。在本實(shí)施例中，選擇平滑劑1300以降低光刻膠層120的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)從而軟化光刻膠層120。該軟化工藝使側(cè)壁輪廓1200S平滑。同時(shí)，硬化劑410提高光刻膠層120的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)或機(jī)械強(qiáng)度以硬化光刻膠層120從而防止光刻膠部件1200塌陷。

考慮到諸如臨界尺寸和縱橫比的光刻膠部件1200的特性，選擇平滑劑1300和硬化劑410的適當(dāng)平衡以實(shí)現(xiàn)降低波浪形側(cè)壁輪廓的程度從而產(chǎn)生平滑的輪廓1200T而沒(méi)有光刻膠部件1200塌陷，如圖9B所示。在本實(shí)施例中，平滑劑1300的分子量為從150道爾頓至3000道爾頓的范圍。

在一些實(shí)施例中，如圖9A所示，諸如通過(guò)同時(shí)混合硬化劑410和平滑劑1300，將硬化劑410和平滑劑1300同時(shí)應(yīng)用于光刻膠部件1200。由于它的更高極性的官能團(tuán)P，硬化劑410傾向于首先吸附在光刻膠層120上，所述官能團(tuán)P對(duì)光刻膠層120的表面具有更高的親和力。在一些實(shí)施例中，單獨(dú)應(yīng)用硬化劑410和平滑劑1300以便首先將硬化劑410應(yīng)用于光刻膠部件1200，接下來(lái)應(yīng)用平滑劑1300，如圖9C至圖9D所示。然后，在可調(diào)節(jié)的平滑工藝期間，將硬化劑410和平滑劑1300二者原位去除。

平滑劑1300具有圖10A所示的通用結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括第二間隔件基團(tuán)R_f2，所述R_f2與在括號(hào)之間的包括碳的基團(tuán)(C)_m連接。第二間隔基團(tuán)R_f2具有芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～4個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基/烷氧基/氟烷基氟烷氧基鏈，或鏈中具有1～4個(gè)碳的直鏈或環(huán)烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)、-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)_2、-SO₂R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)的飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)。此處m和n為2個(gè)整數(shù)。在一些實(shí)施例中，m為從1至6且n為從1至20。

再次參考圖10A，包括碳的基團(tuán)(C)_m與反應(yīng)基團(tuán)Re連接。反應(yīng)基團(tuán)Re包括H、OH、鹵化物、或芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～12個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基、烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)。

第二間隔基團(tuán)R_f2和反應(yīng)基團(tuán)Re還可包含-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)的飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)。

平滑劑1300可具有圖10B所示的另一種化學(xué)結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括第二間隔基團(tuán)R_f2，所述R_f2與在括號(hào)之間的包括芳香族的Ar連接。Ar基團(tuán)可包括具有從2～16的范圍的碳數(shù)的不飽和烴。Ar基團(tuán)與反應(yīng)基團(tuán)Re連接。

平滑劑1300還可具有圖10C所示的另一種化學(xué)結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括第二間隔基團(tuán)R_f2，所述R_f2與在括號(hào)之間的包括碳的基團(tuán)(C)_m和反應(yīng)基團(tuán)Re連接。在括號(hào)之間的反應(yīng)基團(tuán)Re與極性基團(tuán)P偶聯(lián)。包括碳的基團(tuán)(C)_m與另外2個(gè)反應(yīng)基團(tuán)Re連接。

平滑劑1300還可具有圖10D所示的另一種化學(xué)結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括第二間隔基團(tuán)R_f2，所述R_f2與在括號(hào)之間的Ar基團(tuán)和反應(yīng)基團(tuán)Re連接。在括號(hào)之間的反應(yīng)基團(tuán)Re與2個(gè)極性基團(tuán)P連接。Ar基團(tuán)與另外2個(gè)反應(yīng)基團(tuán)Re連接?？稍诜椒?000之前、期間和之后實(shí)施額外的步驟，并且對(duì)于方法1000的其他實(shí)施例，可將一些上述步驟替換或消除。例如，在步驟1008之后，將固化工藝應(yīng)用于光刻膠部件1200以增強(qiáng)平滑效果。固化工藝可包括紫外線(UV)固化、等離子體固化、輻射固化、烘烤或任何適當(dāng)工藝。例如，在步驟1008之后，方法1000中的另一個(gè)步驟可包括實(shí)施第二顯影工藝，并用于增強(qiáng)平滑效果。

基于上述內(nèi)容，本發(fā)明提供了用于光刻工藝的方法。所述方法采用將硬化處理應(yīng)用于光刻膠層并將可調(diào)節(jié)的平滑處理應(yīng)用于光刻膠部件。所述方法顯示降低LWR、光刻膠部件塌陷和膜損失?？烧{(diào)節(jié)的平滑處理實(shí)現(xiàn)光刻膠部件的平滑側(cè)壁輪廓同時(shí)增強(qiáng)光刻膠機(jī)械性能。

本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法。方法包括將光刻膠層曝光于輻射源并將硬化劑應(yīng)用于光刻膠層。因此，在應(yīng)用硬化劑之后，光刻膠層的第一部分具有比光刻膠層的第二部分更高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，或更高的機(jī)械強(qiáng)度。

制造半導(dǎo)體器件的另一種方法包括將光刻膠層曝光于輻射源，將光刻膠層顯影以形成部件，將硬化劑應(yīng)用于部件，其中，硬化劑增加部件的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度并將平滑劑應(yīng)用于部件，其中，平滑劑降低部件的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。

用于光刻工藝的材料包括具有約150道爾頓至約3000道爾頓的范圍內(nèi)的分子量的材料。材料包括間隔基團(tuán)R_f、包括碳的基團(tuán)和反應(yīng)基團(tuán)，或間隔基團(tuán)R_f、包括芳香族的基團(tuán)和反應(yīng)基團(tuán)，或間隔基團(tuán)R_f、包括碳的基團(tuán)、極性基團(tuán)和反應(yīng)基團(tuán)，或間隔基團(tuán)R_f、包括芳香族的基團(tuán)、極性基團(tuán)和反應(yīng)基團(tuán)。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，提供了一種方法，包括：將光刻膠層曝光于輻射源；以及將硬化劑應(yīng)用于所述光刻膠層，其中，在應(yīng)用所述硬化劑之后，所述光刻膠層的第一部分具有比所述光刻膠層的第二部分更高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)或更高的機(jī)械強(qiáng)度。

在上述方法中，還包括在將所述硬化劑應(yīng)用于所述光刻膠層之后，顯影所述光刻膠層。

在上述方法中，將所述硬化劑應(yīng)用于所述光刻膠層包括：在應(yīng)用所述硬化劑的同時(shí)，顯影所述光刻膠層。

在上述方法中，將所述硬化劑混合在所述顯影溶液中。

在上述方法中，所述第一部分包括所述光刻膠層的頂部并且所述第二部分包括所述光刻膠層的底部，所述底部設(shè)置在所述光刻膠層的頂部的正下方。

在上述方法中，所述硬化劑包括化學(xué)結(jié)構(gòu)為：

R_f-(P)_y

其中，R_f代表間隔基團(tuán)，P代表極性基團(tuán)，y代表至少為2的整數(shù)，其中，R_f選自由芳香族碳環(huán)，或鏈中具有1～12個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基、烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈和亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)組成的組；其中，P選自由-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*；-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)，其中，所述硬化劑優(yōu)選為NHR1R2，R1/R2包括H或烷基、炔烴、烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基、烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈和亞硝酸鹽。

在上述方法中，所述硬化劑包括化學(xué)結(jié)構(gòu)為：

R_f-(L)_z，其中，R_f代表間隔基團(tuán)；L代表連接基團(tuán)；z代表至少為2的整數(shù)；其中，所述R_f選自由芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～12個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基、烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)組成的組；以及其中，所述L選自由-NH₂、-OH、-SH、-COOH、-COH、-COOR、OCOR、COR酸酐、環(huán)氧基團(tuán)、en基團(tuán)、R’OR、R’OOR、R’OSOOR、RX組成的組，此處R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)，并且X為鹵化物。

在上述方法中，所述硬化劑選自由蒽-1,8-二羧酸、二-乙醇胺和丙酮-1,3-二羧酸、乙二胺組成的組。

根據(jù)本發(fā)明的另一些實(shí)施例，還提供了一種方法，包括：將光刻膠層曝光于輻射源；顯影所述光刻膠層以形成部件；將硬化劑應(yīng)用于所述部件，其中，所述硬化劑提高所述部件的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)或增大所述部件的機(jī)械強(qiáng)度；以及將平滑劑應(yīng)用于所述部件，其中，所述平滑劑降低所述部件的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。

在上述方法中，在應(yīng)用所述平滑劑和所述硬化劑之前，所述部件具有第一截面輪廓形狀，以及其中，在應(yīng)用所述平滑劑和所述硬化劑之后，所述部件具有第二截面輪廓形狀，所述第二截面輪廓形狀不同于所述第一截面輪廓形狀。

在上述方法中，在應(yīng)用所述硬化劑和所述平滑劑之后，產(chǎn)生的所述部件的Tg降低。

在上述方法中，在將所述平滑劑應(yīng)用于所述部件之前，應(yīng)用所述硬化劑。

在上述方法中，將所述硬化劑和所述平滑劑同時(shí)應(yīng)用于所述部件。

在上述方法中，所述平滑劑包括化學(xué)結(jié)構(gòu)為：

其中，R_f代表第一間隔基團(tuán)，C代表包括碳的基團(tuán)，Re代表第二間隔基團(tuán)，m代表從1至6的整數(shù)，n代表從1至20的整數(shù)，其中，所述R_f選自由芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～4個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基/烷氧基/氟烷基氟烷氧基鏈，或鏈中具有1～4碳的直鏈或環(huán)烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)、-Cl、-Br、-I；-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)，此處x和y為2個(gè)整數(shù)；其中，Re選自由H、OH、鹵化物、或芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～12個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基、烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)、-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*,-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR；-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*,-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)。

在上述方法中，所述平滑劑包括化學(xué)結(jié)構(gòu)為：

其中，R_f代表第一間隔基團(tuán)，Ar代表包括芳香族的基團(tuán)，Re代表第二間隔基團(tuán)，n代表從1至20的整數(shù)，其中，所述R_f選自由芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～4個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基/烷氧基/氟烷基氟烷氧基鏈，或鏈中具有1～4個(gè)碳的直鏈或環(huán)烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)、-Cl、-Br、-I；-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)，此處x和y為2個(gè)整數(shù)；其中，所述Ar基團(tuán)包括具有從2～16的范圍的碳數(shù)的不飽和烴；其中，所述Re選自由H、OH、鹵化物、或芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～12個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基、烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)、-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO2N(R*)₂、-SO₂R*、SOR；-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)。

在上述方法中，所述平滑劑包括化學(xué)結(jié)構(gòu)為：

其中，R_f代表第一間隔基團(tuán)；C代表包括碳的基團(tuán)；Re代表第二間隔基團(tuán)；P代表極性基團(tuán)；m代表從1至6的整數(shù)；n代表從1至20的整數(shù)；其中，所述R_f選自由芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～4個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基/烷氧基/氟烷基氟烷氧基鏈，或鏈中具有1～4個(gè)碳的直鏈或環(huán)烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)、-Cl、-Br、-I；-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)，此處x和y為2個(gè)整數(shù)；其中，所述Re選自由H、OH、鹵化物、或芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～12個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基、烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)、-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO2N(R*)₂、-SO₂R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*,-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)；以及其中，所述P選自由-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR；-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)。

在上述方法中，所述平滑劑包括化學(xué)結(jié)構(gòu)為：

其中，R_f代表第一間隔基團(tuán)；Ar代表包括芳香族的基團(tuán)；Re代表第二間隔基團(tuán)；P代表極性基團(tuán)；n代表從1至20的整數(shù)；其中，所述R_f選自由芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～4個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基/烷氧基/氟烷基氟烷氧基鏈，或鏈中具有1～4個(gè)碳的直鏈或環(huán)烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)、-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN；-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR,-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)；其中，所述Ar基團(tuán)包括具有從2～16的范圍的碳數(shù)的不飽和烴；以及其中，所述Re選自由H、OH、鹵化物、或芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～12個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基、烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)、-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR；-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)；以及其中，所述P選自由-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR；-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)。

在上述方法中，所述平滑劑具有在約150道爾頓至約3000道爾頓的范圍內(nèi)的分子量。

根據(jù)本發(fā)明的又一些實(shí)施例，還提供了一種用于光刻工藝的材料，包括：具有約150道爾頓至約3000道爾頓的分子量的材料，從而使得所述材料具有下列化學(xué)結(jié)構(gòu)之一：

其中：R_f代表第一間隔基團(tuán)；C代表包括碳的基團(tuán)；Ar代表包括芳香族的基團(tuán)；Re代表第二間隔基團(tuán)；P代表極性基團(tuán)；m代表從1至6的整數(shù)；n代表從1至20的整數(shù)。

在上述材料中，所述R_f選自由芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～4個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基/烷氧基/氟烷基氟烷氧基鏈，或鏈中具有1～4個(gè)碳的直鏈或環(huán)烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)、-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN；-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR,-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)；所述Ar基團(tuán)包括具有在從2～16的范圍內(nèi)的碳數(shù)的不飽和烴；所述Re選自由H、OH、鹵化物、或芳香族碳環(huán)、或鏈中具有1～12個(gè)碳的直鏈或環(huán)烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基、烯烴、炔烴、羥基、酮、醛、碳酸鹽、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亞胺、酰亞胺、疊氮化物、硝酸鹽、腈、亞硝酸鹽或硫醇間隔基團(tuán)、-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR；-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)；以及所述P選自由-Cl、-Br、-I、-NO₂、-SO₃-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO₂-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO₂N(R*)₂、-SO₂R*、SOR；-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)₃、-Si(R*)₃、環(huán)氧基基團(tuán)組成的組，其中，R*為H、無(wú)支鏈或支鏈、環(huán)或無(wú)環(huán)飽和或不飽和烷基或烯基或炔基基團(tuán)。

上面論述了若干實(shí)施例的部件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或更改其他用于達(dá)到與本文所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)的工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這些等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。