技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種用于鈮酸鋰薄膜波導的耦合方式及其實現(xiàn)方法，包括單模光纖、氧化鉭波導光柵、鈮酸鋰納米線波導、二氧化硅緩沖層和硅襯底，其中，二氧化硅下包層可以采用熱氧化的方式；鈮酸鋰薄膜層直接鍵合在二氧化硅緩沖層表面。在鈮酸鋰薄膜表面制備氧化鉭波導和光柵結(jié)構(gòu)，最后將經(jīng)過特殊拋磨的單模光纖直接壓在氧化鉭波導表面。光信號可以直接從單模光纖進入氧化鉭薄膜波導然后通過氧化鉭光柵耦合到鈮酸鋰薄膜波導中。本發(fā)明解決了在鈮酸鋰表面很難直接刻蝕光柵的難題，相比于端面耦合，難度大大降低；同時采用拋光后的普通光纖直接與基片壓合的方式，在機械強度上有很大提高，不易受溫度變化影響，提高了納米級鈮酸鋰薄膜材料的耦合效率。

技術(shù)研發(fā)人員：華平壤;陳朝夕
受保護的技術(shù)使用者：派尼爾科技（天津）有限公司
文檔號碼：201610518118
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.30
技術(shù)公布日：2016.11.23