本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display，薄膜晶體管液晶顯示器)制造技術(shù)的發(fā)展，各種新技術(shù)快速應(yīng)用發(fā)展。GOA(即Gate driver On Array或(Gate On Array)技術(shù)是TFT-LCD中的一種設(shè)計(jì)，其將LCD面板的柵極驅(qū)動(dòng)電路集成在基板上，從而提高了LCD面板的集成度，減少了柵極驅(qū)動(dòng)IC的使用率，由此得到廣泛運(yùn)用。

隨著TFT技術(shù)的發(fā)展，光刻線條的線間距越來(lái)越窄，光學(xué)鄰近效應(yīng)的影響越來(lái)越大。光學(xué)鄰近效應(yīng)指在相同的曝光能量下，相同設(shè)計(jì)線寬經(jīng)曝光后，因光學(xué)成像過(guò)程中衍射造成的線的鄰近畸變，曝光后密集線條區(qū)線寬值較孤立線條區(qū)要大。

如圖1所示為目前的GOA產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的布線示意圖。目前的GOA產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路焊盤10以及與多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路焊盤10對(duì)應(yīng)的多個(gè)薄膜晶體管，每一所述薄膜晶體管包括漏極20和源極30，漏極20和源極30均為梳狀電極結(jié)構(gòu)，漏極20和源極30呈插指結(jié)構(gòu)排布，漏極20通過(guò)漏極連接引線21與驅(qū)動(dòng)電路焊盤10連接。

在目前的GOA產(chǎn)品中，漏極連接引線21在源漏極溝道(SD Channel)的中間部位，此種這種設(shè)計(jì)使得SD Channel中間部位的圖案線條較密集，曝光時(shí)受光學(xué)鄰近效應(yīng)的影響，如圖2所示，會(huì)造成漏極連接引線21所在位置處漏極20的電極線條畸變，與源極30之間產(chǎn)生不良(線路短接)概率較大，產(chǎn)品良率(管控Margin)較低。

目前的GOA產(chǎn)品信號(hào)傳輸區(qū)線路短接主要通過(guò)陣列基板檢測(cè)工序(Final Array Test)檢出，無(wú)法維修，一旦出現(xiàn)，對(duì)產(chǎn)品良率造成極大影響，GOA產(chǎn)品信號(hào)傳輸區(qū)線路短接將導(dǎo)致電路信號(hào)無(wú)法正常加載，進(jìn)而影響TFT電學(xué)特性，進(jìn)而影響液晶旋轉(zhuǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，將GOA產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的漏極受光學(xué)鄰近效應(yīng)影響較大的線路優(yōu)化排布，規(guī)避曝光過(guò)程中光學(xué)鄰近效應(yīng)影響，改善驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的線路短接不良。

本發(fā)明所提供的技術(shù)方案如下：

一種陣列基板，包括顯示區(qū)和驅(qū)動(dòng)電路區(qū)，所述驅(qū)動(dòng)電路區(qū)包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路焊盤以及與多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路焊盤對(duì)應(yīng)的多個(gè)薄膜晶體管，每一所述薄膜晶體管包括：包括源極和漏極，所述漏極為梳狀電極結(jié)構(gòu)，包括間隔且平行排布的多個(gè)第一梳齒電極和連接多個(gè)所述第一梳齒電極的第一梳柄電極；所述源極為梳狀電極結(jié)構(gòu)，包括間隔且平行排布的多個(gè)第二梳齒電極和連接多個(gè)所述第二梳齒電極的第二梳柄電極；所述漏極和所述源極呈插指結(jié)構(gòu)排布；所述漏極還包括漏極連接引線，所述漏極連接引線的第一端與所述第一梳柄電極連接，所述漏極連接引線的第二端與所述驅(qū)動(dòng)電路焊盤連接。

進(jìn)一步的，所述驅(qū)動(dòng)電路焊盤包括源漏極驅(qū)動(dòng)電路焊盤，所述漏極連接引線的第二端與所述源漏極驅(qū)動(dòng)電路焊盤連接。

進(jìn)一步的，所述漏極連接引線包括順次相連的第一引線，第二引線和第三引線，

所述第一引線與所述第一梳柄電極在同一直線上，且所述第一引線的第一端為所述漏極連接引線的第一端；

所述第二引線與所述第一梳齒電極平行，且所述第二引線的第一端與所述第一引線的第二端相連接；

所述第三引線的第一端與所述第二引線的第二端相連，第三引線的第二端為所述漏極連接引線的第二端。

進(jìn)一步的，所述第三引線與所述第一梳柄電極平行。

進(jìn)一步的，所述漏極連接引線與所述第一梳齒電極和所述第一梳柄電極位于同層且材料相同。

進(jìn)一步的，所述薄膜晶體管還包括柵極，所述驅(qū)動(dòng)電路焊盤包括柵極驅(qū)動(dòng)電路焊盤，所述柵極與所述柵極驅(qū)動(dòng)電路焊盤連接。

一種顯示面板，包括如上所述的陣列基板。

一種顯示裝置，包括如上所述的顯示面板。

本發(fā)明所帶來(lái)的有益效果如下：

上述方案，通過(guò)對(duì)GOA產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的薄膜晶體管的漏極線路優(yōu)化排布，將用于連接漏極與驅(qū)動(dòng)電路焊盤的漏極連接引線連接在漏極的第一梳柄電極上，也就是說(shuō)，將漏極連接引線避讓開(kāi)源漏極溝道的中間部位，從而可以避免因源漏極溝道的中間部位設(shè)計(jì)圖案線條較密集引起的曝光過(guò)程中光學(xué)鄰近效應(yīng)的影響，改善GOA產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的線路短接不良，增大產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中的管控Margin。

附圖說(shuō)明

圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中GOA產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的布線示意圖；

圖2表示現(xiàn)有技術(shù)中GOA產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的曝光過(guò)程中光學(xué)鄰近效應(yīng)影響產(chǎn)生線路短接不良的示意圖；

圖3表示本發(fā)明實(shí)施例中提供的陣列基板的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的布線示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中GOA產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)薄膜晶體管的漏極用于與驅(qū)動(dòng)電路焊盤連接的漏極連接線從源漏極溝道的中間部位引出，會(huì)由于曝光過(guò)程中的光學(xué)效應(yīng)影響，而在源極與漏極之間產(chǎn)生線路短接不良的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，將驅(qū)動(dòng)電路區(qū)薄膜晶體管的漏極中受光學(xué)鄰近效應(yīng)影響較大的線路優(yōu)化排布，規(guī)避曝光過(guò)程中光學(xué)鄰近效應(yīng)影響，改善驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的線路短接不良。

本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括顯示區(qū)和驅(qū)動(dòng)電路區(qū)，如圖3所示，所述驅(qū)動(dòng)電路區(qū)包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路焊盤100以及與多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路焊盤100對(duì)應(yīng)的多個(gè)薄膜晶體管，每一所述薄膜晶體管包括源極和漏極，所述漏極為梳狀電極結(jié)構(gòu)，包括間隔且平行排布的多個(gè)第一梳齒電極2011和連接多個(gè)所述第一梳齒電極2011的第一梳柄電極2012；所述源極為梳狀電極結(jié)構(gòu)，包括間隔且平行排布的多個(gè)第二梳齒電極2022和連接多個(gè)所述第二梳齒電極2022的第二梳柄電極2021；所述漏極和所述源極呈插指結(jié)構(gòu)排布；所述漏極還包括漏極連接引線，所述漏極連接引線的第一端與所述第一梳柄電極2012連接，所述漏極連接引線的第二端與所述驅(qū)動(dòng)電路焊盤連接。

上述方案，通過(guò)對(duì)GOA產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的薄膜晶體管的漏極線路優(yōu)化排布，將用于連接漏極與驅(qū)動(dòng)電路焊盤的漏極連接引線連接在漏極的第一梳柄電極2012上，也就是說(shuō)，可以使得漏極連接引線的引出位置從源漏極溝道的中間部位改為源漏極溝道的底部位置，而避讓開(kāi)源漏極溝道中間部位的圖案線條密集排布的區(qū)域，從而可以避免因源漏極溝道的中間部位設(shè)計(jì)圖案線條較密集引起的曝光過(guò)程中光學(xué)鄰近效應(yīng)的影響，改善GOA產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的線路短接不良，增大產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中的管控Margin。

需要說(shuō)明的是，如圖3所示，所述漏極為梳狀電極結(jié)構(gòu)，相鄰兩個(gè)第一梳齒電極2011之間有縫隙，第一梳柄電極2012將第一梳齒電極2011進(jìn)行連接，所述源極為梳狀電極結(jié)構(gòu)，相鄰兩個(gè)第二梳齒電極2022之間有縫隙，第二梳柄電極將第二梳齒電極2022進(jìn)行連接，將源極和漏極的梳狀電極結(jié)構(gòu)相對(duì)排列，且漏極的相鄰兩個(gè)條狀的第一梳齒電極2011之間的縫隙由源極的一個(gè)條狀的第二梳齒電極2022相對(duì)應(yīng)，使得源極和漏極兩個(gè)梳狀電極的排布結(jié)構(gòu)相互之間沒(méi)有重疊，例如圖3所示的結(jié)構(gòu)排布方式即為插指結(jié)構(gòu)排布。

此外，在本發(fā)明所提供的實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)電路焊盤包括源漏極驅(qū)動(dòng)電路焊盤(SD PAD)101，所述漏極連接引線2013的第二端與所述源漏極驅(qū)動(dòng)電路焊盤101連接，所述薄膜晶體管還包括柵極203，所述驅(qū)動(dòng)電路焊盤還包括柵極驅(qū)動(dòng)電路焊盤(GATE PAD)102，所述柵極203與所述柵極驅(qū)動(dòng)電路焊盤102連接。

在本發(fā)明所提供的實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述漏極連接引線2013包括順次相連的第一引線2013a，第二引線2013b和第三引線2013c，

所述第一引線2013a與所述第一梳柄電極2012在同一直線上，且所述第一引線2013a的第一端為所述漏極連接引線2013的第一端；

所述第二引線2013b與所述第一梳齒電極2011平行，且所述第二引線2013b的第一端與所述第一引線2013a的第二端相連接；

所述第三引線2013c的第一端與所述第二引線2013b的第二端相連，第三引線2013c的第二端為所述漏極連接引線2013的第二端。

采用上述方案，為了將所述漏極連接引線2013從源漏極溝道的底部位置引出，而和源漏極溝道的中間部位正對(duì)的所述源漏極驅(qū)動(dòng)電路焊盤101連接，而將所述漏極連接引線2013設(shè)計(jì)為三段引線，即，第一引線2013a、第二引線2013b和第三引線2013c。

應(yīng)當(dāng)理解的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述漏極連接引線2013的圖案并不僅局限于此。

此外，在本發(fā)明所提供的實(shí)施例中，優(yōu)選的，如圖3所示，所述第一引線2013a在與所述漏極的第一梳齒電極2011的延伸方向垂直的方向上至少延伸預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。采用上述方案，可以保證漏極連接引線2013的其他引線距離源漏極溝道的中間部位圖案密集排布的位置具有足夠距離，以避免了其他引線對(duì)源漏極溝道的中間部位圖案密集排布的位置產(chǎn)生影響。

此外，在本發(fā)明所提供的實(shí)施例中，優(yōu)選的，如圖3所示，所述第二引線2013b與所述第一梳齒電極2011平行，所述第三引線2013c與所述第一梳柄電極2012平行，上述方案提供了一種漏極連接引線2013的優(yōu)選圖案，應(yīng)當(dāng)理解的是，在實(shí)際應(yīng)用中，所述漏極連接引線2013的具體圖案可以不進(jìn)行局限。

此外，所述漏極連接引線2013與所述第一梳齒電極2011和所述第一梳柄電極2012位于同層且材料相同。也就是說(shuō)，所述漏極連接引線2013是與所述漏極的第一梳齒電極2011和所述第一梳柄電極2012通過(guò)同一次構(gòu)圖工藝形成。

此外，本發(fā)明實(shí)施例中還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例中所述的陣列基板。

此外，本發(fā)明實(shí)施例中還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例中所述所述的顯示面板。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。