本發(fā)明涉及一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

一般來(lái)說(shuō)，液晶顯示器是使用液晶的光學(xué)各向異性和偏振特性進(jìn)行工作的。由于液晶的細(xì)長(zhǎng)結(jié)構(gòu)，液晶的分子具有有序取向，通過(guò)人為給液晶施加電場(chǎng)能夠控制分子的取向。如此，液晶中的分子的取向的任意控制能夠改變液晶的分子布置，并且由于光學(xué)各向異性，光線(xiàn)在液晶分子的取向的方向上被折射，因而呈現(xiàn)出圖像信息。

目前，由于其高分辨率和視頻呈現(xiàn)能力，其中以矩陣方式布置有薄膜晶體管以及連接至薄膜晶體管的像素電極的有源矩陣液晶顯示器(am-lcd，下文中簡(jiǎn)稱(chēng)為液晶顯示器)吸引了最多的注意。這種液晶顯示器包括具有公共電極的濾色器基板、具有像素電極的陣列基板、以及夾在這兩個(gè)基板之間的液晶。在這種液晶顯示器中，公共電極和像素電極通過(guò)垂直施加的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)像素，賦予了高透射率和高開(kāi)口率。然而，通過(guò)垂直施加的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶具有較差的視角。為了克服該缺點(diǎn)，提出了用于更大視角的共平面開(kāi)關(guān)液晶顯示器。共平面開(kāi)關(guān)液晶顯示器因?yàn)槭褂孟袼仉姌O與公共電極之間的水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)像素而具有更寬的視角。

隨著近來(lái)顯示分辨率的增加，每英寸的像素(ppi)也逐漸增加，導(dǎo)致目前向著更小的像素尺寸和節(jié)距(pitch)的發(fā)展趨勢(shì)。

圖1是示出顯示裝置中的像素和濾色器的平面圖。參照?qǐng)D1，紅色濾色器cr、綠色濾色器cg和藍(lán)色濾色器cb被布置成分別對(duì)應(yīng)于紅色子像素r、綠色子像素g和藍(lán)色子像素b。由于更高的分辨率導(dǎo)致子像素的尺寸和節(jié)距變得越來(lái)越小。為了允許濾色器的構(gòu)圖，子像素需要大約3μm的節(jié)距。因而，如果由于更高的分辨率導(dǎo)致子像素的節(jié)距減小至小于大約2.2μm，則使得制備濾色器變得困難。此外，為了允許濾色器的構(gòu)圖，濾色器需要大約10μm的寬度。然而，如果由于更高的分辨率導(dǎo)致子像素的寬度減小并且濾色器的寬度減小至低于大約8.4μm，則也會(huì)使得制備濾色器變得困難。如果子像素中的開(kāi)口區(qū)域的寬度減小至低于4.4μm，則由于黑矩陣導(dǎo)致子像素中的開(kāi)口區(qū)域?qū)⒆冋?。因?yàn)楹诰仃噷H具有4μm的線(xiàn)寬度。

在由于更高的分辨率而導(dǎo)致子像素的尺寸和節(jié)距減小的情況下，要設(shè)置在顯示裝置的濾色器基板上的濾色器的尺寸和寬度需要減小，并且黑矩陣的節(jié)距也需要減小。然而，由于濾色器和黑矩陣的特性導(dǎo)致形成精細(xì)的圖案存在困難，使得難以應(yīng)對(duì)更高的分辨率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明涉及一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題的顯示裝置。

本發(fā)明的目的是提供一種通過(guò)改變像素的布置和濾色器的布置而能夠應(yīng)對(duì)高分辨率的顯示裝置。

在下面的描述中將列出本發(fā)明其他的特征和優(yōu)點(diǎn)，這些特征和優(yōu)點(diǎn)的一部分通過(guò)所述描述將是顯而易見(jiàn)的，或者可從本發(fā)明的實(shí)施領(lǐng)會(huì)到。通過(guò)說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)。

為了獲得這些和其他優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體和概括描述的，一種顯示裝置，包括：第一像素部，所述第一像素部包括：設(shè)置在第一柵極線(xiàn)與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的交叉部分處的第一薄膜晶體管、以及連接至所述第一薄膜晶體管的第一像素電極；和第二像素部，所述第二像素部包括：設(shè)置在第二柵極線(xiàn)與所述第一數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的交叉部分處的第二薄膜晶體管、以及連接至所述第二薄膜晶體管的第二像素電極，其中所述第一像素部和所述第二像素部被布置成與所述第一數(shù)據(jù)線(xiàn)平行，并且所述第一像素電極和所述第二像素電極延伸的方向是在彼此面對(duì)的方向上延伸的。

所述第一像素電極和所述第二像素電極延伸的方向是分別從所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的漏極電極延伸的方向。

所述顯示裝置進(jìn)一步包括：第三柵極線(xiàn)，所述第三柵極線(xiàn)與所述第一柵極線(xiàn)平行并且與所述第一像素部交叉；和第四柵極線(xiàn)，所述第四柵極線(xiàn)與所述第三柵極線(xiàn)平行并且與所述第二像素部交叉。

所述第一像素電極與所述第一柵極線(xiàn)交叉。

所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管每一個(gè)都包括有源層。

所述第一薄膜晶體管的有源層與所述第一柵極線(xiàn)和所述第二柵極線(xiàn)交叉，并且所述第二薄膜晶體管的有源層與所述第三柵極線(xiàn)和所述第四柵極線(xiàn)交叉。

所述顯示裝置進(jìn)一步包括至少與所述第一像素部和所述第二像素部重疊的濾色器。

所述濾色器呈現(xiàn)同一顏色。

所述濾色器具有單個(gè)圖案。

所述濾色器與所述第一像素部的開(kāi)口區(qū)域和所述第二像素部的開(kāi)口區(qū)域重疊。

所述濾色器與鄰近于所述第一像素部的開(kāi)口區(qū)域的像素部的非開(kāi)口區(qū)域以及鄰近于所述第二像素部的開(kāi)口區(qū)域的像素部的非開(kāi)口區(qū)域重疊。

所述濾色器的布置是蜂窩形狀，每個(gè)濾色器具有六邊形形狀。

所述濾色器包括中間部以及從所述中間部向上和向下凸出的凸出部。

所述中間部和所述凸出部的每一個(gè)是四邊形的。

附圖說(shuō)明

被包括來(lái)給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并且并入本申請(qǐng)文件構(gòu)成本申請(qǐng)文件一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是圖示顯示裝置中的像素和濾色器的平面圖；

圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置的框圖；

圖3是圖示顯示裝置的像素的電路圖；

圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的平面圖；

圖5是沿圖4的線(xiàn)i-i’截取的剖面圖；

圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的平面圖；

圖7是沿圖6的線(xiàn)ii-ii’截取的剖面圖；

圖8和圖9是圖示根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的分配給像素部的濾色器的布置的示例的平面圖；

圖10和圖11是圖示根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施方式的分配給像素部的濾色器的布置的示例的平面圖。

具體實(shí)施方式

下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。在整個(gè)申請(qǐng)文件中，相同的參考標(biāo)記指代實(shí)質(zhì)相同的元件。在下面的描述中，如果認(rèn)為與本發(fā)明相關(guān)的已知功能或構(gòu)造的詳細(xì)描述會(huì)不必要地使本發(fā)明的主題模糊不清，則將省略該詳細(xì)描述。

下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。

圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置的框圖。

參照?qǐng)D2，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置包括顯示面板100、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器102、柵極驅(qū)動(dòng)器103和時(shí)序控制器101。用于在顯示面板100上發(fā)射均勻光的背光單元可設(shè)置在顯示面板100下方。背光單元可由直下型背光單元或邊緣型背光單元實(shí)現(xiàn)。

顯示面板100包括彼此面對(duì)且在之間具有液晶層的薄膜晶體管陣列基板(或第一基板)和濾色器陣列基板(或第二基板)。在顯示面板100中形成有用于顯示視頻數(shù)據(jù)的像素陣列。像素陣列包括通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)和柵極線(xiàn)的交叉而以矩陣方式布置的像素。像素可包括r像素、g像素和b像素。相鄰的像素共享同一數(shù)據(jù)線(xiàn)。像素的液晶單元通過(guò)施加給像素電極的數(shù)據(jù)電壓與施加給公共電極的公共電壓之間的電場(chǎng)調(diào)整光透射的量，來(lái)顯示視頻數(shù)據(jù)的圖像。在諸如tn(扭曲向列)驅(qū)動(dòng)模式和va(垂直取向)驅(qū)動(dòng)模式之類(lèi)的垂直電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)模式的情形中，公共電極形成在濾色器陣列基板上。在諸如共平面開(kāi)關(guān)(ips)驅(qū)動(dòng)模式和邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)(ffs)驅(qū)動(dòng)模式之類(lèi)的水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)模式的情形中，公共電極與像素電極一起形成在薄膜晶體管陣列基板上。

薄膜晶體管陣列基板包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵極線(xiàn)、薄膜晶體管、以一對(duì)一的關(guān)系連接至薄膜晶體管的像素電極、以及以一對(duì)一的關(guān)系連接至像素電極的存儲(chǔ)電容器cst(未示出)。黑矩陣和濾色器形成在顯示面板100的濾色器陣列基板上。在該示例性實(shí)施方式中，公共電極形成在薄膜晶體管陣列基板上。偏振器分別貼附至顯示面板100的濾色器陣列基板和tft陣列基板。用于設(shè)定液晶的預(yù)傾角的取向?qū)臃謩e形成到顯示面板100的濾色器陣列基板和tft陣列基板。

本發(fā)明中可適用的顯示面板100可以以任何液晶模式以及tn模式、va模式、ips模式和ffs模式實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的液晶顯示器可以以包括透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器和反射型液晶顯示器在內(nèi)的任何形式實(shí)現(xiàn)。透射型液晶顯示器和半透射型液晶顯示器需要背光單元。背光單元可由直下型背光單元或邊緣型背光單元實(shí)現(xiàn)。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器102包括多個(gè)源極驅(qū)動(dòng)ic。源極驅(qū)動(dòng)ic的輸出通道以一對(duì)一的關(guān)系連接至像素陣列中的數(shù)據(jù)線(xiàn)。每個(gè)源極驅(qū)動(dòng)ic從時(shí)序控制器101接收數(shù)字視頻數(shù)據(jù)。響應(yīng)于來(lái)自時(shí)序控制器101的源極時(shí)序控制信號(hào)，源極驅(qū)動(dòng)ic將數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為正/負(fù)數(shù)據(jù)電壓并且通過(guò)輸出通道將正/負(fù)數(shù)據(jù)電壓提供至像素陣列中的數(shù)據(jù)線(xiàn)。源極驅(qū)動(dòng)ic在時(shí)序控制器101的控制下給相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)提供相反極性的數(shù)據(jù)電壓，將提供至數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù)電壓的極性保持一個(gè)幀周期，然后在下一幀周期中反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)電壓的極性。就是說(shuō)，如同采用列反轉(zhuǎn)方法的情形，源極驅(qū)動(dòng)ic將數(shù)據(jù)電壓的極性保持一個(gè)幀周期，并且在每一幀反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)電壓的極性。

柵極驅(qū)動(dòng)器103響應(yīng)于來(lái)自時(shí)序控制器101的柵極時(shí)序控制信號(hào)，按順序給像素陣列中的柵極線(xiàn)提供柵極脈沖。時(shí)序控制器101將從外部系統(tǒng)板104輸入的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器102中的源極驅(qū)動(dòng)ic。時(shí)序控制器101產(chǎn)生用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器102的操作時(shí)序的源極時(shí)序控制信號(hào)和用于控制柵極驅(qū)動(dòng)器103的操作時(shí)序的柵極時(shí)序控制信號(hào)。

參照?qǐng)D3，本發(fā)明的顯示裝置基于伽馬基準(zhǔn)電壓將數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)電壓并將其提供給數(shù)據(jù)線(xiàn)dl，與此同時(shí)將掃描脈沖提供給柵極線(xiàn)gl，以使液晶單元clc充上數(shù)據(jù)電壓。為此，薄膜晶體管的柵極電極連接至柵極線(xiàn)gl，其源極電極連接至數(shù)據(jù)線(xiàn)dl，并且薄膜晶體管的漏極電極連接至液晶單元clc的像素電極和存儲(chǔ)電容器cst的一個(gè)電極。公共電壓vcom被提供至液晶單元clc的公共電極。存儲(chǔ)電容器cst用于存儲(chǔ)當(dāng)薄膜晶體管導(dǎo)通時(shí)從數(shù)據(jù)線(xiàn)dl施加的數(shù)據(jù)電壓并且保持液晶單元clc的電壓恒定。當(dāng)掃描脈沖施加至柵極線(xiàn)gl時(shí)，tft導(dǎo)通，以在源極電極與漏極電極之間形成溝道，并且將數(shù)據(jù)線(xiàn)dl上的電壓提供給液晶單元clc的像素電極。此時(shí)，液晶單元clc中液晶分子的布置通過(guò)像素電極與公共電極之間的電場(chǎng)而變化。基于該原理，本發(fā)明的顯示裝置進(jìn)行操作。

上面描述了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示裝置的示意性構(gòu)造。下面給出顯示裝置的顯示面板的像素陣列結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述。在該描述中，將使用與圖2和圖3中不同的參考標(biāo)記。

圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的平面圖。圖5是沿圖4的線(xiàn)i-i’截取的剖面圖。

參照?qǐng)D4，根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板包括在基板sub上水平延伸的多條柵極線(xiàn)gl1、gl2…以及在基板sub上垂直延伸的多條數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1、dl2…。像素區(qū)域被定義為通過(guò)柵極線(xiàn)gl1、gl2…與數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1、dl2…的交叉而界定的矩形區(qū)域。

位于特定數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2的左側(cè)頂部處的像素區(qū)域被定義為第一像素部p1，位于第一像素部p1下方的像素區(qū)域被定義為第二像素部p2，位于數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2的右側(cè)頂部處的像素區(qū)域被定義為第三像素部p3，位于第三像素部p3下方的像素區(qū)域被定義為第四像素部p4。

本發(fā)明的第一像素部p1被定義為第一柵極線(xiàn)gl1與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1交叉的位置。第一像素部p1包括：設(shè)置在第一柵極線(xiàn)gl1與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1之間的交叉部分處的第一薄膜晶體管t11、以及連接至第一薄膜晶體管t11的第一像素電極px11。第一像素部p1的第一薄膜晶體管t11包括第一有源層a11、充當(dāng)柵極電極的第一柵極線(xiàn)gl1、第一源極電極s11以及第一漏極電極d11。由于第一有源層a11與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1重疊，所以第一有源層a11是i形的。此外，第一有源層a11通過(guò)與第一柵極線(xiàn)gl1交叉而包括一個(gè)溝道。充當(dāng)?shù)谝辉礃O電極s11的第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1延伸成經(jīng)由第一源極接觸孔sh11與第一有源層a11的一端接觸。由于第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1充當(dāng)源極電極，所以第一源極接觸孔sh11與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1重疊。第一漏極電極d11經(jīng)由第一漏極接觸孔dh11與第一有源層a11的另一端接觸。第一漏極接觸孔dh11不與第一柵極線(xiàn)gl1重疊，而是與之分隔開(kāi)。

第一像素電極px11具有線(xiàn)段的形狀并且被布置成與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1平行。分辨率越高，第一像素電極px11的線(xiàn)段的數(shù)量越小。盡管在本發(fā)明中第一像素電極px11由單個(gè)線(xiàn)段組成，但是例如在大約300ppi的分辨率時(shí)其可由三個(gè)到四個(gè)線(xiàn)段(或指部(finger))組成，或者在400到500ppi的分辨率時(shí)由兩個(gè)或三個(gè)線(xiàn)段組成。在600ppi或更高的超高分辨率時(shí)，第一像素電極px11可由一個(gè)或兩個(gè)線(xiàn)段組成。

第一像素電極px11經(jīng)由第一過(guò)孔ph11連接至第一薄膜晶體管t11的第一漏極電極d11。第一過(guò)孔ph11與第一漏極接觸孔dh11重疊。第一像素電極px11和公共電極vcom彼此面對(duì)，由此形成電場(chǎng)。公共電極vcom可形成為覆蓋基板sub的大多數(shù)區(qū)域。在該情形中，公共電極vcom是占據(jù)大多數(shù)第一像素電極px11的面電極的形式。結(jié)果，公共電極vcom和第一像素電極px11彼此重疊且在它們之間具有鈍化層，由此形成由邊緣場(chǎng)導(dǎo)致的水平電場(chǎng)。

盡管該圖圖解了具有i形溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管，但本發(fā)明不限于此，而是具有u形溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管也適用。而且，盡管該圖圖解了薄膜晶體管的柵極電極充當(dāng)柵極線(xiàn)，但本發(fā)明不限于此，而是柵極電極可以是柵極線(xiàn)的凸出部。

本發(fā)明的第二像素部p2是通過(guò)第二柵極線(xiàn)gl2與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1的交叉而界定的。第二像素部p2包括：設(shè)置在第二柵極線(xiàn)gl2與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1之間的交叉部分處的第二薄膜晶體管t12、以及連接至第二薄膜晶體管t12的第二像素電極px12。第二像素部p2的第二薄膜晶體管t12包括第二有源層a12、充當(dāng)柵極電極的第二柵極線(xiàn)gl2、充當(dāng)?shù)诙礃O電極s12的第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1、以及第二漏極電極d12。由于第二有源層a12與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1重疊，所以第二有源層a12是i形的。此外，第二有源層a12通過(guò)與第二柵極線(xiàn)gl2交叉而包括一個(gè)溝道。充當(dāng)?shù)诙礃O電極s12的第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1經(jīng)由第二源極接觸孔sh12與第二有源層a12的一端接觸。由于第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1充當(dāng)?shù)诙礃O電極s12，所以第二源極接觸孔sh12與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1重疊。第二漏極電極d12經(jīng)由第二漏極接觸孔dh12與第二有源層a12的另一端接觸。第二漏極接觸孔dh12不與第二柵極線(xiàn)gl2重疊，而是與之分隔開(kāi)。第二像素電極px12具有線(xiàn)段的形狀并且被布置成與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1平行。第二像素電極px12經(jīng)由第二過(guò)孔ph12連接至第二薄膜晶體管t12的第二漏極電極d12。第二過(guò)孔ph12與第二漏極接觸孔dh12重疊。第二像素電極px12和公共電極vcom彼此面對(duì)，由此形成電場(chǎng)。

同時(shí)，在本發(fā)明的第一像素部p1中，第一像素電極px11被布置成與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1延伸的方向平行，并且第一像素電極px11從第一漏極電極d11起在與鄰近的第二像素部p2相反的方向上延伸。在此，第一像素電極px11延伸的方向是指第一像素電極px11從第一漏極電極d11起延伸的方向。因此，在圖中第一像素電極px11向上延伸。相比之下，在第二像素部p2中，第二像素電極px12被布置成與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1延伸的方向平行，并且第二像素電極px12從第二漏極電極d12起在與鄰近的第一像素部p1相反的方向上延伸。就是說(shuō)，在圖中第二像素電極px12向下延伸。此外，第一像素部p1的第一漏極電極d11和第二像素部p2的第二漏極電極d12設(shè)置在第一柵極線(xiàn)gl1與第二柵極線(xiàn)gl2之間。因此，第一像素部p1的第一像素電極px11和第二像素部p2的第二像素電極px12在不同的方向上延伸，即在相反的方向上延伸。

本發(fā)明的第三像素部p3是通過(guò)第一柵極線(xiàn)gl1與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2的交叉而界定的。第三像素部p3包括：設(shè)置在第一柵極線(xiàn)gl1與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2之間的交叉部分處的第三薄膜晶體管t13、以及連接至第三薄膜晶體管t13的第三像素電極px13。第三像素部p3的第三薄膜晶體管t13包括第三有源層a13、充當(dāng)柵極電極的第一柵極線(xiàn)gl1、充當(dāng)?shù)谌礃O電極s13的第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2、以及第三漏極電極d13。由于第三有源層a13與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2重疊，所以第三有源層a13是i形的。此外，第三有源層a13通過(guò)與第一柵極線(xiàn)gl1交叉而包括一個(gè)溝道。充當(dāng)?shù)谌礃O電極s13的第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2經(jīng)由第三源極接觸孔sh13與第三有源層a13的一端接觸。由于第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2充當(dāng)?shù)谌礃O電極s13，所以第三源極接觸孔sh13與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2重疊。第三漏極電極d13經(jīng)由第三漏極接觸孔dh13與第三有源層a13的另一端接觸。第三漏極接觸孔dh13不與第一柵極線(xiàn)gl1重疊，而是與之分隔開(kāi)。第三像素電極px13具有線(xiàn)段的形狀并且被布置成與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2平行。第三像素電極px13經(jīng)由第三過(guò)孔ph13連接至第三薄膜晶體管t13的第三漏極電極d13。第三過(guò)孔ph13鄰近于第三漏極接觸孔dh13并與第三漏極接觸孔dh13重疊。第三像素電極px13和公共電極vcom彼此面對(duì)，由此形成電場(chǎng)。

本發(fā)明的第四像素部p4是通過(guò)第二柵極線(xiàn)gl2與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2的交叉而界定的。第四像素部p4包括：設(shè)置在第二柵極線(xiàn)gl2與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2之間的交叉部分處的第四薄膜晶體管t14、以及連接至第四薄膜晶體管t14的第四像素電極px14。第四像素部p4的第四薄膜晶體管t14包括第四有源層a14、充當(dāng)柵極電極的第二柵極線(xiàn)gl2、充當(dāng)?shù)谒脑礃O電極s14的第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2、以及第四漏極電極d14。由于第四有源層a14與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2重疊，所以第四有源層a14是i形的。此外，第四有源層a14通過(guò)與第二柵極線(xiàn)gl2交叉而包括一個(gè)溝道。充當(dāng)?shù)谒脑礃O電極s14的第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2經(jīng)由第四源極接觸孔sh14與第四有源層a14的一端接觸。由于第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2充當(dāng)?shù)谒脑礃O電極s14，所以第四源極接觸孔sh14與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2重疊。第四漏極電極d14經(jīng)由第四漏極接觸孔dh14與第四有源層a14的另一端接觸。第四漏極接觸孔dh14不與第二柵極線(xiàn)gl2重疊，而是與之分隔開(kāi)。第四像素電極px14具有線(xiàn)段的形狀并且被布置成與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2平行。第四像素電極px14經(jīng)由第四過(guò)孔ph14連接至第四薄膜晶體管t14的第四漏極電極d14。第四過(guò)孔ph14鄰近于第四漏極接觸孔dh14并與第四漏極接觸孔dh14重疊。第四像素電極px14和公共電極vcom彼此面對(duì)，由此形成電場(chǎng)。

在本發(fā)明的上述第三像素部p3中，第三像素電極px13被布置成與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2延伸的方向平行，并且第三像素電極px13從第三漏極電極d13起在鄰近的第四像素部p4的方向上延伸。換句話(huà)說(shuō)，在圖中第三像素電極px13向下延伸。相比之下，在第四像素部p4中，第四像素電極px14被布置成與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2延伸的方向平行，并且第四像素電極px14從第四漏極電極d14起在鄰近的第三像素部p3的方向上延伸。就是說(shuō)，在圖中第四像素電極px14向上延伸。此外，第三像素部p3的第三漏極電極d13設(shè)置在第一柵極線(xiàn)gl1上方，并且第四像素部p4的第四漏極電極d14設(shè)置在第二柵極線(xiàn)gl2下方。第三像素電極px13和第四像素電極px14設(shè)置在第一柵極線(xiàn)gl1與第二柵極線(xiàn)gl2之間。因此，第三像素部p3的第三像素電極px13和第四像素部p4的第四像素電極px14在不同的方向上延伸，即在相反的方向上延伸。

現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明的第一到第四像素部p1、p2、p3和p4的結(jié)構(gòu)。第一像素部p1的第一像素電極px11和第三像素部p3的第三像素電極px13在不同的方向上延伸，并且第二像素部p2的第二像素電極px12和第四像素部p4的第四像素電極px14在不同的方向上延伸。此外，第二像素部p2的第二像素電極px12和第三像素部p3的第三像素電極px13在相同的方向上延伸，并且第一像素部p1的第一像素電極px11和第四像素部p4的第四像素電極px14在相同的方向上延伸。因此，第三像素部p3的第三像素電極px13和第四像素部p4的第四像素電極px14被設(shè)置成彼此面對(duì)。

第一到第四像素部p1、p2、p3和p4在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板上以重復(fù)的圖案布置。換句話(huà)說(shuō)，在每條數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1、dl2…之間的列中重復(fù)布置彼此面對(duì)的像素部對(duì)，位于同一行中但不同列中的鄰近的像素部是彼此反向的。

例如，第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2之間的、布置有第一像素部p1和第二像素部p2的列被定義為第一列，緊鄰第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2的、布置有第三像素部p3和第四像素部p4的列被定義為第二列，布置有第一像素部p1和第三像素部p3的行被定義為第一行，布置有第二像素部p2和第四像素部p4的行被定義為第二行。在該情形中，第三像素部p3和第四像素部p4被布置在第二列中，具有與第四像素部p4相同形狀的第一像素部p1設(shè)置在第四像素部p4上方的一行。盡管未示出，但具有與第三像素部p3相同形狀的像素部設(shè)置在第一像素部p1上方，并且該像素部具有面對(duì)第一像素部p1的第一像素電極px11的像素電極。

現(xiàn)在，將參照?qǐng)D5，即沿圖4的線(xiàn)i-i’截取的前述剖面圖描述根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)。

參照?qǐng)D5，根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施方式的顯示裝置100采用柵極電極位于有源層頂部上的共面型薄膜晶體管。

更具體地說(shuō)，在基板sub上設(shè)置光阻擋層ls?；錽ub由透明或不透明玻璃、塑料或金屬制成。光阻擋層ls用于阻擋外部的光進(jìn)入并且由能夠阻擋光的材料制成。光阻擋層ls可由低反射率材料，例如，諸如產(chǎn)生黑色的碳黑之類(lèi)的樹(shù)脂或者諸如非晶硅(a-si)、鍺(ge)、氧化鉭(taox)和氧化銅(cuox)之類(lèi)的半導(dǎo)體材料制成。在設(shè)置有光阻擋層ls的整個(gè)基板sub上方設(shè)置緩沖層120。形成緩沖層120用來(lái)保護(hù)在隨后工藝中將要形成的薄膜晶體管免受從基板sub或下方的層釋放的諸如堿離子之類(lèi)的雜質(zhì)的影響，緩沖層120由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或這些元素的多層制成。

在緩沖層120上設(shè)置第一有源層a11。第一有源層a11由氧化物半導(dǎo)體制成。氧化物半導(dǎo)體是非晶鋅氧化物半導(dǎo)體，例如特別是，通過(guò)使用氧化鎵(iii)(ga2o3)、氧化銦(iii)(in2o3)或氧化鋅(zno)的復(fù)合靶的濺射方法形成a-igzo半導(dǎo)體。除此之外，可使用諸如化學(xué)氣相沉積或原子層沉積(ald)之類(lèi)的化學(xué)沉積技術(shù)。在本發(fā)明的該示例性實(shí)施方式中，可使用鎵：銦：鋅原子比率分別為1:1:1、2:2:1、3:2:1和4:2:1的氧化物靶沉積鋅氧化物半導(dǎo)體。然而，本發(fā)明的有源層不限于鋅氧化物半導(dǎo)體。

第一有源層a11包括一個(gè)溝道ch。溝道ch對(duì)應(yīng)于與充當(dāng)柵極電極的第一柵極線(xiàn)gl1重疊的區(qū)域。通過(guò)利用雜質(zhì)摻雜第一有源層a11形成溝道ch。在第一有源層a11上設(shè)置柵極絕緣層125。柵極絕緣層125由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或這些元素的多層制成。柵極絕緣層125將第一柵極線(xiàn)gl1與第一有源層a11彼此絕緣。在柵極絕緣層125上設(shè)置第一柵極線(xiàn)gl1。第一柵極線(xiàn)gl1由選自由銅(cu)、鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)、鉭(ta)和鎢(w)構(gòu)成的組中的任意一種或者這些元素的合金的單層或多層制成。第一柵極線(xiàn)gl1設(shè)置成與第一有源層a11的溝道ch對(duì)應(yīng)。

在形成有第一柵極線(xiàn)gl1的基板sub上設(shè)置層間絕緣層130。層間絕緣層130由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或這些元素的多層制成。此外，層間絕緣層130包括暴露位于第一有源層a11兩側(cè)上的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的第一源極接觸孔sh11和第一漏極接觸孔dh11。在層間絕緣層130上設(shè)置充當(dāng)源極電極的第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1和第一漏極電極d11。第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1和第一漏極電極d11可由單層或多層構(gòu)成。如果第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1和第一漏極電極d11由單層構(gòu)成，則它們可由選自由銅(cu)、鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)、鉭(ta)和鎢(w)構(gòu)成的組中的任意一種或這些元素的合金制成。另一方面，如果第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1和第一漏極電極d11由多層構(gòu)成，則它們可由鉬/鋁-釹、鉬/鋁或鈦/鋁的兩層或者鉬/鋁-釹/鉬、鉬/鋁/鉬或鈦/鋁/鈦的三層制成。第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1和第一漏極電極d11經(jīng)由形成在層間絕緣層130中的第一源極接觸孔sh11和第一漏極接觸孔dh11分別連接至第一有源層a11的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。

第一鈍化層140保護(hù)薄膜晶體管，且第一鈍化層140由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或這些元素的多層制成。在第一鈍化層140上設(shè)置有機(jī)絕緣層150。有機(jī)絕緣層150使下方部分中的不規(guī)則變平坦，有機(jī)絕緣層150可由諸如光學(xué)壓克力、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯樹(shù)脂和丙烯酸酯之類(lèi)的有機(jī)材料制成。在有機(jī)絕緣層150上設(shè)置公共電極vcom。公共電極vcom在基板sub的除孔之外的整個(gè)表面上形成為單個(gè)單元，公共電極vcom被施加公共電壓，并且公共電極vcom可由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。透明導(dǎo)電膜可以是諸如ito(氧化銦錫)或izo(氧化銦鋅)之類(lèi)的透明且導(dǎo)電的材料。在公共電極vcom上設(shè)置第二鈍化層170。第二鈍化層170可由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或這些元素的多層制成。在第二鈍化層170上設(shè)置第一像素電極px11。與公共電極vcom一樣，第一像素電極px11由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。此外，第一像素電極px11經(jīng)由第一過(guò)孔ph11與第一漏極電極d11接觸。如此，制成了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的顯示裝置。

可選擇地，本發(fā)明的顯示裝置可被配置成在單個(gè)像素部中形成兩條柵極線(xiàn)。在下面的描述中，為了更好的理解，將通過(guò)相同的參考標(biāo)記表示與本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式相同的部件。

圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的平面圖。圖7是沿圖6的線(xiàn)ii-ii’截取的剖面圖。

參照?qǐng)D6，根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板包括在基板sub上水平延伸的多條柵極線(xiàn)gl1、gl2、gl3、gl4…以及在基板sub上垂直延伸的多條數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1、dl2…。像素區(qū)域被定義為通過(guò)柵極線(xiàn)gl1、gl2、gl3、gl4…與數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1、dl2…的交叉而界定的矩形區(qū)域。

位于特定數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2的左側(cè)頂部處的像素區(qū)域被定義為第一像素部p1，位于第一像素部p1下方的像素區(qū)域被定義為第二像素部p2，位于數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2的右側(cè)頂部處的像素區(qū)域被定義為第三像素部p3，位于第三像素部p3下方的像素區(qū)域被定義為第四像素部p4。

本發(fā)明的第一像素部p1被定義為第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1交叉的位置。第一像素部p1包括：設(shè)置在第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1之間的交叉部分處的第一薄膜晶體管t11、以及連接至第一薄膜晶體管t11的第一像素電極px11。第一像素部p1的第一薄膜晶體管t11包括第一有源層a11、充當(dāng)柵極電極的第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2、第一源極電極s11以及第一漏極電極d11。由于第一有源層a11與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1重疊，所以第一有源層a11是i形的。此外，第一有源層a11通過(guò)與第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2交叉而包括兩個(gè)溝道。充當(dāng)?shù)谝辉礃O電極s11的第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1延伸成經(jīng)由第一源極接觸孔sh11與第一有源層a11的一端接觸。由于第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1充當(dāng)源極電極，所以第一源極接觸孔sh11與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1重疊。第一漏極電極d11經(jīng)由第一漏極接觸孔dh11與第一有源層a11的另一端接觸。第一漏極接觸孔dh11不與第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2重疊，而是與它們分隔開(kāi)。

第一像素電極px11具有線(xiàn)段的形狀并且被布置成與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1平行。分辨率越高，第一像素電極px11的線(xiàn)段的數(shù)量越小。盡管在本發(fā)明中，第一像素電極px11由單個(gè)線(xiàn)段組成，但是例如在大約300ppi的分辨率時(shí)其可由三個(gè)到四個(gè)線(xiàn)段(或指部)組成，或者在400到500ppi的分辨率時(shí)由兩個(gè)或三個(gè)線(xiàn)段組成。在600ppi或更高的超高分辨率時(shí)，第一像素電極px11可由一個(gè)或兩個(gè)線(xiàn)段組成。第一像素電極px11與第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2交叉。

第一像素電極px11經(jīng)由第一過(guò)孔ph11連接至第一薄膜晶體管t11的第一漏極電極d11。第一過(guò)孔ph11與第一漏極接觸孔dh11重疊。第一像素電極px11和公共電極vcom彼此面對(duì)，由此形成電場(chǎng)。公共電極vcom可被配置成覆蓋基板sub的大部分。在該情形中，公共電極vcom是占據(jù)大多數(shù)第一像素電極px11的面電極的形式。結(jié)果，公共電極vcom和第一像素電極px11彼此重疊且在它們之間具有鈍化層，由此形成由邊緣場(chǎng)導(dǎo)致的水平電場(chǎng)。

盡管該圖圖解了具有i形溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管，但本發(fā)明不限于此，而是具有u形溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管也適用。而且，盡管該圖圖解了薄膜晶體管的柵極電極充當(dāng)柵極線(xiàn)，但本發(fā)明不限于此，而是柵極電極可以是柵極線(xiàn)的凸出部。

本發(fā)明的第二像素部p2是通過(guò)第三柵極線(xiàn)gl3和第四柵極線(xiàn)gl4與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1的交叉而界定的。第二像素部p2包括：設(shè)置在第三柵極線(xiàn)gl3和第四柵極線(xiàn)gl4與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1之間的交叉部分處的第二薄膜晶體管t12、以及連接至第二薄膜晶體管t12的第二像素電極px12。第二像素部p2的第二薄膜晶體管t12包括第二有源層a12、充當(dāng)柵極電極的第三柵極線(xiàn)gl3和第四柵極線(xiàn)gl4、充當(dāng)?shù)诙礃O電極s12的第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1、以及第二漏極電極d12。由于第二有源層a12與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1重疊，所以第二有源層a12是i形的。此外，第二有源層a12通過(guò)與第三柵極線(xiàn)gl3和第四柵極線(xiàn)gl4交叉而包括兩個(gè)溝道。充當(dāng)?shù)诙礃O電極s12的第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1經(jīng)由第二源極接觸孔sh12與第二有源層a12的一端接觸。由于第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1充當(dāng)?shù)诙礃O電極s12，所以第二源極接觸孔sh12與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1重疊。第二漏極電極d12經(jīng)由第二漏極接觸孔dh12與第二有源層a12的另一端接觸。第二漏極接觸孔dh12不與第三柵極線(xiàn)gl3和第四柵極線(xiàn)gl4重疊，而是與之分隔開(kāi)。第二像素電極px12具有線(xiàn)段的形狀并且被布置成與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1平行。第二像素電極px12經(jīng)由第二過(guò)孔ph12連接至第二薄膜晶體管t12的第二漏極電極d12。第二過(guò)孔ph12與第二漏極接觸孔dh12重疊。第二像素電極px12和公共電極vcom彼此面對(duì)，由此形成電場(chǎng)。

同時(shí)，在本發(fā)明的第一像素部p1中，第一像素電極px11被布置成與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1延伸的方向平行，并且第一像素電極px11從第一漏極電極d11起在與鄰近的第二像素部p2相反的方向上延伸。在此，第一像素電極px11延伸的方向是指第一像素電極px11從第一漏極電極d11起延伸的方向。因此，在圖中第一像素電極px11向上延伸。相比之下，在第二像素部p2中，第二像素電極px12被布置成與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1延伸的方向平行，并且第二像素電極px12從第二漏極電極d12起在與鄰近的第一像素部p1相反的方向上延伸。就是說(shuō)，在圖中第二像素電極px12向下延伸。此外，第一像素部p1的第一漏極電極d11和第二像素部p2的第二漏極電極d12設(shè)置在第二柵極線(xiàn)gl2與第三柵極線(xiàn)gl3之間。因此，第一像素部p1的第一像素電極px11和第二像素部p2的第二像素電極px12在不同的方向上延伸，即在相反的方向上延伸。

本發(fā)明的第三像素部p3是通過(guò)第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2的交叉而界定的。第三像素部p3包括：設(shè)置在第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2之間的交叉部分處的第三薄膜晶體管t13、以及連接至第三薄膜晶體管t13的第三像素電極px13。第三像素部p3的第三薄膜晶體管t13包括第三有源層a13、充當(dāng)柵極電極的第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2、充當(dāng)?shù)谌礃O電極s13的第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2、以及第三漏極電極d13。由于第三有源層a13與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2重疊，所以第三有源層a13是i形的。此外，第三有源層a13通過(guò)與第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2交叉而包括兩個(gè)溝道。充當(dāng)?shù)谌礃O電極s13的第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2經(jīng)由第三源極接觸孔sh13與第三有源層a13的一端接觸。由于第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2充當(dāng)?shù)谌礃O電極s13，所以第三源極接觸孔sh13與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2重疊。第三漏極電極d13經(jīng)由第三漏極接觸孔dh13與第三有源層a13的另一端接觸。第三漏極接觸孔dh13不與第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2重疊，而是與之分隔開(kāi)。第三像素電極px13具有線(xiàn)段的形狀并且被布置成與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2平行。第三像素電極px13經(jīng)由第三過(guò)孔ph13連接至第三薄膜晶體管t13的第三漏極電極d13。第三過(guò)孔ph13鄰近于第三漏極接觸孔dh13并與第三漏極接觸孔dh13重疊。第三像素電極px13和公共電極vcom彼此面對(duì)，由此形成電場(chǎng)。

本發(fā)明的第四像素部p4是通過(guò)第三柵極線(xiàn)gl3和第四柵極線(xiàn)gl4與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2的交叉而界定的。第四像素部p4包括：設(shè)置在第三柵極線(xiàn)gl3和第四柵極線(xiàn)gl4與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2之間的交叉部分處的第四薄膜晶體管t14、以及連接至第四薄膜晶體管t14的第四像素電極px14。第四像素部p4的第四薄膜晶體管t14包括第四有源層a14、充當(dāng)柵極電極的第三柵極線(xiàn)gl3和第四柵極線(xiàn)gl4、充當(dāng)?shù)谒脑礃O電極s14的第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2、以及第四漏極電極d14。由于第四有源層a14與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2重疊，所以第四有源層a14是i形的。此外，第四有源層a14通過(guò)與第三柵極線(xiàn)gl3和第四柵極線(xiàn)gl4交叉而包括兩個(gè)溝道。充當(dāng)?shù)谒脑礃O電極s14的第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2經(jīng)由第四源極接觸孔sh14與第四有源層a14的一端接觸。由于第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2充當(dāng)?shù)谒脑礃O電極s14，所以第四源極接觸孔sh14與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2重疊。第四漏極電極d14經(jīng)由第四漏極接觸孔dh14與第四有源層a14的另一端接觸。第四漏極接觸孔dh14不與第三柵極線(xiàn)gl3和第四柵極線(xiàn)gl4重疊，而是與之分隔開(kāi)。第四像素電極px14具有線(xiàn)段的形狀并且被布置成與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2平行。第四像素電極px14經(jīng)由第四過(guò)孔ph14連接至第四薄膜晶體管t14的第四漏極電極d14。第四過(guò)孔ph14鄰近于第四漏極接觸孔dh14并與第四漏極接觸孔dh14重疊。第四像素電極px14和公共電極vcom彼此面對(duì)，由此形成電場(chǎng)。

在本發(fā)明的上述第三像素部p3中，第三像素電極px13被布置成與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2延伸的方向平行，并且第三像素電極px13從第三漏極電極d13起在鄰近的第四像素部p4的方向上延伸。換句話(huà)說(shuō)，在圖中第三像素電極px13向下延伸。相比之下，在第四像素部p4中，第四像素電極px14被布置成與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2延伸的方向平行，并且第四像素電極px14從第四漏極電極d14起在鄰近的第三像素部p3的方向上延伸。就是說(shuō)，在圖中第四像素電極px14向上延伸。此外，第三像素部p3的第三漏極電極d13設(shè)置在第一柵極線(xiàn)gl1上方，并且第四像素部p4的第四漏極電極d14設(shè)置在第四柵極線(xiàn)gl4下方。第三像素電極px13和第四像素電極px14設(shè)置在第二柵極線(xiàn)gl2與第三柵極線(xiàn)gl3之間。因此，第三像素部p3的第三像素電極px13和第四像素部p4的第四像素電極px14在不同的方向上延伸，即在相反的方向上延伸。

現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明的第一到第四像素部p1、p2、p3和p4的結(jié)構(gòu)。第一像素部p1的第一像素電極px11和第三像素部p3的第三像素電極px13在不同的方向上延伸，并且第二像素部p2的第二像素電極px12和第四像素部p4的第四像素電極px14在不同的方向上延伸。此外，第二像素部p2的第二像素電極px12和第三像素部p3的第三像素電極px13在相同的方向上延伸，并且第一像素部p1的第一像素電極px11和第四像素部p4的第四像素電極px14在相同的方向上延伸。因此，第三像素部p3的第三像素電極px13和第四像素部p4的第四像素電極px14被設(shè)置成彼此面對(duì)。

第一到第四像素部p1、p2、p3和p4在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板上以重復(fù)的圖案布置。換句話(huà)說(shuō)，在每條數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1、dl2…之間的列中重復(fù)布置彼此面對(duì)的像素部對(duì)，位于同一行中但不同列中的鄰近的像素部是彼此反向的。

例如，第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2之間的、布置有第一像素部p1和第二像素部p2的列被定義為第一列，緊鄰第二數(shù)據(jù)線(xiàn)dl2的、布置有第三像素部p3和第四像素部p4的列被定義為第二列，布置有第一像素部p1和第三像素部p3的行被定義為第一行，布置有第二像素部p2和第四像素部p4的行被定義為第二行。在該情形中，第三像素部p3和第四像素部p4被布置在第二列中，具有與第四像素部p4相同形狀的第一像素部p1設(shè)置在第四像素部p4上方的一行。盡管未示出，但具有與第三像素部p3相同形狀的像素部設(shè)置在第一像素部p1上方，并且該像素部具有面對(duì)第一像素部p1的第一像素電極px11的像素電極。

現(xiàn)在，將參照?qǐng)D7，即沿圖6的線(xiàn)ii-ii’截取的前述剖面圖描述根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)。

參照?qǐng)D7，根據(jù)本發(fā)明的該示例性實(shí)施方式的顯示裝置100采用柵極電極位于有源層頂部上的共面型薄膜晶體管。

更具體地說(shuō)，在基板sub上設(shè)置光阻擋層ls?；錽ub由透明或不透明玻璃、塑料或金屬制成。光阻擋層ls用于阻擋外部的光進(jìn)入并且由能夠阻擋光的材料制成。光阻擋層ls可由低反射率材料，例如，諸如產(chǎn)生黑色的碳黑之類(lèi)的樹(shù)脂或者諸如非晶硅(a-si)、鍺(ge)、氧化鉭(taox)和氧化銅(cuox)之類(lèi)的半導(dǎo)體材料制成。在設(shè)置有光阻擋層ls的整個(gè)基板sub上方設(shè)置緩沖層120。形成緩沖層120用來(lái)保護(hù)在隨后工藝中將要形成的薄膜晶體管免受從基板sub或下方的層釋放的諸如堿離子之類(lèi)的雜質(zhì)的影響，緩沖層120由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或這些元素的多層制成。

在緩沖層120上設(shè)置第一有源層a11。第一有源層a11由氧化物半導(dǎo)體制成。氧化物半導(dǎo)體是非晶鋅氧化物半導(dǎo)體，例如特別是，通過(guò)使用氧化鎵(iii)(ga2o3)、氧化銦(iii)(in2o3)或氧化鋅(zno)的復(fù)合靶的濺射方法形成a-igzo半導(dǎo)體。除此之外，可使用諸如化學(xué)氣相沉積或原子層沉積(ald)之類(lèi)的化學(xué)沉積技術(shù)。在本發(fā)明的該示例性實(shí)施方式中，可使用鎵：銦：鋅原子比率分別為1:1:1、2:2:1、3:2:1和4:2:1的氧化物靶沉積鋅氧化物半導(dǎo)體。然而，本發(fā)明的有源層不限于鋅氧化物半導(dǎo)體。

第一有源層a11包括兩個(gè)溝道ch。溝道ch對(duì)應(yīng)于與充當(dāng)柵極電極的第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2重疊的區(qū)域。在第一有源層a11上設(shè)置柵極絕緣層125。柵極絕緣層125由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或這些元素的多層制成。柵極絕緣層125將第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2與第一有源層a11彼此絕緣。在柵極絕緣層125上設(shè)置第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2。第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2由選自由銅(cu)、鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)、鉭(ta)和鎢(w)構(gòu)成的組中的任意一種或者這些元素的合金的單層或多層制成。第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2被設(shè)置成與第一有源層a11的溝道ch對(duì)應(yīng)。

在形成有第一柵極線(xiàn)gl1和第二柵極線(xiàn)gl2的基板sub上設(shè)置層間絕緣層130。層間絕緣層130由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或這些元素的多層制成。此外，層間絕緣層130包括暴露位于第一有源層a11兩側(cè)上的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的第一源極接觸孔sh11和第一漏極接觸孔dh11。在層間絕緣層130上設(shè)置充當(dāng)源極電極的第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1和第一漏極電極d11。第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1和第一漏極電極d11可由單層或多層構(gòu)成。如果第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1和第一漏極電極d11由單層構(gòu)成，則它們可由選自由銅(cu)、鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)、鉭(ta)和鎢(w)構(gòu)成的組中的任意一種或這些元素的合金制成。另一方面，如果第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1和第一漏極電極d11由多層構(gòu)成，則它們可由鉬/鋁-釹、鉬/鋁或鈦/鋁的兩層或者鉬/鋁-釹/鉬、鉬/鋁/鉬或鈦/鋁/鈦的三層制成。第一數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1和第一漏極電極d11經(jīng)由形成在層間絕緣層130中的第一源極接觸孔sh11和第一漏極接觸孔dh11分別連接至第一有源層a11的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。

第一鈍化層140保護(hù)薄膜晶體管，第一鈍化層140由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或這些元素的多層制成。在第一鈍化層140上設(shè)置有機(jī)絕緣層150。有機(jī)絕緣層150使下方部分中的不規(guī)則變平坦，有機(jī)絕緣層150可由諸如光學(xué)壓克力、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯樹(shù)脂和丙烯酸酯之類(lèi)的有機(jī)材料制成。在有機(jī)絕緣層150上設(shè)置公共電極vcom。公共電極vcom在基板sub的除孔之外的整個(gè)表面上形成為單個(gè)單元，公共電極vcom被施加公共電壓，并且公共電極vcom可由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。透明導(dǎo)電膜可以是諸如ito(氧化銦錫)或izo(氧化銦鋅)之類(lèi)的透明且導(dǎo)電的材料。在公共電極vcom上設(shè)置第二鈍化層170。第二鈍化層170可由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或這些元素的多層制成。在第二鈍化層170上設(shè)置第一像素電極px11。與公共電極vcom一樣，第一像素電極px11由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。此外，第一像素電極px11經(jīng)由第一過(guò)孔ph11與第一漏極電極d11接觸。如此，制成了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的顯示裝置。

在圖1中所示的上述液晶顯示器中的濾色器的布置中，可給每個(gè)像素部分配一個(gè)濾色器。通過(guò)具有用于500ppi或更高的超高分辨率的像素結(jié)構(gòu)，高分辨率液晶顯示器會(huì)減小被使光穿過(guò)的開(kāi)口區(qū)域占據(jù)的面積，導(dǎo)致像素部的尺寸減小。較好的是，這應(yīng)當(dāng)引起濾色器的尺寸(其是像素部的尺寸)的減小。然而，在構(gòu)圖濾色器的工藝中對(duì)濾色器圖案的尺寸的限制使得難以應(yīng)對(duì)像素部尺寸。

因此，在本發(fā)明中，設(shè)計(jì)薄膜晶體管陣列基板上的像素部的結(jié)構(gòu)來(lái)適應(yīng)超高分辨率液晶顯示器，如圖4到圖7中所示。此外，設(shè)計(jì)濾色器的結(jié)構(gòu)，以對(duì)應(yīng)于薄膜晶體管陣列基板上的像素部的結(jié)構(gòu)，如下面的圖8到圖11中所示。

圖8和圖9是圖示根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的分配給像素部的濾色器的布置的示例的平面圖。圖10和圖11是圖示根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施方式的分配給像素部的濾色器的布置的示例的平面圖。

參照?qǐng)D8和圖9，可布置三個(gè)濾色器，即紅色濾色器r、綠色濾色器g和藍(lán)色濾色器b。布置在像素部p之間以界定每個(gè)像素部p的第一到第四數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1、dl2、dl3和dl4充當(dāng)矩陣。第一到第四數(shù)據(jù)線(xiàn)dl1、dl2、dl3和dl4可由具有低電阻率和高光吸收率的金屬材料制成。因此，在列方向上鄰近的兩個(gè)像素部之間不存在充當(dāng)黑矩陣的部件。缺少黑矩陣可能導(dǎo)致鄰近像素部之間的色混合。

然而，在本發(fā)明中，彼此面對(duì)的像素部可具有相同顏色的濾色器，以防止色混合。下面將通過(guò)示例的方式給出紅色濾色器r的描述。

更具體地說(shuō)，紅色濾色器r被布置成對(duì)應(yīng)于第三像素部p3的第三像素開(kāi)口區(qū)域p03和第四像素部p4的第四像素開(kāi)口區(qū)域p04。單個(gè)濾色器r具有呈現(xiàn)同一顏色的單個(gè)圖案。單個(gè)濾色器r被布置成與第三像素部p3的第三像素開(kāi)口區(qū)域p03和第四像素部p4的第四像素開(kāi)口區(qū)域p04二者重疊。如此，第三像素部p3和第四像素部p4二者能夠使紅色光穿過(guò)，這意味著這兩個(gè)像素部被配置成使單個(gè)顏色的光穿過(guò)。

此外，紅色濾色器r與鄰近于第三像素部p3的第三像素開(kāi)口區(qū)域p03的第一像素部p1和第五像素部p5的非開(kāi)口區(qū)域npo重疊；并且同時(shí)與鄰近于第四像素部p4的第四像素開(kāi)口區(qū)域p04的第二像素部p2和第六像素部p6的非開(kāi)口區(qū)域npo重疊。簡(jiǎn)言之，單個(gè)紅色濾色器r被布置成與總共六個(gè)像素部重疊。此外，紅色濾色器r是六邊形的；同樣地，與紅色濾色器r鄰近的綠色濾色器g和藍(lán)色濾色器b是六邊形的。因此，濾色器以蜂窩結(jié)構(gòu)布置。

在本發(fā)明中，一個(gè)濾色器被配置成與兩個(gè)像素部的開(kāi)口區(qū)域重疊并且同時(shí)與鄰近于這兩個(gè)像素部的四個(gè)像素部的非開(kāi)口區(qū)域重疊，使得濾色器足夠?qū)?，以能夠進(jìn)行濾色器的構(gòu)圖工藝。由于構(gòu)圖工藝的特性，將濾色器構(gòu)圖為小于10μm的尺寸可能導(dǎo)致諸如撕裂(tearing)之類(lèi)的問(wèn)題，這導(dǎo)致可靠性的問(wèn)題。因此，在本發(fā)明中，兩個(gè)像素部的像素電極被布置成彼此面對(duì)，單個(gè)濾色器被配置成與兩個(gè)像素部的開(kāi)口區(qū)域以及與鄰近于這兩個(gè)像素部的四個(gè)像素部的非開(kāi)口區(qū)域重疊。這樣，濾色器可做得足夠?qū)?，以消除濾色器的制造工藝中的缺陷。

盡管上面的圖8和圖9通過(guò)示例的方式圖解了三個(gè)濾色器，即紅色濾色器、綠色濾色器和藍(lán)色濾色器，但可設(shè)置包括白色濾色器的四個(gè)濾色器。

現(xiàn)在，下面將參照?qǐng)D10和圖11描述根據(jù)第四示例性實(shí)施方式的液晶顯示器。紅色濾色器r被布置成對(duì)應(yīng)于第三像素部p3的第三像素開(kāi)口區(qū)域p03和第四像素部p4的第四像素開(kāi)口區(qū)域p04。單個(gè)濾色器r被布置成與第三像素部p3的第三像素開(kāi)口區(qū)域p03和第四像素部p4的第四像素開(kāi)口區(qū)域p04二者重疊。如此，第三像素部p3和第四像素部p4二者能夠使紅色光穿過(guò)，這意味著這兩個(gè)像素部被配置成使單個(gè)顏色的光穿過(guò)。此外，紅色濾色器r與鄰近于第三像素部p3的第三像素開(kāi)口區(qū)域p03和第四像素部p4的第四像素開(kāi)口區(qū)域p04的四個(gè)像素部的非開(kāi)口區(qū)域npo重疊。簡(jiǎn)言之，單個(gè)紅色濾色器r被布置成與總共六個(gè)像素部重疊。

與上述第三示例性實(shí)施方式不同，紅色濾色器r包括較大的四邊形中間部ra以及從中間部ra向上和向下凸出的四邊形凸出部rb。紅色濾色器r的中間部ra是用于加寬濾色器并防止濾色器的構(gòu)圖工藝中諸如撕裂之類(lèi)的缺陷的部分。紅色濾色器r的凸出部rb用于覆蓋與紅色濾色器r重疊的像素部的開(kāi)口區(qū)域。綠色濾色器g和藍(lán)色濾色器b具有與紅色濾色器r相同的形狀。

對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施方式的濾色器的上述結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，單個(gè)濾色器被配置成與兩個(gè)像素部的開(kāi)口區(qū)域以及與鄰近于這兩個(gè)像素部的四個(gè)像素部的非開(kāi)口區(qū)域重疊。因此，濾色器做得足夠?qū)?，以有利于濾色器的構(gòu)圖工藝。由于構(gòu)圖工藝的特性，將濾色器構(gòu)圖為小于10μm的尺寸可能導(dǎo)致諸如撕裂之類(lèi)的問(wèn)題，這導(dǎo)致可靠性的問(wèn)題。因此，在本發(fā)明中，兩個(gè)像素部的像素電極被布置成彼此面對(duì)，單個(gè)濾色器被配置成與兩個(gè)像素部的開(kāi)口區(qū)域以及與鄰近于這兩個(gè)像素部的四個(gè)像素部的非開(kāi)口區(qū)域重疊。這樣，濾色器可做得足夠?qū)?，以消除濾色器的制造工藝中的缺陷。這賦予了提供一種具有濾色器的顯示裝置的優(yōu)點(diǎn)，所述濾色器能夠覆蓋隨著分辨率增加而變得越來(lái)越小的像素部，因此能夠應(yīng)對(duì)高分辨率模式。

盡管通過(guò)示例的方式針對(duì)兩種類(lèi)型的濾色器結(jié)構(gòu)描述了本發(fā)明的上述第三和第四示例性實(shí)施方式，但本發(fā)明不限于此，可獲得任何濾色器結(jié)構(gòu)，只要濾色器足夠?qū)挷⑶夷軌蚋采w兩個(gè)像素部的開(kāi)口部分即可。

此外，本發(fā)明前述示例性實(shí)施方式中的第一像素部、第二像素部、第三像素部和第四像素部是為了更好理解而這樣編號(hào)的，但本發(fā)明不限于此，第三像素部可解讀為第一像素部，第四像素部可解讀為第二像素部。此外，本發(fā)明中的第一柵極線(xiàn)、第二柵極線(xiàn)、第三柵極線(xiàn)和第四柵極線(xiàn)是為了更好理解而這樣編號(hào)的，第二柵極線(xiàn)可解讀為第三柵極線(xiàn)或其他柵極線(xiàn)。

盡管參照多個(gè)說(shuō)明性實(shí)施方式描述了各實(shí)施方式，但應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員能設(shè)計(jì)出多個(gè)其他修改例和實(shí)施方式，這落在本公開(kāi)內(nèi)容的精神和原理的范圍內(nèi)。更具體地說(shuō)，在公開(kāi)內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，在主題組合構(gòu)造的組成部件和/或配置中可進(jìn)行各種變化和修改。除了組成部件和/或配置中的變化和修改之外，替代性使用對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)也將是顯而易見(jiàn)的。