本發(fā)明涉及一種面板，尤其涉及一種顯示面板及包括所述顯示面板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

主動式薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年來得到了飛速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。其中，垂直配向(Vertical Alignment，VA)型TFT-LCD顯示面板由于具有極高的對比度，一般可達到4000-8000，在大尺寸顯示，如電視等方面具有非常廣的應(yīng)用。

VA型TFT-LCD顯示面板根據(jù)技術(shù)類型的不同也分為了MVA(Multi-domain Vertical Alignment，多象限垂直配向技術(shù))型TFT-LCD顯示面板、PVA(Patterned Vertical Alignment，圖案型垂直配向技術(shù))型TFT-LCD顯示面板、CPA(Continuous Pinwheel Alignment，連續(xù)焰火狀配向技術(shù))型TFT-LCD顯示面板、HVA(High-Quality Vertical Alignment，高質(zhì)量垂直配向技術(shù))型TFT-LCD顯示面板。

其中，HVA技術(shù)在配向膜上生長一層使液晶形成特定預(yù)傾角的聚合物，對液晶轉(zhuǎn)動起到面控作用，所以HVA模式具有較低的成本和較高的穿透率。HVA技術(shù)是目前市場上大尺寸LCD中，使用較多的VA技術(shù)。HVA型的TFT-LCD顯示面板中，一般包括上下兩個基板，上基板為彩色濾光片基板(CF基板)，下基板為陣列基板(Array基板)，這兩個基板的中間是液晶層。

如圖1所示，為現(xiàn)有的HVA型的TFT-LCD顯示面板中的像素電極61的俯視圖，為了改善視角和泛白等顯示效果，現(xiàn)有的HVA型的TFT-LCD顯示面板會采用每個像素電極61分為4個象限區(qū)域D_p的技術(shù)，圖1所示為一個像素電極61的簡易俯視圖。所述像素電極61包括“十字形”的金屬龍骨62，所述金屬龍骨62將所述像素電極61分為了4個象限區(qū)域D_p，所述像素電極61還包括自該金屬龍骨62的水平方向分別向45°、135°、-45°、及-135°方向延伸且間隔排列的像素電極分支611與狹縫(Spacer)612。

請一并參閱圖2，在進行紫外線固化(UV curing)的時候，位于像素電極分支611與狹縫(Spacer)612所在圖案位置的液晶分子613(圖中僅示意出了少量液晶分子613)在高電壓下，會順著狹縫513的方向進行傾倒，最后形成預(yù)傾角。如圖1所示，由于狹縫612在一個像素電極61內(nèi)有四個指向，所以一個像素電極61中的液晶分子613會有四種不同的預(yù)傾角。不同的象限區(qū)域D_p之間，液晶分子613的傾倒的方向不一樣，所以不同的象限區(qū)域D_p邊界處的液晶分子613在電場作用下的傾倒會相互影響，導(dǎo)致非正常轉(zhuǎn)動，最后形成如圖2所示的暗紋A1。

現(xiàn)有技術(shù)中的像素電極結(jié)構(gòu)，由于“十字形”的金屬龍骨62的存在，降低了像素的開口率，又由于所述暗紋A1的存在，降低了液晶效率的同時還使顯示品質(zhì)變差。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種顯示面板及顯示裝置，可有效的改善視角和泛白等顯示效果，并有效地消除暗紋。

一種顯示面板，包括若干像素結(jié)構(gòu)，其中，每一像素結(jié)構(gòu)包括至少兩個像素電極，所述至少兩個像素電極分為了四個象限區(qū)域，每個象限區(qū)域中包括有像素電極的像素電極分支，且同一個像素區(qū)域中的像素電極分支的排列方向相同，相鄰像素區(qū)域中的像素電極分支對稱分布。

其中，每一像素結(jié)構(gòu)包括四個像素電極，所述四個像素電極分別位于所述四個象限區(qū)域中，所述四個像素電極之間通過遮光框隔開。

其中，所述遮光框為包括橫向邊框和豎向邊框的十字形，位于不同象限區(qū)域中的不同像素電極的像素電極分支相對于遮光框的橫向邊框或豎向邊框?qū)ΨQ分布。

其中，所述若干像素電極分支從遮光框的水平方向分別向45°、135°、-45°、及-135°方向延伸且間隔排列，每兩個像素電極分支之間形成狹縫。

其中，每一像素結(jié)構(gòu)包括兩個橫向排列的像素電極，每個像素電極中設(shè)置有一橫向的金屬條，所述金屬條用于將對應(yīng)的像素電極平分為豎向排列的第一部分及第二部分，所述兩個像素電極并通過一豎條狀的遮擋框分隔，所述兩個像素電極的第一部分及第二部分構(gòu)成了所述四個象限區(qū)域。

其中，所述兩個像素電極中的第一像素電極的第一部分及第二部分分別構(gòu)成了第二象限區(qū)域及第三象限區(qū)域，第二像素電極的第一部分及第二部分分別構(gòu)成了第一象限區(qū)域及第四象限區(qū)域。

其中，所述第一像素電極的第一部分中的像素電極分支與第一像素電極的第二部分中的像素電極分支相對于對應(yīng)的金屬條對稱分布，第二像素電極的第一部分中的像素電極分支與第二像素電極的第二部分中的像素電極分支相對于對應(yīng)的金屬條對稱分布；第一像素電極的第一部分中的像素電極分支與第二像素電極的第一部分中的像素電極分支還相對于所述遮擋框?qū)ΨQ分布，第一像素電極的第二部分中的像素電極分支與第二像素電極的第二部分中的像素電極分支也相對于所述遮擋框?qū)ΨQ分布。

其中，每一像素結(jié)構(gòu)包括兩個豎向排列的像素電極，每個像素電極中設(shè)置有一豎向的金屬條，所述豎向的金屬條用于將對應(yīng)的像素電極平分為橫向排列的第一部分及第二部分，所述兩個像素電極并通過一橫條狀的遮擋框分隔，所述兩個像素電極的第一部分及第二部分構(gòu)成了所述四個象限區(qū)域。

其中，所述兩個像素電極中的第一像素電極的第一部分及第二部分分別構(gòu)成了第二象限區(qū)域及第一象限區(qū)域，第二像素電極的第一部分及第二部分分別構(gòu)成了第三象限區(qū)域及第四象限區(qū)域。

其中，所述第一像素電極的第一部分中的像素電極分支與第一像素電極的第二部分中的像素電極分支相對于對應(yīng)的金屬條對稱分布，第二像素電極的第一部分中的像素電極分支與第二像素電極的第二部分中的像素電極分支相對于對應(yīng)的金屬條對稱分布；第一像素電極的第一部分中的像素電極分支與第二像素電極的第一部分中的像素電極分支還相對于所述遮擋框?qū)ΨQ分布，第一像素電極的第二部分中的像素電極分支與第二像素電極的第二部分中的像素電極分支也相對于所述遮擋框?qū)ΨQ分布。

還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示面板，所述顯示面板包括若干像素結(jié)構(gòu)，其中，每一像素結(jié)構(gòu)包括至少兩個像素電極，所述至少兩個像素電極分為了四個象限區(qū)域，每個象限區(qū)域中包括有像素電極的像素電極分支，且同一個像素區(qū)域中的像素電極分支的排列方向相同，相鄰像素區(qū)域中的像素電極分支對稱分布。

其中，每一像素結(jié)構(gòu)包括四個像素電極，所述四個像素電極分別位于所述四個象限區(qū)域中，所述四個像素電極之間通過遮光框隔開。

其中，所述遮光框為包括橫向邊框和豎向邊框的十字形，位于不同象限區(qū)域中的不同像素電極的像素電極分支相對于遮光框的橫向邊框或豎向邊框?qū)ΨQ分布。

其中，所述若干像素電極分支從遮光框的水平方向分別向45°、135°、-45°、及-135°方向延伸且間隔排列，每兩個像素電極分支之間形成狹縫。

其中，每一像素結(jié)構(gòu)包括兩個橫向排列的像素電極，每個像素電極中設(shè)置有一橫向的金屬條，所述金屬條用于將對應(yīng)的像素電極平分為豎向排列的第一部分及第二部分，所述兩個像素電極并通過一豎條狀的遮擋框分隔，所述兩個像素電極的第一部分及第二部分構(gòu)成了所述四個象限區(qū)域。

其中，所述兩個像素電極中的第一像素電極的第一部分及第二部分分別構(gòu)成了第二象限區(qū)域及第三象限區(qū)域，第二像素電極的第一部分及第二部分分別構(gòu)成了第一象限區(qū)域及第四象限區(qū)域。

其中，所述第一像素電極的第一部分中的像素電極分支與第一像素電極的第二部分中的像素電極分支相對于對應(yīng)的金屬條對稱分布，第二像素電極的第一部分中的像素電極分支與第二像素電極的第二部分中的像素電極分支相對于對應(yīng)的金屬條對稱分布；第一像素電極的第一部分中的像素電極分支與第二像素電極的第一部分中的像素電極分支還相對于所述遮擋框?qū)ΨQ分布，第一像素電極的第二部分中的像素電極分支與第二像素電極的第二部分中的像素電極分支也相對于所述遮擋框?qū)ΨQ分布。

其中，每一像素結(jié)構(gòu)包括兩個豎向排列的像素電極，每個像素電極中設(shè)置有一豎向的金屬條，所述豎向的金屬條用于將對應(yīng)的像素電極平分為橫向排列的第一部分及第二部分，所述兩個像素電極并通過一橫條狀的遮擋框分隔，所述兩個像素電極的第一部分及第二部分構(gòu)成了所述四個象限區(qū)域。

其中，所述兩個像素電極中的第一像素電極的第一部分及第二部分分別構(gòu)成了第二象限區(qū)域及第一象限區(qū)域，第二像素電極的第一部分及第二部分分別構(gòu)成了第三象限區(qū)域及第四象限區(qū)域。

其中，所述第一像素電極的第一部分中的像素電極分支與第一像素電極的第二部分中的像素電極分支相對于對應(yīng)的金屬條對稱分布，第二像素電極的第一部分中的像素電極分支與第二像素電極的第二部分中的像素電極分支相對于對應(yīng)的金屬條對稱分布；第一像素電極的第一部分中的像素電極分支與第二像素電極的第一部分中的像素電極分支還相對于所述遮擋框?qū)ΨQ分布，第一像素電極的第二部分中的像素電極分支與第二像素電極的第二部分中的像素電極分支也相對于所述遮擋框?qū)ΨQ分布。

本發(fā)明的顯示面板及顯示裝置，通過將像素結(jié)構(gòu)分成了四個象限區(qū)域，且同一個像素區(qū)域中的像素電極分支的排列方向相同，相鄰像素區(qū)域中的電極分支對稱分布，改善視角和泛白等在內(nèi)的顯示效果。同時，至少部分象限區(qū)域中的像素電極為通過遮擋框隔離，而不是通過現(xiàn)有技術(shù)中的“十字形”的金屬龍骨隔離，提高了像素的開口率，并有效地消除了暗紋。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的明顯變形方式。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示器中的像素電極的平面示意圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示器中的像素區(qū)域的暗紋示意圖。

圖3為本發(fā)明一實施例中的顯示面板的示意圖。

圖4為本發(fā)明第一實施例中的像素結(jié)構(gòu)的平面示意圖。

圖5為本發(fā)明第二實施例中的像素結(jié)構(gòu)的平面示意圖。

圖6為本發(fā)明第三實施例中的像素結(jié)構(gòu)的平面示意圖。

圖7為本發(fā)明一實施例中的顯示裝置的結(jié)構(gòu)框圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請一并參閱圖3及圖4，圖3為本發(fā)明一實施方式中的顯示面板1的示意圖，所述顯示面板1包括若干像素結(jié)構(gòu)10。其中，所述若干像素結(jié)構(gòu)10呈矩陣式排列。

圖4為本發(fā)明第一實施方式中的像素結(jié)構(gòu)10的平面示意圖。如圖4所示，每一像素結(jié)構(gòu)10包括至少兩個像素電極20，所述至少兩個像素電極分為了四個象限區(qū)域D，每個象限區(qū)域D中包括有像素電極20的像素電極分支201，且同一個像素區(qū)域D中的像素電極分支201的排列方向相同，相鄰像素區(qū)域D中的像素電極分支201對稱分布。

如圖4所示，在本實施例中，每一像素結(jié)構(gòu)10包括四個像素電極20，所述四個像素電極20分別位于所述四個象限區(qū)域D中，所述四個像素電極20之間通過遮光框BM隔開。如圖4所示，所述遮光框BM為十字形框架，將所述四個像素電極20分隔在四個象限區(qū)域D中，所述遮光框BM為包括橫向邊框和豎向邊框的十字形，位于不同象限區(qū)域D中的不同像素電極20的像素電極分支201相對于遮光框BM的橫向邊框或豎向邊框?qū)ΨQ分布。所述遮光框BM的橫向邊框構(gòu)成X軸，所述遮光框BM的豎向邊框構(gòu)成Y軸。

其中，位于每個像素區(qū)域D中的每個像素電極20包括若干像素電極分支201，所述若干像素電極分支201從遮光框BM的水平方向分別向45°、135°、-45°、及-135°方向延伸且間隔排列，每兩個像素電極分支201之間形成狹縫202。

每一像素結(jié)構(gòu)10還包括有分布于狹縫202以及像素電極分支201構(gòu)成的圖形中的液晶分子203(圖4中僅示意出少量液晶分子203)，由于像素電極分支512分別向相對于水平方向傾斜45°、135°、-45°、及-135°方向延伸的，液晶分子203的長軸將分別向相對于水平方向傾斜45°、135°、-45°、及-135°方向倒伏，能夠?qū)崿F(xiàn)穿透率的最大化。

本發(fā)明實施例中，該像素結(jié)構(gòu)10分成了四個象限區(qū)域D，且同一個像素區(qū)域D中的像素電極分支201的排列方向相同，相鄰像素區(qū)域D中的電極分支201對稱分布，改善視角和泛白等在內(nèi)的顯示效果。同時，由于本發(fā)明實施例中的每個像素電極20中并沒有“十字形”金屬龍骨的遮擋，提高了像素的開口率。同時，所述遮光框BM還遮擋了四個象限區(qū)域D的邊界產(chǎn)生的暗紋，本發(fā)明實施例的遮光框BM的寬度顯著地大于現(xiàn)有技術(shù)中的“十字形”金屬龍骨的寬度，對暗紋的遮擋效果更好。

請參閱圖5，為本發(fā)明第二實施方式中的像素結(jié)構(gòu)10’的示意圖。在第三實施方式中，每一像素結(jié)構(gòu)10’包括兩個橫向排列的像素電極20’，所述兩個像素電極20’包括第一像素電極E2及第二像素電極E2。每個像素電極20’中設(shè)置有一橫向的金屬條210’，所述金屬條210’用于將對應(yīng)的像素電極20’平分為豎向排列的第一部分P1及第二部分P2，所述兩個像素電極20’之間通過豎條狀的遮擋框BM分隔。從而，所述兩個像素電極20’的第一部分P1及第二部分P2構(gòu)成了四個象限區(qū)域D。具體的，所述第一像素電極E1的第一部分P1及第二部分P2分別構(gòu)成了第二象限區(qū)域D2及第三象限區(qū)域D3，所述第二像素電極E2的第一部分P1及第二部分P2分別構(gòu)成了第一象限區(qū)域D1及第四象限區(qū)域D4。

所述遮擋框BM構(gòu)成Y軸，所述兩個像素電極20’中的金屬條210’構(gòu)成X軸。所述兩個像素電極20’的第一部分P1及第二部分P2包括若干像素電極分支201’，其中，第一像素電極E1的第一部分P1中的像素電極分支201’與第一像素電極E1的第二部分P2中的像素電極分支201’相對于對應(yīng)的金屬條210’對稱分布，第二像素電極E2的第一部分P1中的像素電極分支201’與第二像素電極E2的第二部分P2中的像素電極分支201’相對于對應(yīng)的金屬條210’對稱分布。第一像素電極E1的第一部分P1中的像素電極分支201’與第二像素電極E2的第一部分P1中的像素電極分支201’相對于所述遮擋框BM對稱分布，第一像素電極E1的第二部分P2中的像素電極分支201’與第二像素電極E2的第二部分P2中的像素電極分支201’也相對于所述遮擋框BM對稱分布。

具體的，所述第一像素電極E1的第一部分P1、第二部分P2及所述第二像素電極E2的第一部分P1、第二部分P2從沿金屬條210’所在的水平方向分別向45°、135°、-45°、及-135°方向延伸且間隔排列。

本發(fā)明第三實施例中，每個像素電極20’中僅有一個橫向的金屬條，相比現(xiàn)有技術(shù)中的“十字形”金屬龍骨而言，遮擋更少，提高了像素的開口率。同時，所述縱向的遮光框BM還遮擋了其中部分象限區(qū)域D的邊界產(chǎn)生的暗紋，本發(fā)明實施例的遮光框BM的寬度顯著地大于現(xiàn)有技術(shù)中的“十字形”金屬龍骨的寬度，對暗紋的遮擋效果更好。

請參閱圖6，為本發(fā)明第三實施方式中的像素結(jié)構(gòu)10”的示意圖。在第三實施方式中，每一像素結(jié)構(gòu)10”包括兩個縱向排列的像素電極20”，所述兩個像素電極20”包括第一像素電極E3及第二像素電極E4。每個像素電極20”中設(shè)置有一縱向的金屬條210”，所述縱向的金屬條210”用于將對應(yīng)的像素電極20”平分為橫向排列的第一部分P1及第二部分P2，所述兩個像素電極20”并通過一橫條狀的遮擋框BM分隔。從而，所述兩個像素電極20”的第一部分P1及第二部分P2構(gòu)成了四個象限區(qū)域D。具體的，所述第一像素電極E3的第一部分P1及第二部分P2分別構(gòu)成了第二象限區(qū)域D2及第一象限區(qū)域D1，所述第二像素電極E4的第一部分P1及第二部分P2分別構(gòu)成了第三象限區(qū)域D3及第四象限區(qū)域D4。

所述遮擋框BM構(gòu)成X軸，所述兩個像素電極20”中的金屬條210”構(gòu)成Y軸。所述兩個像素電極20”的第一部分P1及第二部分P2包括若干像素電極分支201”，其中，第一像素電極E3的第一部分P1中的像素電極分支201”與第一像素電極E3的第二部分P2中的像素電極分支201”相對于對應(yīng)的金屬條210”對稱分布，第二像素電極E4的第一部分P1中的像素電極分支201”與第二像素電極E4的第二部分P2中的像素電極分支201”相對于對應(yīng)的金屬條210”對稱分布。第一像素電極E3的第一部分P1中的像素電極分支201”與第二像素電極E4的第一部分P1中的像素電極分支201”還相對于所述遮擋框BM對稱分布，第一像素電極E3的第二部分P2中的像素電極分支201”與第二像素電極E4的第二部分P2中的像素電極分支201’也相對于所述遮擋框BM對稱分布。

具體的，所述第一像素電極E3的第一部分P1、第二部分P2及所述第二像素電極E4的第一部分P1、第二部分P2中的像素電極分支201”從遮光框BM的水平方向分別向45°、135°、-45°、及-135°方向延伸且間隔排列。

本發(fā)明第三實施例中，每個像素電極20”中僅有一個縱向的金屬條，相比現(xiàn)有技術(shù)中的“十字形”金屬龍骨而言，遮擋更少，提高了像素的開口率。同時，所述遮光框BM還遮擋了其中部分象限區(qū)域D的邊界產(chǎn)生的暗紋，本發(fā)明實施例的遮光框BM的寬度顯著地大于現(xiàn)有技術(shù)中的“十字形”金屬龍骨的寬度，對暗紋的遮擋效果更好。

其中，上述的像素電極20、20’、20”指的是對應(yīng)一個子像素的像素電極，例如為對應(yīng)R(紅)、G(綠)、B(藍)任一子像素區(qū)域的用于驅(qū)動對應(yīng)子像素顯示的像素電極。

其中，本發(fā)明中的“橫向”和“豎向”指從附圖所示的視角觀看的方向，而并非產(chǎn)品的實際方向，顯然，所述“橫向”和“豎向”為在一個平面內(nèi)垂直的方向即可，例如“橫向”為與顯示面板1的長度方向平行的方向，“豎向”為與顯示面板1的寬度方向平行的方向。

請參閱圖7，為本發(fā)明一實施例中的顯示裝置100的結(jié)構(gòu)示意圖，所述顯示裝置100包括上述的顯示面板1，所述顯示面板1包括上述任一實施方式中的像素結(jié)構(gòu)20、20’或20”。在一實施例中，所述顯示裝置100可為液晶顯示器，所述顯示面板1為一HVA(High-Quality Vertical Alignment，高質(zhì)量垂直配向技術(shù))型顯示面板。該顯示裝置100還可包括背光模組、濾光片層、液晶分子層等結(jié)構(gòu)，由于與本發(fā)明改進無關(guān)，故不在此贅述。

以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。