本發(fā)明涉及分劃板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種分劃板及其制作方法。

背景技術(shù)：

分劃板一般安裝在望遠(yuǎn)鏡的右目鏡焦平面上，它是一塊極簿的表面刻有分劃密位線的薄玻璃，由于這塊薄玻璃理論上講也參與了成像，延長(zhǎng)了物鏡的焦距，會(huì)對(duì)右目鏡的長(zhǎng)度有或多或少的影響。分劃板對(duì)潔凈度要求極高，任何微小的灰塵都會(huì)在觀測(cè)時(shí)產(chǎn)生很大的黑點(diǎn)，同時(shí)分劃板的安裝位置精度要求極高，因此，盡量不要拆卸，如果拆卸，一定要按原樣復(fù)原。民用方面：分劃板主要是用于顯微鏡、放大鏡、經(jīng)緯儀等光學(xué)檢測(cè)、測(cè)量、測(cè)繪儀器中作為測(cè)量校準(zhǔn)光學(xué)部件。比如工程項(xiàng)目中的測(cè)繪儀器都需要使用。

現(xiàn)有技術(shù)中，分劃板采用電鍍或蒸鍍鉻金屬，然后在通過(guò)粘結(jié)層在其表面貼設(shè)有保護(hù)層，這種結(jié)構(gòu)的分劃板首先電鍍或蒸鍍鉻的分劃板對(duì)于光的敏感性不是很好，使用時(shí)需要借助外界的光源，在一些特殊領(lǐng)域，這樣的分劃板將不能達(dá)到預(yù)期的目標(biāo)；第二，采用鍍銀的分劃板附著力不能達(dá)到和好的要求，容易脫落，并且容易氧化，使其不能正常使用；第三，采用粘結(jié)保護(hù)層的方式，這樣由于使用粘結(jié)層以及保護(hù)層存在一定的折射率差，這樣使分劃板不在精準(zhǔn)；基于上述這些技術(shù)問(wèn)題亟待提供一種分劃板及其制作方法技術(shù)方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種分劃板及其制作方法以解決上述的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案是：

一種分劃板，其特征在于，包括：

承載體，所述承載體包括第一表面以及與第一表面相對(duì)設(shè)置的第二表面；

分劃線，所述分劃線位于所述承載體的第一表面，且所述分劃線由金屬構(gòu)成；

保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)包覆所述分劃線；

其中，所述承載體以及保護(hù)結(jié)構(gòu)的透過(guò)率大于90%。

在其中一實(shí)施例中，所述承載體與所述保護(hù)結(jié)構(gòu)存在折射率差，且所述折射率差小于0.5。

在其中一實(shí)施例中，所述承載體為玻璃。

在其中一實(shí)施例中，所述分劃線由銀構(gòu)成，且所述銀采用磁控濺射方式形成于所述承載體的第一表面。

在其中一實(shí)施例中，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)為二氧化硅，所述二氧化硅通過(guò)蒸鍍或磁控濺射方式形成于所述分劃線表面。

一種分劃板制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、提供一承載體，所述承載體包括第一表面以及與第一表面相對(duì)設(shè)置的第二表面，在所述承載體第一表面設(shè)有金屬膜；

S2、將步驟S1中的金屬膜圖形化形成分劃線；

S3、在步驟S2中所述分劃線表面設(shè)有保護(hù)結(jié)構(gòu)；

其中，所述承載體以及保護(hù)結(jié)構(gòu)的透過(guò)率大于90%。

在其中一實(shí)施例中，所述步驟S1中金屬膜采用磁控濺射方式形成。

在其中一實(shí)施例中，所述步驟S2中圖形化方式為：在所述金屬膜表面設(shè)有感光膠，通過(guò)曝光蝕刻，形成分劃線；其中，所述蝕刻使用的蝕刻液包括硝酸鈰銨or醋酸鈉。

在其中一實(shí)施例中，所述步驟S3中保護(hù)結(jié)構(gòu)采用蒸鍍或磁控濺射方式形成。

在其中一實(shí)施例中，所述承載體與所述保護(hù)結(jié)構(gòu)存在折射率差，且所述折射率差小于0.5。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供一種分劃板及其制作方法采用磁控濺射技術(shù)形成銀，得到的雙面高反射銀膜，在保證膜層達(dá)到了雙面高反射率的同時(shí)，增加了銀膜與玻璃基體之間的粘附力，膜層本身的致密性以及耐腐蝕性能，在腐蝕的過(guò)程中，可得到單邊側(cè)蝕＜1μm、線條陡直、邊緣無(wú)毛刺缺口的銀基圖形分劃板；在銀基分劃板上，采用蒸鍍或磁控濺射技術(shù)形成一層具有一定厚度的SiO2膜，增強(qiáng)了銀基分劃板的耐磨性和抗氧化能力，同時(shí)沒(méi)有降低銀膜雙面的高反射率，避免了存放周期短的缺點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一種分劃板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一種分劃板另一種的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一種分劃板又一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明一種分劃板又一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明一種分劃板又一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明一種分劃板制備方法流程示意圖。

具體實(shí)施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以通過(guò)許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于下面所描述的實(shí)施方式。相反地，提供這些實(shí)施方式的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容理解的更加透徹全面。

需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱為“設(shè)置于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說(shuō)明的目的，并不表示是唯一的實(shí)施方式。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施方式的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“和／或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

請(qǐng)參閱圖1，一種分劃板，包括：承載體10，所述承載體10包括第一表面以及與第一表面相對(duì)設(shè)置的第二表面；分劃線20，所述分劃線20位于所述承載體10的第一表面，且所述分劃線20由金屬構(gòu)成；保護(hù)結(jié)構(gòu)30，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)30包覆所述分劃線20；其中，所述承載體10以及保護(hù)結(jié)構(gòu)30的透過(guò)率大于等于90%，或者所述承載體10以及保護(hù)結(jié)構(gòu)30的透過(guò)率大于等于95%；由于分劃板實(shí)用在一些精密儀器，并且對(duì)于透過(guò)率都有比較高的要求，例如：望遠(yuǎn)鏡、顯微鏡等。

所述保護(hù)結(jié)構(gòu)30包覆所述分劃線20，這里的“包覆”使分劃線20不裸露在外防止分劃線20的氧化，影響分劃板的正常使用。

請(qǐng)參閱圖1，圖1中的保護(hù)結(jié)構(gòu)30的外部形貌和分劃線20相仿，存在一個(gè)連續(xù)的起伏；請(qǐng)參閱圖2，圖2中的保護(hù)結(jié)構(gòu)31僅僅包覆分劃線20，恰好保護(hù)分劃線20，且所述保護(hù)結(jié)構(gòu)31的形貌和分劃線20相仿；請(qǐng)參閱圖3，圖3中的保護(hù)結(jié)構(gòu)32遠(yuǎn)離分劃線20的一側(cè)為一平面，且所述保護(hù)結(jié)構(gòu)32的厚度大于所述分劃線20的厚度，這樣等于所述分劃線20被保護(hù)結(jié)構(gòu)32埋入在內(nèi)部；請(qǐng)參閱圖4以及圖5，保護(hù)結(jié)構(gòu)33以及保護(hù)結(jié)構(gòu)34在圖1以及圖2的基礎(chǔ)上形成了一定的弧度。

在其中一實(shí)施例中，由于分劃板使用的領(lǐng)域都為高精度光學(xué)儀器測(cè)量，所述這樣要求承載體10以及保護(hù)結(jié)構(gòu)30光學(xué)的差異不能太大，所以所述承載體10與所述保護(hù)結(jié)構(gòu)30存在折射率差，且所述折射率差小于0.7，更進(jìn)一步小于等于0.5，或者小月等于0.4。

在其中一實(shí)施例中，所述承載體10可以選用高透過(guò)率的玻璃或者高透過(guò)率硬質(zhì)塑料。

在其中一實(shí)施例中，分劃板上的分劃線20反射率越高這樣在使用時(shí)將會(huì)越明顯，越容易辨識(shí)，所以所述分劃線20由銀構(gòu)成，且所述銀采用磁控濺射方式形成于所述承載體10的第一表面，銀的反射率比較高，這里采用磁控濺射方式這樣使的銀和承載體10的粘合力更加牢固，并且銀的雙面反射率能達(dá)到大于等于90%或銀的雙面反射率能達(dá)到大于等于95%，這樣在使用的過(guò)程中，對(duì)于外界光的要求并不是非常高，適用的環(huán)境更加寬廣。

在其中一實(shí)施例中，為了減少承載體與保護(hù)結(jié)構(gòu)之間的光學(xué)差異，當(dāng)承載體10選用玻璃時(shí)，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)30為二氧化硅，所述二氧化硅通過(guò)蒸鍍或磁控濺射方式形成于所述分劃線20表面，由于玻璃的主要成分就是二氧化硅，，這樣兩者之間的差異非常小，性能更加優(yōu)越，另外，采用蒸鍍或磁控濺射方式形成增加了與承載體之間的附著力，使之更加牢固。

請(qǐng)參閱圖6，一種分劃板制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、提供一承載,10，所述承載體10包括第一表面以及與第一表面相對(duì)設(shè)置的第二表面，在所述承載體10第一表面設(shè)有金屬膜；

S2、將步驟S1中的金屬膜圖形化形成分劃線20；

S3、在步驟S2中所述分劃線表面設(shè)有保護(hù)結(jié)構(gòu)30或31或32或33或34；

其中，所述承載體以及保護(hù)結(jié)構(gòu)的透過(guò)率大于90%。

在其中一實(shí)施例中，為了增加金屬與承載體10的附著力，所述步驟S1中金屬膜采用磁控濺射方式形成。

在其中一實(shí)施例中，所述步驟S2中圖形化方式為：在所述金屬膜表面設(shè)有感光膠,所述金屬膜可以選用銀薄膜，通過(guò)曝光蝕刻，形成分劃線20；其中，所述蝕刻使用的蝕刻液包括硝酸鈰銨or醋酸鈉，在腐蝕的過(guò)程中，可得到單邊側(cè)蝕＜1μm、線條陡直、邊緣無(wú)毛刺缺口的銀基圖形分劃板。

在其中一實(shí)施例中，所述步驟S3中保護(hù)結(jié)構(gòu)采用蒸鍍或磁控濺射方式形成。所述承載體與所述保護(hù)結(jié)構(gòu)存在折射率差，且所述折射率差小于0.5。其中，所述承載體10可以選高透過(guò)率玻璃或者高透過(guò)率硬質(zhì)塑料，保護(hù)結(jié)構(gòu)可以選用與承載體光學(xué)效果相似的材料，例如，承載體10選用玻璃，則保護(hù)結(jié)構(gòu)選用二氧化硅。

本申請(qǐng)中保護(hù)結(jié)構(gòu)30到保護(hù)結(jié)構(gòu)34只是為了敘述上的方便，其實(shí)所起到的作用以及達(dá)到的目的是相同的。

本發(fā)明提供一種分劃板及其制作方法采用磁控濺射技術(shù)形成銀，得到的雙面高反射銀膜，在保證膜層達(dá)到了雙面高反射率的同時(shí)，增加了銀膜與玻璃基體之間的粘附力，膜層本身的致密性以及耐腐蝕性能，在腐蝕的過(guò)程中，可得到單邊側(cè)蝕＜1μm、線條陡直、邊緣無(wú)毛刺缺口的銀基圖形分劃板；在銀基分劃板上，采用蒸鍍或磁控濺射技術(shù)鍍制一層具有一定厚度的SiO2膜，增強(qiáng)了銀基分劃板的耐磨性和抗氧化能力，同時(shí)沒(méi)有降低銀膜雙面的高反射率，避免了存放周期短的缺點(diǎn)。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。在上面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于上面描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受上面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。并且，以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書(shū)記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。