技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種鈍化組合物及使用該鈍化組合物以形成導(dǎo)電圖案的方法；更特定言之，是關(guān)于一種包含氧化劑及無機(jī)堿的鈍化組合物及使用該鈍化組合物以形成導(dǎo)電圖案的方法。

背景技術(shù)：

近年來，隨著液晶顯示器、電漿顯示器等平面顯示器以及觸控?zé)赡坏妊b置的蓬勃發(fā)展，使用于該等顯示器與裝置中的透明電極材料的開發(fā)也越來越受到重視。一般而言，透明電極的材料可概分為二大類，一類為導(dǎo)電金屬氧化物，另一類則為導(dǎo)電聚合物。導(dǎo)電金屬氧化物的實(shí)例包含氧化銦錫(ITO)、摻雜鋁的氧化鋅(AZO)、摻雜鎵的氧化鋅(GZO)等，此類金屬氧化物雖具有優(yōu)異導(dǎo)電性，但因價(jià)格較高(尤其是氧化銦錫)，制造成本高昂，且因金屬氧化物的可撓性較差(即，彈性差且質(zhì)脆)，故其應(yīng)用范圍受到限制，尤其不適合用于可撓性顯示裝置。導(dǎo)電聚合物的實(shí)例包含聚塞吩、聚苯胺、聚乙炔、聚吡咯等高分子材料，其單價(jià)較導(dǎo)電金屬氧化物低，且具較佳可撓性，因此越來越受到重視。

使用導(dǎo)電聚合物以形成顯示器裝置的電極圖案的習(xí)知方法，可概分為蝕刻法以及鈍化法。蝕刻法是先于(透明)基材上形成一導(dǎo)電聚合物層，接著以遮罩遮蓋預(yù)定的電路區(qū)域(即導(dǎo)電區(qū)域)，隨后利用蝕刻劑去除非電路區(qū)域(即非導(dǎo)電區(qū)域)的導(dǎo)電聚合物材料，從而提供所欲的圖案化電路。然而，由此蝕刻法制得的產(chǎn)品會(huì)因?yàn)榛纳戏讲糠謪^(qū)域(導(dǎo)電區(qū)域)存在導(dǎo)電聚合物、部分區(qū)域(非導(dǎo)電區(qū)域)不存在導(dǎo)電聚合物，而產(chǎn)生高低位差及因光學(xué)對(duì)比不同所致的明暗紋等問題。鑒于上述問題，以鈍化法制備電極的技術(shù)便應(yīng)運(yùn)而生。

傳統(tǒng)鈍化法的原理為利用氧化劑來鈍化非電路區(qū)域的導(dǎo)電聚合物材料，以大幅降低非電路區(qū)域的導(dǎo)電度，從而提供所欲的圖案化電路。傳統(tǒng)鈍化法雖可成功避免基材上方因?yàn)閷?dǎo)電聚合物的存在與否所產(chǎn)生的高低位差或光學(xué)對(duì)比差異等問題，但仍具有鈍化效果不優(yōu)異且耐用性不足等缺陷。

舉例言之，TW 552591揭露了一種制作導(dǎo)電圖案的方法，其是利用印刷方式將含有氧化劑(作為鈍化劑)的溶液印刷于基材上的導(dǎo)電聚合物層，以鈍化印刷處的導(dǎo)電聚合物材料，進(jìn)而形成非導(dǎo)電區(qū)域。然而，上述方法具有以下缺點(diǎn)：(1)由于欲形成電路圖案的區(qū)域并未受到保護(hù)或阻隔，因此所印刷的具流動(dòng)性的氧化劑可能侵蝕鄰近的預(yù)定電路區(qū)域的導(dǎo)電聚合物材料，導(dǎo)致導(dǎo)電圖案失真，且在后續(xù)洗去氧化劑的過程中亦可能進(jìn)一步侵蝕導(dǎo)電圖案；(2)為了降低氧化劑對(duì)導(dǎo)電圖案的影響，必須提升氧化劑的粘度以降低其流動(dòng)性，然此相對(duì)亦將使得氧化劑的散播緩慢，故存在鈍化時(shí)間及鈍化效果取舍間的矛盾；以及(3)氧化劑僅能鈍化導(dǎo)電聚合物層的表面淺層的部分，當(dāng)所應(yīng)用的消費(fèi)性電子產(chǎn)品經(jīng)長(zhǎng)期重復(fù)使用后，容易因經(jīng)鈍化的表層部分的磨損而露出底下未鈍化的導(dǎo)電聚合物材料，進(jìn)而產(chǎn)生短路。JP 2011-054617A揭露了另外一種形成導(dǎo)電圖案的方法，其是提供一含有鈍化劑的圖案膜，接著將該圖案膜與導(dǎo)電聚合物層接觸，以鈍化所接觸的導(dǎo)電聚合物材料膜，形成導(dǎo)電圖案。然而，該方法同樣僅能有效鈍化導(dǎo)電聚合物層的淺層部分，仍存在上述耐用性的問題，且其鈍化效果并不優(yōu)異，導(dǎo)電度差異程度(未鈍化區(qū)域/鈍化區(qū)域)僅能達(dá)到約10⁵至10⁶倍。

鑒于此，本發(fā)明提供一種可用于形成導(dǎo)電圖案的鈍化組合物及使用該鈍化組合物形成導(dǎo)電圖案的方法。本發(fā)明鈍化組合物的鈍化速度快，能縮短鈍化時(shí)間，且鈍化效果優(yōu)異，導(dǎo)電聚合物材料鈍化前后的導(dǎo)電度差異程度可達(dá)至少約10¹²倍；尤其，本發(fā)明鈍化組合物能鈍化導(dǎo)電聚合物層的更深層材料，因此能降低多次重復(fù)使用后因磨損所致的短路問題，提高裝置的耐用性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的之一在于提供一種鈍化組合物，包含一氧化劑，一具通式M(OH)_n的無機(jī)堿，以及一溶劑，其中M為金屬離子且n為該金屬離子的價(jià)數(shù)。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種形成導(dǎo)電圖案的方法，包含以下步驟：(a)于一基材上形成一聚合物導(dǎo)電層，以提供一導(dǎo)電基材，其中該聚合物導(dǎo)電層包括一對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電區(qū)域的第一區(qū)域及一對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電圖案的非導(dǎo)電區(qū)域的第二區(qū)域；以及(b)使用本發(fā)明鈍化組合物對(duì)該第二區(qū)域進(jìn)行一鈍化處理，以降低該第二區(qū)域的導(dǎo)電度。

有益效果：本發(fā)明提供一種可用于形成導(dǎo)電圖案的鈍化組合物及使用該鈍化組合物形成導(dǎo)電圖案的方法。本發(fā)明鈍化組合物的鈍化速度快，能縮短鈍化時(shí)間，且鈍化效果優(yōu)異，導(dǎo)電聚合物材料鈍化前后的導(dǎo)電度差異程度可達(dá)至少約10¹²倍；尤其，本發(fā)明鈍化組合物能鈍化導(dǎo)電聚合物層的更深層材料，因此能降低多次重復(fù)使用后因磨損所致的短路問題，提高裝置的耐用性。

附圖說明

圖1-1至1-4是分別使用去離子水、氧化劑(Na₂S₂O₈)、硫酸、及NaOH浸泡導(dǎo)電基材所得的霧度、穿透度及電阻變化的折線圖；

圖2-1至2-3是以本發(fā)明鈍化組合物一種實(shí)施例鈍化導(dǎo)電基材所得的穿透度變化、電阻變化及霧度變化的長(zhǎng)條圖；

圖3是以本發(fā)明鈍化組合物的另一實(shí)施例鈍化導(dǎo)電基材所得的穿透度變化、電阻變化及霧度變化的折線圖；

圖4是以比較鈍化組合物1鈍化導(dǎo)電基材所得的穿透度變化、電阻變化及霧度變化的折線圖；

圖5是以比較鈍化組合物2鈍化導(dǎo)電基材所得的穿透度變化、電阻變化及霧度變化的折線圖。

具體實(shí)施方式

為讓本發(fā)明的上述目的、技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文是以部分具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。

以下將具體地描述根據(jù)本發(fā)明的部分具體實(shí)施例；但，在不背離本發(fā)明的精神下，本發(fā)明尚可以多種不同形式的實(shí)施例來實(shí)踐，不應(yīng)將本發(fā)明保護(hù)范圍解釋為限于說明書所陳述者。此外，除非文中有另外說明，在本說明書中(尤其是在后述申請(qǐng)專利范圍中)所使用的“一”、“該”及類似用語(yǔ)應(yīng)理解為包含單數(shù)及復(fù)數(shù)形式。用語(yǔ)“約”意指由一般熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者所測(cè)定的特定值的可接受誤差，該可接受誤差視量測(cè)方式而定。

本發(fā)明的鈍化組合物是透過組合使用具有鈍化效果的氧化劑與無機(jī)堿而獲得。在不受理論限制下，咸信所添加的無機(jī)堿可在本發(fā)明的鈍化組合物中提供蝕刻劑的效果，能蝕除于基材表面上的導(dǎo)電聚合物層的部分導(dǎo)電聚合物材料，從而在導(dǎo)電聚合物層表面上形成若干蝕坑，由此能提高與鈍化劑接觸的表面積，提升鈍化速度，縮短鈍化時(shí)間，同時(shí)能鈍化更深層的導(dǎo)電聚合物材料。本發(fā)明因此能降低在傳統(tǒng)淺層鈍化的情況下所致的短路問題，提高裝置的耐用性。此外，使用本發(fā)明鈍化組合物鈍化的導(dǎo)電聚合物材料，其鈍化前后的導(dǎo)電度差異程度可高達(dá)至少約10¹²倍。

特定言之，本發(fā)明的鈍化組合物是包含一氧化劑、一具通式M(OH)_n的無機(jī)堿、以及一溶劑，其中M為金屬離子且n為該金屬離子的價(jià)數(shù)。

氧化劑的種類并無特殊限制，可是使用者需求選用任何習(xí)知的氧化劑。舉例言之，氧化劑可選自以下群組：S₂O₈^2-、ClO^-、MnO₄^-、BrO^-、Cr₂O₇^2-、H₂O₂、及前述的組合，其中較佳者為S₂O₈^2-、ClO^-或其組合。關(guān)于氧化劑的含量，一般而言，為確保有效鈍化效果，以鈍化組合物的重量計(jì)，氧化劑的含量以約0.4重量％至約40重量％為宜，且較佳為約5重量％至20重量％。若該氧化劑的含量低于約0.4重量％，可能無法有效提供所欲的鈍化效果；反之，若氧化劑的含量高于約40重量％，則可能產(chǎn)生不易去除的氧化劑沉淀殘留。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，是使用過硫酸鈉(Na₂S₂O₈)或次氯酸(HClO)作為氧化劑，用量為約5重量％至約20重量％。

在本發(fā)明鈍化組合物中，無機(jī)堿除了提供蝕刻效果外，同時(shí)也提供了適合氧化劑作用的堿性環(huán)境，從而在整體協(xié)配下表現(xiàn)出快速且優(yōu)異的鈍化結(jié)果。正因如此，本發(fā)明鈍化組合物實(shí)際使用時(shí)所需的鈍化處理時(shí)間相當(dāng)短(約數(shù)十秒至約數(shù)分鐘，如約30秒至約240秒)，因此無機(jī)堿僅會(huì)部分地蝕除導(dǎo)電聚合物層表面，而恰可在表面產(chǎn)生刻痕、蝕坑等凹陷，而不會(huì)蝕除導(dǎo)電聚合物層整個(gè)表面，造成厚度上的變化。因此，經(jīng)鈍化處理后的聚合物層在宏觀上不存在高低位差，不會(huì)有因光學(xué)對(duì)比不同而產(chǎn)生的明暗紋問題，微觀上亦不會(huì)影響材料本身的透明度、霧度等光學(xué)性質(zhì)。使用無機(jī)堿的其他優(yōu)點(diǎn)包括，本身不具揮發(fā)性，因此長(zhǎng)時(shí)間操作下較為穩(wěn)定，且不會(huì)因揮發(fā)而不利地污染環(huán)境。

可用于本發(fā)明鈍化組合物的無機(jī)堿為具有通式M(OH)_n的無機(jī)堿，其中M系代表金屬離子且n為該金屬離子的價(jià)數(shù)，其具體實(shí)例可為IA族與IIA族金屬氫氧化物之一或多者，包含但不限于選自以下群組者：KOH、NaOH、Ca(OH)₂、RbOH、Sr(OH)₂、CsOH、Ba(OH)₂及前述的組合，較佳者為KOH、NaOH或其組合。關(guān)于無機(jī)堿的含量，一般而言，以鈍化組合物的重量計(jì)，為約0.2重量％至約20重量％，且較佳為約3重量％至約15重量％。若無機(jī)堿含量低于約0.2重量％，可能無法提供所欲的蝕刻功效；反之，若無機(jī)堿含量高于約20重量％，則可能因過于劇烈的蝕刻效果，過度蝕除導(dǎo)電聚合物層的材料，產(chǎn)生高低位差或光學(xué)性質(zhì)(如透明度)劣化等問題。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，是使用NaOH作為無機(jī)堿，用量為約0.4重量％至約4重量％。

本發(fā)明鈍化組合物的溶劑并無特殊限制，可為任何能夠溶解所采用的氧化劑及無機(jī)堿且不與之反應(yīng)的惰性溶劑。其具體實(shí)例包含但不限于選自以下群組：去離子水、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇及前述的組合，其中較佳者為去離子水。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，是使用去離子水作為溶劑。

本發(fā)明另提供一種形成導(dǎo)電圖案的方法，包含以下步驟：(a)于一基材上形成一聚合物導(dǎo)電層，以提供一導(dǎo)電基材，其中該聚合物導(dǎo)電層包括一對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電區(qū)域的第一區(qū)域及一對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電圖案的非導(dǎo)電區(qū)域的第二區(qū)域；以及(b)使用本發(fā)明鈍化組合物對(duì)該第二區(qū)域進(jìn)行一鈍化處理，以降低該第二區(qū)域的導(dǎo)電度。

該于基材上形成聚合物導(dǎo)電層的步驟(a)可透過任何本發(fā)明所技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者所熟知的方法來進(jìn)行，并無特殊限制。舉例言之，此等方法可例如為，但不限于，旋轉(zhuǎn)涂覆法(spin coating)、浸涂法(dip coating)、模具涂覆法(die coating)、噴涂法(spray coating)、刮刀涂覆法(blade coating)、及輥式涂覆法(roll coating)、網(wǎng)印法(screenprinting)、噴墨印刷法(inkjetprinting)等?？捎糜诒景l(fā)明的基材的種類并無特殊限制，使用者可視實(shí)際需求而選用。舉例言之，基材的材料可例如為，但不限于，玻璃、聚對(duì)酞酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚2,6萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、或前述的組合。構(gòu)成聚合物導(dǎo)電層的導(dǎo)電聚合物材料可例如為，但不限于，聚噻吩系化合物、聚苯胺系化合物、聚吡咯系化合物等習(xí)知導(dǎo)電聚合物材料或其混合物，較佳為聚噻吩系化合物，其具體實(shí)例包含，但不限于，選自以下群組：聚(3-己基噻吩)(poly(3-hexylthiophene))、聚二氧乙基噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene，PEDOT)、聚二氧乙基噻吩：聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)：poly(styrenesulfonate)，PEDOT：PSS)、聚二氧乙基噻吩：聚乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)：poly(vinylsulfonic acid)，PEDOT：PVS)、及前述的組合。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，是采用PET基材以及PEDOT：PSS導(dǎo)電聚合物材料來提供導(dǎo)電基材。

步驟(b)的鈍化處理可透過例如以下方法來進(jìn)行：浸泡法、凹版印刷法、凸版印刷法、噴墨印刷法、筆管印刷法、及網(wǎng)印法，但不以此為限。

得利于本發(fā)明鈍化組合物的快速鈍化能力，步驟(b)的鈍化處理尤其可簡(jiǎn)單透過浸泡法來完成，無需繁復(fù)的印刷步驟。關(guān)于浸泡法的詳細(xì)操作步驟及抗鈍化膜的制備方式并非本發(fā)明的技術(shù)重點(diǎn)所在，且乃本領(lǐng)域技藝人士在觀得本案說明書的揭露內(nèi)容后，可依其專業(yè)知識(shí)視需要選用者。舉例言之，但不以此為限，步驟(b)的鈍化處理可例如透過以下步驟來實(shí)現(xiàn)：(b-1)于該第一區(qū)域上施加一抗鈍化膜，以覆蓋該第一區(qū)域，保護(hù)對(duì)應(yīng)于預(yù)定的導(dǎo)電區(qū)域的第一區(qū)域不受鈍化；(b-2)將該導(dǎo)電基材浸泡于本發(fā)明鈍化組合物中，進(jìn)行該鈍化處理，以降低該第二區(qū)域的導(dǎo)電度；以及(b-3)將經(jīng)鈍化后的導(dǎo)電基材以例如去離子水、甲醇等惰性溶劑清洗后，移除該抗鈍化膜，以獲得具所欲導(dǎo)電圖案的導(dǎo)電基材。其中，抗鈍化膜是由不受鈍化組合物鈍化的材料所構(gòu)成，其可例如為耐堿、耐氧化劑的可剝膠或干膜，或其他已知可提供抗鈍化效果的材料。

本發(fā)明的鈍化組合物在極短時(shí)間內(nèi)即可提供顯著的鈍化效果，因此步驟(b)的鈍化處理時(shí)間僅需數(shù)十秒至數(shù)分鐘，且不宜過長(zhǎng)，以避免基材受到過度蝕刻，而造成表面高低位差或產(chǎn)生側(cè)向侵蝕等問題。在本發(fā)明的部分實(shí)施例中，是采用浸泡法進(jìn)行步驟(b)的鈍化處理，且鈍化處理時(shí)間是控制在約30秒至約240秒。

茲以下列具體實(shí)施例進(jìn)一步例示說明本發(fā)明，惟所例示的實(shí)施例僅為說明的目的并非用以限制本發(fā)明的范圍。

實(shí)施例

穿透度、電阻及霧度變化的測(cè)量方法

穿透度、電阻及霧度變化的測(cè)量方法是如下表1所示。

表1

導(dǎo)電基材制備

以輥式涂覆法將PEDOT：PSS分散液涂覆于PET基材上，并于120℃溫度下烘干，以在PET基材上形成聚合物導(dǎo)電層，提供導(dǎo)電基材。

浸泡試驗(yàn)

將所制得的導(dǎo)電基材分別以去離子水、10重量％的Na₂S₂O₈(氧化劑)水溶液、9.8重量％的H₂SO₄(酸)水溶液、及4重量％的NaOH(堿)水溶液浸泡30秒至240秒(每30秒為一間隔)，測(cè)量并紀(jì)錄導(dǎo)電基材的穿透度、電阻及霧度變化，結(jié)果如圖1-1至圖1-4所示。

如圖1-1至圖1-4所示，浸泡100重量％的去離子水(圖1-1)及含有10重量％氧化劑Na₂S₂O₈的溶液(圖1-2)的導(dǎo)電基材，不論在穿透度、電阻及霧度上均未產(chǎn)生明顯變化，此一結(jié)果顯示，在僅使用氧化劑的情況下，不僅因組合物呈中性而無法提供適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)條件以鈍化導(dǎo)電基材，亦無法提供蝕刻效果(因?yàn)殪F度無明顯變化)。此外，浸泡在9.8重量％H₂SO₄水溶液(圖1-3)及4重量％NaOH水溶液(圖1-4)的導(dǎo)電基材，在長(zhǎng)時(shí)間浸泡后，霧度有增加的趨勢(shì)，此一結(jié)果顯示若以堿液或酸液處理導(dǎo)電基材的時(shí)間過長(zhǎng)，將影響導(dǎo)電基材本身的光學(xué)性質(zhì)，推測(cè)此是因強(qiáng)酸及強(qiáng)堿蝕刻導(dǎo)電基材表面所致。

實(shí)施例1：鈍化試驗(yàn)

依照表2的比例配制鈍化組合物1-1、鈍化組合物1-2、鈍化組合物1-3、鈍化組合物1-4、鈍化組合物1-5、鈍化組合物1-6、鈍化組合物1-7、及鈍化組合物1-8。將導(dǎo)電基材分別以各該鈍化組合物浸泡30秒至240秒(每30秒為一間隔)，并測(cè)量導(dǎo)電基材的穿透度、電阻及霧度的變化，結(jié)果如表3-1至表3-3及圖2-1至圖2-3所示。

表2

表3-1

表3-2

表3-3

如表3-1及圖2-1所示，經(jīng)鈍化處理后，導(dǎo)電基材的穿透度幾乎沒有變化；以及如表3-3及圖2-3所示，隨浸泡時(shí)間越長(zhǎng)，導(dǎo)電基材的霧度僅有些許變化，變化幅度相當(dāng)輕微。由此可見，本發(fā)明鈍化組合物并不會(huì)造成導(dǎo)電基材的光學(xué)性質(zhì)衰退，適合用于對(duì)光學(xué)性質(zhì)要求嚴(yán)格的電子產(chǎn)品。另外，如表3-2所示，在低NaOH含量的情況下(pH值為13)，必須使用高氧化劑濃度(鈍化組合物1-4)方能獲致所欲的鈍化效果；相較之下，在使用較高NaOH含量的情況下(pH值為14)，可提供快速的鈍化效果(鈍化組合物1-5、1-6、1-7及1-8)，且鈍化前后的電阻變化達(dá)至少約10¹²倍，尤其在鈍化組合物1-6的情況中(參圖2-2)僅需60秒的時(shí)間即可達(dá)到顯著鈍化效果。

實(shí)施例2：氧化劑種類的影響

以與鈍化組合物1-6相同的方式制備鈍化組合物2，惟，以NaClO取代Na₂S₂O₈作為氧化劑。將導(dǎo)電基材以鈍化組合物2浸泡30秒至240秒(每30秒為一間隔)，并測(cè)量導(dǎo)電基材的穿透度、電阻及霧度的變化，結(jié)果如圖3所示。

如圖3所示，即使變化氧化劑種類為NaClO，本發(fā)明鈍化組合物仍可提供所欲的優(yōu)異鈍化效果，且不會(huì)不利地影響導(dǎo)電基材的光學(xué)性質(zhì)。

比較例1：以強(qiáng)酸作為蝕刻劑

以硫酸取代NaOH作為蝕刻劑制得比較鈍化組合物1，其中Na₂S₂O₈含量為9.62重量％、去離子水含量為85.61重量％、以及硫酸含量為4.76重量％。將導(dǎo)電基材以比較鈍化組合物1浸泡30秒至240秒(每30秒為一間隔)，并測(cè)量導(dǎo)電基材的穿透度、電阻及霧度的變化，結(jié)果如圖4所示。

如圖4所示，比較鈍化組合物1并無法提供合宜的鈍化效果，導(dǎo)電基材的霧度變化幅度也較大，顯示導(dǎo)電基材的光學(xué)性質(zhì)所受影響相對(duì)較明顯。此一結(jié)果顯示，酸性環(huán)境并無法提供氧化劑合宜的鈍化條件。

比較例2：以還原劑取代氧化劑并以強(qiáng)酸作為蝕刻劑

以與比較例1相同的方式制備比較鈍化組合物2，惟，以還原劑H₂C₂O₄取代Na₂S₂O₈成分。將導(dǎo)電基材以比較鈍化組合物2浸泡30秒至240秒(每30秒為一間隔)，并測(cè)量導(dǎo)電基材的穿透度、電阻及霧度的變化，結(jié)果如圖5所示。

如圖5所示，除了霧度明顯改變之外，電阻幾乎沒有任何變化，顯示還原劑并無法提供任何鈍化效果。

上述實(shí)施例僅為例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，并闡述本發(fā)明的技術(shù)特征，而非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范疇。任何熟悉本技術(shù)者在不違背本發(fā)明的技術(shù)原理及精神下，可輕易完成的改變或安排，均屬本發(fā)明所主張的范圍。