本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及改善套切面板光配向性的裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示模塊包括：液晶顯示面板，通過根據(jù)液晶層中產(chǎn)生的電場改變液晶層中的液晶分子的排列來在液晶顯示面板上顯示圖像；背光組件，用于提供光到液晶顯示面板；以及殼，液晶顯示面板和背光組件固定在殼中。

液晶顯示面板包括液晶層、液晶層插設(shè)在其間的一對基板、以及附著到基板的外部的一對偏振器。在液晶顯示面板上顯示的圖像期望不管從哪個方向觀看都具有相同的顯示質(zhì)量。為此，已經(jīng)進行了許多嘗試。例如，已經(jīng)開發(fā)了垂直配向(VA)模式的液晶顯示器和面線轉(zhuǎn)換(PlanetoLineSwitching，PLS)模式的液晶顯示器，垂直配向模式的液晶顯示器利用液晶分子相對于基板的垂直性，面線轉(zhuǎn)換模式的液晶顯示器利用液晶分子相對于基板的水平性。因為這些顯示器的液晶分子在不同的方向上具有相似的折射率各向異性特性，所以垂直配向(VA)模式的液晶顯示器和面線轉(zhuǎn)換(PlanetoLineSwitching，PLS)模式的液晶顯示器具有寬視角。

為了更加改善的視角特性，金屬線圖案、有機膜制成的狹縫或突起形成在單位像素上使得液晶分子可以在不同方向上具有相似的斜度。然而，由于液晶分子受到彌散場(fringefield)的影響，所以圖案、狹縫或突起會降低開口率，開口率是從背光組件提供的光穿過單位像素的區(qū)域與單位像素的總面積的比。這里使用的術(shù)語“單位像素”可以指液晶顯示面板的表現(xiàn)基本顏色的像素。

液晶分子應(yīng)總是關(guān)于相同電勢保持相同排列。為此，預(yù)傾斜(pretilt)形成在基板上的配向膜中以固定位于基板附近的液晶分子的方向和斜度。配向膜的預(yù)傾斜通過在預(yù)先形成在基板上的配向材料上物理摩擦摩擦布(rubbingcloth)而形成。然而，因為由于接觸而可能引入外部物質(zhì)或產(chǎn)生靜電在配向?qū)由?，所以使用摩擦布的方法會降低液晶顯示面板的產(chǎn)率。此外，摩擦布頻繁更換，導(dǎo)致工藝時間和成本的增加。

為了提高液晶面板的產(chǎn)率，已經(jīng)引入了光致配向工藝。光致配向工藝使用非接觸法形成配向膜的預(yù)傾斜，而不在像素區(qū)域中形成圖案、狹縫或突起。光致配向工藝包括應(yīng)用光反應(yīng)材料到基板上且傾斜地照射紫外(UV)光到其上應(yīng)用光反應(yīng)材料的表面。配向膜的預(yù)傾斜根據(jù)照射的方向形成。因而，通過將單位像素分成若干區(qū)域并在不同方向上照射光到其上，液晶分子可以傾斜在若干不同方向上。

單位像素具有形成在一基板上的像素電極、形成在與像素電極的基板間隔開的另一透明基板上的公共電極、以及插設(shè)在兩個基板之間的液晶層。像素電極形成在布置于一基板上的多個單位像素中的每個上，同時公共電極形成在另一基板的整個表面上，導(dǎo)致彌散場形成在像素電極的邊緣和公共電極之間。受彌散場影響的液晶分子獨立地排列而沒有被像素電勢影響，且阻擋從背光組件提供的光，形成正常亮度沒有出現(xiàn)在域中的彌散場紋理(FFT)。

各個域的預(yù)傾斜的方向被匹配到附著到液晶顯示面板的基板的偏振器的偏振軸。由于各個域的預(yù)傾斜基本垂直于至少一個偏振軸，所以穿過域邊界紋理(DBT)或像素電極邊緣附近的液晶分子的光不垂直于偏振器的偏振軸。結(jié)果，在域邊界紋理(DBT)中或在域的邊緣附近，亮度會局部減小。

單位像素的開口率通過將單位像素的具有正常亮度的面積除以單位像素的總面積來計算。單位像素的光透射率通過將穿過單位像素的光的亮度除以在光穿過單位像素之前背光組件的亮度來計算。域邊界紋理(DBT)和彌散場紋理(FFT)二者都導(dǎo)致單位像素的亮度降低，引起多域單位像素的開口率和光透射率的減小。

在光致配向工藝中，預(yù)傾斜的角度或預(yù)傾斜角根據(jù)照射光的強度和/或照射時間來確定。如果預(yù)傾斜角過大，則較遠離配向膜的分子會被錯誤地排列而不與施加到像素電極的電勢一致。結(jié)果，單位像素會顯示高于或低于正常亮度的亮度，降低液晶顯示面板的對比度并導(dǎo)致黑殘影現(xiàn)象，在黑殘影現(xiàn)象中，當(dāng)表示黑圖像的信號提供到像素電極時在單位像素中出現(xiàn)灰色。

隨著大尺寸液晶電視越來越受到消費者的喜愛，大尺寸液晶電視的市場具有著良好的發(fā)展態(tài)勢。但同時也伴隨著大尺寸面板生產(chǎn)大板利用率偏低的問題，生產(chǎn)成本偏高，也使大尺寸液晶電視單價偏高限制其市場發(fā)展。

目前是采用面板套切技術(shù)改善這一缺陷，即將大尺寸面板與小尺寸面板合在一個大板生產(chǎn)，大大降低了大尺寸液晶電視生產(chǎn)成本，如圖1。但是由于面板尺寸的差異，在同一可視區(qū)固化(VA curing，VA全拼為View Area)條件下，由于面板可操作區(qū)(AA，AA全拼為Active Area)區(qū)每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)大小的差異影響液晶預(yù)傾角的大小不同，影響著面板的性能，如圖2，圖3。

傳統(tǒng)的可視區(qū)固化(VA curing)過程，首先將可視區(qū)(VA)液晶中參入一定比例的高純度反應(yīng)型液晶(趨光性單體)，此種液晶既有普通液晶分子的液晶核，又在末端帶有一個或多個亞克力基之類的可反應(yīng)光能基；隨后上下基板之間外加一個電壓，使液晶分子產(chǎn)生一個預(yù)傾角度，對應(yīng)像素不同的疇，液晶分子傾向不同，隨后進行特定波長范圍內(nèi)的紫外光(UV)從薄膜晶體管(TFT)側(cè)照射后，反應(yīng)型液晶聚合成高分子網(wǎng)絡(luò)吸引表層的液晶分子形成固定的預(yù)傾角。

尺寸不同的芯片可操作區(qū)(Chip AA)內(nèi)部每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI，PPI全拼為pixels per inch)也不同，在可視區(qū)固化(VA curing)過程中光透過率也隨之有所差別。每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)越大，薄膜晶體管(TFT)側(cè)開口面積越小，光透過率越小，液晶的預(yù)傾角越小，存在液晶擴散不良的風(fēng)險，如圖2；每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)越小，薄膜晶體管(TFT)側(cè)開口面積越大，光透過率越大，液晶的預(yù)傾角越大，存在碎亮點的風(fēng)險，如圖3。

每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)是圖像分辨率的單位，因此每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)數(shù)值越高，即代表顯示屏能夠以越高的密度顯示圖像。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本申請?zhí)岢隽艘环N改善套切面板光配向性的裝置。

一種改善套切面板光配向性的裝置，包括套切基板、N列芯片一、N列芯片二，其特征在于還包括光罩；

所述N列芯片一和N列芯片二交替依次排列形成交替排列結(jié)構(gòu)，安裝在套切基板上；

所述芯片二的面積大于芯片一的面積；

所述光罩用于罩住N列芯片一和N列芯片二，使紫外光透過光罩照射N列芯片一和N列芯片二；

所述N為正整數(shù)。

所述兩種面積不同的N列芯片可操作區(qū)內(nèi)部每英寸所擁有的像素數(shù)目不同。

所述像素包括：形成在第一基板上的第一配向膜以及形成在第二基板上且面對所述第一配向膜的第二配向膜；

多個相鄰域，所述相鄰域中的每個包括正常亮度區(qū)域和域邊界區(qū)域，每個域邊界區(qū)域定義相鄰域之間的部分區(qū)域。

所述正常亮度區(qū)域中的液晶分子的預(yù)傾斜角和所述域邊界區(qū)域中的液晶分子的預(yù)傾斜角相同。

所述光罩為半色調(diào)掩膜光罩。

所述半色調(diào)掩膜光罩包括像素區(qū)和外圍走線區(qū)，所述像素區(qū)包括半透光區(qū)域。

所述半色調(diào)掩膜光罩的半透光區(qū)域的透光率從遠離像素區(qū)邊緣到所述像素區(qū)邊緣的方向上減小。

所述半色調(diào)掩膜光罩的半透光區(qū)域包括：

第一半透光區(qū)域；

第二半透光區(qū)域；

所述第二半透光區(qū)域的透光率小于第一半透光區(qū)域的透光率。

所述兩種面積不同的N列芯片中面積大的N列芯片可操作區(qū)內(nèi)部每英寸所擁有的像素數(shù)目對應(yīng)半色調(diào)掩膜光罩的第一半透光區(qū)域；

所述兩種面積不同的N列芯片中面積小的N列芯片可操作區(qū)內(nèi)部每英寸所擁有的像素數(shù)目對應(yīng)半色調(diào)掩膜光罩的第二半透光區(qū)域。

所述紫外光波長范圍為190nm-400nm。

有益效果：

本發(fā)明從調(diào)整套切基板上不同尺寸芯片(Chip)的紫外光照射強度出發(fā)，在大板與光源之間加一個半色調(diào)掩膜(Half-ton)光罩，如圖4，在每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)較大的面積芯片(Chip)上對應(yīng)光罩穿透率高的區(qū)域，每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)較小的面積芯片(Chip)上對應(yīng)光罩穿透率低的區(qū)域，最終達到通過改變光透過率，使得兩種尺寸的液晶預(yù)傾角相近，避免引起液晶擴散不良或碎亮點等問題，如圖5。

本發(fā)明通過對一個像素單元的不同像素區(qū)域進行不同強度的光配向，從而使整個像素單元的配向相同，提高該柵單位像素的顯示質(zhì)量。

本發(fā)明修改可視區(qū)固化(VA curing)時光透過率，兩種尺寸芯片(Chip)內(nèi)液晶預(yù)傾角相近，如圖6，避免引起液晶擴散不良或碎亮點等問題。

本發(fā)明在可視區(qū)固化(VA curing)時大板與光源之間加一個半色調(diào)掩膜(Half-ton)光罩，每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)較大的尺寸芯片(Chip)上對應(yīng)光罩穿透率高的區(qū)域，每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)較小的面積面板上對應(yīng)光罩穿透率低的區(qū)域，調(diào)整相對穿透率大小，如圖5。

相比傳統(tǒng)的套切面板可視區(qū)固化(VA curing)，可以通過調(diào)整光配向紫外光相對穿透率大小，兩種面積芯片(Chip)得到相近的液晶預(yù)傾角，如圖6，降低引起液晶擴散不良或碎亮點的風(fēng)險。

上述技術(shù)特征可以各種適合的方式組合或由等效的技術(shù)特征來替代，只要能夠達到本發(fā)明的目的。

附圖說明

在下文中將基于實施例并參考附圖來對本發(fā)明進行更詳細的描述。其中：

圖1為套切基板示意圖；

圖2為像素數(shù)目(PPI)較大的尺寸面板液晶預(yù)傾倒向示意圖；

圖3為像素數(shù)目(PPI)較小的尺寸面板液晶預(yù)傾倒向示意圖；

圖4為本發(fā)明套切面板光配向性裝置圖；

圖5為本發(fā)明套切基板增加光罩示意圖；

圖6為本發(fā)明面板液晶預(yù)傾倒向示意圖；

圖7為本發(fā)明像素數(shù)目(PPI)較大的尺寸面板液晶預(yù)傾倒向示意圖；

圖8為本發(fā)明像素數(shù)目(PPI)較小的尺寸面板液晶預(yù)傾倒向示意圖；

圖9為液晶顯示面板的局部橫截面的透視圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標記。附圖并未按照實際的比例。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。

具體實施方式一：結(jié)合圖4、圖5、圖6、圖7說明本實施方式，本實施方式的一種改善套切面板光配向性的裝置，包括套切基板1、N列芯片一2、N列芯片二3，其特征在于還包括光罩4；

所述N列芯片一(2)和N列芯片二(3)交替依次排列形成交替排列結(jié)構(gòu)，安裝在套切基板1上；

所述芯片二3的面積大于芯片一2的面積；

所述光罩4用于罩住N列芯片一(2)和N列芯片二3，使紫外光透過光罩照射N列芯片一2和N列芯片二3；

所述N為正整數(shù)。

具體實施方式二：本實施方式與具體實施方式一不同的是：所述兩種面積不同的N列芯片(Chip)可操作區(qū)(AA)內(nèi)部每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)不同。

每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)大小的差異影響液晶預(yù)傾角的大小不同。

其它步驟及參數(shù)與具體實施方式一相同。

具體實施方式三：本實施方式與具體實施方式一或二不同的是：

所述像素包括：

形成在第一基板上的第一配向膜以及形成在第二基板上且面對所述第一配向膜的第二配向膜；

多個相鄰域，所述相鄰域中的每個包括正常亮度區(qū)域和域邊界區(qū)域，每個域邊界區(qū)域定義相鄰域之間的部分區(qū)域。

圖9是液晶顯示面板的局部橫截面的透視圖，其示出液晶層與具有偏振器和配向膜的基板的組合。參照圖9，液晶顯示面板5具有第一基板6、第二基板10以及插設(shè)在第一基板6與第二基板10之間的液晶層14。

如圖9所示，第一偏振器8以薄膜的形式制造并附著到第一基底基板7的面對背光組件的外表面。備選地，第一偏振器8可以應(yīng)用到第一基底基板7的面對液晶層14的內(nèi)表面上。

其它步驟及參數(shù)與具體實施方式一或二相同。

具體實施方式四：本實施方式與具體實施方式一至三之一不同的是：所述正常亮度區(qū)域中的液晶分子的預(yù)傾斜角和所述域邊界區(qū)域中的液晶分子的預(yù)傾斜角小相同。

所述正常亮度區(qū)域配向矢的大小小于域邊界區(qū)域配向矢的大小。

所述正常亮度區(qū)域配向矢通過將所述正常亮度區(qū)域中的所述第一配向膜的配向矢加上所述第二配向膜的配向矢而獲得，所述域邊界區(qū)域配向矢通過將鄰近所述正常亮度區(qū)域的所述域邊界區(qū)域中的所述第一配向膜的配向矢加上所述第二配向膜的配向矢而獲得。

其它步驟及參數(shù)與具體實施方式一至三之一相同。

具體實施方式五：本實施方式與具體實施方式一至四之一不同的是：所述光罩4為半色調(diào)掩膜(Half-ton)光罩。

其它步驟及參數(shù)與具體實施方式一至四之一相同。

具體實施方式六：本實施方式與具體實施方式一至五之一不同的是：所述半色調(diào)掩膜(Half-ton)光罩包括像素區(qū)和外圍走線區(qū)，所述像素區(qū)包括半透光區(qū)域；

其它步驟及參數(shù)與具體實施方式一至五之一相同。

具體實施方式七：本實施方式與具體實施方式一至六之一不同的是：所述半色調(diào)掩膜(Half-ton)光罩的半透光區(qū)域的透光率按照從遠離像素區(qū)邊緣到所述像素區(qū)邊緣的方向上減小。

本發(fā)明的技術(shù)方案能夠有效避免TFT-LCD陣列基板外圍走線區(qū)附近像素區(qū)域溝道光刻膠偏薄，經(jīng)刻蝕工藝后易發(fā)生源漏極溝道半導(dǎo)體缺失，從而改善TFT-LCD出現(xiàn)的像素點燈不良現(xiàn)象。

其它步驟及參數(shù)與具體實施方式一至六之一相同。

具體實施方式八：本實施方式與具體實施方式一至七之一不同的是：所述半色調(diào)掩膜光罩的半透光區(qū)域包括：

第一半透光區(qū)域；

第二半透光區(qū)域；

所述第二半透光區(qū)域的透光率小于第一半透光區(qū)域的透光率。

其它步驟及參數(shù)與具體實施方式一至七之一相同。

具體實施方式九：本實施方式與具體實施方式一至八之一不同的是：

所述兩種面積不同的N列芯片(Chip)中面積大的N列芯片可操作區(qū)(AA)內(nèi)部每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)對應(yīng)光罩4透光率高的區(qū)域；

所述兩種面積不同的N列芯片(Chip)中面積小的N列芯片可操作區(qū)(AA)內(nèi)部每英寸所擁有的像素數(shù)目(PPI)對應(yīng)光罩4透光率低的區(qū)域。

最終達到通過改變光透過率，使得兩種尺寸的液晶預(yù)傾角相近，避免引起液晶擴散不良或碎亮點等問題，如圖6。

其它步驟及參數(shù)與具體實施方式一至八之一相同。

具體實施方式十：本實施方式與具體實施方式一至九之一不同的是：所述紫外光(UV)波長范圍為400nm-190nm。

紫外光(UV)被劃分為A射線、B射線和C射線(簡稱UVA、UVB和UVC)，波長范圍分別為400-315nm,315-280nm,280-190nm。

其它步驟及參數(shù)與具體實施方式一至九之一相同。

本實施例一種改善套切面板光配向性方法具體是按照以下步驟制備的：

表1 AR對比表

AR是增強現(xiàn)實(AR技術(shù)，Augmented Reality的簡稱)。

雖然在本文中參照了特定的實施方式來描述本發(fā)明，但是應(yīng)該理解的是，這些實施例僅僅是本發(fā)明的原理和應(yīng)用的示例。因此應(yīng)該理解的是，可以對示例性的實施例進行許多修改，并且可以設(shè)計出其他的布置，只要不偏離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。應(yīng)該理解的是，可以通過不同于原始權(quán)利要求所描述的方式來結(jié)合不同的從屬權(quán)利要求和本文中所述的特征。還可以理解的是，結(jié)合單獨實施例所描述的特征可以使用在其他所述實施例中。