本發(fā)明涉及一種電子照相感光體、處理盒以及圖像形成裝置。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有的電子照相圖像形成裝置中，在電子照相感光體的表面形成調(diào)色劑圖像，并通過(guò)充電、形成靜電潛像、顯影和轉(zhuǎn)印的處理轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上。

例如，在日本專利文獻(xiàn)特開(kāi)2005-173566號(hào)公報(bào)公開(kāi)了一種包括由可固化樹(shù)脂組成的表面層的電子照相感光體，該感光體具有1.5×10⁸至2.3×10⁸n/m²的通用硬度，和46％至65％的彈性變形率。所述感光體的通用硬度(hu)通過(guò)如下硬度試驗(yàn)測(cè)定，即，在25℃溫度和50％濕度的環(huán)境下用最大載荷6mn將維氏四角錐體金剛石壓頭按壓在感光層上。

日本專利文獻(xiàn)特開(kāi)2004-309708號(hào)公報(bào)公開(kāi)了一種電子照相感光體，該感光體具有2.70％以上的壓入蠕變值(cit)和20以上且25以下的表面維氏硬度(hv)。所述電子感光體的壓入蠕變值(cit)通過(guò)如下方式測(cè)定，即，在25℃的溫度和50％的相對(duì)濕度的環(huán)境下用最大壓入載荷30mn對(duì)電子照相感光體的表面進(jìn)行壓入。

日本專利文獻(xiàn)特開(kāi)2005-338222號(hào)公報(bào)公開(kāi)了一種包括表面層的電子照相感光體，該表面層為通過(guò)至少固化包括自由基聚合性官能團(tuán)的氨基甲酸酯低聚物和具有電荷輸送結(jié)構(gòu)的單官能自由基聚合性化合物而形成的交聯(lián)表面層，并且該表面層具有41％以上的彈性功率。

日本專利文獻(xiàn)特開(kāi)2005-234282號(hào)公報(bào)公開(kāi)了一種圖像形成裝置，其包括：有機(jī)感光體，其包括具有230至300n/mm²的通用硬度和5500至6500mpa的楊氏模量的表面層，以及顯像劑，其包括含有具有0.2至0.7μm的顆粒大小的無(wú)機(jī)外部添加劑的聚合調(diào)色劑。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種電子照相感光體，與包括導(dǎo)電基底以及設(shè)置在該導(dǎo)電基底上的包括粘結(jié)劑樹(shù)脂、電荷產(chǎn)生材料、空穴傳輸材料以及電子傳輸材料的單層型感光層的感光體相比，能夠使存在于感光體的表面上的異物更容易被去除，具有較高的帶電性，并且能夠形成具有較高密度的圖像，其中，該感光層包括鈦氧基酞菁顏料作為電荷產(chǎn)生材料或具有小于170n/mm²或大于200n/mm²的馬氏硬度hm。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種電子照相感光體，其包括導(dǎo)電基底以及所述導(dǎo)電基底上的單層型感光層。所述感光層包括粘合劑樹(shù)脂、選自羥基鎵酞菁顏料和氯化鎵酞菁顏料中的至少一種電荷產(chǎn)生材料、空穴傳輸材料以及電子傳輸材料。所述感光層具有170n/mm²以上且200n/mm²以下的馬氏硬度hm。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，所述感光層的馬氏硬度hm為175n/mm²以上且195n/mm²以下。

根據(jù)本發(fā)明的第三方面，所述感光層的馬氏硬度hm為180n/mm²以上且190n/mm²以下。

根據(jù)本發(fā)明的第四方面，所述感光層中的殘余溶劑的含量為所述感光層的總重量的0.04重量％以上且1.6重量％以下。

根據(jù)本發(fā)明的第五方面，所述感光層中的殘余溶劑的含量為所述感光層的總重量的0.5重量％以上且1.3重量％以下。

根據(jù)本發(fā)明的第六方面，所述感光層中的殘余溶劑的含量為所述感光層的總重量的0.8重量％以上且1.1重量％以下。

根據(jù)本發(fā)明的第七方面，所述電荷產(chǎn)生材料的含量為所述感光層的總重量的1.4重量％以上且2.6重量％以下，所述電子傳輸材料是選自由下述通式(et1)表示的電子傳輸材料和由下述通式(et2)表示的電子傳輸材料中的至少一種，并且所述空穴傳輸材料是選自由下述通式(ht1)表示的空穴傳輸材料和由下述通式(ht2)表示的空穴傳輸材料中的至少一種。

在通式(et1)中，r¹¹¹和r¹¹²各自獨(dú)立地表示鹵素原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；r¹¹³表示烷基、-l¹¹⁴-o-r¹¹⁵基、芳基或芳烷基；并且n1和n2各自獨(dú)立地表示0到3的整數(shù)，其中l(wèi)¹¹⁴表示亞烷基且r¹¹⁵表示烷基。

在通式(et2)中，r²¹¹、r²¹²、r²¹³和r²¹⁴各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子或苯基。

在通式(ht1)中，ar^t1、ar^t2和ar^t3各自獨(dú)立地表示芳基或-c6h4-c(r^t4)＝c(r^t5)(r^t6)基，其中r^t4、r^t5和r^t6各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基或芳基，并且r^t5和r^t6可以彼此粘合以形成烴環(huán)結(jié)構(gòu)。

在通式(ht2)中，r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、具有1-20個(gè)碳原子的烷基、具有1-20個(gè)碳原子的烷氧基或具有6-30個(gè)碳原子的芳基；一對(duì)相鄰的取代基可以彼此粘合以形成烴環(huán)結(jié)構(gòu)；并且n和m各自獨(dú)立地表示0、1或2。

根據(jù)本發(fā)明的第八方面，所述電荷產(chǎn)生材料的含量為所述感光層的總重量的1.5重量％以上且2.3重量％以下。

根據(jù)本發(fā)明的第九方面，提供一種處理盒，可拆卸地安裝到圖像形成裝置上，所述處理盒包括上述的電子照相感光體。

根據(jù)本發(fā)明的第十方面，提供一種圖像形成裝置，其包括：上述的電子照相感光體，充電單元，其對(duì)所述電子照相感光體的表面進(jìn)行充電；靜電潛像形成單元，其在所述電子照相感光體的已充電表面形成靜電潛像；顯影單元，其使用含有調(diào)色劑的顯影劑對(duì)所述電子照相感光體的表面形成的靜電潛像進(jìn)行顯影以形成調(diào)色劑圖像；以及轉(zhuǎn)印單元，其將所述調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面。

根據(jù)本發(fā)明的第一，第二和第三方面的電子照相感光體，與包括導(dǎo)電基底以及設(shè)置在該導(dǎo)電基底上的包括粘結(jié)劑樹(shù)脂、電荷產(chǎn)生材料、空穴傳輸材料以及電子傳輸材料的單層型感光層的感光體相比，能夠使存在于感光體的表面上的異物更容易被去除，具有較高的帶電性，并且能夠形成具有較高密度的圖像，其中，該感光層包括鈦氧基酞菁顏料作為電荷產(chǎn)生材料或具有小于170n/mm²或大于200n/mm²的馬氏硬度hm。

根據(jù)本發(fā)明的第四，第五和第六方面的電子照相感光體，與感光層中的殘余溶劑的含量相對(duì)于感光層的總重量小于0.04重量％或大于1.6重量％的情況相比，能夠使存在于感光體的表面上的異物更容易被去除，具有較高的帶電性，并且能夠形成具有較高密度的圖像。

根據(jù)本發(fā)明的第七和第八方面的電子照相感光體，與選自羥基鎵酞菁顏料和氯化鎵酞菁顏料中的至少一種電荷產(chǎn)生材料的含量相對(duì)于感光層的總重量小于1.4重量％或大于2.6重量％的情況相比，能夠使存在于感光體的表面上的異物更容易被去除，具有較高的帶電性，并且能夠形成具有較高密度的圖像。

根據(jù)本發(fā)明的第九方面的處理盒以及根據(jù)本發(fā)明的第十方面的圖像形成裝置，與具有包括導(dǎo)電基底以及設(shè)置在該導(dǎo)電基底上的包括粘結(jié)劑樹(shù)脂、電荷產(chǎn)生材料、空穴傳輸材料以及電子傳輸材料的單層型感光層的感光體的處理盒或圖像形成裝置相比，能夠使存在于感光體的表面上的異物更容易被去除，具有較高的帶電性，并且能夠形成具有較高密度的圖像，其中，該感光層包括鈦氧基酞菁顏料作為電荷產(chǎn)生材料或具有小于170n/mm²或大于200n/mm²的馬氏硬度hm。

附圖說(shuō)明

將基于下列附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其中：

圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的電子照相感光體的部分概略橫截面圖；

圖2是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的示意圖；以及

圖3是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的另一種圖像形成裝置的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

電子照相感光體

根據(jù)示例性實(shí)施例的電子照相感光體(下文簡(jiǎn)稱為“感光體”)包括導(dǎo)電基底以及設(shè)置在導(dǎo)電基底上的單層型感光層。感光層包括粘合劑樹(shù)脂、選自羥基鎵酞菁顏料和氯化鎵酞菁顏料(下文稱為“特定酞菁顏料”)中的至少一種電荷產(chǎn)生材料、空穴傳輸材料以及電子傳輸材料。

感光層具有170n/mm²以上且200n/mm²以下的馬氏硬度hm。

馬氏硬度hm是硬度的衡量單位，它是使用維氏壓頭形成具有預(yù)定深度(在本示例性實(shí)施例中，0.5μm)的壓痕所需的載荷除以維氏壓頭的表面積的商。

以下，具有170n/mm²以上且200n/mm²以下的馬氏硬度hm的感光層被稱為“低硬度感光層”，而具有200n/mm²以上的馬氏硬度hm的感光層被稱為“高硬度感光層”。

具有單層型感光層的感光體，從生產(chǎn)成本等的角度來(lái)說(shuō)，被認(rèn)為作為電子照相感光體是可取的。另外，隨著日益增長(zhǎng)的提高圖像重量的需求，期望進(jìn)一步減少可能由，例如感光體的缺陷導(dǎo)致的圖像缺陷的發(fā)生。

在具有感光體的圖像形成裝置中，由裝置中產(chǎn)生的或進(jìn)入裝置的異物(例如紙粉顆粒和磨損粉顆粒)可能在感光體(即本示例性實(shí)施例中的感光層)的表面形成傷痕。具體地說(shuō)，異物有可能被埋入或刺入到感光層中，導(dǎo)致在感光體的表面形成傷痕。異物如果不去除的話有可能到達(dá)感光體的核心，即導(dǎo)電性支撐體。

當(dāng)感光體具有所述傷痕(即異物)時(shí)，感光體的帶電電位可能會(huì)局部降低。因此，圖像形成過(guò)程中傷痕的存在對(duì)圖像造成了不利影響。例如，使用所述感光體形成圖像會(huì)增加圖像缺陷，例如黑斑和白斑的發(fā)生。

認(rèn)為將異物從感光體的表面去除的容易度與感光層的硬度之間有相關(guān)性。例如，當(dāng)感光層的硬度高時(shí)，感光體的表面對(duì)磨損有抵抗力并且可以相應(yīng)地降低埋入或刺入到感光層中的異物被去除的可能性。當(dāng)感光層的硬度低時(shí)，可能會(huì)發(fā)生相反的情況。

因此，可以降低感光層的硬度以增加將感光體的表面存在的異物去除的容易度并減少可能由異物導(dǎo)致的圖像缺陷的發(fā)生。

但是，使用包括低硬度感光層的感光體形成圖像會(huì)帶來(lái)第二個(gè)問(wèn)題；難以保持高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力，即感光體本來(lái)要求的功能。

因此，根據(jù)本示例性實(shí)施例的感光體具有感光層，該感光層包括粘合劑樹(shù)脂、空穴傳輸材料、電子傳輸材料以及作為電荷產(chǎn)生材料的特定的酞菁顏料。此外，將感光層的馬氏硬度hm控制在上述范圍以內(nèi)。

將感光層的馬氏硬度hm控制在上述范圍以內(nèi)意味著，如上所述，降低感光層的硬度。也就是說(shuō)，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的感光體中，將感光層的馬氏硬度hm降至170n/mm²，使得可以容易地磨損感光體(即感光層)的表面。這樣，增加了埋入或刺入到感光體的表面中的異物由于感光層的磨損而被去除的可能性。

但是，將感光層的馬氏硬度hm降至170n/mm²會(huì)在圖像形成的過(guò)程中帶來(lái)第二個(gè)問(wèn)題；難以保持高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力，即感光體本來(lái)要求的功能。為解決此問(wèn)題，根據(jù)本示例性實(shí)施例的感光體具有感光層，該感光層包括作為電荷產(chǎn)生材料的特定的酞菁顏料。這樣，甚至當(dāng)感光層的硬度被降低至170n/mm²時(shí)也可以保持感光體本來(lái)要求的功能。

原因尚不清楚，但認(rèn)為在單層型感光層中，特定的酞菁顏料不僅表現(xiàn)出優(yōu)異的電荷產(chǎn)生能力，還在某種程度上有助于限制感光層的硬度降低時(shí)可能發(fā)生的感光體本來(lái)要求的功能的劣化。

因此，根據(jù)本示例性實(shí)施例的感光體，其中單層型感光層包括特定的酞菁顏料并且感光層的硬度被降低至170n/mm²，能夠使存在于感光體的表面上的異物更容易被去除，具有較高的帶電性，并且能夠形成具有較高密度的圖像。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的感光體中包括的馬氏硬度hm在上述范圍以內(nèi)的感光層的示例是具有足夠高殘余溶劑含量的感光層。所述感光層的具體示例是殘余溶劑的含量為感光層的總重量的0.04重量％以上且1.6重量％以下(優(yōu)選地，0.05重量％以上且1.6重量％以下)的感光層。

這里使用的術(shù)語(yǔ)“殘余溶劑含量”指在通過(guò)涂布形成感光層的過(guò)程中留在干燥涂膜(即感光層)上的溶劑的重量的比例。

在根據(jù)本示例性實(shí)施例的感光體中，使適當(dāng)量的溶劑留在感光層上。這樣，增加了形成馬氏硬度hm在上述范圍以內(nèi)的感光層的可能性。

認(rèn)為控制殘余溶劑含量在上述范圍以內(nèi)將感光層內(nèi)包括的樹(shù)脂彼此附著的程度降至適當(dāng)?shù)乃?，從而降低了感光層的硬度?/p>

因此，增加了埋入或刺入到感光體的表面中的異物由于感光層的磨損而被去除的可能性。由于上述相同的理由，可以保持高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力，即感光體本來(lái)要求的功能。

下面描述一種用于控制感光層中的殘余溶劑含量在上述范圍以內(nèi)的方法。

可以使用熱萃取氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀通過(guò)以下方式測(cè)量感光層中的殘余溶劑含量。

從干燥涂膜(即感光層)中提取重量為2mg以上且3mg以下的樣品。對(duì)樣品進(jìn)行稱重，接著送入由前沿實(shí)驗(yàn)室公司(frontierlaboratoriesltd.)制造的熱萃取裝置“py2020d”中，并加熱至400℃。通過(guò)溫度為320℃的界面將樣品的揮發(fā)性物質(zhì)送入由日本島津制作所(shimadzucorporation)制造的氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀“gcms-qp2010”中，并測(cè)定揮發(fā)性物質(zhì)的重量。具體地說(shuō)，從樣品中揮發(fā)的物質(zhì)的重量的1/51(分流比：50:1)通過(guò)作為載氣的氦氣以153.8cm/s的線速度(柱溫為50℃，載氣流速：1.50ml/min，壓力：50kpa)被送入由前沿實(shí)驗(yàn)室公司制造的柱“capillarycolumnua-5”(內(nèi)徑：0.25μm，長(zhǎng)度：30m)中。

將柱在50℃下保持3分鐘后，以8℃/min的速率將其加熱至400℃并在400℃下保持10分鐘以使揮發(fā)性物質(zhì)從柱中解吸。接著，將揮發(fā)性物質(zhì)在320℃界面溫度下送入質(zhì)譜儀中，并測(cè)定與溶劑相對(duì)應(yīng)的峰面積。為測(cè)定溶劑的重量，采用使用已知重量的相同類型的溶劑繪制的校準(zhǔn)曲線。通過(guò)溶劑的計(jì)算重量除以樣品的重量計(jì)算殘余溶劑含量。注意，以上測(cè)量方法僅僅是示例，并且可以根據(jù)感光層中包括的樹(shù)脂發(fā)生分解或變化的溫度或者使用的溶劑的沸點(diǎn)適當(dāng)?shù)馗淖儨y(cè)量條件。

下面根據(jù)本示例性實(shí)施例參照附圖對(duì)電子照相感光體作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

圖1是根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子照相感光體10的部分概略橫截面圖。

例如，圖1所示的電子照相感光體10包括導(dǎo)電基底3。底涂層1和單層型感光層2依次設(shè)置在導(dǎo)電基底3上。

底涂層1是任選的。換句話說(shuō)，單層型感光層2可以直接設(shè)置在導(dǎo)電基底3上或者通過(guò)置于單層型感光層2和導(dǎo)電基底3之間的底涂層1設(shè)置在導(dǎo)電基底3上方。

下面對(duì)構(gòu)成根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子照相感光體的各層分別作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。在以下描述中，省略參考號(hào)。

導(dǎo)電基底

導(dǎo)電基底的示例包括金屬板材、金屬轂以及金屬帶，其中含有諸如鋁、銅、鋅、鉻、鎳、鉬、釩、銦、金或鉑的金屬，或者諸如不銹鋼的合金。導(dǎo)電基底的其他示例包括紙張、樹(shù)脂膜以及帶，其上通過(guò)涂布、氣相沉積或?qū)訅撼练e有諸如導(dǎo)電聚合物或氧化銦的化合物、諸如鋁、鈀或金的金屬或者合金。這里使用的術(shù)語(yǔ)“導(dǎo)電”指體積電阻率小于10¹³ωcm。

在電子照相感光體作為激光打印機(jī)的部件的情況下，可以將導(dǎo)電基底的表面粗糙化至0.04μm以上且0.5μm以下的中心線粗糙度ra以降低當(dāng)使用激光束照射感光體時(shí)形成干涉條紋的可能性。進(jìn)行粗糙化以防止形成干涉條紋在使用發(fā)射非相干光的光源的情況下可以省略，但可以延長(zhǎng)感光體的使用壽命，因?yàn)樗档土擞捎趯?dǎo)電基底的表面不規(guī)則而導(dǎo)致缺陷的可能性。

例如，為粗糙化導(dǎo)電基底的表面，可以采用以下方法：濕式珩磨，其中向?qū)щ娀讎娡客ㄟ^(guò)將磨料懸浮在水中制備的液體；無(wú)心研磨，其中通過(guò)使導(dǎo)電基底與旋轉(zhuǎn)砂輪壓力接觸來(lái)對(duì)其進(jìn)行持續(xù)的研磨；以及陽(yáng)極氧化。

或者，為進(jìn)行粗糙化，代替直接粗糙化導(dǎo)電基底的表面，可以在導(dǎo)電基底的表面形成由含有分散在其中的導(dǎo)電或半導(dǎo)電粉末顆粒的樹(shù)脂組成的層。在該方法中，導(dǎo)電基底的表面可能由于層中分散的顆粒的存在而變得粗糙。

為通過(guò)陽(yáng)極氧化粗糙化導(dǎo)電基底的表面，通過(guò)使用由諸如鋁的金屬制成的導(dǎo)電基底作為陽(yáng)極在電解質(zhì)溶液中進(jìn)行陽(yáng)極氧化以在導(dǎo)電基底的表面形成氧化膜。電解質(zhì)溶液的示例包括硫酸溶液和草酸溶液。但是，最初，由陽(yáng)極氧化形成的多孔陽(yáng)極氧化膜有化學(xué)活性，并且易受污染。另外，多孔陽(yáng)極氧化膜的電阻率根據(jù)環(huán)境變化很大。因此，可以進(jìn)行多孔陽(yáng)極氧化膜的密封處理，其中氧化膜中形成的微孔被由于加壓蒸汽或沸水(可含有諸如鎳的金屬的鹽)的水合作用導(dǎo)致的體積膨脹所封閉，以將氧化膜變成比氧化膜更穩(wěn)定的水合氧化膜。

例如，陽(yáng)極氧化膜的厚度可以是0.3μm以上且15μm以下。當(dāng)陽(yáng)極氧化膜的厚度在上述范圍以內(nèi)時(shí)，可以提高氧化膜的注入阻礙特性。另外，可以限制由于重復(fù)使用導(dǎo)致的殘余電勢(shì)的增加。

導(dǎo)電基底可以通過(guò)酸性處理液進(jìn)行處理或者實(shí)施勃母石處理。

例如，可以通過(guò)以下方式進(jìn)行使用酸性處理液對(duì)導(dǎo)電基底的處理。制備含有磷酸、鉻酸和氫氟酸的酸性處理液。例如，酸性處理液中磷酸、鉻酸和氫氟酸的含量如下：磷酸：10重量％以上且11重量％以下；鉻酸：3重量％以上且5重量％以下；以及氫氟酸：0.5重量％以上且2重量％以下。這些酸的總濃度可以是13.5重量％以上且18重量％以下。例如，處理溫度為42℃以上且48℃以下。涂膜的厚度可以是0.3μm以上且15μm以下。

例如，在勃母石處理中，將導(dǎo)電基底浸入溫度為90℃以上且100℃以下的純水中5至60分鐘或者使其與溫度為90℃以上且120℃以下的蒸汽接觸5至60分鐘。涂膜的厚度可以是0.1μm以上且5μm以下。產(chǎn)生的導(dǎo)電基底可以通過(guò)具有低涂膜溶解度的電解質(zhì)溶液，例如己二酸、硼酸、硼酸鹽、磷酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、馬來(lái)酸鹽、苯甲酸鹽、酒石酸鹽或檸檬酸鹽，可選地實(shí)施陽(yáng)極氧化。

底涂層

例如，底涂層含有無(wú)機(jī)顆粒和粘合劑樹(shù)脂。

例如，無(wú)機(jī)顆粒可以具有10²ωcm以上且10¹¹ωcm以下的粉末電阻率(即體積電阻率)。

例如，在具有以上電阻率的所述無(wú)機(jī)顆粒中，優(yōu)選諸如氧化錫顆粒、氧化鈦顆粒、氧化鋅顆粒和氧化鋯顆粒的金屬氧化物顆粒，特別優(yōu)選氧化鋅顆粒。

例如，無(wú)機(jī)顆粒的bet比表面積可以是10m²/g以上。

例如，無(wú)機(jī)顆粒的體積平均粒徑可以是50nm以上且2,000nm以下，優(yōu)選為60nm以上且1,000nm以下。

例如，無(wú)機(jī)顆粒的含量?jī)?yōu)選為粘合劑樹(shù)脂的數(shù)量的10重量％以上且80重量％以下，更優(yōu)選為40重量％以上且80重量％以下。

無(wú)機(jī)顆?？梢钥蛇x地實(shí)施表面處理?？梢允褂脙煞N或兩種以上已實(shí)施過(guò)不同的表面處理或在混合物中具有不同直徑的無(wú)機(jī)顆粒。

表面處理中使用的試劑的示例包括硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑、鋁酸鹽偶聯(lián)劑和表面活性劑。具體地說(shuō)，優(yōu)選硅烷偶聯(lián)劑，更優(yōu)選包括氨基的硅烷偶聯(lián)劑。

包括氨基的硅烷偶聯(lián)劑的示例包括但不限于3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷和n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷。

兩種或兩種以上的硅烷偶聯(lián)劑可以混合使用。例如，包括氨基的硅烷偶聯(lián)劑可以與另一種硅烷偶聯(lián)劑組合使用。另一種硅烷偶聯(lián)劑的示例包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。

可以通過(guò)任何已知的方法進(jìn)行使用表面處理劑的無(wú)機(jī)顆粒的表面處理?？梢圆捎酶煞ê蜐穹ā?/p>

例如，使用的表面處理劑的數(shù)量可以是無(wú)機(jī)顆粒的數(shù)量的0.5重量％以上且10重量％以下。

除無(wú)機(jī)顆粒以外，底涂層還可以包括電子接受化合物(即接受體化合物)以提高電學(xué)性能和載體阻擋性能的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

電子接受化合物的示例包括下列電子傳輸物質(zhì)：諸如氯醌和溴醌的醌；四氰基對(duì)醌二甲烷；諸如2,4,7-三硝基芴酮和2,4,5,7-四硝基-9-芴酮的芴酮；諸如2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑、2,5-雙(4-萘基)-1,3,4-惡二唑和2,5-雙(4-二乙氨基苯基)-1,3,4-惡二唑的惡二唑；氧雜蒽酮；噻吩；以及諸如3,3',5,5'-四-叔丁基聯(lián)苯醌的聯(lián)苯醌。

具體地說(shuō)，可以使用具有蒽醌結(jié)構(gòu)的化合物作為電子接受化合物。具有蒽醌結(jié)構(gòu)的化合物的示例包括羥基蒽醌、氨基蒽醌和氨基羥基蒽醌。其具體示例包括蒽醌、茜素、醌茜、蒽絳酚和羥基茜草素。

底涂層中包括的電子接受化合物可以與無(wú)機(jī)顆粒一起分散到底涂層中或者沉積在無(wú)機(jī)顆粒的表面。

例如，為將電子接受化合物沉積在無(wú)機(jī)顆粒的表面，可以采用干法和濕法。

例如，在干法中，在使用能夠產(chǎn)生大剪切力的混合器等攪拌無(wú)機(jī)顆粒的同時(shí)，向無(wú)機(jī)顆粒滴加或者與干燥空氣或氮?dú)庖黄饑娡侩娮咏邮芑衔锘蛲ㄟ^(guò)在有機(jī)溶液溶解電子接受化合物制備的溶液以將電子接受化合物沉積在無(wú)機(jī)顆粒的表面。電子接受化合物的添加或噴涂在等于或低于使用的溶劑的沸點(diǎn)的溫度下進(jìn)行。在添加或噴涂電子接受化合物之后，可以可選地在100℃以上烘干產(chǎn)生的無(wú)機(jī)顆粒。無(wú)機(jī)顆粒烘干的溫度和無(wú)機(jī)顆粒烘干的時(shí)間不受限；無(wú)機(jī)顆?？梢栽讷@得預(yù)期電子照相性能的適當(dāng)溫度和時(shí)間條件下烘干。

例如，在濕法中，在使用攪拌器、超聲波、砂磨機(jī)、磨碎機(jī)、球磨機(jī)等將無(wú)機(jī)顆粒分散到溶劑中的同時(shí)，在產(chǎn)生的分散液中添加電子接受化合物。在將分散液攪拌或分散之后，去除溶劑使得電子接受化合物沉積在無(wú)機(jī)顆粒的表面。例如，溶劑的去除可以通過(guò)過(guò)濾或蒸餾進(jìn)行。在溶劑去除之后，可以可選地在100℃以上烘干產(chǎn)生的無(wú)機(jī)顆粒。無(wú)機(jī)顆粒烘干的溫度和無(wú)機(jī)顆粒烘干的時(shí)間不受限；無(wú)機(jī)顆?？梢栽讷@得預(yù)期電子照相性能的適當(dāng)溫度和時(shí)間條件下烘干。在濕法中，可以在添加電子接受化合物之前去除無(wú)機(jī)顆粒中含有的水分。例如，無(wú)機(jī)顆粒中含有的水分的去除可以通過(guò)在溶劑中攪拌的同時(shí)加熱無(wú)機(jī)顆?；蛘邔⑺峙c溶劑一起煮沸來(lái)完成。

電子接受化合物的沉積可以在使用表面處理劑的無(wú)機(jī)顆粒的表面處理之前或之后進(jìn)行。或者，電子接受化合物的沉積與使用表面處理劑的表面處理可以同時(shí)進(jìn)行。

例如，電子接受化合物的含量為無(wú)機(jī)顆粒的數(shù)量的0.01重量％以上且20重量％以下，優(yōu)選為0.01重量％以上且10重量％以下。

底涂層中包括的粘合劑樹(shù)脂的示例包括下列已知的材料：諸如縮醛樹(shù)脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹(shù)脂、聚乙烯醇縮醛樹(shù)脂、酪蛋白樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、纖維素樹(shù)脂、明膠、聚氨酯樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、甲基丙烯酸樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚氯乙烯樹(shù)脂、聚醋酸乙烯酯樹(shù)脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來(lái)酸酐樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂、有機(jī)硅-醇酸樹(shù)脂、脲醛樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、苯酚-甲醛樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂和環(huán)氧樹(shù)脂的高分子化合物；鋯螯合物；鈦螯合物；鋁螯合物；鈦醇鹽；有機(jī)鈦化合物以及硅烷偶聯(lián)劑。

底涂層中包括的粘合劑樹(shù)脂的其他示例包括具有電荷傳輸基團(tuán)的電荷傳輸樹(shù)脂以及諸如聚苯胺的導(dǎo)電樹(shù)脂。

在以上粘合劑樹(shù)脂中，可以使用不溶于用于在底涂層上形成一層的涂布液中含有的溶劑的樹(shù)脂作為底涂層中包括的粘合劑樹(shù)脂。具體地說(shuō)，可以使用通過(guò)使選自由熱固性樹(shù)脂(例如脲醛樹(shù)脂、酚樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂和環(huán)氧樹(shù)脂)、聚酰胺樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚醚樹(shù)脂、甲基丙烯酸樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚乙烯醇樹(shù)脂和聚乙烯醇縮醛樹(shù)脂組成的組中的至少一種樹(shù)脂與固化劑反應(yīng)而產(chǎn)生的樹(shù)脂。

在以上粘合劑樹(shù)脂中的兩種或兩種以上組合使用的情況下，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定粘合劑樹(shù)脂之間的混合比。

底涂層可以包括各種添加劑以提高電學(xué)性能、環(huán)境穩(wěn)定性和圖像重量。

添加劑的示例包括下列已知材料：諸如聚縮顏料和偶氮顏料的電子傳輸顏料、鋯螯合物、鈦螯合物、鋁螯合物、鈦醇鹽、有機(jī)鈦化合物以及硅烷偶聯(lián)劑。如上所述可以在無(wú)機(jī)顆粒的表面處理中使用的硅烷偶聯(lián)劑也可以作為添加劑添加到底涂層中。

可以作為添加劑使用的硅烷偶聯(lián)劑的示例包括乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷以及3-氯丙基三甲氧基硅烷。

鋯螯合物的示例包括丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯鋯、三乙醇胺鋯、乙酰丙酮丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯丁醇鋯、醋酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、膦酸鋯、辛酸鋯、環(huán)烷酸鋯、月桂酸鋯、硬脂酸鋯、異硬脂酸鋯、甲基丙烯酸丁醇鋯、硬脂酸丁醇鋯和異硬脂酸丁醇鋯。

鈦螯合物的示例包括鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、鈦酸丁酯二聚體、四-(2-乙基己基)鈦酸、乙酰丙酮鈦、聚乙酰丙酮鈦、亞辛基乙醇酸鈦、乳酸銨鹽鈦、乳酸鈦、乳酸乙酯鈦、三乙醇胺鈦以及多羥基硬脂酸鈦。

鋁螯合物的示例包括異丙醇鋁、單丁氧基二異丙酸鋁、丁酸鋁、二乙基乙酰乙酸二異丙醇鋁以及鋁三(乙酰乙酸乙酯)。

以上添加劑可以單獨(dú)使用?；蛘撸陨匣衔镏械膬煞N或兩種以上可以混合或者以縮聚物的形式使用。

底涂層可以具有35以上的維氏硬度。

為減少莫爾條紋的形成，可以將底涂層的表面粗糙度(即十點(diǎn)平均粗糙度)控制在作為曝光光使用的激光束的波長(zhǎng)λ的1/(4n)至1/2，其中n是底涂層上將形成的層的折射率。

可以向底涂層添加樹(shù)脂顆粒等以調(diào)整底涂層的表面粗糙度。樹(shù)脂顆粒的示例包括有機(jī)硅樹(shù)脂顆粒以及交聯(lián)聚甲基丙烯酸甲酯樹(shù)脂顆粒?？梢匝心サ淄繉拥谋砻嬉哉{(diào)整底涂層的表面粗糙度。為研磨底涂層的表面，可以進(jìn)行拋光、噴砂、濕式珩磨、研磨等。

形成底涂層的方法不受限，可以采用已知的方法。例如，使用通過(guò)將上述成分與溶劑混合而制備的底涂層形成涂布液形成涂布膜，并且將涂布膜干燥，必要時(shí)加熱。

用于制備底涂層形成涂布液的溶劑的示例包括已知的有機(jī)溶劑，例如醇溶劑、芳香烴溶劑、鹵代烴類溶劑、酮溶劑、酮醇溶劑、醚類溶劑以及酯溶劑。

其具體示例包括下列常見(jiàn)有機(jī)溶劑：甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、芐醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、醋酸甲酯、乙酸乙酯、醋酸正丁酯、二氧六環(huán)、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯以及甲苯。

例如，為在制備底涂層形成涂布液的過(guò)程中分散無(wú)機(jī)顆粒，可以使用已知的設(shè)備，例如滾磨機(jī)、球磨機(jī)、振動(dòng)球磨機(jī)、磨碎機(jī)、砂磨機(jī)、膠體磨以及油漆搖動(dòng)器。

例如，為使用底涂層形成涂布液涂布導(dǎo)電基底，可以采用常用的方法，例如刮刀涂布、線棒涂布、噴涂、浸漬涂布、珠涂布、氣刀涂布以及簾式涂布。

例如，底涂層的厚度優(yōu)選地設(shè)置為15μm以上，更優(yōu)選地設(shè)置為20μm以上且50μm以下。

中間層

盡管附圖中未示出，可以可選地在底涂層和感光層之間設(shè)置中間層。

例如，中間層包括樹(shù)脂。中間層中包括的樹(shù)脂的示例包括下列高分子化合物：縮醛樹(shù)脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹(shù)脂、聚乙烯醇縮醛樹(shù)脂、酪蛋白樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、纖維素樹(shù)脂、明膠、聚氨酯樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、甲基丙烯酸樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚氯乙烯樹(shù)脂、聚醋酸乙烯酯樹(shù)脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來(lái)酸酐樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂、有機(jī)硅-醇酸樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂以及三聚氰胺樹(shù)脂。

中間層可以包括有機(jī)金屬化合物。可以包括在中間層中的有機(jī)金屬化合物的示例包括含有諸如鋯原子、鈦原子、鋁原子、錳原子或硅原子的金屬原子的有機(jī)金屬化合物。

可以包括在中間層中的以上化合物可以單獨(dú)使用?；蛘撸陨匣衔镏械膬煞N或兩種以上可以混合或者以縮聚物的形式使用。

具體地說(shuō)，中間層可以包括含有鋯原子或硅原子的有機(jī)金屬化合物。

形成中間層的方法不受限，可以采用已知的方法。例如，使用通過(guò)將上述成分與溶劑混合而制備的中間層形成涂布液形成涂布膜，并且將涂布膜干燥，必要時(shí)加熱。

為形成中間層，可以采用常用的涂布方法，例如浸漬涂布、上推涂布(pushcoating)、線棒涂布、噴涂、刮刀涂布、氣刀涂布以及簾式涂布。

例如，中間層的厚度可以設(shè)置為0.1μm以上且3μm以下?？梢允褂弥虚g層作為底涂層。

單層型感光層

根據(jù)本示例性實(shí)施例的單層型感光層的馬氏硬度hm被設(shè)置為170n/mm²以上且200n/mm²以下，優(yōu)選地設(shè)置為175n/mm²以上且195n/mm²以下，更優(yōu)選地設(shè)置為180n/mm²以上且190n/mm²以下以增加將感光體的表面存在的異物去除的容易度并保持高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力。

可以通過(guò)以下方法測(cè)量感光層的馬氏硬度hm。

將具有待測(cè)量感光層的感光體在23℃和30％rh的環(huán)境下放在由菲舍爾分析儀器(fischerinstruments)制造的測(cè)量設(shè)備“picodentorhm500”上。將維氏壓頭壓在感光體(即感光層)的表面上，并不斷增加用壓頭加壓感光體的表面的載荷量。將壓頭被壓下0.5μm的測(cè)試載荷的量除以壓頭的表面積，并將該商數(shù)視為感光層的馬氏硬度hm。

在下列五個(gè)位置進(jìn)行馬氏硬度hm的測(cè)量：在軸向方向上距離感光體各端40mm和80mm的位置以及在軸向方向上感光體的中心。在這五個(gè)位置測(cè)量的馬氏硬度hm的平均值被視為感光層的“馬氏硬度hm”。

待測(cè)量的感光層可以是通過(guò)切割感光體制備的感光層。

下面描述用于控制感光層的馬氏硬度hm在上述范圍以內(nèi)的方法。

單層型感光層的厚度優(yōu)選設(shè)置為15μm以上且40μm以下，更優(yōu)選設(shè)置為18μm以上且30μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)置為20μm以上且25μm以下。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的單層型感光層包括粘合劑樹(shù)脂、作為電荷產(chǎn)生材料的特定酞菁顏料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料，以及，根據(jù)需要，其他添加劑。下面詳細(xì)描述單層型感光層的各成分。

粘合劑樹(shù)脂

粘合劑樹(shù)脂的示例包括但不限于聚碳酸酯樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚芳酯樹(shù)脂、甲基丙烯酸樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚氯乙烯樹(shù)脂、聚偏二氯乙烯樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂、聚醋酸乙烯酯樹(shù)脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來(lái)酸酐共聚物、有機(jī)硅樹(shù)脂、有機(jī)硅-醇酸樹(shù)脂、苯酚甲醛樹(shù)脂、苯乙烯醇酸樹(shù)脂、聚-n-乙烯基咔唑以及聚硅烷。以上粘合劑樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或者兩種或兩種以上混合使用。

在以上粘合劑樹(shù)脂中，為容易地將感光層的馬氏硬度hm控制在上述范圍以內(nèi)，可以使用聚碳酸酯樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂以及聚對(duì)苯二甲酸乙二酯樹(shù)脂。特別地，可以使用粘度平均分子量為30,000以上且80,000以下的聚碳酸酯樹(shù)脂、粘度平均分子量為30,000以上且60,000以下的聚苯乙烯樹(shù)脂以及粘度平均分子量為30,000以上且60,000以下的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯樹(shù)脂。

粘合劑樹(shù)脂的含量可以是感光層的總固體含量的35重量％以上且60重量％以下，理想為20重量％以上且35重量％以下。

可以通過(guò)以下一點(diǎn)式測(cè)量方法測(cè)量粘合劑樹(shù)脂的粘度平均分子量。

使待測(cè)量感光層暴露于感光體的表面。使用感光層的一塊作為測(cè)量樣品。

接著，提取測(cè)量樣品中含有的粘合劑樹(shù)脂。將一份(1g)提取的粘合劑樹(shù)脂溶解到100cm³的二氯甲烷，并在25℃下使用烏氏粘度計(jì)測(cè)量所產(chǎn)生溶液的比粘度ηsp。極限粘度[η](cm³/g)基于以下關(guān)系表達(dá)式進(jìn)行計(jì)算：

ηsp/c＝[η]+0.45[η]²c，其中c表示濃度(g/cm³)。

粘度平均分子量mv利用由h.schnell給出的以下關(guān)系表達(dá)式進(jìn)行計(jì)算：

[η]＝1.23×10^-4mv^0.83

電荷產(chǎn)生材料

使用選自羥基鎵酞菁顏料和氯化鎵酞菁顏料中的至少一種顏料作為電荷產(chǎn)生材料以限制當(dāng)感光層的硬度降低時(shí)可能發(fā)生的感光體本來(lái)要求的功能的劣化。

以上顏料可以單獨(dú)作為電荷產(chǎn)生材料使用?；蛘撸鶕?jù)需要，可以組合使用兩種或兩種以上的以上顏料。

特別地，例如，羥基鎵酞菁顏料可以是在涵蓋600nm以上且900nm以下的范圍的光譜吸收光譜內(nèi)具有810nm以上且839nm以下的最大峰值波長(zhǎng)的羥基鎵酞菁顏料，因?yàn)樗隽u基鎵酞菁顏料能夠以更高的程度分散。也就是說(shuō)，當(dāng)所述羥基鎵酞菁顏料作為電子照相感光體的材料使用時(shí)，有可能獲得優(yōu)良的可分散性、足夠高的靈敏度、足夠高的帶電性以及足夠高的暗衰減特性。

具有810nm以上且839nm以下的最大峰值波長(zhǎng)的羥基鎵酞菁顏料可以具有在特定范圍以內(nèi)的平均粒徑以及在特定范圍以內(nèi)的bet比表面積。具體地說(shuō)，所述羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑優(yōu)選為0.20μm以下，更優(yōu)選為0.01μm以上且0.15μm以下，而所述羥基鎵酞菁顏料的bet比表面積優(yōu)選為45m²/g以上，更優(yōu)選為50m²/g以上，特別優(yōu)選為55m²/g以上且120m²/g以下。羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑是利用由堀場(chǎng)公司(horiba,ltd.)制造的激光衍射/散射粒徑分布分析儀“l(fā)a-700”測(cè)量的羥基鎵酞菁顏料的體積平均粒徑(即d50平均粒徑)。羥基鎵酞菁顏料的bet比表面積利用由日本島津公司(shimadzucorporation)制造的bet比表面積分析儀“flowsorbii2300”通過(guò)氮?dú)鉀_洗法進(jìn)行測(cè)量。

如果羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑大于0.20μm或者羥基鎵酞菁顏料的bet比表面積小于45m²/g，顏料顆粒的尺寸有可能過(guò)大或者顏料顆粒有可能形成聚集體。這樣，增加了諸如分散性、靈敏度、帶電性以及暗衰減特性的性能劣化的發(fā)生率，由此可能會(huì)增加圖像重量的缺陷。

羥基鎵酞菁顏料的最大粒徑(即最大初級(jí)粒徑)優(yōu)選為1.2μm以下，更優(yōu)選為1.0μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.3μm以下。如果羥基鎵酞菁顏料的最大粒徑超過(guò)以上范圍，可能會(huì)增加黑斑的發(fā)生。

羥基鎵酞菁顏料可以具有0.2μm以下的平均粒徑，1.2μm以下的最大粒徑以及45m²/g以上的比表面積以降低由于感光體暴露于熒光燈等而可能發(fā)生的密度不一致。

羥基鎵酞菁顏料可以是在由cukα輻射測(cè)量的x射線衍射光譜中至少在7.3°、16.0°、24.9°和28.0°的布拉格角(2θ±0.2°)具有衍射峰的v型羥基鎵酞菁顏料。

盡管氯化鎵酞菁顏料的類型不受限，但氯化鎵酞菁顏料在7.4°、16.6°、25.5°和28.3°的布拉格角(2θ±0.2°)可以具有衍射峰。所述氯化鎵酞菁顏料作為具有優(yōu)良靈敏度的電子照相感光體的材料。

氯化鎵酞菁顏料在光譜吸收光譜中的適宜的最大峰值波長(zhǎng)、平均粒徑、最大粒徑和比表面積與羥基鎵酞菁顏料相同。

電荷產(chǎn)生材料的含量不受限，但優(yōu)選為感光層的總固體含量的1.4重量％以上且2.6重量％以下，更優(yōu)選為1.5重量％以上且2.3重量％以下以保持高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力，即感光體本來(lái)要求的功能。

空穴傳輸材料

空穴傳輸材料的示例包括但不限于諸如2,5-雙(對(duì)二乙氨基苯基)-1,3,4-惡二唑的惡二唑衍生物；諸如1,3,5-三苯基-吡唑啉和1-[吡啶基-(2)]-3-(對(duì)二乙氨基苯乙烯基)-5-(對(duì)二乙氨基苯乙烯基)吡唑啉的吡唑啉衍生物；諸如三苯胺、n,n'-雙(3,4-二甲苯基)聯(lián)苯-4-胺、三(對(duì)甲基苯基)胺基-4-胺和二芐苯胺的芳香族叔胺；諸如n,n'-雙(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺的芳香族叔二胺；諸如3-(4'-二甲氨基苯基)-5,6-雙-(4'-甲氧基苯基)-1,2,4-三嗪的1,2,4-三嗪衍生物；諸如4-二乙氨基苯甲醛-1,1-二苯基腙的腙衍生物；諸如2-苯基-4-苯乙烯基-喹唑啉的喹唑啉衍生物；諸如6-羥基-2,3-雙(對(duì)甲氧基苯基)苯并呋喃的苯并呋喃衍生物；諸如對(duì)(2,2-二苯基乙烯基)-n,n-二苯基苯胺的α-二苯乙烯衍生物；烯胺衍生物；諸如n-乙基咔唑的咔唑衍生物；聚-n-乙烯咔唑及其衍生物；以及具有主鏈或側(cè)鏈的聚合物，該主鏈或側(cè)鏈為由以上化合物構(gòu)成的基團(tuán)。以上空穴傳輸材料可以單獨(dú)使用或者兩種或兩種以上組合使用。

在以上空穴傳輸材料中，從電荷遷移率的角度來(lái)說(shuō)，可以使用芳香族叔胺。特別地，可以使用由以下通式(ht1)表示的三芳基胺類空穴傳輸材料以及由以下通式(ht2)表示的丁二烯類空穴傳輸材料。三芳基胺類空穴傳輸材料可以是由以下通式(ht1a)表示的聯(lián)苯胺類空穴傳輸材料。

下面描述三芳基胺類空穴傳輸材料(ht1)。

三芳基胺類空穴傳輸材料(ht1)是由以下通式(ht1)表示的空穴傳輸材料。

在通式(ht1)中，ar^t1、ar^t2和ar^t3各自獨(dú)立地表示芳基或-c6h4-c(r^t4)＝c(r^t5)(r^t6)基團(tuán)，其中r^t4、r^t5和r^t6各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基或芳基；并且r^t5和r^t6可以彼此粘合以形成烴環(huán)結(jié)構(gòu)。

以上通式(ht1)中由ar^t1、ar^t2和ar^t3表示的芳基的示例為具有6-15個(gè)碳原子，優(yōu)選為6-9個(gè)碳原子，更優(yōu)選為6-8個(gè)碳原子的芳基。

所述芳基的具體示例包括苯基、萘基以及芴基。

特別地，在以上芳基中，可以使用苯基。

以上通式(ht1)中由r^t4、r^t5和r^t6表示的烷基的示例與下面描述的在通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的烷基的示例相同。以上通式(ht1)中由r^t4、r^t5和r^t6表示的烷基的優(yōu)選范圍與通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的烷基的優(yōu)選范圍相同。

通式(ht1)中由r^t4、r^t5和r^t6表示的芳基的示例與由ar^t1、ar^t2和ar^t3表示的芳基的以上示例相同。通式(ht1)中由r^t4、r^t5和r^t6表示的芳基的優(yōu)選范圍與由ar^t1、ar^t2和ar^t3表示的芳基的優(yōu)選范圍相同。

通式(ht1)中由ar^t1、ar^t2、ar^t3、r^t4、r^t5和r^t6表示的取代基可以進(jìn)一步具有取代子基團(tuán)。取代子基團(tuán)的示例包括鹵素原子、具有1-5個(gè)碳原子的烷基、具有1-5個(gè)碳原子的烷氧基以及具有6-10個(gè)碳原子的芳基。取代基的取代子基團(tuán)的另一個(gè)示例是由具有1-3個(gè)碳原子的烷基取代的氨基。

可以僅單獨(dú)使用一種三芳基胺類空穴傳輸材料(ht1)?；蛘?，可以組合使用兩種或兩種以上的三芳基胺類空穴傳輸材料(ht1)。

在由通式(ht1)表示的三芳基胺類空穴傳輸材料中，從電荷遷移率的角度來(lái)說(shuō)，可以使用具有-c6h4-c(r^t4)＝c(r^t5)(r^t6)基團(tuán)的三芳基胺類空穴傳輸材料。特別地，可以使用由以下公式(ht1-4)表示的三芳基胺類空穴傳輸材料，該三芳基胺類空穴傳輸材料為三芳基胺類空穴傳輸材料(ht1)的一種具體示例。

下面描述聯(lián)苯胺類空穴傳輸材料(ht1a)。

聯(lián)苯胺類空穴傳輸材料(ht1a)是由以下通式(ht1a)表示的空穴傳輸材料。

在通式(ht1a)中，r^c21、r^c22和r^c23各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、具有1-10個(gè)碳原子的烷基、具有1-10個(gè)碳原子的烷氧基或者具有6-10個(gè)碳原子的芳基。

通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的鹵素原子的示例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。在以上鹵素原子中，優(yōu)選氟原子和氯原子，更優(yōu)選氯原子。

通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的烷基的示例包括具有1-10個(gè)碳原子，優(yōu)選1-6個(gè)碳原子，更優(yōu)選1-4個(gè)碳原子的直鏈烷基或支鏈烷基。

直鏈烷基的具體示例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基以及正癸基。

支鏈烷基的具體示例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基以及叔癸基。

特別地，在以上烷基中，可以使用諸如甲基、乙基和異丙基的低級(jí)烷基。

通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的烷氧基的示例包括具有1-10個(gè)碳原子，優(yōu)選1-6個(gè)碳原子，更優(yōu)選1-4個(gè)碳原子的直鏈烷氧基或支鏈烷氧基。

直鏈烷氧基的具體示例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基以及正癸氧基。

支鏈烷氧基的具體示例包括異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、異己氧基、仲己氧基、叔己氧基、異庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、異辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、異壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、異癸氧基、仲癸氧基以及叔癸氧基。

特別地，在以上烷氧基中，可以使用甲氧基。

通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的芳基的示例包括具有6-10個(gè)碳原子，優(yōu)選6-9個(gè)碳原子，更優(yōu)選6-8個(gè)碳原子的芳基。

芳基的具體示例包括苯基以及萘基。

特別地，在以上芳基中，可以使用苯基。

通式(ht1a)中由r^c21、r^c22和r^c23表示的取代基可以進(jìn)一步具有取代子基。取代子基的示例包括以上作為示例描述的原子和基團(tuán)，例如鹵素原子、烷基、烷氧基以及芳基。

可以僅單獨(dú)使用一種聯(lián)苯胺類空穴傳輸材料(ht1a)?；蛘?，可以組合使用兩種或兩種以上的聯(lián)苯胺類空穴傳輸材料(ht1a)。

三芳基胺類空穴傳輸材料(ht1)和聯(lián)苯胺類空穴傳輸材料(ht1a)的具體示例包括但不限于下列由公式(ht1-1)至(ht1-7)表示的化合物。

下面描述丁二烯類空穴傳輸材料(ht2)。

丁二烯類空穴傳輸材料(ht2)是由以下通式(ht2)表示的空穴傳輸材料。

在通式(ht2)中，r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、具有1-20個(gè)碳原子的烷基、具有1-20個(gè)碳原子的烷氧基或者具有6-30個(gè)碳原子的芳基；一對(duì)相鄰的取代基可以彼此粘合以形成烴環(huán)結(jié)構(gòu)；并且n和m各自獨(dú)立地表示0、1或2。

通式(ht2)中由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的鹵素原子的示例包括氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。在以上鹵素原子中，優(yōu)選氟原子和氯原子，更優(yōu)選氯原子。

通式(ht2)中由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的烷基的示例包括具有1-20個(gè)碳原子，優(yōu)選1-6個(gè)碳原子，更優(yōu)選1-4個(gè)碳原子的直鏈烷基或支鏈烷基。

直鏈烷基的具體示例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基以及正二十烷基。

支鏈烷基的具體示例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基、叔癸基、異十一烷基、仲十一烷基、叔十一烷基、新十一烷基、異十二烷基、仲十二烷基、叔十二烷基、新十二烷基、異十三烷基、仲十三烷基、叔十三烷基、新十三烷基、異十四烷基、仲十四烷基、叔十四烷基、新十四烷基、1-異丁基-4-乙基辛基、異十五烷基、仲十五烷基、叔十五烷基、新十五烷基、異十六烷基、仲十六烷基、叔十六烷基、新十六烷基、1-甲基十五烷基、異十七烷基、仲十七烷基、叔十七烷基、新十七烷基、異十八烷基、仲十八烷基、叔十八烷基、新十八烷基、異十九烷基、仲十九烷基、叔十九烷基、新十九烷基、1-甲基辛基、異二十烷基、仲二十烷基、叔二十烷基以及新二十烷基。

特別地，在以上烷基中，可以使用諸如甲基、乙基和異丙基的低級(jí)烷基。

通式(ht2)中由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的烷氧基的示例包括具有1-20個(gè)碳原子，優(yōu)選1-6個(gè)碳原子，更優(yōu)選1-4個(gè)碳原子的直鏈烷氧基或支鏈烷氧基。

直鏈烷氧基的具體示例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基、正十三烷氧基、正十四烷氧基、正十五烷氧基、正十六烷氧基、正十七烷氧基、正十八烷氧基、正十九烷氧基以及正二十烷氧基。

支鏈烷氧基的具體示例包括異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、異己氧基、仲己氧基、叔己氧基、異庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、異辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、異壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、異癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基、異十一烷氧基、仲十一烷氧基、叔十一烷氧基、新十一烷氧基、異十二烷氧基、仲十二烷氧基、叔十二烷氧基、新十二烷氧基、異十三烷氧基、仲十三氧基、叔十三烷氧基、新十三烷氧基、異十四烷氧基、仲十四氧基、叔十四烷氧基、新十四烷氧基、1-異丁基-4-乙基辛氧基、異十五烷氧基、仲十五氧基、叔十五烷氧基、新十五烷氧基、異十六烷氧基、仲十六氧基、叔十六烷氧基、新十六烷氧基、1-甲基十五烷氧基、異十七烷氧基、仲十七氧基、叔十七烷氧基、新十七烷氧基、異十八烷氧基、仲十八氧基、叔十八烷氧基、新十八烷氧基、異十九烷氧基、仲十九烷氧基、叔十九烷氧基、新十九烷氧基、1-甲基辛氧基、異二十烷氧基、仲二十烷氧基、叔二十烷氧基以及新二十烷氧基。

特別地，在以上烷氧基中，可以使用甲氧基。

通式(ht2)中由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的芳基的示例包括具有6-30個(gè)碳原子，優(yōu)選6-20個(gè)碳原子，更優(yōu)選6-16個(gè)碳原子的芳基。

所述芳基的具體示例包括苯基、萘基、菲基以及聯(lián)苯基。

特別地，在以上芳基中，可以使用苯基和萘基。

通式(ht2)中由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的取代基可以進(jìn)一步具有取代子基。取代子基的示例包括以上作為示例描述的原子和基團(tuán)，例如鹵素原子、烷基、烷氧基以及芳基。

例如，在通式(ht2)中，選自r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16的一對(duì)相鄰的取代基，即，r^c11和r^c12對(duì)、r^c13和r^c14對(duì)或r^c15和r^c16對(duì)，可彼此粘合以形成烴環(huán)結(jié)構(gòu)的基團(tuán)的示例包括單鍵、2,2'-亞甲基、2,2'-乙烯基以及2,2'-亞乙烯基。特別地，可以使用單鍵和2,2'-亞甲基。

烴環(huán)結(jié)構(gòu)的具體示例包括環(huán)烷結(jié)構(gòu)、環(huán)烯結(jié)構(gòu)以及環(huán)烷多烯結(jié)構(gòu)。

特別地，在通式(ht2)中，n和m可以是1。

優(yōu)選地，在通式(ht2)中，r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示氫原子、具有1-20個(gè)碳原子的烷基或者具有1-20個(gè)碳原子的烷氧基，并且m和n表示1或2以形成具有高空穴可傳輸性的感光層，即，空穴傳輸層。更優(yōu)選地，r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示氫原子，并且m和n表示1。

換句話說(shuō)，更優(yōu)選地，丁二烯類空穴傳輸材料(ht2)是由以下結(jié)構(gòu)式(ht2a)表示的空穴傳輸材料，即，例示化合物(ht2-3)。

丁二烯類空穴傳輸材料(ht2)的具體示例包括但不限于由公式(ht2-1)至(ht2-24)表示的下列化合物。

用于描述以上例示化合物的縮寫(xiě)詞代表如下含義。附加在取代基前面的編號(hào)各自指取代基連接到苯環(huán)上的位置。

·ch3：甲基

·och3：甲氧基

可以僅單獨(dú)使用一種丁二烯類空穴傳輸材料(ht2)?；蛘?，可以組合使用兩種或兩種以上的丁二烯類空穴傳輸材料(ht2)。

例如，空穴傳輸材料的含量可以是粘合劑樹(shù)脂的數(shù)量的10重量％以上且98重量％以下，理想為60重量％以上且95重量％以下，更理想為70重量％以上且90重量％以下。

電子傳輸材料

電子傳輸材料的示例包括但不限于諸如氯醌和溴醌的醌；四氰基對(duì)醌二甲烷類化合物；諸如2,4,7-三硝基芴酮、9-二氰基亞甲基-9-芴酮-4-辛基羧酸鹽和2,4,5,7-四硝基-9-芴酮的芴酮；諸如2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑、2,5-雙(4-萘基)-1,3,4-惡二唑和2,5-雙(4-二乙氨基苯基)-1,3,4-惡二唑的惡二唑；氧雜蒽酮；噻吩；諸如3,3'-雙-叔戊基-聯(lián)萘醌的聯(lián)萘醌；諸如3,3'-雙-叔丁基-5,5'-二甲基聯(lián)苯醌和3,3',5,5'-四-叔丁基-4,4’-聯(lián)苯醌的聯(lián)苯醌；以及具有主鏈或側(cè)鏈的聚合物，該主鏈或側(cè)鏈為由以上化合物構(gòu)成的基團(tuán)。以上空穴傳輸材料可以單獨(dú)使用或者兩種或兩種以上組合使用。

特別地，在以上電子傳輸材料中，可以使用由以下通式(et1)表示的芴酮類電子傳輸材料和由以下通式(et2)表示的聯(lián)苯醌類電子傳輸材料。

下面描述由通式(et1)表示的芴酮類電子傳輸材料。

在以上通式(et1)中，r¹¹¹和r¹¹²各自獨(dú)立地表示鹵素原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；r¹¹³表示烷基、-l¹¹⁴-o-r¹¹⁵基、芳基或芳烷基，其中l(wèi)¹¹⁴是亞烷基且r¹¹⁵是烷基；并且n1和n2各自獨(dú)立地表示0到3的整數(shù)。

通式(et1)中由r¹¹¹和r¹¹²表示的鹵素原子的示例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。

通式(et1)中由r¹¹¹和r¹¹²表示的烷基的示例包括具有1-4個(gè)碳原子，優(yōu)選1-3個(gè)碳原子的直鏈烷基或支鏈烷基。所述烷基的具體示例包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基以及叔丁基。

通式(et1)中由r¹¹¹和r¹¹²表示的烷氧基的示例包括具有1-4個(gè)碳原子，優(yōu)選1-3個(gè)碳原子的烷氧基。所述烷氧基的具體示例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基以及丁氧基。

通式(et1)中由r¹¹¹和r¹¹²表示的芳基的示例包括苯基和甲苯基。

通式(et1)中由r¹¹¹和r¹¹²表示的芳烷基的示例包括芐基、苯乙基以及苯丙基。

特別地，通式(et1)中由r¹¹¹和r¹¹²表示的上述基團(tuán)中，可以使用苯基。

通式(et1)中由r¹¹³表示的烷基的示例包括具有1-15個(gè)碳原子，優(yōu)選5-10個(gè)碳原子的直鏈烷基以及具有3-15個(gè)碳原子，優(yōu)選5-10個(gè)碳原子的支鏈烷基。

具有1-15個(gè)碳原子的直鏈烷基的示例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基以及正十五烷基。

具有3-15個(gè)碳原子的支鏈烷基的示例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基、叔癸基、異十一烷基、仲十一烷基、叔十一烷基、異十二烷基、仲十二烷基、叔十二烷基、異十三烷基、仲十三烷基、叔十三烷基、異十四烷基、仲十四烷基、叔十四烷基、異十五烷基、仲十五烷基以及叔十五烷基。

在通式(et1)中由r¹¹³表示的-l¹¹⁴-o-r¹¹⁵基團(tuán)中，l¹¹⁴表示亞烷基，且r¹¹⁵表示烷基。

由l¹¹⁴表示的亞烷基的示例包括具有1-12個(gè)碳原子的直鏈亞烷基和支鏈亞烷基，例如亞甲基、亞乙基、正亞丙基、異亞丙基、正亞丁基、異亞丁基、仲亞丁基、叔亞丁基、正亞戊基、異亞戊基、新亞戊基以及叔亞戊基。

由r¹¹⁵表示的烷基的示例與由r¹¹¹和r¹¹²表示的烷基的上述示例相同。

通式(et1)中由r¹¹³表示的芳基的示例包括苯基、甲基苯基以及二甲苯基。

在通式(et1)中由r¹¹³表示芳基的情況下，從可溶性的角度來(lái)說(shuō)，芳基可以包括烷基取代基?？梢宰鳛槿〈ㄔ诜蓟械耐榛氖纠c由r¹¹¹和r¹¹²表示的烷基的上述示例相同。包括烷基取代基的芳基的具體示例包括甲基苯基、二甲苯基以及乙基苯基。

通式(et1)中由r¹¹³表示的芳烷基的示例為-r¹¹⁶-ar基團(tuán)，其中r¹¹⁶表示亞烷基，且ar表示芳基。

由r¹¹⁶表示的亞烷基的示例包括具有1-12個(gè)碳原子的直鏈亞烷基和支鏈亞烷基，例如亞甲基、亞乙基、正亞丙基、異亞丙基、正亞丁基、異亞丁基、仲亞丁基、叔亞丁基、正亞戊基、異亞戊基、新亞戊基以及叔亞戊基。

且ar表示的芳基的示例包括苯基、甲基苯基、乙基苯基以及二甲苯基。

通式(et1)中由r¹¹³表示的芳烷基的具體示例包括芐基、甲基芐基、二甲基芐基、苯乙基、甲基苯乙基、乙基苯乙基、苯丙基以及苯丁基。

特別地，例如，在由通式(et1)表示的芴酮類電子傳輸材料中，優(yōu)選r¹¹³表示芳烷基或者具有5-10個(gè)碳原子的支鏈烷基以提高靈敏度。更優(yōu)選地，r¹¹¹和r¹¹²各自獨(dú)立地表示鹵素原子或烷基，且r¹¹³表示芳烷基或者具有5-10個(gè)碳原子的支鏈烷基。出于同樣的目的，-co(＝o)-r¹¹³基團(tuán)進(jìn)一步優(yōu)選地連接到2-或4-位置上，具體優(yōu)選地連接到4-位置上。

可以僅單獨(dú)使用由通式(et1)表示的一種芴酮類電子傳輸材料?；蛘撸梢越M合使用由通式(et1)表示的兩種或兩種以上的芴酮類電子傳輸材料。

由通式(et1)表示的芴酮類電子傳輸材料的示例包括但不限于下列例示化合物。以下，例示化合物被編號(hào)為“例示化合物(et1-[編號(hào)])”，例如“例示化合物(et1-2)”。

用于描述以上例示化合物的縮寫(xiě)詞代表如下含義。

附加在取代基前面的符號(hào)“[編號(hào)]-”指取代基連接到芴環(huán)上的位置。例如，符號(hào)“1-cl”指連接到芴環(huán)的1-位置上的氯(cl)原子。符號(hào)“4-co(＝o)-r¹¹³”指連接到芴環(huán)的4-位置上的-co(＝o)-r¹¹³基團(tuán)。

附加在取代基前面的符號(hào)“1-至-3-”表示取代基連接到芴環(huán)的1-至3-位置中的所有位置上。附加在取代基前面的符號(hào)“5-到-8-”表示取代基連接到芴環(huán)的5-到8-位置中的所有位置上。

符號(hào)“ph”指苯基。

下面描述由通式(et2)表示的聯(lián)苯醌類電子傳輸材料。

在通式(et2)中，r²¹¹、r²¹²、r²¹³和r²¹⁴各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子或苯基，

通式(et2)中由r²¹¹至r²¹⁴表示的烷基的示例包括具有1-6個(gè)碳原子的直鏈烷基和支鏈烷基。其具體示例包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、戊基以及己基。

由r²¹¹至r²¹⁴表示的烷基可以包括取代基?？梢园ㄔ谕榛械娜〈氖纠ōh(huán)烷基以及氟取代烷基。

通式(et2)中由r²¹¹至r²¹⁴表示的烷氧基的示例包括具有1-6個(gè)碳原子的烷氧基。其具體示例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基以及丁氧基。

通式(et2)中由r²¹¹至r²¹⁴表示的鹵素原子的示例包括氯原子、碘原子、溴原子以及氟原子。

通式(et2)中由r²¹¹至r²¹⁴表示的苯基可以包括取代基?？梢园ㄔ诒交械娜〈氖纠ň哂欣?-6個(gè)碳原子的烷基、具有例如1-6個(gè)碳原子的烷氧基以及聯(lián)苯基。

可以僅單獨(dú)使用由通式(et2)表示的一種聯(lián)苯醌類電子傳輸材料?；蛘?，可以組合使用由通式(et2)表示的兩種或兩種以上的聯(lián)苯醌類電子傳輸材料。

由通式(et2)表示的聯(lián)苯醌類電子傳輸材料的示例包括但不限于下列例示化合物。以下，例示化合物被編號(hào)為“例示化合物(et2-[編號(hào)])”，例如“例示化合物(et2-2)”。

例如，電子傳輸材料的含量可以是粘合劑樹(shù)脂的數(shù)量的4重量％以上且70重量％以下，理想為8重量％以上且50重量％以下，更理想為10重量％以上且30重量％以下。

空穴傳輸材料和電子傳輸材料之間的重量比

空穴傳輸材料和電子傳輸材料之間的重量比，也就是說(shuō)，[空穴傳輸材料]/[電子傳輸材料]理想為50/50以上且90/10以下，更理想為60/40以上且80/20以下。

其他添加劑

單層型感光層可以包括其他已知的添加劑，例如抗氧化劑、光穩(wěn)定劑和熱穩(wěn)定劑。在單層型感光層作為表面層(即保護(hù)層)的情況下，感光層可以包括氟樹(shù)脂顆粒、硅油等。

單層型感光層的形成

單層型感光層使用通過(guò)混合上述感光層成分(例如電荷產(chǎn)生材料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料和粘合劑樹(shù)脂)與溶劑以及，根據(jù)需要，諸如分散助劑的添加劑制備的感光層形成涂布液來(lái)形成。例如，具體地說(shuō)，將感光層形成涂布液涂敷到導(dǎo)電性支撐體或底涂層上，并將沉積在導(dǎo)電性支撐體或底涂層上的涂布液(即涂布膜)干燥以形成感光層。感光層形成涂布液可以通過(guò)同時(shí)混合上述感光層成分與溶劑或者通過(guò)將各溶液混合在一起來(lái)制備，該各溶液通過(guò)將至少一種感光層成分與溶劑混合來(lái)制備。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的感光層具有170n/mm²以上且200n/mm²以下的馬氏硬度hm。可以通過(guò)將沉積在導(dǎo)電性支撐體或底涂層上的涂布液(即涂布膜)被干燥的溫度設(shè)置為低于正常干燥溫度來(lái)將感光層的馬氏硬度hm控制在以上范圍內(nèi)。

例如，干燥溫度優(yōu)選設(shè)置為100℃以上且140℃以下，更優(yōu)選設(shè)置為120℃以上且138℃以下，進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)置為125℃以上且135℃以下。

進(jìn)行干燥的時(shí)間也可以跟干燥溫度一樣進(jìn)行控制。例如，干燥時(shí)間優(yōu)選設(shè)置為15分鐘以上且40分鐘以下，更優(yōu)選設(shè)置為20分鐘以上且35分鐘以下，進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)置為22分鐘以上且25分鐘以下。

在處于以上范圍內(nèi)的干燥溫度下(優(yōu)選地，在以上范圍內(nèi)的干燥時(shí)間以及以上范圍內(nèi)的干燥溫度下)將沉積在導(dǎo)電性支撐體或底涂層上的感光層形成涂布液干燥從而使感光層中的殘余溶劑含量增至充分的水平。具體地說(shuō)，容易將殘余溶劑含量控制到感光層的總重量的0.04重量％以上且1.6重量％以下(優(yōu)選地，0.5重量％以上且1.3重量％以下；更優(yōu)選地，0.8重量％以上且1.1重量％以下)。

認(rèn)為這樣降低了感光層中包括的樹(shù)脂彼此粘附的程度，從而降低了感光體(在本示例性實(shí)施例中，感光層)的表面的硬度，并且增加了感光體的表面的磨損。其結(jié)果，可以容易地增加了將感光體的表面存在的異物去除的容易度。

在根據(jù)本示例性實(shí)施例的感光體中，向感光層中添加作為電荷產(chǎn)生材料的特定酞菁顏料以在即使當(dāng)感光層的馬氏硬度hm被降至170n/mm²時(shí)也保持本來(lái)要求的功能(即高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力)。

可以通過(guò)在感光層形成涂布液的制備過(guò)程中進(jìn)行用于提高電荷產(chǎn)生材料的可分散性的操作來(lái)容易地提高上述電荷產(chǎn)生材料的電荷產(chǎn)生能力。用于提高電荷產(chǎn)生材料的可分散性的操作的示例為電荷產(chǎn)生材料被預(yù)混合的方法。在該方法中，在感光層形成涂布液的制備過(guò)程中，通過(guò)將電荷產(chǎn)生材料分散到溶劑中來(lái)制備溶液(以下，該溶液被稱為“電荷產(chǎn)生材料分散液”)，并將電荷產(chǎn)生材料分散液添加到感光層形成涂布液中。為將電荷產(chǎn)生材料分散到溶劑中，可以使用分散設(shè)備。

分散設(shè)備的示例包括諸如球磨機(jī)、振動(dòng)球磨機(jī)、磨碎機(jī)、砂磨機(jī)和臥式砂磨機(jī)的介質(zhì)分散機(jī)；以及諸如攪拌器、超聲波分散器、滾磨機(jī)、高壓均質(zhì)器(例如碰撞型和滲透型)、超聲波均質(zhì)器和納米分散機(jī)(nanomizer)的無(wú)介質(zhì)分散機(jī)。特別地，在以上分散設(shè)備中，可以使用超聲波均質(zhì)器、納米分散機(jī)(nanomizer)和超聲波分散器以提高電荷產(chǎn)生材料的可分散性。

為進(jìn)一步提高電荷產(chǎn)生材料的可分散性，可以在電荷產(chǎn)生材料分散液的制備過(guò)程中使用分散助劑，例如胺化合物。另外，在將電荷產(chǎn)生材料分散液添加到感光層形成涂布液中之后，電荷產(chǎn)生材料可以與感光層形成涂布液中包括的其他感光層成分(例如空穴傳輸材料、電子傳輸材料和粘合劑樹(shù)脂)一起分散。例如，為使電荷產(chǎn)生材料可與其他感光層成分一起分散，可以使用上述分散設(shè)備。特別地，可以使用納米分散機(jī)(nanomizer)以進(jìn)一步提高電荷產(chǎn)生材料的可分散性。

進(jìn)行上述操作提高了電荷產(chǎn)生材料在感光層形成涂布液中的可分散性。因此，當(dāng)使用感光層形成涂布液形成感光層時(shí)，電荷產(chǎn)生材料在感光層基本均勻地分散。這樣，容易地提高了電荷產(chǎn)生材料的可分散性。由此，即使當(dāng)感光層的硬度降低，也可以容易地制造具有高帶電性且能夠形成高密度圖像的感光體。

溶劑的示例包括下列常用有機(jī)溶劑：諸如苯、甲苯、二甲苯和氯苯的芳香烴；諸如丙酮和2-丁酮的酮；諸如二氯甲烷、氯仿和氯化乙烯的鹵化脂肪族烴；以及諸如四氫呋喃和乙醚的環(huán)醚和直鏈醚。以上溶劑可以單獨(dú)使用或者兩種或兩種以上混合使用。

例如，為將通過(guò)上述操作制備的感光層形成涂布液涂敷到導(dǎo)電基底、底涂層等上，可以采用浸漬涂布、上推涂布、線棒涂布、噴涂、刮刀涂布、氣刀涂布以及簾式涂布。

圖像形成裝置以及處理盒

根據(jù)示例性實(shí)施例的圖像形成裝置包括電子照相感光體；充電單元，其對(duì)電子照相感光體的表面進(jìn)行充電；靜電潛像形成單元，其在電子照相感光體的已充電表面形成靜電潛像；顯影單元，其使用含有調(diào)色劑的顯影劑對(duì)電子照相感光體的表面形成的靜電潛像進(jìn)行顯影以形成調(diào)色劑圖像；以及轉(zhuǎn)印單元，其將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面。電子照相感光體是根據(jù)上述示例性實(shí)施例的電子照相感光體。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置可以作為下列已知圖像形成裝置中的任意一種實(shí)現(xiàn)：具有將轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)表面的調(diào)色劑圖像定影的定影單元的圖像形成裝置；直接將電子照相感光體的表面形成的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面的直接轉(zhuǎn)印式圖像形成裝置；將電子照相感光體的表面形成的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印體的表面(此過(guò)程被稱為“一次轉(zhuǎn)印”)并進(jìn)一步將轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印體的表面的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面(此過(guò)程被稱為“二次轉(zhuǎn)印”)的中間轉(zhuǎn)印式圖像形成裝置；具有對(duì)調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印之后尚未被充電的電子照相感光體的表面進(jìn)行清潔的清潔單元的圖像形成裝置；具有對(duì)調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印之后尚未被充電的電子照相感光體的表面照射電荷消除光以消除電荷的電荷消除單元的圖像形成裝置；以及具有對(duì)電子照相感光體進(jìn)行加熱以降低電子照相感光體的相對(duì)溫度的電子照相感光體加熱元件的圖像形成裝置。

例如，在中間轉(zhuǎn)印式圖像形成裝置中，轉(zhuǎn)印單元包括：中間轉(zhuǎn)印體，其上轉(zhuǎn)印有調(diào)色劑圖像；一次轉(zhuǎn)印單元，其將電子照相感光體的表面形成的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印體的表面(一次轉(zhuǎn)印)；以及二次轉(zhuǎn)印單元，其將轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印體的表面的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面(二次轉(zhuǎn)印)。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置可以是干式顯影圖像形成裝置或使用液體顯影劑顯影圖像的濕式顯影圖像形成裝置。

例如，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置中，具有電子照相感光體的部分可以具有墨盒結(jié)構(gòu)，也就是說(shuō)，可以是處理盒，其可拆卸地安裝到圖像形成裝置上。例如，處理盒可以具有根據(jù)上述示例性實(shí)施例的電子照相感光體。例如，處理盒可以進(jìn)一步具有至少一個(gè)選自由充電單元、靜電潛像形成單元、顯影單元和轉(zhuǎn)印單元組成的組中的部件。

下面描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的示例。但是，根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置不限于此。以下，僅描述附圖中示出的部件，省略其他部件的描述。

圖2示意性地示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的示例。

如圖2所示，根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置100具有處理盒300，該處理盒300包括電子照相感光體7、曝光裝置9(靜電潛像形成單元的示例)、轉(zhuǎn)印裝置40(即一次轉(zhuǎn)印裝置)以及中間轉(zhuǎn)印體50。在圖像形成裝置100中，設(shè)置曝光裝置9使得電子照相感光體7暴露于由曝光裝置9通過(guò)在處理盒300中形成的縫隙發(fā)射的光；轉(zhuǎn)印裝置40設(shè)置成面對(duì)電子照相感光體7且中間轉(zhuǎn)印體50處于轉(zhuǎn)印裝置40與電子照相感光體7之間；并且中間轉(zhuǎn)印體50設(shè)置成使得中間轉(zhuǎn)印體50的一部分與電子照相感光體7相接觸。盡管附圖中未示出，圖像形成裝置100還具有將轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印體50上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)，例如紙張上的二次轉(zhuǎn)印裝置。在圖像形成裝置100中，中間轉(zhuǎn)印體50、轉(zhuǎn)印裝置40(即一次轉(zhuǎn)印裝置)以及二次轉(zhuǎn)印裝置(未示出)相當(dāng)于轉(zhuǎn)印單元的示例。

圖2所示的處理盒300包括電子照相感光體7、充電裝置8(充電單元的示例)、顯影裝置11(顯影單元的示例)以及清潔裝置13(清潔單元的示例)，它們一體地支撐在外殼中。清潔裝置13包括清潔刮刀131(清潔元件的示例)，其設(shè)置成與電子照相感光體7的表面相接觸。例如，清潔元件的形式不限于清潔刮刀131，還可以是導(dǎo)電纖維元件或絕緣纖維元件。導(dǎo)電纖維元件或絕緣纖維元件可以單獨(dú)使用或者與清潔刮刀131組合使用。

圖2所示的圖像形成裝置包括：輥狀纖維元件132，通過(guò)其向電子照相感光體7的表面供應(yīng)潤(rùn)滑劑14；以及平面刷狀纖維元件133，其輔助清潔。但是，圖2所示的圖像形成裝置僅僅是示例，并且清潔元件132和133是可選的，根據(jù)需要可有可無(wú)。

下面分別描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的部件。

充電裝置

例如，充電裝置8可以是接觸型充電器，包括導(dǎo)電或半導(dǎo)電充電輥、充電刷、充電薄膜、充電橡膠刮刀、充電管等。也可以使用已知的充電器，例如非接觸型輥充電器以及利用電暈放電的格柵電暈管(scorotron)和電暈管(corotron)。

曝光裝置

例如，曝光裝置9可以是光學(xué)裝置，通過(guò)該光學(xué)裝置可以使電子照相感光體7的表面以預(yù)定圖像圖案暴露于由半導(dǎo)體激光器、led、液晶光閘等發(fā)射的光。光源的波長(zhǎng)設(shè)置為在電子照相感光體的光譜靈敏度范圍以內(nèi)。盡管常見(jiàn)半導(dǎo)體激光器在780nm附近，即在近紅外區(qū)域，有震蕩波長(zhǎng)，但可以作為光源使用的半導(dǎo)體激光器不限于所述半導(dǎo)體激光器；也可以使用具有大約600-700nm的震蕩波長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器以及具有400nm以上且450nm以下的震蕩波長(zhǎng)的藍(lán)色半導(dǎo)體激光器。為形成彩色圖像，可以使用能夠輸出多波束的面發(fā)射激光器作為光源。

顯影裝置

例如，顯影裝置11可以是使用顯影劑以接觸或非接觸方式進(jìn)行顯影的常見(jiàn)顯影裝置。顯影裝置11的類型不受限，并且可以根據(jù)目的進(jìn)行選擇。顯影裝置的示例包括已知的顯影裝置，其能夠使用刷子、輥等使單組分或雙組分顯影劑沉積在電子照相感光體7上。特別地，可以使用具有其上沉積有顯影劑的顯影輥的顯影裝置。

顯影裝置11中包含的顯影劑可以是僅含調(diào)色劑的單組份顯影劑或者是含有調(diào)色劑和載體的雙組份顯影劑。顯影劑可以是磁性的或非磁性的?？梢允褂靡阎娘@影劑作為包含在顯影裝置11中的顯影劑。

清潔裝置

例如，清潔裝置13可以是具有清潔刮刀131的清潔刮刀型清潔裝置。

清潔裝置13的類型不限于清潔刮刀型清潔裝置，也可以使用毛刷清潔型清潔裝置以及同時(shí)進(jìn)行清潔和顯影的清潔裝置。

轉(zhuǎn)印裝置

例如，轉(zhuǎn)印裝置40可以是下列已知轉(zhuǎn)印充電器中的任意一種：接觸型轉(zhuǎn)印充電器，其包括帶、輥、薄膜、橡膠刮刀等；以及轉(zhuǎn)印充電器，例如利用電暈放電的格柵電暈管和電暈管。

中間轉(zhuǎn)印體

例如，中間轉(zhuǎn)印體50可以是帶形中間轉(zhuǎn)印體，也就是說(shuō)含有聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、橡膠等并且呈半導(dǎo)電的中間轉(zhuǎn)印帶。中間轉(zhuǎn)印體不限于帶形中間轉(zhuǎn)印體，也可以是鼓形中間轉(zhuǎn)印體。

圖3示意性地示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的另一個(gè)示例。

圖3所示的圖像形成裝置120是具有四個(gè)處理盒300的串聯(lián)式多色圖像形成裝置。在圖像形成裝置120中，四個(gè)處理盒300彼此并列地設(shè)置在中間轉(zhuǎn)印體50上，并且一個(gè)電子照相感光體用于一種顏色。除圖像形成裝置120為串聯(lián)式以外，圖像形成裝置120與圖像形成裝置100的結(jié)構(gòu)相同。

示例

參照以下示例對(duì)上述示例性實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。但是，以上示例性實(shí)施例不限于以下示例。以下，除非另有規(guī)定，所有的“份”和“％”均以重量為基準(zhǔn)。

示例1

感光體(1)的制造

制備含有1.5份電荷產(chǎn)生材料，即重量比cg1:cg2為3:7的羥基鎵酞菁顏料(cg1)和氯化鎵酞菁顏料(cg2)、作為分散助劑的0.2份胺以及作為溶劑的13份四氫呋喃的溶液。羥基鎵酞菁顏料(cg1)是在由cukα輻射測(cè)量的x射線衍射光譜中至少在7.3°、16.0°、24.9°和28.0°的布拉格角(2θ±0.2°)具有衍射峰的v型羥基鎵酞菁顏料。氯化鎵酞菁顏料(cg2)是在由cukα輻射測(cè)量的x射線衍射光譜中至少在7.4°、16.6°、25.5°和28.3°的布拉格角(2θ±0.2°)可以具有衍射峰的氯化鎵酞菁顏料。使用磁力攪拌器將溶液攪拌20小時(shí)，接著使用超聲波均質(zhì)器進(jìn)一步攪拌4小時(shí)直到電荷產(chǎn)生材料基本均勻地分散為止。由此，制備分散液(1)。

制備含有4份電子傳輸材料(et1a)、12份空穴傳輸材料(ht1a)、22份空穴傳輸材料(ht2a)、作為粘合劑樹(shù)脂的60份雙酚-z聚碳酸酯(粘度平均分子量：45,000)以及作為溶劑的77份四氫呋喃和10份甲苯的溶液。使用通用球磨機(jī)攪拌溶液直到粘合劑溶解到溶液中為止。由此，制備分散液(2)。

將分散液(1)和(2)彼此混合，并使用通用球磨機(jī)攪拌產(chǎn)生的混合物直到兩種分散液基本均勻地彼此混合為止。由此，制備涂布液。

使用納米分散機(jī)(nanomizer)處理涂布液六次，使得電荷產(chǎn)生材料基本均勻地分散。由此，制備感光層形成涂布液。

單層型感光體(1)通過(guò)按照以下方式使用感光層形成涂布液形成感光層來(lái)制備。

通過(guò)浸漬涂布法將感光層形成涂布液沉積在導(dǎo)電性支撐體上，該導(dǎo)電性支撐體是外徑為30mm、長(zhǎng)度為245mm且厚度為0.75mm的鋁基底(即鋁切割管)。具體地說(shuō)，在以13l/min的流速循環(huán)涂布液的同時(shí)，在27.5℃和20％rh的環(huán)境下將鋁基底浸漬到涂布液中以在鋁基底上形成涂布膜。鋁基底進(jìn)入涂布液的速度被設(shè)置為1,500mm/min。

將鋁基底上形成的涂布膜干燥，并使其在以下干燥條件(即干燥固化條件)下固化：干燥溫度：135℃；濕度：1％rh；干燥時(shí)間：24分鐘。

由此，在鋁基底上形成厚度為22μm的感光層。單層型感光體(1)通過(guò)上述方式制造。

示例2至7以及比較示例1至8

感光體(2)至(7)以及(c1)至(c8)的制備方式與示例1中的感光體(1)相同，只是在形成感光層形成涂布液的過(guò)程中，根據(jù)表1和表2更改電荷產(chǎn)生材料、電子傳輸材料和空穴傳輸材料的類型和含量，以及干燥沉積的涂布液的溫度。注意，在比較示例8中，僅使用1.5份氧鈦酞菁顏料(cg3)作為電荷產(chǎn)生材料。

評(píng)價(jià)

馬氏硬度hm

通過(guò)上述方法測(cè)量示例和比較示例中制備的各個(gè)感光體中包括的感光層的馬氏硬度hm。表1和表2對(duì)結(jié)果進(jìn)行了概括。

殘余溶劑的含量

從在示例和比較示例中制備的各個(gè)感光體中包括的感光層上切割重量為2mg的樣品。使用該樣品通過(guò)上述方法確定感光層中的殘余溶劑含量(即感光層中殘余的四氫呋喃和甲苯的含量)。表1和表2對(duì)結(jié)果進(jìn)行了概括。

去除異物的容易度

在示例和比較示例中制備的感光體分別安裝到由兄弟工業(yè)株式會(huì)社(brotherindustries,ltd.)制造的圖像形成裝置“hl-2240d”上。在30℃和85％rh的環(huán)境下，使用各個(gè)圖像形成裝置將實(shí)心白色圖像打印到三張a4紙上。分別觀察打印到三張紙上的實(shí)心白色圖像是否發(fā)生圖像缺陷(即黑斑)，并使用光學(xué)顯微鏡在與圖像缺陷(即黑斑)的位置相對(duì)應(yīng)的位置對(duì)感光體的表面進(jìn)行觀察。在觀察感光體的表面的過(guò)程中，統(tǒng)計(jì)埋入感光體，即感光層的表面的異物的數(shù)量(下文稱為“埋入異物的數(shù)量”)?；诼袢氘愇锏臄?shù)量根據(jù)下列標(biāo)準(zhǔn)對(duì)各個(gè)感光體中存在的異物的去除容易度進(jìn)行評(píng)價(jià)。表1和表2對(duì)結(jié)果進(jìn)行了概括。

注意，在下列評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)中，“埋入異物的數(shù)量”不僅指埋入感光體的表面的異物的數(shù)量，還指刺入感光體的表面的異物的數(shù)量。

評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)

g1：埋入異物的數(shù)量≤2

g2：2＜埋入異物的數(shù)量≤4

g3：4＜埋入異物的數(shù)量≤6

g4：6＜埋入異物的數(shù)量

圖像密度

示例和比較示例中制備的感光體分別安裝到以上圖像形成裝置上。在30℃和85％rh的環(huán)境下，使用各個(gè)圖像形成裝置將密度為100％的實(shí)心白色圖像打印到三張a4紙上。使用由愛(ài)色麗公司(x-rite,inc.)制造的密度計(jì)“x-rite967”測(cè)量打印到三張紙上的實(shí)心白色圖像的密度。表1和表2對(duì)結(jié)果進(jìn)行了概括。

評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)

g1：cin1.4≤實(shí)心白色圖像的密度

g2：cin1.3≤實(shí)心白色圖像的密度＜cin1.4

g3：實(shí)心白色圖像的密度＜cin1.3

帶電性

示例和比較示例中制備的感光體分別安裝到由兄弟工業(yè)株式會(huì)社制造的圖像形成裝置“hl-2240d”(非接觸充電型)上。對(duì)圖像形成裝置進(jìn)行改進(jìn)，使得可以測(cè)量感光體的電勢(shì)。具體地說(shuō)，將圖像形成裝置的顯影裝置替換成由特瑞克公司(trek,inc.)制造并設(shè)置成面對(duì)感光體的表面電勢(shì)測(cè)量探頭“型號(hào)555p-1”。探頭連接到由特瑞克公司制造的表面靜電計(jì)“trek334”上。

接著，在高溫、高濕(28℃，85％rh)環(huán)境下對(duì)充電裝置施加+600v的電壓以對(duì)感光體進(jìn)行充電。測(cè)量感光體的表面電勢(shì)。在感光體的整個(gè)表面進(jìn)行表面電勢(shì)的測(cè)量。以下，感光體的測(cè)量表面電勢(shì)被稱為“感光體表面電勢(shì)vh”。基于感光體表面電勢(shì)vh根據(jù)下列標(biāo)準(zhǔn)評(píng)價(jià)各個(gè)感光體的帶電性。表1和表2對(duì)結(jié)果進(jìn)行了概括。

評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)

g1：560v≤感光體表面電勢(shì)vh≤640v

g2：550v≤感光體表面電勢(shì)vh＜560v，或者640v＜感光體表面電勢(shì)vh≤650v

g3：感光體表面電勢(shì)vh＜550v，或者650v＜感光體表面電勢(shì)vh

以上結(jié)果證實(shí)在示例中制備的感光體使得感光體的表面存在的異物與在比較示例中制備的感光體相比更容易去除。此外，在示例中，保持高帶電性以及形成具有高密度圖像的能力，即感光體本來(lái)要求的功能。

在示例1至5中制備的感光體，其具有含1.5重量％以上且2.3重量％以下作為電荷產(chǎn)生材料的特定酞菁顏料的感光層，與在示例7中制備的特定酞菁顏料的含量小于1.5重量％或者在示例6中制備的特定酞菁顏料的含量大于2.3重量％的感光體相比，具有更高的帶電性并且能夠形成密度更高的圖像。

在比較示例8中獲得的結(jié)果證實(shí)，在感光層含有氧鈦酞菁顏料，也就是說(shuō)，除特定酞菁顏料以外的作為電荷產(chǎn)生材料的酞菁顏料的情況下，即使當(dāng)感光層的馬氏硬度hm為170n/mm²以上且200n/mm²以下時(shí)，感光體也未能同時(shí)保持高帶電性以及形成高密度圖像的能力。

在比較示例2至5與比較示例7中獲得的結(jié)果證實(shí)，在感光層的馬氏硬度hm降至170n/mm²以下的情況下，即使當(dāng)感光層含有一定量的作為電荷產(chǎn)生材料的特定酞菁顏料，感光體也未能同時(shí)保持高帶電性以及形成高密度圖像的能力。

以上結(jié)果證實(shí)，在以上示例中制備的感光體使得感光體的表面存在的異物容易去除并且保持了高帶電性以及形成高密度圖像的能力，該感光體具有馬氏硬度為170n/mm²以上且200n/mm²以下并且包含作為電荷產(chǎn)生材料的特定酞菁顏料的感光層。

下面詳細(xì)描述以上表1和表2中使用的縮寫(xiě)詞。

電荷產(chǎn)生材料

·cg1：由以下結(jié)構(gòu)式表示的電荷產(chǎn)生材料(即羥基鎵酞菁顏料)

·cg2：由以下結(jié)構(gòu)式表示的電荷產(chǎn)生材料(即氯化鎵酞菁顏料)

·cg3：氧鈦酞菁顏料

電子傳輸材料

·et1a：由以下結(jié)構(gòu)式表示的電子傳輸材料(即例示化合物et1-2)

·et2a：由以下結(jié)構(gòu)式表示的電子傳輸材料(即3,3'-二叔丁基-5,5'-二甲基聯(lián)苯醌，例示化合物et2-3)

空穴傳輸材料

·ht1a：由以下結(jié)構(gòu)式表示的空穴傳輸材料(即例示化合物ht1-4)

·ht2a：由以下結(jié)構(gòu)式表示的空穴傳輸材料(即例示化合物ht2-3)

為了進(jìn)行圖示和說(shuō)明，以上對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行了描述。其目的并不在于全面詳盡地描述本發(fā)明或?qū)⒈景l(fā)明限定于所公開(kāi)的具體形式。很顯然，對(duì)本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，可以做出許多修改以及變形。本實(shí)施例的選擇和描述，其目的在于以最佳方式解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使得本技術(shù)領(lǐng)域的其他熟練技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例，并做出適合特定用途的各種變形。本發(fā)明的范圍由與本說(shuō)明書(shū)一起提交的權(quán)利要求書(shū)及其等同物限定。