本發(fā)明涉及一種電子照相感光體、處理盒、圖像形成裝置以及可包括在電子照相感光體中的導(dǎo)電基底。
背景技術(shù)：
：在日本專利文獻(xiàn)特開平4-278957號公報(bào)公開了一種電子照相感光體，其包括由鋁或鋁合金構(gòu)成的導(dǎo)電性基底；設(shè)置在導(dǎo)電基底上的感光層，該感光層由電荷產(chǎn)生層和包含有機(jī)材料的電荷傳輸層構(gòu)成；以及設(shè)置于導(dǎo)電基底和感光層之間的勃姆石層。日本專利文獻(xiàn)特開2013-109035號公報(bào)公開了一種電子照相感光體，其包括氧化的鋁或鋁合金構(gòu)成的導(dǎo)電基底；設(shè)置在導(dǎo)電基底上的感光層；以及設(shè)置在該導(dǎo)電基底表面上的電阻層，該電阻層具有特定的體積電阻率。在電子照相感光體的制造過程中，清潔導(dǎo)電基底的外表面，并通過涂布在所述導(dǎo)電基底上形成感光層。為清潔所述導(dǎo)電基底的所述外表面，通常使用水、溫水、再生水等作為清潔液。因此，所述導(dǎo)電基底的所述外表面上可能會存在大量的羥基。如果使用所述電子照相感光體形成圖像，特別是在水分子可能被吸附到所述導(dǎo)電基底上的高溫高濕環(huán)境中，電荷可能會通過所述水分子在所述感光體中局部泄漏，并且有可能腐蝕所述感光體。這一局部缺陷可能會導(dǎo)致形成點(diǎn)狀圖像缺陷(即色斑)。以上圖像缺陷特別有可能在不具有底涂層的電子照相感光體中發(fā)生。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：因此，本發(fā)明的目的在于提供一種電子照相感光體，與包括如下導(dǎo)電基底的電子照相感光體相比，可降低電荷在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導(dǎo)致的點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率，其中，該導(dǎo)電基底具有通過n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷或溫度為50℃的離子交換水處理過的外周表面。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種電子照相感光體，其包括：導(dǎo)電基底，其具有使用硅氮烷處理的外周表面；以及感光層，其配置于所述導(dǎo)電基底的所述外周表面上。所述感光層包括電荷產(chǎn)生材料和電荷傳輸材料。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，所述導(dǎo)電性基底的表面包括由通式(a)表示的結(jié)構(gòu)，其中，rs1至rs3各自獨(dú)立地表示氫原子或單價(jià)有機(jī)基團(tuán)；并且*表示在所述結(jié)構(gòu)連接到所述導(dǎo)電基底的外周表面上的位置。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，通式(a)中的rs1至rs3是選自未取代或取代的烷基、未取代或取代的環(huán)烷基、未取代或取代的芳基以及未取代或取代的甲硅烷基中的至少一種。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，由通式(a)表示的所述結(jié)構(gòu)是選自結(jié)構(gòu)a-1至a-6組成的組中的至少一種，根據(jù)本發(fā)明的第五方面，所述導(dǎo)電性基底包括鋁或鋁合金。根據(jù)本發(fā)明的第六方面，所述感光層是包括粘合劑樹脂、所述電荷產(chǎn)生材料以及所述電荷傳輸材料的單層型感光層，所述電荷傳輸材料包括空穴傳輸材料以及電子傳輸材料。根據(jù)本發(fā)明的第七方面，選自由通式(1)表示的電子傳輸材料以及由通式(2)表示的電子傳輸材料中的至少一種，其中，r11、r12、r13、r14、r15、r16和r17各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；并且r18表示烷基、-l19-o-r20基、芳基或芳烷基，l19是亞烷基且r20是烷基，其中，r21、r22、r23和r24各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子或苯基。根據(jù)本發(fā)明的第八方面，所述空穴傳輸材料包括由通式(3)表示的空穴傳輸材料，其中，r1、r2、r3、r4、r5和r6各自獨(dú)立地表示氫原子、低級烷基、烷氧基、苯氧基、鹵素原子或者由選自低級烷基、低級烷氧基和鹵素原子的基團(tuán)取代或未取代的苯基；并且p和q各自獨(dú)立地表示0或1。根據(jù)本發(fā)明的第九方面，所述電荷產(chǎn)生材料包括選自羥基鎵酞菁顏料和氯化鎵酞菁顏料中的至少一種。根據(jù)本發(fā)明的第十方面，提供一種處理盒，可拆卸地安裝到圖像形成裝置，所述處理盒包括上述的電子照相感光體。根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，提供一種圖像形成裝置，其包括：上述的電子照相感光體；充電單元，其對所述電子照相感光體的表面進(jìn)行充電；靜電潛像形成單元，其在所述電子照相感光體的所述已充電表面形成靜電潛像；顯影單元，其使用含有調(diào)色劑的顯影劑對所述電子照相感光體的所述表面形成的所述靜電潛像進(jìn)行顯影以形成調(diào)色劑圖像；以及轉(zhuǎn)印單元，其將所述調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面。根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，提供一種導(dǎo)電基底，可包括在電子照相感光體，所述導(dǎo)電基板包括硅氮烷處理過的外周表面。根據(jù)本發(fā)明的第一至第九方面的電子照相感光體，與包括如下導(dǎo)電基底的電子照相感光體相比，可降低電荷在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導(dǎo)致的點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率，其中，該導(dǎo)電基底具有通過n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷或溫度為50℃的離子交換水處理過的外周表面。根據(jù)本發(fā)明第十方面的處理盒和根據(jù)本發(fā)明第十一方面的圖像形成裝置，與包括如下電子照相感光體的處理盒和圖像形成裝置相比，可降低電荷在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導(dǎo)致的點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率，其中，該電子照相感光體包括具有通過n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷或溫度為50℃的離子交換水處理過的外周表面的導(dǎo)電基底。包括根據(jù)本發(fā)明的第十二方面的導(dǎo)電性基底的電子照相感光體，與包括具有通過n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷或溫度為50℃的離子交換水處理過的外周表面的導(dǎo)電基底的電子照相感光體相比，可降低電荷在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導(dǎo)致的點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率。附圖說明將基于下列附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其中：圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的電子照相感光體的一個(gè)示例的示意性部分橫截面圖，其中示出構(gòu)成電子照相感光體的多個(gè)層；圖2是根據(jù)示例性實(shí)施例的電子照相感光體的另一個(gè)示例的示意性部分橫截面圖，其中示出構(gòu)成電子照相感光體的多個(gè)層；圖3是根據(jù)示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的一個(gè)示例的示意圖；以及圖4是根據(jù)示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的另一個(gè)示例的示意圖。具體實(shí)施方式下面參照附圖與示例性實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。在附圖中，具有相同功能的元件用相同的參考號表示，并且省略重復(fù)的描述。電子照相感光體根據(jù)示例性實(shí)施例的電子照相感光體(以下簡稱為“感光體”)包括：導(dǎo)電基底，其具有使用硅氮烷處理的外周表面；以及感光層，其配置于導(dǎo)電基底的外周表面上。感光層包括電荷產(chǎn)生材料和電荷傳輸材料。感光層可以是由電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層構(gòu)成的具有分離功能的感光層(以下，這種感光層稱為“功能分離型感光層”)或者僅具有一層的感光層(以下，這種感光層稱為“單層型感光層”)。當(dāng)感光層是功能分離型感光層時(shí)，電荷產(chǎn)生層包括電荷產(chǎn)生材料，且電荷傳輸層包括電荷傳輸材料。具有上述結(jié)構(gòu)的電子照相感光體被認(rèn)為可以降低電荷在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導(dǎo)致的點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率，其機(jī)理如下。羥基有可能會留在包括在電子照相感光體中的導(dǎo)電基底的表面。例如，甚至具有勃姆石處理過的表面的鋁基底也包含少量的來源于表面上的氫氧化鋁的羥基。當(dāng)使用包括上面存在羥基的導(dǎo)電基底的電子照相感光體時(shí)，水分子可能會吸附到導(dǎo)電基底的羥基上，特別是在高溫高濕環(huán)境(例如，溫度：30℃，濕度：85％)中。如果使用包括含有吸附到外周表面上的水分子的導(dǎo)電基底的電子照相感光體形成圖像，電荷可能會通過水分子在感光體中局部泄漏。另外，電荷的泄漏可能會導(dǎo)致點(diǎn)狀圖像缺陷(即色斑)的形成。為解決這一問題，根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子照相感光體包括具有使用硅氮烷處理的外周表面的導(dǎo)電基底。以下，具有使用硅氮烷處理的外周表面的導(dǎo)電基底稱為“硅氮烷處理導(dǎo)電基底”，且具有尚未使用硅氮烷處理的外周表面的導(dǎo)電基底稱為“硅氮烷處理前導(dǎo)電基底”。在硅氮烷處理導(dǎo)電基底中，所有羥基或包括在硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面上存在的羥基中的氫原子被包括在連接到構(gòu)成si-n鍵的氮原子上的硅氮烷中的甲硅烷基所取代。例如，硅氮烷包括由通式(s)表示的結(jié)構(gòu)，并且與羥基具有高反應(yīng)性。當(dāng)上面存在羥基的導(dǎo)電基底的表面使用具有由通式(s)表示的結(jié)構(gòu)的硅氮烷進(jìn)行處理時(shí)，si-n鍵發(fā)生解離，并且羥基(-oh)或羥基的氫(-h)原子被由通式(a)表示的甲硅烷基所取代。以下，由通式(a)表示的甲硅烷基可以由“-a”表示。例如，在由鋁構(gòu)成的導(dǎo)電基底使用硅氮烷進(jìn)行處理的情況下，羥基連接到鋁表面上，也就是說，“al-oh”被甲硅烷基“-a”所取代以形成“al-o-a”或“al-a”。在通式(s)中，rs1至rs3各自獨(dú)立地表示氫原子或單價(jià)有機(jī)基團(tuán)。在通式(a)中，rs1至rs3分別表示與通式(s)中由rs1至rs3表示的基團(tuán)相同的基團(tuán)(即氫原子或單價(jià)有機(jī)基團(tuán))；并且*表示甲硅烷基連接到導(dǎo)電基底的外周表面上的位置。一種可以用甲硅烷基取代硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面上存在的羥基的方式是使用硅烷偶聯(lián)劑對外周表面進(jìn)行甲硅烷基化。硅烷偶聯(lián)劑的常見示例是由x-si-(orc)3表示的化合物，其中x和rc各自獨(dú)立地表示單價(jià)有機(jī)基團(tuán)。在使用硅烷偶聯(lián)劑的外周表面的甲硅烷基化中，通過水解將硅烷偶聯(lián)劑轉(zhuǎn)換成x-si-(oh)3，并且包括在轉(zhuǎn)換的硅烷偶聯(lián)劑中的硅烷醇基的脫水縮合通過加熱進(jìn)行，該轉(zhuǎn)換的硅烷偶聯(lián)劑含有導(dǎo)電基底的表面上存在的羥基。然而，由于以上脫水縮合反應(yīng)以低于硅氮烷與羥基反應(yīng)的反應(yīng)性進(jìn)行，甚至在進(jìn)行了使用硅烷偶聯(lián)劑的硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面的甲硅烷基化之后，某些尚未被甲硅烷基所取代的羥基也有可能會留在導(dǎo)電基底的外周表面上。另外，由于通過水解降解的硅烷偶聯(lián)劑具有復(fù)數(shù)個(gè)羥基(即硅烷醇基)，某些包括在連接到導(dǎo)電基底的外周表面上的甲硅烷基中的羥基(即硅烷醇基)有可能會殘留而不發(fā)生脫水縮合。相反，與硅烷偶聯(lián)劑相比，硅氮烷與羥基具有更高的反應(yīng)性，并且不太可能在通過水解降解時(shí)產(chǎn)生羥基。因此，使用硅氮烷處理導(dǎo)電基底的外周表面，除使導(dǎo)電基底的外周表面上存在的羥基被甲硅烷基“-a”所取代以外，還能夠減少導(dǎo)電基底的外周表面上存在的羥基的數(shù)量，該硅氮烷不太可能在通過水解降解時(shí)產(chǎn)生羥基(即硅烷醇基)。使用上述硅氮烷處理導(dǎo)電基底，即外周表面上存在的羥基的數(shù)量更少的導(dǎo)電基底，降低了水分子吸附到導(dǎo)電基底的外周表面上的可能性。從而，可以降低電荷通過水分子在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導(dǎo)致的點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率。根據(jù)示例性實(shí)施例的電子照相感光體被認(rèn)為可以降低電荷在感光體中局部泄漏的可能性以及由電荷泄漏導(dǎo)致的點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率，其機(jī)理如上所述。下面參照附圖對根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子照相感光體作進(jìn)一步詳細(xì)說明。圖1是電子照相感光體7a的示意性部分橫截面圖，其中示出構(gòu)成電子照相感光體的多個(gè)層，該電子照相感光體7a是根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子照相感光體的一個(gè)示例。例如，圖1所示的電子照相感光體7a包括導(dǎo)電基底1以及配置于導(dǎo)電基底1上的單層型感光層2。電子照相感光體7a可以可選地包括外層。外層的示例包括設(shè)置在導(dǎo)電基底1和單層型感光層2之間的底涂層以及設(shè)置在單層型感光層2上的保護(hù)層。包括在圖1所示的電子照相感光體7a中的導(dǎo)電基底1是硅氮烷處理導(dǎo)電基底。例如，圖1所示的電子照相感光體7a可以通過包括以下步驟的方法制造：制備硅氮烷處理前導(dǎo)電基底；使用硅氮烷處理硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面以制備硅氮烷處理導(dǎo)電基底(即導(dǎo)電基底1)；以及在硅氮烷處理導(dǎo)電基底(即導(dǎo)電基底1)的外周表面上形成包括電荷產(chǎn)生材料和電荷傳輸材料的單層型感光層2。圖2是電子照相感光體7b的示意性部分橫截面圖，其中示出構(gòu)成電子照相感光體的多個(gè)層，該電子照相感光體7b是根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子照相感光體的另一個(gè)示例。圖2所示的電子照相感光體7b包括依次層疊在彼此頂部的導(dǎo)電基底1、底涂層3、電荷產(chǎn)生層4以及電荷傳輸層5。電荷產(chǎn)生層4和電荷傳輸層5構(gòu)成功能分離型感光層6。電子照相感光體7b并不一定包括底涂層3。電子照相感光體7b可以可選地包括外層。外層的一個(gè)示例是設(shè)置在電荷傳輸層5上的保護(hù)層。與電子照相感光體7a的導(dǎo)電基底1類似，包括在圖2所示的電子照相感光體7b中的導(dǎo)電基底1是硅氮烷處理導(dǎo)電基底。例如，圖2所示的電子照相感光體7b可以通過包括以下步驟的方法制造：制備硅氮烷處理前導(dǎo)電基底；使用硅氮烷處理硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面以形成硅氮烷處理導(dǎo)電基底(即導(dǎo)電基底1)；在硅氮烷處理導(dǎo)電基底(即導(dǎo)電基底1)的外周表面上形成底涂層3；以及在底涂層3上形成包括電荷產(chǎn)生材料和電荷傳輸材料的功能分離型感光層6。形成功能分離型感光層6的步驟包括在底涂層3上形成包括電荷產(chǎn)生材料的電荷產(chǎn)生層4的子步驟，以及在電荷產(chǎn)生層4上形成包括電荷傳輸材料的電荷傳輸層5的子步驟。下面對構(gòu)成根據(jù)本示例性實(shí)施例的上述電子照相感光體的各層分別作進(jìn)一步詳細(xì)說明。在以下描述中，省略參考號。導(dǎo)電基底導(dǎo)電基底的示例包括金屬板材、金屬轂以及金屬帶，其中含有諸如鋁、銅、鋅、鉻、鎳、鉬、釩、銦、金或鉑的金屬，或者諸如不銹鋼的合金。導(dǎo)電基底的其他示例包括紙張、樹脂膜以及帶，其上通過涂布、氣相沉積或?qū)訅撼练e有諸如導(dǎo)電聚合物或氧化銦的化合物、諸如鋁、鈀或金的金屬或者合金。這里使用的術(shù)語“導(dǎo)電”指體積電阻率小于1013ωcm。導(dǎo)電基底可以包含鋁以具有適合電子照相感光體的電氣性能。特別地，可以使用由鋁或鋁合金構(gòu)成的導(dǎo)電基底?？梢詷?gòu)成導(dǎo)電基底的鋁合金的示例包括含有鋁以及選自si、fe、cu、mn、mg、cr、zn和ti中的至少一種元素的鋁合金。例如，構(gòu)成導(dǎo)電基底的鋁合金中的鋁含量可以是50重量％以上。從鋁合金的可加工性的角度來說，鋁合金中的鋁含量優(yōu)選為90.0重量％以上，更優(yōu)選為93.0重量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為95.0重量％以上。本示例性實(shí)施例中使用的導(dǎo)電基底是外周表面使用硅氮烷處理的導(dǎo)電基底，即硅氮烷處理導(dǎo)電基底。這里使用的術(shù)語“硅氮烷”指包括si-n鍵的化合物。例如，如上所述，硅氮烷具有由以上通式(s)表示的結(jié)構(gòu)。當(dāng)硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面用硅氮烷進(jìn)行處理時(shí)，導(dǎo)電基底的外周表面上存在的羥基(-oh)或包括在羥基中的氫(-h)原子被包括在硅氮烷中的由以上通式(a)表示的甲硅烷基“-a”所取代。其結(jié)果，形成包括外周表面上存在的甲硅烷基“-a”的導(dǎo)電基底，即硅氮烷處理導(dǎo)電基底。硅氮烷處理導(dǎo)電基底的外周表面上存在的甲硅烷基“-a”，即包括在以上處理(以下，稱為“硅氮烷處理”)中使用的硅氮烷中的甲硅烷基，優(yōu)選不包括oh基，更優(yōu)選不包括oh基或si-o鍵以降低點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率。在構(gòu)成通式(a)中由rs1至rs3表示的基團(tuán)的原子中，直接連接到si原子上的原子可以是選自氫原子、碳原子和si原子中的至少一種。例如，甲硅烷基“-a”的分子量可以是50以上且250以下，優(yōu)選為55以上且200以下以降低點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率。通式(a)中由rs1至rs3表示的單價(jià)有機(jī)基團(tuán)的示例包括未取代或取代的烷基、未取代或取代的環(huán)烷基、未取代或取代的芳基以及未取代或取代的甲硅烷基。由rs1至rs3表示的烷基的示例包括具有1-20個(gè)碳原子，優(yōu)選1-10個(gè)碳原子的直鏈烷基，以及具有3-10個(gè)碳原子，優(yōu)選3或4個(gè)碳原子的支鏈烷基。直鏈烷基的具體示例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基以及正癸基。支鏈烷基的具體示例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基以及叔癸基。由rs1至rs3表示的可以取代烷基的基團(tuán)的示例包括鹵素原子、環(huán)烷基、芳基、甲硅烷基、烷氧基、烷硫基以及氨基?？梢匀〈榛柠u素原子的示例包括氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。可以取代烷基的環(huán)烷基、芳基和甲硅烷基分別與下面描述的由rs1至rs3表示的環(huán)烷基、芳基和甲硅烷基的示例相同?？梢匀〈榛耐檠趸氖纠ㄓ赏榛瓦B接到烷基上的-o-基構(gòu)成的基團(tuán)。可以取代烷基的烷硫基的示例包括由烷基和連接到烷基上的-s-基構(gòu)成的基團(tuán)。連接到-o-或-s-基上的烷基的示例與由rs1至rs3表示的烷基的上述示例相同?？梢匀〈榛陌被氖纠ú?-nh2)；烷基取代氨基，即烷基氨基(即仲胺)；以及兩個(gè)烷基連接到其上的氨基，即二烷基氨基(即叔胺)。包括在烷基氨基或二烷基氨基中的烷基的示例與由rs1至rs3表示的烷基的上述示例相同。由rs1至rs3表示的環(huán)烷基的示例包括具有3-12個(gè)碳原子，優(yōu)選4-8個(gè)碳原子的環(huán)烷基。環(huán)烷基的具體示例包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基以及環(huán)辛基?？梢匀〈蓃s1至rs3表示環(huán)烷基的基團(tuán)的示例包括鹵素原子、烷基、芳基、甲硅烷基、烷氧基、烷硫基以及氨基?？梢匀〈h(huán)烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同?？梢匀〈h(huán)烷基的烷基的示例與由rs1至rs3表示的烷基的上述示例相同?？梢匀〈h(huán)烷基的芳基和甲硅烷基的示例與下面描述的由rs1至rs3表示的芳基和甲硅烷基的示例相同。由rs1至rs3表示的芳基的示例包括具有6-18個(gè)碳原子，優(yōu)選6-12個(gè)碳原子的芳基。芳基的具體示例包括苯基、萘基、菲基以及聯(lián)苯基。可以取代由rs1至rs3表示的芳基的基團(tuán)的示例包括鹵素原子、烷基、環(huán)烷基、甲硅烷基、烷氧基、烷硫基以及氨基?？梢匀〈蓟柠u素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代芳基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同?？梢匀〈蓟耐榛铜h(huán)烷基的示例分別與由rs1至rs3表示的烷基和環(huán)烷基的上述示例相同?？梢匀〈蓟募坠柰榛氖纠謩e與下面描述的由rs1至rs3表示的甲硅烷基的示例相同。由rs1至rs3表示的甲硅烷基的示例包括-sih3基?？梢匀〈蓃s1至rs3表示的甲硅烷基的基團(tuán)的示例包括鹵素原子、烷基、環(huán)烷基、芳基、甲硅烷基、烷氧基烷基、烷硫基烷基以及氨基烷基?？梢匀〈坠柰榛柠u素原子的示例與取代烷基的鹵素原子的上述示例相同。可以取代甲硅烷基的烷基、環(huán)烷基、芳基和甲硅烷基的示例分別與由rs1至rs3表示的烷基、環(huán)烷基、芳基和甲硅烷基的上述示例相同。可以取代甲硅烷基的烷氧基烷基、烷硫基烷基和氨基烷基的示例分別是由rs1至rs3表示的被選自可以取代烷基的烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例的基團(tuán)所取代的烷基的上述示例。為降低點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率，通式(a)中的rs1至rs3優(yōu)選為氫原子、未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基或者未取代或取代的甲硅烷基；更優(yōu)選為氫原子、具有1-4個(gè)碳原子的未取代的烷基、未取代或取代的苯基或者未取代的甲硅烷基；進(jìn)一步優(yōu)選為氫原子、具有1或2個(gè)碳原子的未取代的直鏈烷基、具有3或4個(gè)碳原子的未取代的支鏈烷基、未取代的苯基、被鹵素原子取代的苯基或者未取代的甲硅烷基。通式(a)中由rs1至rs3表示的基團(tuán)可以彼此相同或不同。優(yōu)選選自由rs1至rs3表示的基團(tuán)的兩個(gè)或兩個(gè)以上的基團(tuán)相同。更優(yōu)選由rs1至rs3表示的所有基團(tuán)都相同。特別地，優(yōu)選選自由rs1至rs3表示的基團(tuán)的兩個(gè)或兩個(gè)以上的基團(tuán)是單價(jià)有機(jī)基團(tuán)，更優(yōu)選由rs1至rs3表示的所有基團(tuán)都是單價(jià)有機(jī)基團(tuán)。由通式(a)表示的結(jié)構(gòu)的具體示例包括但不限于以下結(jié)構(gòu)。例如，硅氮烷處理導(dǎo)電基底可以通過包括以下步驟的方法制造：制備硅氮烷處理前導(dǎo)電基底；以及使用硅氮烷處理硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面。用于處理硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面的硅氮烷的類型不受限制，并且可以使用包括si-n鍵的任何類型的硅氮烷。特別地，直接連接到構(gòu)成si-n鍵的氮原子上的甲硅烷基可以是由以上通式(a)表示的甲硅烷基。直接連接到硅氮烷的si-n鍵的氮原子上的甲硅烷基優(yōu)選不包括oh基，更優(yōu)選不包括oh基或si-o鍵以降低點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率。例如，硅氮烷的分子量可以是100以上且300以下，優(yōu)選為110以上且200以下以提高硅氮烷與羥基的反應(yīng)性并降低點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率。連接到包括在硅氮烷中的si原子上的原子可以是選自氫原子、碳原子和si原子中的至少一種。用于處理導(dǎo)電基底的外周表面的硅氮烷包括由以下通式(s1)至(s3)表示的硅氮烷。在以上通式(s1)至(s3)中，rs11至rs15、rs21至rs27以及rs31至rs37各自獨(dú)立地表示氫原子或單價(jià)有機(jī)基團(tuán)；并且rs14和rs15可以彼此連接以形成環(huán)。通式(s1)至(s3)中的rs11至rs13、rs21至rs23、rs25至rs27以及rs31至rs33分別與通式(a)中的rs1至rs3相同。通式(s2)中的rs21至rs23和rs25至rs27可以彼此相同或不同，優(yōu)選為分別彼此相同。換句話說，包括在由通式(s2)表示的硅氮烷中的兩個(gè)甲硅烷基可以彼此相同或不同，優(yōu)選為彼此相同。通式(s1)中由rs14和rs15表示的單價(jià)有機(jī)基團(tuán)包括未取代或取代的烷基、未取代或取代的環(huán)烷基、未取代或取代的芳基以及未取代或取代的烷基羰基。由彼此連接的rs14和rs15構(gòu)成的環(huán)的示例包括未取代或取代的含氮雜環(huán)。由rs14和rs15表示的烷基的示例與由rs1至rs3表示的烷基的上述示例相同?？梢匀〈蓃s14和rs15表示的烷基的基團(tuán)的示例包括鹵素原子、環(huán)烷基、芳基、烷氧基、烷硫基、烷基羰基以及氨基?？梢匀〈榛柠u素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例與可以取代由rs1至rs3表示的烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同?？梢匀〈榛沫h(huán)烷基、芳基和烷基羰基的示例分別與下面描述的由rs14和rs15表示的環(huán)烷基、芳基和烷基羰基的示例相同。由rs14和rs15表示的環(huán)烷基的示例與由rs1至rs3表示的環(huán)烷基的上述示例相同?？梢匀〈蓃s14和rs15表示的環(huán)烷基的基團(tuán)的示例包括鹵素原子、烷基、芳基、烷氧基、烷硫基、烷基羰基以及氨基。可以取代環(huán)烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代由rs1至rs3表示的烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同?？梢匀〈h(huán)烷基的烷基的示例與由rs14和rs15表示的烷基的上述示例相同?？梢匀〈h(huán)烷基的烷基和烷基羰基的示例分別與下面描述的由rs14和rs15表示的烷基和烷基羰基的示例相同。由rs14和rs15表示的芳基的示例與由rs1至rs3表示的芳基的上述示例相同?？梢匀〈蓃s14和rs15表示的芳基的基團(tuán)的示例包括鹵素原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、烷硫基、烷基羰基以及氨基?？梢匀〈蓟柠u素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代由rs1至rs3表示的芳基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代芳基的烷基和環(huán)烷基的示例分別與由rs14和rs15表示的烷基和環(huán)烷基的上述示例相同?？梢匀〈蓟耐榛驶氖纠c由rs14和rs15表示的烷基羰基的示例相同。由rs14和rs15表示的烷基羰基的示例包括選自由rs14和rs15表示的烷基的上述示例中的烷基連接到其上的羰基?？梢匀〈蓃s14和rs15表示的烷基羰基的基團(tuán)的示例包括鹵素原子、環(huán)烷基、芳基、烷氧基、烷硫基、烷基羰基以及氨基?？梢匀〈榛驶柠u素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與由rs1至rs3表示的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代烷基羰基的環(huán)烷基、芳基和烷基羰基的示例分別與由rs14和rs15表示的環(huán)烷基、芳基和烷基羰基的上述示例相同。由彼此連接的rs14和rs15構(gòu)成的含氮雜環(huán)的示例包括構(gòu)成環(huán)的原子的個(gè)數(shù)(以下，稱為“環(huán)構(gòu)成原子數(shù)”)為3-12個(gè)，優(yōu)選為3-9個(gè)的含氮雜環(huán)。注意，環(huán)構(gòu)成原子數(shù)還指構(gòu)成si-n鍵的氮原子的個(gè)數(shù)。除構(gòu)成si-n鍵的氮原子以外，含氮雜環(huán)還可以進(jìn)一步包括雜原子。雜原子的示例包括氮原子、氧原子以及硫原子。含氮雜環(huán)的具體示例包括乙烯亞胺環(huán)、氮雜環(huán)丁烷環(huán)、吡咯環(huán)、哌啶環(huán)、六亞甲基亞胺環(huán)、氮雜環(huán)庚三烯環(huán)、吡咯烷環(huán)、咪唑環(huán)、吡唑環(huán)、咪唑啉環(huán)、嗎啉環(huán)、噻嗪環(huán)、吲哚環(huán)、異吲哚環(huán)、苯并咪唑環(huán)、嘌呤環(huán)以及咔唑環(huán)。含氮雜環(huán)可以可選地被取代?？梢匀〈s環(huán)的基團(tuán)的示例包括鹵素原子、烷基、環(huán)烷基、芳基、烷氧基、烷硫基、烷基羰基以及氨基?？梢匀〈s環(huán)的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基分別與可以取代由rs1至rs3表示的烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同?？梢匀〈s環(huán)的烷基、環(huán)烷基、芳基和烷基羰基的示例分別與由rs14和rs15表示的烷基、環(huán)烷基、芳基和烷基羰基的上述示例相同。為提高硅氮烷與導(dǎo)電基底的表面上存在的羥基的反應(yīng)性，通式(s1)中的rs14和rs15優(yōu)選為氫原子、未取代的烷基、由鹵素原子取代的烷基、未取代的烷基羰基或由鹵素原子取代的烷基羰基，或者通過彼此連接來形成的未取代的含氮雜環(huán)，更優(yōu)選為氫原子、具有1-12個(gè)碳原子的未取代的烷基、烷基羰基即具有1-12個(gè)碳原子的未取代的烷基連接到其上的羰基或烷基羰基即具有1-12個(gè)碳原子的鹵素取代的烷基連接到其上的羰基，或者通過彼此連接來形成的具有構(gòu)成5-9個(gè)原子數(shù)的環(huán)的未取代的含氮雜環(huán)。當(dāng)rs14和rs15不形成環(huán)時(shí)，rs14和rs15可以是相同的基團(tuán)或不同的基團(tuán)。在這種情況下，優(yōu)選選自rs14和rs15中的至少一個(gè)是單價(jià)有機(jī)基團(tuán)，更優(yōu)選rs14和rs15都是單價(jià)有機(jī)基團(tuán)。通式(s2)中由rs24表示的單價(jià)有機(jī)基團(tuán)的示例包括未取代的烷基。由rs24表示的烷基的示例與由rs1至rs3表示的烷基的上述示例相同。通式(s2)中的rs24優(yōu)選為氫原子或具有1-12個(gè)碳原子的未取代的烷基，更優(yōu)選為氫原子以提高硅氮烷與導(dǎo)電基底的表面上存在的羥基的反應(yīng)性。通式(s3)中由rs34表示的單價(jià)有機(jī)基團(tuán)的示例包括未取代或取代的烷基、未取代或取代的環(huán)烷基以及未取代或取代的芳基。由rs34表示的烷基的示例與由rs1至rs3表示的烷基的上述示例相同?？梢匀〈蓃s34表示的烷基的基團(tuán)的示例包括鹵素原子、環(huán)烷基、芳基、烷氧基、烷硫基以及氨基。可以取代烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代由rs1至rs3表示的烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同。可以取代烷基的環(huán)烷基和芳基分別與下面描述的由rs34表示的環(huán)烷基和芳基的示例相同。由rs34表示的環(huán)烷基的示例與由rs1至rs3表示的環(huán)烷基的上述示例相同?？梢匀〈蓃s34表示的環(huán)烷基的基團(tuán)的示例包括鹵素原子、烷基、芳基、烷氧基、烷硫基以及氨基?？梢匀〈h(huán)烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代由rs1至rs3表示的烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同?？梢匀〈h(huán)烷基的烷基與由rs34表示的烷基的上述示例相同?？梢匀〈h(huán)烷基的芳基與下面描述的由rs34表示的芳基的示例相同。由rs34表示的芳基的示例與由rs1至rs3表示的芳基的上述示例相同?？梢匀〈蓃s34表示的芳基的基團(tuán)的示例包括鹵素原子、烷基、環(huán)烷基、烷氧基、烷硫基以及氨基。可以取代芳基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的示例分別與可以取代由rs1至rs3表示的烷基的鹵素原子、烷氧基、烷硫基和氨基的上述示例相同?？梢匀〈蓟耐榛铜h(huán)烷基的示例分別與由rs34表示的烷基和環(huán)烷基的上述示例相同。通式(s3)中的rs34優(yōu)選為氫原子、未取代的烷基或鹵素取代的烷基，更優(yōu)選為氫原子或具有1-12個(gè)碳原子的未取代的烷基以提高硅氮烷與導(dǎo)電基底的表面上存在的羥基的反應(yīng)性。硅氮烷優(yōu)選為由通式(s1)至(s3)中的任何一個(gè)表示的化合物，更優(yōu)選為由通式(s1)或(s2)表示的化合物。硅氮烷的具體示例包括但不限于以下結(jié)構(gòu)。為使用硅氮烷處理硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面，可以直接或者以通過使用溶劑和適當(dāng)?shù)奶砑觿┫♂尮璧橹苽涞囊后w混合物的形式使用硅氮烷。以下，含有硅氮烷的液體混合物稱為“含硅氮烷液體混合物”。包括在含硅氮烷液體混合物中的溶劑的示例包括但不限于己烷、苯、乙醚以及甲苯。包括在含硅氮烷液體混合物中的添加劑的示例包括但不限于諸如三氟醋酸鹽、氯化氫和硫化銨的催化劑。例如，包括在含硅氮烷液體混合物中的硅氮烷的含量不限于，可以是10重量％以上且90重量％以下。例如，為使用硅氮烷處理硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面，可以在干燥的氣氛下將硅氮烷處理前導(dǎo)電基底浸入硅氮烷或含硅氮烷液體混合物中?；蛘?，可以將硅氮烷或含硅氮烷液體混合物噴涂到硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面上。例如，在硅氮烷處理中，硅氮烷或含硅氮烷液體混合物的溫度可以設(shè)置為20℃以上且100℃以下，優(yōu)選設(shè)置為30℃以上且70℃以下。硅氮烷或含硅氮烷液體混合物的溫度可以根據(jù)硅氮烷的含量更改。例如，硅氮烷處理所需的時(shí)間量可以是，但不限于1分鐘以上且24小時(shí)以下。硅氮烷處理所需的時(shí)間量可以根據(jù)硅氮烷的含量更改。在硅氮烷處理之后，可以使用疏水有機(jī)溶劑(例如，己烷、苯、乙醚或甲苯)清潔硅氮烷處理導(dǎo)電基底以去除未反應(yīng)部分的硅氮烷，接著進(jìn)行干燥以去除疏水有機(jī)溶劑。如上所述，硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面上存在的羥基(-oh)或包括在羥基中的氫(-h)原子被硅氮烷處理導(dǎo)電基底中的甲硅烷基所替代，該硅氮烷處理導(dǎo)電基底通過使用硅氮烷處理硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面制備。導(dǎo)電基底是否是硅氮烷處理導(dǎo)電基底可以利用紅外吸收確定。在難以利用紅外吸收確定甲硅烷基的存在的情況下，可以采用簡單方便的測量水接觸角的方法。在導(dǎo)電基底的外周表面通過硅氮烷處理進(jìn)行疏水化的期間發(fā)生的水接觸角的增加表示羥基(-oh)的反應(yīng)。如上所述，使用甲硅烷基替代硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的外周表面上存在的羥基的另一種可能的方法是使用硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行甲硅烷基化。然而，硅烷偶聯(lián)劑與羥基的反應(yīng)性比硅氮烷低。另外，當(dāng)硅烷偶聯(lián)劑通過水解分解時(shí)，產(chǎn)生羥基(即硅烷醇基)。因此，與硅氮烷處理導(dǎo)電基底相比，留在使用硅烷偶聯(lián)劑處理的導(dǎo)電基底的外周表面上的羥基(-oh)的數(shù)量很可能會較大。在使用硅烷偶聯(lián)劑的情況下，不同于甲硅烷基的烷氧基連接到導(dǎo)電基底的外周表面上。由此，導(dǎo)電基底是否使用硅氮烷或通過甲硅烷基化處理過在一定程度上可以利用紅外吸收、氣相色譜法、x射線光電子能譜法等確定。在硅氮烷處理之前，導(dǎo)電基底還可以進(jìn)行除硅氮烷處理以外的處理。換句話說，硅氮烷處理前導(dǎo)電基底可以是進(jìn)行過除硅氮烷處理以外的處理的導(dǎo)電基底。其他處理的示例包括下面描述的粗糙化處理、使用酸性涂布液的處理以及勃母石處理。特別地，其他處理可以在硅氮烷處理之前進(jìn)行。下面描述硅氮烷處理前導(dǎo)電基底的其他處理。在電子照相感光體作為激光打印機(jī)的部件的情況下，可以將導(dǎo)電基底的表面粗糙化至0.04μm以上且0.5μm以下的中心線粗糙度ra以降低當(dāng)使用激光束照射感光體時(shí)形成干涉條紋的可能性。進(jìn)行粗糙化以防止形成干涉條紋在使用發(fā)射非相干光的光源的情況下可以省略，但可以延長感光體的使用壽命，因?yàn)樗档土擞捎趯?dǎo)電基底的表面不規(guī)則而導(dǎo)致缺陷的可能性。例如，為粗糙化導(dǎo)電基底的表面，可以采用以下方法：濕式珩磨，其中向?qū)щ娀讎娡客ㄟ^將磨料懸浮在水中制備的液體；無心研磨，其中通過使導(dǎo)電基底與旋轉(zhuǎn)砂輪壓力接觸來對其進(jìn)行持續(xù)的研磨；以及陽極氧化。為通過陽極氧化粗糙化導(dǎo)電基底的表面，通過使用由諸如鋁的金屬制成的導(dǎo)電基底作為陽極在電解質(zhì)溶液中進(jìn)行陽極氧化以在導(dǎo)電基底的表面形成氧化膜。電解質(zhì)溶液的示例包括硫酸溶液和草酸溶液。但是，最初，由陽極氧化形成的多孔陽極氧化膜有化學(xué)活性，并且易受污染。另外，多孔陽極氧化膜的電阻率根據(jù)環(huán)境變化很大。因此，可以進(jìn)行多孔陽極氧化膜的密封處理，其中氧化膜中形成的微孔被由于加壓蒸汽或沸水(可含有諸如鎳的金屬的鹽)的水合作用導(dǎo)致的體積膨脹所封閉，以將氧化膜變成比氧化膜更穩(wěn)定的水合氧化膜。例如，陽極氧化膜的厚度可以是0.3μm以上且15μm以下。當(dāng)陽極氧化膜的厚度在上述范圍以內(nèi)時(shí)，可以提高氧化膜的注入阻礙特性。另外，可以限制由于重復(fù)使用導(dǎo)致的殘余電勢的增加。導(dǎo)電基底可以通過酸性處理液進(jìn)行處理或者實(shí)施勃母石處理。例如，可以通過以下方式進(jìn)行使用酸性處理液對導(dǎo)電基底的處理。制備含有磷酸、鉻酸和氫氟酸的酸性處理液。例如，酸性處理液中磷酸、鉻酸和氫氟酸的含量如下：磷酸：10重量％以上且11重量％以下；鉻酸：3重量％以上且5重量％以下；以及氫氟酸：0.5重量％以上且2重量％以下。這些酸的總濃度可以是13.5重量％以上且18重量％以下。例如，處理溫度為42℃以上且48℃以下。涂膜的厚度可以是0.3μm以上且15μm以下。例如，在勃母石處理中，將導(dǎo)電基底浸入溫度為90℃以上且100℃以下的純水中5至60分鐘或者使其與溫度為90℃以上且120℃以下的蒸汽接觸5至60分鐘。涂膜的厚度可以是0.1μm以上且5μm以下。產(chǎn)生的導(dǎo)電基底可以通過具有低涂膜溶解度的電解質(zhì)溶液，例如己二酸、硼酸、硼酸鹽、磷酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、馬來酸鹽、苯甲酸鹽、酒石酸鹽或檸檬酸鹽，可選地實(shí)施陽極氧化。底涂層雖然未圖示，底涂層可以可選地設(shè)置在導(dǎo)電基底和感光層之間。例如，底涂層含有無機(jī)顆粒和粘合劑樹脂。例如，無機(jī)顆粒可以具有102ωcm以上且1011ωcm以下的粉末電阻率(即體積電阻率)。例如，在具有以上電阻率的所述無機(jī)顆粒中，優(yōu)選諸如氧化錫顆粒、氧化鈦顆粒、氧化鋅顆粒和氧化鋯顆粒的金屬氧化物顆粒，特別優(yōu)選氧化鋅顆粒。例如，無機(jī)顆粒的bet比表面積可以是10m2/g以上。例如，無機(jī)顆粒的體積平均粒徑可以是50nm以上且2,000nm以下，優(yōu)選為60nm以上且1,000nm以下。例如，無機(jī)顆粒的含量優(yōu)選為粘合劑樹脂的數(shù)量的10重量％以上且80重量％以下，更優(yōu)選為40重量％以上且80重量％以下。無機(jī)顆粒可以可選地實(shí)施表面處理?？梢允褂脙煞N或兩種以上已實(shí)施過不同的表面處理或在混合物中具有不同直徑的無機(jī)顆粒。表面處理中使用的試劑的示例包括硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑、鋁酸鹽偶聯(lián)劑和表面活性劑。具體地說，優(yōu)選硅烷偶聯(lián)劑，更優(yōu)選包括氨基的硅烷偶聯(lián)劑。包括氨基的硅烷偶聯(lián)劑的示例包括但不限于3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷和n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷。兩種或兩種以上的硅烷偶聯(lián)劑可以混合使用。例如，包括氨基的硅烷偶聯(lián)劑可以與另一種硅烷偶聯(lián)劑組合使用。另一種硅烷偶聯(lián)劑的示例包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。可以通過任何已知的方法進(jìn)行使用表面處理劑的無機(jī)顆粒的表面處理。可以采用干法和濕法。例如，使用的表面處理劑的數(shù)量可以是無機(jī)顆粒的數(shù)量的0.5重量％以上且10重量％以下。除無機(jī)顆粒以外，底涂層還可以包括電子接受化合物(即接受體化合物)以提高電學(xué)性能和載體阻擋性能的長期穩(wěn)定性。電子接受化合物的示例包括下列電子傳輸物質(zhì)：諸如氯醌和溴醌的醌；四氰基對醌二甲烷；諸如2,4,7-三硝基芴酮和2,4,5,7-四硝基-9-芴酮的芴酮；諸如2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑、2,5-雙(4-萘基)-1,3,4-惡二唑和2,5-雙(4-二乙氨基苯基)-1,3,4-惡二唑的惡二唑；氧雜蒽酮；噻吩；以及諸如3,3',5,5'-四-叔丁基聯(lián)苯醌的聯(lián)苯醌。具體地說，可以使用具有蒽醌結(jié)構(gòu)的化合物作為電子接受化合物。具有蒽醌結(jié)構(gòu)的化合物的示例包括羥基蒽醌、氨基蒽醌和氨基羥基蒽醌。其具體示例包括蒽醌、茜素、醌茜、蒽絳酚和羥基茜草素。底涂層中包括的電子接受化合物可以與無機(jī)顆粒一起分散到底涂層中或者沉積在無機(jī)顆粒的表面。例如，為將電子接受化合物沉積在無機(jī)顆粒的表面，可以采用干法和濕法。例如，在干法中，在使用能夠產(chǎn)生大剪切力的混合器等攪拌無機(jī)顆粒的同時(shí)，向無機(jī)顆粒滴加或者與干燥空氣或氮?dú)庖黄饑娡侩娮咏邮芑衔锘蛲ㄟ^在有機(jī)溶液溶解電子接受化合物制備的溶液以將電子接受化合物沉積在無機(jī)顆粒的表面。電子接受化合物的添加或噴涂在等于或低于使用的溶劑的沸點(diǎn)的溫度下進(jìn)行。在添加或噴涂電子接受化合物之后，可以可選地在100℃以上烘干產(chǎn)生的無機(jī)顆粒。無機(jī)顆粒烘干的溫度和無機(jī)顆粒烘干的時(shí)間不受限；無機(jī)顆?？梢栽讷@得預(yù)期電子照相性能的適當(dāng)溫度和時(shí)間條件下烘干。例如，在濕法中，在使用攪拌器、超聲波、砂磨機(jī)、磨碎機(jī)、球磨機(jī)等將無機(jī)顆粒分散到溶劑中的同時(shí)，在產(chǎn)生的分散液中添加電子接受化合物。在將分散液攪拌或分散之后，去除溶劑使得電子接受化合物沉積在無機(jī)顆粒的表面。例如，溶劑的去除可以通過過濾或蒸餾進(jìn)行。在溶劑去除之后，可以可選地在100℃以上烘干產(chǎn)生的無機(jī)顆粒。無機(jī)顆粒烘干的溫度和無機(jī)顆粒烘干的時(shí)間不受限；無機(jī)顆?？梢栽讷@得預(yù)期電子照相性能的適當(dāng)溫度和時(shí)間條件下烘干。在濕法中，可以在添加電子接受化合物之前去除無機(jī)顆粒中含有的水分。例如，無機(jī)顆粒中含有的水分的去除可以通過在溶劑中攪拌的同時(shí)加熱無機(jī)顆粒或者將水分與溶劑一起煮沸來完成。電子接受化合物的沉積可以在使用表面處理劑的無機(jī)顆粒的表面處理之前或之后進(jìn)行?；蛘?，電子接受化合物的沉積與使用表面處理劑的表面處理可以同時(shí)進(jìn)行。例如，電子接受化合物的含量為無機(jī)顆粒的數(shù)量的0.01重量％以上且20重量％以下，優(yōu)選為0.01重量％以上且10重量％以下。底涂層中包括的粘合劑樹脂的示例包括下列已知的材料：諸如縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、有機(jī)硅樹脂、有機(jī)硅-醇酸樹脂、脲醛樹脂、酚醛樹脂、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂、醇酸樹脂和環(huán)氧樹脂的高分子化合物；鋯螯合物；鈦螯合物；鋁螯合物；鈦醇鹽；有機(jī)鈦化合物以及硅烷偶聯(lián)劑。底涂層中包括的粘合劑樹脂的其他示例包括具有電荷傳輸基團(tuán)的電荷傳輸樹脂以及諸如聚苯胺的導(dǎo)電樹脂。在以上粘合劑樹脂中，可以使用不溶于用于在底涂層上形成一層的涂布液中含有的溶劑的樹脂作為底涂層中包括的粘合劑樹脂。具體地說，可以使用通過使選自由熱固性樹脂(例如脲醛樹脂、酚樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂和環(huán)氧樹脂)、聚酰胺樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇樹脂和聚乙烯醇縮醛樹脂組成的組中的至少一種樹脂與固化劑反應(yīng)而產(chǎn)生的樹脂。在以上粘合劑樹脂中的兩種或兩種以上組合使用的情況下，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定粘合劑樹脂之間的混合比。底涂層可以包括各種添加劑以提高電學(xué)性能、環(huán)境穩(wěn)定性和圖像重量。添加劑的示例包括下列已知材料：諸如聚縮顏料和偶氮顏料的電子傳輸顏料、鋯螯合物、鈦螯合物、鋁螯合物、鈦醇鹽、有機(jī)鈦化合物以及硅烷偶聯(lián)劑。如上所述可以在無機(jī)顆粒的表面處理中使用的硅烷偶聯(lián)劑也可以作為添加劑添加到底涂層中?？梢宰鳛樘砑觿┦褂玫墓柰榕悸?lián)劑的示例包括乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷以及3-氯丙基三甲氧基硅烷。鋯螯合物的示例包括丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯鋯、三乙醇胺鋯、乙酰丙酮丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯丁醇鋯、醋酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、膦酸鋯、辛酸鋯、環(huán)烷酸鋯、月桂酸鋯、硬脂酸鋯、異硬脂酸鋯、甲基丙烯酸丁醇鋯、硬脂酸丁醇鋯和異硬脂酸丁醇鋯。鈦螯合物的示例包括鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、鈦酸丁酯二聚體、四-(2-乙基己基)鈦酸、乙酰丙酮鈦、聚乙酰丙酮鈦、亞辛基乙醇酸鈦、乳酸銨鹽鈦、乳酸鈦、乳酸乙酯鈦、三乙醇胺鈦以及多羥基硬脂酸鈦。鋁螯合物的示例包括異丙醇鋁、單丁氧基二異丙酸鋁、丁酸鋁、二乙基乙酰乙酸二異丙醇鋁以及鋁三(乙酰乙酸乙酯)。以上添加劑可以單獨(dú)使用?；蛘?，以上化合物中的兩種或兩種以上可以混合或者以縮聚物的形式使用。底涂層可以具有35以上的維氏硬度。為減少莫爾條紋的形成，可以將底涂層的表面粗糙度(即十點(diǎn)平均粗糙度)控制在作為曝光光使用的激光束的波長λ的1/(4n)至1/2，其中n是底涂層上將形成的層的折射率。可以向底涂層添加樹脂顆粒等以調(diào)整底涂層的表面粗糙度。樹脂顆粒的示例包括有機(jī)硅樹脂顆粒以及交聯(lián)聚甲基丙烯酸甲酯樹脂顆粒?？梢匝心サ淄繉拥谋砻嬉哉{(diào)整底涂層的表面粗糙度。為研磨底涂層的表面，可以進(jìn)行拋光、噴砂、濕式珩磨、研磨等。形成底涂層的方法不受限，可以采用已知的方法。例如，使用通過將上述成分與溶劑混合而制備的底涂層形成涂布液形成涂布膜，并且將涂布膜干燥，必要時(shí)加熱。用于制備底涂層形成涂布液的溶劑的示例包括已知的有機(jī)溶劑，例如醇溶劑、芳香烴溶劑、鹵代烴類溶劑、酮溶劑、酮醇溶劑、醚類溶劑以及酯溶劑。其具體示例包括下列常見有機(jī)溶劑：甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、芐醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、醋酸甲酯、乙酸乙酯、醋酸正丁酯、二氧六環(huán)、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯以及甲苯。例如，為在制備底涂層形成涂布液的過程中分散無機(jī)顆粒，可以使用已知的設(shè)備，例如滾磨機(jī)、球磨機(jī)、振動球磨機(jī)、磨碎機(jī)、砂磨機(jī)、膠體磨以及油漆搖動器。例如，為使用底涂層形成涂布液涂布導(dǎo)電基底，可以采用常用的方法，例如刮刀涂布、線棒涂布、噴涂、浸漬涂布、珠涂布、氣刀涂布以及簾式涂布。例如，底涂層的厚度優(yōu)選地設(shè)置為15μm以上，更優(yōu)選地設(shè)置為18μm以上且50μm以下。中間層盡管附圖中未示出，可以可選地在底涂層和感光層之間設(shè)置中間層。例如，中間層包括樹脂。中間層中包括的樹脂的示例包括下列高分子化合物：縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、有機(jī)硅樹脂、有機(jī)硅-醇酸樹脂、酚醛樹脂以及三聚氰胺樹脂。中間層可以包括有機(jī)金屬化合物?？梢园ㄔ谥虚g層中的有機(jī)金屬化合物的示例包括含有諸如鋯原子、鈦原子、鋁原子、錳原子或硅原子的金屬原子的有機(jī)金屬化合物?？梢园ㄔ谥虚g層中的以上化合物可以單獨(dú)使用?；蛘撸陨匣衔镏械膬煞N或兩種以上可以混合或者以縮聚物的形式使用。具體地說，中間層可以包括含有鋯原子或硅原子的有機(jī)金屬化合物。形成中間層的方法不受限，可以采用已知的方法。例如，使用通過將上述成分與溶劑混合而制備的中間層形成涂布液形成涂布膜，并且將涂布膜干燥，必要時(shí)加熱。為形成中間層，可以采用常用的涂布方法，例如浸漬涂布、上推涂布(pushcoating)、線棒涂布、噴涂、刮刀涂布、氣刀涂布以及簾式涂布。例如，中間層的厚度可以設(shè)置為0.1μm以上且3μm以下?？梢允褂弥虚g層作為底涂層。單層型感光層單層型感光層包括粘合劑樹脂、電荷產(chǎn)生材料、電子傳輸材料以及空穴傳輸材料。單層型感光層可以可選地包括其他添加劑。粘合劑樹脂粘合劑樹脂的示例包括但不限于聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚芳酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來酸酐共聚物、有機(jī)硅樹脂、有機(jī)硅-醇酸樹脂、苯酚甲醛樹脂、苯乙烯醇酸樹脂、聚-n-乙烯基咔唑以及聚硅烷。以上粘合劑樹脂可以單獨(dú)使用或者兩種或兩種以上混合使用。例如，在以上粘合劑樹脂中，特別地，從感光層的可成形性的角度來說，可以使用粘度平均分子量為30,000以上且80,000以下的聚碳酸酯樹脂。例如，粘合劑樹脂的含量可以是感光層的總固體含量的35重量％以上且60重量％以下，優(yōu)選為50重量％以上且60重量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為53重量％以上且60重量％以下。電荷產(chǎn)生材料電荷產(chǎn)生材料的示例包括諸如雙偶氮和三偶氮的偶氮顏料；諸如二溴蒽嵌蒽醌的環(huán)狀芳香族顏料；苝顏料；吡咯并吡咯顏料；酞菁顏料；氧化鋅；以及三角硒。在以上電荷產(chǎn)生材料中，考慮到近紅外區(qū)域中激光束的曝光，可以使用金屬酞菁顏料或非金屬酞菁顏料。所述電荷產(chǎn)生材料的具體示例包括羥基鎵酞菁、氯化鎵酞菁、二氯化錫酞菁以及氧鈦酞菁。在以上電荷產(chǎn)生材料中，考慮到近紫外區(qū)域中激光束的曝光，可以使用諸如二溴蒽嵌蒽醌；硫靛顏料；四氮雜卟啉；氧化鋅；三角硒以及雙偶氮顏料的環(huán)狀芳香族顏料。也就是說，例如，在由用于曝光的光源發(fā)出的光的波長為380nm以上且500nm以下的情況下可以使用無機(jī)顏料作為電荷產(chǎn)生材料，在由用于曝光的光源發(fā)出的光的波長為700nm以上且800nm以下的情況下可以使用金屬和非金屬酞菁顏料作為電荷產(chǎn)生材料。在本示例性實(shí)施例中，電荷產(chǎn)生材料可以是選自羥基鎵酞菁顏料和氯化鎵酞菁顏料中的至少一種顏料。以上顏料可以單獨(dú)使用或者必要時(shí)作為電荷產(chǎn)生材料的組合使用。特別地，電荷產(chǎn)生材料可以是羥基鎵酞菁顏料以提高感光體的反應(yīng)性并降低點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率。羥基鎵酞菁顏料的類型不受限制。為提高感光體的反應(yīng)性并減少圖像上的色斑的形成，可以使用v型羥基鎵酞菁顏料。特別地，例如，羥基鎵酞菁顏料可以是在涵蓋600nm以上且900nm以下的范圍的光譜吸收光譜內(nèi)具有810nm以上且839nm以下的最大峰值波長的羥基鎵酞菁顏料，因?yàn)樗隽u基鎵酞菁顏料能夠以更高的程度分散。也就是說，當(dāng)所述羥基鎵酞菁顏料作為電子照相感光體的材料使用時(shí)，有可能獲得優(yōu)良的可分散性、足夠高的靈敏度、足夠高的帶電性以及足夠高的暗衰減特性。具有810nm以上且839nm以下的最大峰值波長的羥基鎵酞菁顏料可以具有在特定范圍以內(nèi)的平均粒徑以及在特定范圍以內(nèi)的bet比表面積。具體地說，所述羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑優(yōu)選為0.20μm以下，更優(yōu)選為0.01μm以上且0.15μm以下，而所述羥基鎵酞菁顏料的bet比表面積優(yōu)選為45m2/g以上，更優(yōu)選為50m2/g以上，特別優(yōu)選為55m2/g以上且120m2/g以下。羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑是利用由堀場公司(horiba,ltd.)制造的激光衍射/散射粒徑分布分析儀“l(fā)a-700”測量的羥基鎵酞菁顏料的體積平均粒徑(即d50平均粒徑)。羥基鎵酞菁顏料的bet比表面積利用由日本島津公司(shimadzucorporation)制造的bet比表面積分析儀“flowsorbii2300”通過氮?dú)鉀_洗法進(jìn)行測量。如果羥基鎵酞菁顏料的平均粒徑大于0.20μm或者羥基鎵酞菁顏料的bet比表面積小于45m2/g，顏料顆粒的尺寸有可能過大或者顏料顆粒有可能形成聚集體。這樣，增加了諸如分散性、靈敏度、帶電性以及暗衰減特性的性能劣化的發(fā)生率，由此可能會增加圖像重量的缺陷。羥基鎵酞菁顏料的最大粒徑(即最大初級粒徑)優(yōu)選為1.2μm以下，更優(yōu)選為1.0μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.3μm以下。如果羥基鎵酞菁顏料的最大粒徑超過以上范圍，可能會增加黑斑的發(fā)生。羥基鎵酞菁顏料可以具有0.2μm以下的平均粒徑，1.2μm以下的最大粒徑以及45m2/g以上的比表面積以降低由于感光體暴露于熒光燈等而可能發(fā)生的密度不一致。羥基鎵酞菁顏料可以是在由cukα輻射測量的x射線衍射光譜中至少在7.3°、16.0°、24.9°和28.0°的布拉格角(2θ±0.2°)具有衍射峰的v型羥基鎵酞菁顏料。盡管氯化鎵酞菁顏料的類型不受限，但氯化鎵酞菁顏料在7.4°、16.6°、25.5°和28.3°的布拉格角(2θ±0.2°)可以具有衍射峰。所述氯化鎵酞菁顏料作為具有優(yōu)良靈敏度的電子照相感光體的材料。氯化鎵酞菁顏料在光譜吸收光譜中的適宜的最大峰值波長、平均粒徑、最大粒徑和比表面積與羥基鎵酞菁顏料相同。例如，電荷產(chǎn)生材料的含量可以是感光層的總固體含量的1重量％以上且5重量％以下，優(yōu)選為1.2重量％以上且4.5重量％以下。電子傳輸材料電子傳輸材料的示例包括但不限于以下電子傳輸化合物：諸如對苯醌、氯醌、四溴對苯醌和蒽醌的醌；四氰二甲基對苯醌化合物；諸如2,4,7-三硝基芴酮的芴酮；諸如二腈基亞甲基芴的芴；氧雜蒽酮；二苯甲酮；氰乙烯基化合物；以及乙烯。以上電子傳輸材料可以單獨(dú)使用或者以兩種或兩種以上的混合物使用。從電荷遷移性的角度來說，電子傳輸材料優(yōu)選為選自包括諸如芴酮、芴和醌的芴骨架的化合物中的至少一種，更優(yōu)選為選自包括二氰亞甲基和聯(lián)苯醌的芴衍生物中的至少一種，進(jìn)一步優(yōu)選為選自由以下通式(1)和(2)表示的電子傳輸材料中的至少一種。下面描述由以下通式(1)表示的電子傳輸材料。在通式(1)中，r11、r12、r13、r14、r15、r16和r17各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；并且r18表示烷基、-l19-o-r20基、芳基或芳烷基，其中l(wèi)19是亞烷基，且r20是烷基。通式(1)中由r11至r17表示的鹵素原子的示例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。通式(1)中由r11至r17表示的烷基的示例包括具有1-4個(gè)碳原子，優(yōu)選1-3個(gè)碳原子的直鏈烷基和支鏈烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基以及異丁基。通式(1)中由r11至r17表示的烷氧基的示例包括具有1-4個(gè)碳原子，優(yōu)選1-3個(gè)碳原子的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基以及丁氧基。通式(1)中由r11至r17表示的芳基的示例包括苯基和甲苯基。特別地，在由r11至r17表示的芳基中，可以使用苯基。通式(1)中由r11至r17表示的芳烷基的示例與下面描述的由r18表示的芳烷基相同，例如芐基、苯乙基以及苯丙基。通式(1)中由r18表示的烷基的示例包括具有1-12個(gè)碳原子，優(yōu)選5-10個(gè)碳原子的直鏈烷基以及具有3-10個(gè)碳原子，優(yōu)選5-10個(gè)碳原子的支鏈烷基。具有1-12個(gè)碳原子的直鏈烷基的示例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基以及正十二烷基。具有3-10個(gè)碳原子的支鏈烷基的示例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基以及叔癸基。在通式(1)中由r18表示的-l19-o-r20基中，l19表示亞烷基，且r20表示烷基。由l19表示的亞烷基的示例包括具有1-12個(gè)碳原子的直鏈烷基和支鏈亞烷基，例如亞甲基、乙烯基、正丙烯基、異丙烯基、正丁烯基、異丁烯基、仲丁烯基、叔丁烯基、正戊烯基、異戊烯基、新戊烯基以及叔戊烯基。由r20表示的烷基的示例與由r11至r17表示的烷基的上述示例相同。通式(1)中由r18表示的芳基的示例包括苯基、甲基苯基、二甲基苯基以及乙基苯基。從可溶性的角度來說，由r18表示的芳基可以是由烷基取代的芳基，即烷基取代的芳基。可以取代芳基以形成烷基取代的芳基的烷基的示例與由r11至r17表示的烷基的上述示例相同。通式(1)中由r18表示的芳烷基的示例包括由-r18a-ar表示的基團(tuán)，其中r18a是亞烷基，且ar是芳基。由r18a表示的亞烷基的示例包括具有1-12個(gè)碳原子的直鏈烷基和支鏈亞烷基，例如亞甲基、乙烯基、正丙烯基、異丙烯基、正丁烯基、異丁烯基、仲丁烯基、叔丁烯基、正戊烯基、異戊烯基、新戊烯基以及叔戊烯基。由ar表示的芳基的示例包括苯基、甲基苯基、二甲基苯基以及乙基苯基。通式(1)中由r18表示的芳烷基的具體示例包括芐基、甲基芐基、二甲基芐基、苯乙基、甲基苯乙基、苯丙基以及苯丁基。在由通式(1)表示的電子傳輸材料中，可以使用r18是具有5-10個(gè)碳原子的支鏈烷基或芳烷基的電子傳輸材料以提高感光體的靈敏度并降低色斑的發(fā)生率。特別地，可以使用r11至r17各自獨(dú)立的是氫原子、鹵素原子或烷基，且r18是具有5-10個(gè)碳原子的支鏈烷基或芳烷基的電子傳輸材料。由通式(1)表示的電子傳輸材料的示例包括但不限于下列例示化合物。以下，下列例示化合物被編號為“例示化合物(1-[編號])”。具體地，例如，例示化合物(15)被編號為“例示化合物(1-15)”。用于描述上述例示化合物的縮寫表示如下。*：基團(tuán)連接到氧原子上的位置n-bu：正丁基t-bu：叔丁基cl：氯原子me：甲基meo：甲氧基ph：苯基下面描述由通式(2)表示的電子傳輸材料。在通式(2)中，r21、r22、r23和r24各自獨(dú)立地表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵素原子或苯基。通式(2)中由r21至r24表示的烷基的示例包括具有1-6個(gè)碳原子的直鏈烷基和支鏈烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、戊基以及己基。由r21至r24表示的烷基可以由基團(tuán)取代?？梢匀〈榛幕鶊F(tuán)的示例包括環(huán)烷基和氟取代的烷基。通式(2)中由r21至r24表示的烷氧基的示例包括具有1-6個(gè)碳原子的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基以及丁氧基。通式(2)中由r21至r24表示的鹵素原子的示例包括氯原子、碘原子、溴原子以及氟原子。通式(2)中由r21至r24表示的苯基可以由基團(tuán)取代。可以取代苯基的基團(tuán)的示例包括具有1-6個(gè)碳原子的烷基、具有1-6個(gè)碳原子的烷氧基以及聯(lián)苯基。在由通式(2)表示的電子傳輸材料中，可以使用其中選自r21至r24中的至少一種，優(yōu)選三種或三種以上為具有4個(gè)碳原子的支鏈烷基的電子傳輸材料以提高感光體的靈敏度并降低色斑的發(fā)生率。由通式(2)表示的電子傳輸材料的具體示例包括但不限于下列例示化合物。以下，下列例示化合物被編號為“例示化合物(2-[編號])”。具體地，例如，例示化合物(2)被編號為“例示化合物(2-2)”。除由通式(1)和(2)表示的電子傳輸材料以外，電子傳輸材料的具體示例還包括由以下結(jié)構(gòu)式(et-a)至(et-e)表示的化合物。下面描述的其他電子傳輸材料可以與選自由通式(1)和(2)表示的電子傳輸材料中的至少一種組合使用。按固體含量計(jì)算，感光層中的電子傳輸材料的總含量優(yōu)選為2重量％以上且30重量％以下，更優(yōu)選為5重量％以上且20重量％以下。將電子傳輸材料的含量設(shè)置成在以上范圍以內(nèi)使得感光體具有良好的電氣性能并且產(chǎn)生良好的電荷保持能力?？昭▊鬏敳牧峡昭▊鬏敳牧系氖纠ǖ幌抻谌及贰⒙?lián)苯胺、芳烷烴、芳基取代的乙烯、二苯乙烯、蒽以及腙。以上空穴傳輸材料可以單獨(dú)使用或者以兩種或兩種以上的混合物使用。從電荷遷移率的角度來說，空穴傳輸材料優(yōu)選包括三芳胺，更優(yōu)選包括具有丁二烯結(jié)構(gòu)的三芳胺，進(jìn)一步優(yōu)選包括由以下通式(3)表示的空穴傳輸材料。在通式(3)中，r1、r2、r3、r4、r5和r6各自獨(dú)立地表示氫原子、低級烷基、烷氧基、苯氧基、鹵素原子或者由選自低級烷基、低級烷氧基和鹵素原子的基團(tuán)取代或未取代的苯基；并且p和q各自獨(dú)立地表示0或1。通式(3)中由r1至r6表示的低級烷基的示例包括具有1-4個(gè)碳原子的直鏈烷基和支鏈烷基，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基以及異丁基。具體地，在以上低級烷基中，可以使用甲基和乙基。通式(3)中由r1至r6表示的烷氧基的示例包括具有1-4個(gè)碳原子的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基以及丁氧基。通式(3)中由r1至r6表示的鹵素原子的示例包括氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。通式(3)中由r1至r6表示的苯基的示例包括未取代的苯基；諸如對甲苯基和2,4-二甲苯基的低級烷基取代的苯基；諸如對甲氧基苯基的低級烷氧基取代的苯基；以及諸如對氯苯基的鹵素取代的苯基。可以取代苯基的基團(tuán)的示例包括由r1至r6表示的低級烷基、低級烷氧基以及鹵素原子的上述示例。在由通式(3)表示的空穴傳輸材料中，可以使用其中p和q都是1的空穴傳輸材料以提高感光體的靈敏度并降低點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率。特別地，可以使用其中r1至r6各自獨(dú)立地表示氫原子、低級烷基或烷氧基并且p和q是1的空穴傳輸材料。由通式(3)表示的空穴傳輸材料的具體示例包括但不限于下列例示化合物。以下，下列例示化合物被編號為“例示化合物(3-[編號])”。具體地，例如，例示化合物(15)被編號為“例示化合物(3-15)”。用于描述上述例示化合物的縮寫表示如下。4-me：在4-位值連接到苯基上的甲基3-me：在3-位值連接到苯基上的甲基4-cl：在4-位值連接到苯基上的氯原子4-meo：在4-位值連接到苯基上的甲氧基4-f：在4-位值連接到苯基上的氟原子4-pr：在4-位值連接到苯基上的丙基4-pho：在4-位值連接到苯基上的苯氧基除由通式(3)表示的空穴傳輸材料以外，空穴傳輸材料的具體示例還包括由以下通式(b-1)至(b-3)表示的化合物。在通式(b-1)中，arb101、arb102和arb103各自獨(dú)立地表示未取代或取代的芳基、-c6h4-c(rb104)＝c(rb105)(rb106)基或-c6h4-ch＝ch-ch＝c(rb107)(rb108)基，其中rb104、rb105、rb106、rb107和rb108各自獨(dú)立地表示氫原子、未取代或取代的烷基或者未取代或取代的芳基。可以取代以上基團(tuán)的基團(tuán)的示例包括氫原子、具有1-5個(gè)碳原子的烷基、具有1-5個(gè)碳原子的烷氧基以及由具有1-3個(gè)碳原子的烷基取代的氨基。在通式(b-2)中，rb8和rb8’可以彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地表示氫原子、具有1-5個(gè)碳原子的烷基或者具有1-5個(gè)碳原子的烷氧基；rb9、rb9'、rb10和rb10'可以彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地表示氫原子、具有1-5個(gè)碳原子的烷基、具有1-5個(gè)碳原子的烷氧基、由具有1或2個(gè)碳原子的烷基取代的氨基、未取代或取代的芳基、-c(rb11)＝c(rb12)(rb13)基或者-ch＝ch-ch＝c(rb14)(rb15)基，其中rb11至rb15各自獨(dú)立地表示氫原子、未取代或取代的烷基或者未取代或取代的芳基；并且m12、m13、n12和n13各自獨(dú)立地表示0到2的整數(shù)。在通式(b-3)中，rb16和rb16'可以彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、具有1-5個(gè)碳原子的烷基或者具有1-5個(gè)碳原子的烷氧基；rb17、rb17'、rb18和rb18'可以彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地表示氫原子、具有1-5個(gè)碳原子的烷基、具有1-5個(gè)碳原子的烷氧基、由具有1或2個(gè)碳原子的烷基取代的氨基、未取代或取代的芳基、-c(rb19)＝c(rb20)(rb21)基或者-ch＝ch-ch＝c(rb22)(rb23)基，其中rb19至rb23各自獨(dú)立地表示氫原子、未取代或取代的烷基或者未取代或取代的芳基；并且m14、m15、n14和n15各自獨(dú)立地表示0到2的整數(shù)。特別地，在由通式(b-1)至(b-3)表示的化合物中，可以使用由通式(b-1)表示的包括-c6h4-ch＝ch-ch＝c(rb107)(rb108)基的化合物以及由通式(b-2)表示的包括-ch＝ch-ch＝c(rb14)(rb15)基的化合物。由通式(b-1)至(b-3)表示的化合物的具體示例包括以下化合物。例如，空穴傳輸材料的含量可以是感光層的總固體含量的10重量％以上且40重量％以下，優(yōu)選為20重量％以上且35重量％以下。注意，在兩種或兩種以上空穴傳輸材料組合使用的情況下，這里使用的術(shù)語“空穴傳輸材料的含量”指空穴傳輸材料的總含量?？昭▊鬏敳牧吓c電子傳輸材料之間的比空穴傳輸材料與電子傳輸材料之間的重量比，即[空穴傳輸材料]/[電子傳輸材料]優(yōu)選為50/50以上且90/10以下，更優(yōu)選為60/40以上且80/20以下。注意，在其他電荷傳輸材料組合使用的情況下，這里使用的術(shù)語“空穴傳輸材料與電子傳輸材料之間的重量比”指空穴傳輸材料的總重量與電子傳輸材料的總重量之間的比。其他添加劑單層型感光層可以可選地包括其他已知的添加劑，例如表面活性劑、抗氧化劑、光穩(wěn)定劑以及熱穩(wěn)定劑。在單層型感光層作為表面層的情況下，單層型感光層可以包括氟樹脂顆粒、硅油等。單層型感光層的形成單層型感光層可以使用通過混合上述成分與溶劑制備的感光層形成涂布液來形成。溶劑的示例包括下列常用有機(jī)溶劑：諸如苯、甲苯、二甲苯和氯苯的芳香烴；諸如丙酮和2-丁酮的酮；諸如二氯甲烷、氯仿和氯化乙烯的鹵代脂肪族烴；以及諸如四氫呋喃和乙醚的環(huán)醚和直鏈醚。以上溶劑可以單獨(dú)使用或者以兩種或兩種以上的混合物使用。為將電荷產(chǎn)生材料等的顆粒分散到感光層形成涂布液中，可以使用諸如球磨機(jī)、振動球磨機(jī)、磨碎機(jī)、砂磨機(jī)和臥式砂磨機(jī)的介質(zhì)分散機(jī)；以及諸如攪拌器、超聲波分散器、滾磨機(jī)和高壓均質(zhì)器的無介質(zhì)分散機(jī)。高壓均質(zhì)器的示例包括其中使分散液在高壓條件下碰撞液體或壁以形成分散液的沖擊式均質(zhì)器以及其中分散液在高壓條件下通過非常薄的通道以形成分散液的穿透式均質(zhì)器。例如，為將感光層形成涂布液涂敷到導(dǎo)電基底等上，可以采用浸漬涂布、上推涂布、線棒涂布、噴涂、刮刀涂布、氣刀涂布以及簾式涂布。單層型感光層的厚度優(yōu)選為5μm以上且60μm以下，更優(yōu)選為5μm以上且50μm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為10μm以上且40μm以下。其他層如上所述，根據(jù)本示例性實(shí)施例的感光體可以可選地包括其他層。其他層的示例為設(shè)置在感光層上并作為表面層的保護(hù)層。例如，設(shè)置保護(hù)層以減少充電過程中可能發(fā)生的感光層的化學(xué)變化并增加感光層的機(jī)械強(qiáng)度。因此，保護(hù)層可以是由固化薄膜(即交聯(lián)薄膜)組成的層。所述層的示例包括以下1)和2)中所述的層。1)由通過固化包括含反應(yīng)基團(tuán)電荷傳輸材料的組合物形成的薄膜組成的層，該含反應(yīng)基團(tuán)電荷傳輸材料在同一個(gè)分子中包括反應(yīng)基團(tuán)和電荷傳輸骨架，即包括該含反應(yīng)基團(tuán)電荷傳輸材料的聚合物或交聯(lián)產(chǎn)物的層。2)由通過固化包括非反應(yīng)性電荷傳輸材料和含反應(yīng)基團(tuán)非電荷傳輸材料的組合物形成的薄膜組成的層，該含反應(yīng)基團(tuán)非電荷傳輸材料不包括電荷傳輸骨架且包括反應(yīng)基團(tuán)，即包括該非反應(yīng)性電荷傳輸材料與含反應(yīng)基團(tuán)非電荷傳輸材料的聚合物或交聯(lián)產(chǎn)物的層。包括在含反應(yīng)基團(tuán)電荷傳輸材料中的反應(yīng)基團(tuán)的示例包括以下已知的反應(yīng)基團(tuán)：鏈聚合基團(tuán)；環(huán)氧基；-oh基；-or基，其中r是烷基；-nh2基、-sh基、-cooh基；以及-sirq13-qn(orq2)qn基，其中rq1表示氫原子、烷基或者未取代或取代的烷基，rq2表示氫原子、烷基或者三烷基甲硅烷基，并且qn是1到3的整數(shù)。鏈聚合基團(tuán)的類型不受限制，并且可以使用能夠誘導(dǎo)自由基聚合的任何官能團(tuán)。所述官能團(tuán)的示例包括包含至少一個(gè)碳雙鍵的官能團(tuán)。官能團(tuán)的具體示例包括包含選自乙烯基、乙烯醚基、乙烯硫醚基、乙烯苯基、苯乙烯基、丙烯?；?、甲基丙烯?；约耙陨匣鶊F(tuán)的衍生物中的至少一種的官能團(tuán)。特別地，可以使用包括選自乙烯基、乙烯苯基、苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯?；约耙陨匣鶊F(tuán)的衍生物中的至少一種的鏈聚合基團(tuán)，因?yàn)樗鲦溇酆匣鶊F(tuán)具有高反應(yīng)性。包括在含反應(yīng)基團(tuán)電荷傳輸材料中的電荷傳輸骨架不受限制，并且可以使用通常在電子照相感光體中使用的具有已知結(jié)構(gòu)的任何電荷傳輸骨架。所述電荷傳輸骨架的示例包括來源于諸如三芳胺、聯(lián)苯胺和腙的含氮空穴傳輸化合物并且與氮原子共軛的骨架。特別地，在以上骨架中，可以使用三芳胺骨架。上述包括反應(yīng)基團(tuán)和電荷傳輸骨架的含反應(yīng)基團(tuán)電荷傳輸材料、非反應(yīng)性電荷傳輸材料以及含反應(yīng)基團(tuán)非電荷傳輸材料可以選自常用材料。保護(hù)層可以可選地包括其他的已知添加劑。用于形成保護(hù)層的方法不受限制，并且可以使用已知的形成方法。例如，使用通過將上述成分與溶劑混合而制備的保護(hù)層形成涂布液形成涂布膜，接著干燥，并在必要時(shí)通過加熱使其固化。用于制備保護(hù)層形成涂布液的溶劑的示例包括諸如甲苯和二甲苯的芳香族溶劑；諸如甲基乙基酮、甲基異丁基酮和環(huán)己酮的酮溶劑；諸如乙酸乙酯和乙酸丁酯的酯溶劑；諸如四氫呋喃和二氧六環(huán)的醚類溶劑；諸如乙二醇單甲醚的溶纖劑；以及諸如異丙醇和丁醇的醇溶劑。以上溶劑可以單獨(dú)使用或者以兩種或兩種以上的混合物使用。保護(hù)層形成涂布液可以在不使用溶劑的情況制備。例如，為將保護(hù)層形成涂布液涂敷到感光層上，可以采用以下常用方法：浸漬涂布、上推涂布、線棒涂布、噴涂、刮刀涂布、氣刀涂布、簾式涂布等。例如，保護(hù)層的厚度優(yōu)選為1μm以上且20μm以下，更優(yōu)選為2μm以上且10μm以下。功能分離型感光層例如，功能分離型感光層包括依次層疊在彼此頂部的導(dǎo)電基底、電荷產(chǎn)生層以及電荷傳輸層。電荷產(chǎn)生層例如，包括在功能分離型感光層中的電荷產(chǎn)生層包括電荷產(chǎn)生材料和粘合劑樹脂。電荷產(chǎn)生層可以通過電荷產(chǎn)生材料的氣相沉積形成。電荷產(chǎn)生材料和粘合劑樹脂分別與包括在上述單層型感光層中的電荷產(chǎn)生材料和粘合劑樹脂相同。形成電荷產(chǎn)生層的方法與形成單層型感光層的方法相同。電荷產(chǎn)生材料與粘合劑樹脂之間的重量比優(yōu)選為10:1至1:10。例如，電荷產(chǎn)生層的厚度優(yōu)選為0.1μm以上且5.0μm以下，更優(yōu)選為0.2μm以上且2.0μm以下。電荷傳輸層例如，包括在功能分離型感光層中的電荷傳輸層包括電荷傳輸材料和粘合劑樹脂。電荷傳輸層可以包括高分子電荷傳輸材料。電荷傳輸材料的細(xì)節(jié)與包括在上述單層型感光層中的空穴傳輸材料和電子傳輸材料相同。用于形成電荷傳輸層的方法與用于形成單層型感光層的方法相同。電荷傳輸材料與粘合劑樹脂之間的重量比優(yōu)選為10:1至1:5。例如，電荷傳輸層的厚度優(yōu)選為5μm以上且50μm以下，更優(yōu)選為10μm以上且30μm以下。圖像形成裝置與處理盒根據(jù)示例性實(shí)施例的圖像形成裝置包括電子照相感光體；充電單元，其對電子照相感光體的表面進(jìn)行充電；靜電潛像形成單元，其在電子照相感光體的已充電表面形成靜電潛像；顯影單元，其使用含有調(diào)色劑的顯影劑對電子照相感光體的表面形成的靜電潛像進(jìn)行顯影以形成調(diào)色劑圖像；以及轉(zhuǎn)印單元，其將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面。電子照相感光體是根據(jù)上述示例性實(shí)施例的電子照相感光體。根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置可以作為下列已知圖像形成裝置中的任意一種實(shí)現(xiàn)：具有將轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)表面的調(diào)色劑圖像定影的定影單元的圖像形成裝置；直接將電子照相感光體的表面形成的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面的直接轉(zhuǎn)印式圖像形成裝置；將電子照相感光體的表面形成的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印體的表面(此過程被稱為“一次轉(zhuǎn)印”)并進(jìn)一步將轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印體的表面的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面(此過程被稱為“二次轉(zhuǎn)印”)的中間轉(zhuǎn)印式圖像形成裝置；具有對調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印之后尚未被充電的電子照相感光體的表面進(jìn)行清潔的清潔單元的圖像形成裝置；具有對調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印之后尚未被充電的電子照相感光體的表面照射電荷消除光以消除電荷的電荷消除單元的圖像形成裝置；以及具有對電子照相感光體進(jìn)行加熱以降低電子照相感光體的相對溫度的電子照相感光體加熱元件的圖像形成裝置。例如，在中間轉(zhuǎn)印式圖像形成裝置中，轉(zhuǎn)印單元包括：中間轉(zhuǎn)印體，其上轉(zhuǎn)印有調(diào)色劑圖像；一次轉(zhuǎn)印單元，其將電子照相感光體的表面形成的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印體的表面(一次轉(zhuǎn)印)；以及二次轉(zhuǎn)印單元，其將轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印體的表面的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)的表面(二次轉(zhuǎn)印)。根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置可以是干式顯影圖像形成裝置或使用液體顯影劑顯影圖像的濕式顯影圖像形成裝置。例如，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置中，具有電子照相感光體的部分可以具有墨盒結(jié)構(gòu)，也就是說，可以是處理盒，其可拆卸地安裝到圖像形成裝置上。例如，處理盒可以具有根據(jù)上述示例性實(shí)施例的電子照相感光體。例如，處理盒可以進(jìn)一步具有至少一個(gè)選自由充電單元、靜電潛像形成單元、顯影單元和轉(zhuǎn)印單元組成的組中的部件。下面描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的示例。但是，根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置不限于此。以下，僅描述附圖中示出的部件，省略其他部件的描述。圖3示意性地示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的示例。如圖3所示，根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置100具有處理盒300，該處理盒300包括電子照相感光體7、曝光裝置9(靜電潛像形成單元的示例)、轉(zhuǎn)印裝置40(即一次轉(zhuǎn)印裝置)以及中間轉(zhuǎn)印體50。在圖像形成裝置100中，設(shè)置曝光裝置9使得電子照相感光體7暴露于由曝光裝置9通過在處理盒300中形成的縫隙發(fā)射的光；轉(zhuǎn)印裝置40設(shè)置成面對電子照相感光體7且中間轉(zhuǎn)印體50處于轉(zhuǎn)印裝置40與電子照相感光體7之間；并且中間轉(zhuǎn)印體50設(shè)置成使得中間轉(zhuǎn)印體50的一部分與電子照相感光體7相接觸。盡管附圖中未示出，圖像形成裝置100還具有將轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印體50上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)，例如紙張上的二次轉(zhuǎn)印裝置。在圖像形成裝置100中，中間轉(zhuǎn)印體50、轉(zhuǎn)印裝置40(即一次轉(zhuǎn)印裝置)以及二次轉(zhuǎn)印裝置(未示出)相當(dāng)于轉(zhuǎn)印單元的示例。圖3所示的處理盒300包括電子照相感光體7、充電裝置8(充電單元的示例)、顯影裝置11(顯影單元的示例)以及清潔裝置13(清潔單元的示例)，它們一體地支撐在外殼中。清潔裝置13包括清潔刮刀131(清潔元件的示例)，其設(shè)置成與電子照相感光體7的表面相接觸。例如，清潔元件的形式不限于清潔刮刀131，還可以是導(dǎo)電纖維元件或絕緣纖維元件。導(dǎo)電纖維元件或絕緣纖維元件可以單獨(dú)使用或者與清潔刮刀131組合使用。圖3所示的圖像形成裝置包括：輥狀纖維元件132，通過其向電子照相感光體7的表面供應(yīng)潤滑劑14；以及平面刷狀纖維元件133，其輔助清潔。但是，圖3所示的圖像形成裝置僅僅是示例，并且清潔元件132和133是可選的，根據(jù)需要可有可無。下面分別描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的部件。充電裝置例如，充電裝置8可以是接觸型充電器，包括導(dǎo)電或半導(dǎo)電充電輥、充電刷、充電薄膜、充電橡膠刮刀、充電管等。也可以使用已知的充電器，例如非接觸型輥充電器以及利用電暈放電的格柵電暈管(scorotron)和電暈管(corotron)。曝光裝置例如，曝光裝置9可以是光學(xué)裝置，通過該光學(xué)裝置可以使電子照相感光體7的表面以預(yù)定圖像圖案暴露于由半導(dǎo)體激光器、led、液晶光閘等發(fā)射的光。光源的波長設(shè)置為在電子照相感光體的光譜靈敏度范圍以內(nèi)。盡管常見半導(dǎo)體激光器在780nm附近，即在近紅外區(qū)域，有震蕩波長，但可以作為光源使用的半導(dǎo)體激光器不限于所述半導(dǎo)體激光器；也可以使用具有大約600-700nm的震蕩波長的半導(dǎo)體激光器以及具有400nm以上且450nm以下的震蕩波長的藍(lán)色半導(dǎo)體激光器。為形成彩色圖像，可以使用能夠輸出多波束的面發(fā)射激光器作為光源。顯影裝置例如，顯影裝置11可以是使用顯影劑以接觸或非接觸方式進(jìn)行顯影的常見顯影裝置。顯影裝置11的類型不受限，并且可以根據(jù)目的進(jìn)行選擇。顯影裝置的示例包括已知的顯影裝置，其能夠使用刷子、輥等使單組分或雙組分顯影劑沉積在電子照相感光體7上。特別地，可以使用具有其上沉積有顯影劑的顯影輥的顯影裝置。顯影裝置11中包含的顯影劑可以是僅含調(diào)色劑的單組份顯影劑或者是含有調(diào)色劑和載體的雙組份顯影劑。顯影劑可以是磁性的或非磁性的?？梢允褂靡阎娘@影劑作為包含在顯影裝置11中的顯影劑。清潔裝置例如，清潔裝置13可以是具有清潔刮刀131的清潔刮刀型清潔裝置。清潔裝置13的類型不限于清潔刮刀型清潔裝置，也可以使用毛刷清潔型清潔裝置以及同時(shí)進(jìn)行清潔和顯影的清潔裝置。轉(zhuǎn)印裝置例如，轉(zhuǎn)印裝置40可以是下列已知轉(zhuǎn)印充電器中的任意一種：接觸型轉(zhuǎn)印充電器，其包括帶、輥、薄膜、橡膠刮刀等；以及轉(zhuǎn)印充電器，例如利用電暈放電的格柵電暈管和電暈管。中間轉(zhuǎn)印體例如，中間轉(zhuǎn)印體50可以是帶形中間轉(zhuǎn)印體，也就是說含有聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、橡膠等并且呈半導(dǎo)電的中間轉(zhuǎn)印帶。中間轉(zhuǎn)印體不限于帶形中間轉(zhuǎn)印體，也可以是鼓形中間轉(zhuǎn)印體。圖4示意性地示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的另一個(gè)示例。圖4所示的圖像形成裝置120是具有四個(gè)處理盒300的串聯(lián)式多色圖像形成裝置。在圖像形成裝置120中，四個(gè)處理盒300彼此并列地設(shè)置在中間轉(zhuǎn)印體50上，并且一個(gè)電子照相感光體用于一種顏色。除圖像形成裝置120為串聯(lián)式以外，圖像形成裝置120與圖像形成裝置100的結(jié)構(gòu)相同。根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的結(jié)構(gòu)不限于上述結(jié)構(gòu)。例如，第一電荷消除裝置可以沿電子照相感光體7的旋轉(zhuǎn)方向可選地設(shè)置在轉(zhuǎn)印裝置40下游且清潔裝置13上游的電子照相感光體7的周邊的位置，該第一電荷消除裝置使得留在電子照相感光體7上的調(diào)色劑的極性均勻以使得使用清潔刷容易去除剩余的調(diào)色劑。第二電荷消除裝置可以沿電子照相感光體7的旋轉(zhuǎn)方向設(shè)置在清潔裝置13下游且充電裝置8上游的電子照相感光體7的周邊的位置，該第二電荷消除裝置消除電子照相感光體7的表面上存在的電荷。根據(jù)本示例性實(shí)施例的圖像形成裝置的結(jié)構(gòu)不限于上述結(jié)構(gòu)，并且可以使用具有常用結(jié)構(gòu)的任何圖像形成裝置。例如，可以采用電子照相感光體7上形成的調(diào)色劑圖像直接轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上的直接轉(zhuǎn)印圖像形成裝置的結(jié)構(gòu)。示例參照以下示例描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于以下示例。導(dǎo)電基底導(dǎo)電基底1的制備在25℃下將鋁基底，即由鋁構(gòu)成的直徑為30mm、長度為244mm的硅氮烷處理前導(dǎo)電基底浸入六甲基二硅氮烷(即硅氮烷，例示化合物s-1)3分鐘。使用己烷清潔用硅氮烷處理過的導(dǎo)電基底，即硅氮烷處理導(dǎo)電基底，接著在25℃下空氣干燥1小時(shí)以形成導(dǎo)電基底1。導(dǎo)電基底2的制備在50℃下將鋁基底，即由鋁構(gòu)成的直徑為30mm、長度為244mm的硅氮烷處理前導(dǎo)電基底浸入含重量比為1:9的六甲基二硅氮烷(即硅氮烷，例示化合物s-1)和甲苯的液體混合物(即含硅氮烷液體混合物)中10分鐘。使用己烷清潔用硅氮烷處理過的導(dǎo)電基底，即硅氮烷處理導(dǎo)電基底，接著在25℃下空氣干燥1小時(shí)以形成導(dǎo)電基底2。導(dǎo)電基底3的制備在30℃下將鋁基底，即由鋁構(gòu)成的直徑為30mm、長度為244mm的硅氮烷處理前導(dǎo)電基底浸入含重量比為1:9的n-甲基-n-三甲基甲硅烷基乙酰胺(即硅氮烷，例示化合物s-11)和甲苯的液體混合物(即含硅氮烷液體混合物)中5小時(shí)。使用己烷清潔用硅氮烷處理過的導(dǎo)電基底，即硅氮烷處理導(dǎo)電基底，接著在25℃下空氣干燥1小時(shí)以形成導(dǎo)電基底3。導(dǎo)電基底4的制備在60℃下將鋁基底，即由鋁構(gòu)成的直徑為30mm、長度為244mm的硅氮烷處理前導(dǎo)電基底浸入含重量比為1:9:0.01的n-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷、甲苯和乙酸的液體混合物中2小時(shí)。使用己烷清潔用硅氮烷處理過的導(dǎo)電基底，即硅氮烷處理導(dǎo)電基底，接著在25℃下空氣干燥1小時(shí)以形成導(dǎo)電基底4。導(dǎo)電基底5的制備將鋁基底，即由鋁構(gòu)成的直徑為30mm、長度為244mm的硅氮烷處理前導(dǎo)電基底浸入溫度為50℃的離子交換水中10分鐘以形成導(dǎo)電基底5。導(dǎo)電基底的測量測量導(dǎo)電基底1-5的水接觸角。具體地，在室溫下(25℃)將蒸餾水滴到各導(dǎo)電基底的表面，并在10秒后使用由協(xié)和界面科學(xué)公司(kyowainterfacescienceco.,ltd.)制造的接觸角測量儀“ca-x”測量導(dǎo)電基底的表面的所得液滴的接觸角。表1對結(jié)果進(jìn)行了概括。表1單層型感光層的形成使用包括直徑為1mm的玻璃微珠的砂磨機(jī)將1.5重量份作為電荷產(chǎn)生材料的羥基鎵酞菁、49重量份由以下公式(p)表示的作為粘合劑樹脂的共聚聚碳酸酯樹脂(粘度平均分子量：50,000)、250重量份四氫呋喃以及20重量份甲苯的混合物分散3小時(shí)。接著，通過過濾將玻璃微珠從所得混合物中去除。由此，制備了分散液。所使用的羥基鎵酞菁在使用cukα輻射測得的x-射線衍射光譜中至少在布拉格角(2θ±0.2°)7.3°、16.0°、24.9°和28.0°下有衍射峰。表示以下公式(p)中的各結(jié)構(gòu)單元的編號指結(jié)構(gòu)單元的含量(即摩爾比)。向分散液中添加30重量份表2中所述的具體一種空穴傳輸材料、11重量份表2中所述的具體一種電子傳輸材料以及0.001重量份由信越化學(xué)工業(yè)公司(shin-etsuchemicalco.,ltd.)制造的硅油“kp340”。將所得混合物攪拌一整夜，即12小時(shí)以形成感光層形成涂布液。如表2所述，通過浸漬涂布將感光層形成涂布液涂敷到各導(dǎo)電基底上。在130℃下干燥1小時(shí)沉積的涂布液以形成厚度為22μm的單層型感光層。由此，制備的感光體。感光體的評價(jià)點(diǎn)狀圖像缺陷的評價(jià)使用各感光體，在30℃的室溫與85％的濕度下，使用由兄弟工業(yè)株式會社(brotherindustries,ltd.)制造的“hl-2360d”在6,000張紙上形成20％-中間色調(diào)圖像。經(jīng)過10小時(shí)后，在另外10張紙上形成20％-中間色調(diào)圖像。經(jīng)過10小時(shí)后，根據(jù)以下標(biāo)準(zhǔn)目測檢查10張紙中的第十張上形成的圖像上是否存在色斑。表2對結(jié)果進(jìn)行了概括。a：存在色斑b：存在9個(gè)以下的色斑，從圖像質(zhì)量的角度上來說可以接受c：存在10個(gè)以上的色斑，可能會阻礙感光體的使用表2示例感光體導(dǎo)電基底電子傳輸材料空穴傳輸材料評價(jià)結(jié)果示例1感光體111-23-1a示例2感光體221-33-1a示例3感光體331-53-1a示例4感光體411-3ht-1a示例5感光體511-5ht-1b示例6感光體622-1ht-4b示例7感光體732-2ht-4b比較示例1比較感光體151-23-1c比較示例2比較感光體251-3ht-4c比較示例3比較感光體352-23-1c比較示例4比較感光體441-23-1c以上結(jié)果證實(shí)，示例中制備的感光體，與使用比較示例中制備的比較感光體的情況相比，降低了點(diǎn)狀圖像缺陷的發(fā)生率。表2中使用的縮寫等表示如下：1-2：由通式(1)表示的電子傳輸材料的例示化合物(1-2)1-3：由通式(1)表示的電子傳輸材料的例示化合物(1-3)1-5：由通式(1)表示的電子傳輸材料的例示化合物(1-5)2-1：由通式(2)表示的電子傳輸材料的例示化合物(2-1)2-2：由通式(2)表示的電子傳輸材料的例示化合物(2-2)3-1：由通式(3)表示的空穴傳輸材料的例示化合物(3-1)ht-1：由通式(b-2)表示的化合物的例示化合物(ht-1)ht-4：由通式(b-1)表示的化合物的例示化合物(ht-4)為了進(jìn)行圖示和說明，以上對本發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行了描述。其目的并不在于全面詳盡地描述本發(fā)明或?qū)⒈景l(fā)明限定于所公開的具體形式。很顯然，對本
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員而言，可以做出許多修改以及變形。本實(shí)施例的選擇和描述，其目的在于以最佳方式解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使得本
技術(shù)領(lǐng)域：
的其他熟練技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例，并做出適合特定用途的各種變形。本發(fā)明的范圍由與本說明書一起提交的權(quán)利要求書及其等同物限定。當(dāng)前第1頁12