1.一種陣列基板，包括：
襯底基板；
位于所述襯底基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有源層、源極、漏極和過孔，且所述漏極或所述源極具有位于所述過孔中的部分，其特征在于，還包括：
第一遮光結(jié)構(gòu)，所述第一遮光結(jié)構(gòu)到所述襯底基板的距離小于所述過孔到所述襯底基板的距離，所述第一遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影與所述漏極或所述源極在所述襯底基板上的垂直投影之間的距離小于或等于3微米。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影與所述過孔在所述襯底基板上的垂直投影具有重疊的區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述過孔包括第一過孔和第二過孔，所述源極具有位于所述第一過孔中的部分，所述漏極具有位于所述第二過孔中的部分，在所述第一過孔和所述第二過孔與所述襯底基板之間分別設(shè)置有所述第一遮光結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一遮光結(jié)構(gòu)為多邊形或半圓形。
5.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述過孔在所述襯底基板上的垂直投影位于所述第一遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影區(qū)域內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層為多晶硅。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，還包括第二遮光結(jié)構(gòu)，所述第二遮光結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述有源層靠近所述襯底基板的一側(cè)，所述第二遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影與所述有源層在所述襯底基板上的垂直投影具有重疊區(qū)域，所述第二遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影與所述第一遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影不相重疊。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一遮光結(jié)構(gòu)和所述第二遮光結(jié)構(gòu)位于同一層。
9.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)為U型。
10.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一遮光結(jié)構(gòu)是金屬材料或者黑色樹脂材料。
11.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括緩沖層，所述第一遮光結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述緩沖層靠近所述襯底基板的一側(cè)。
12.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括相互交叉且絕緣設(shè)置的數(shù)據(jù)線和掃描線，且所述數(shù)據(jù)線復(fù)用為所述漏極。
13.如權(quán)利要求12所述的陣列基板，其特征在于，所述第一遮光結(jié)構(gòu)與所述掃描線位于同一層。
14.一種如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，包括：
提供襯底基板；
在所述襯底基板上形成第一遮光結(jié)構(gòu)；
在所述襯底基板上形成薄膜晶體管；其中，
所述薄膜晶體管包括有源層、源極、漏極和過孔，且所述漏極或所述源極具有位于所述過孔中的部分；
所述第一遮光結(jié)構(gòu)到所述襯底基板的距離小于所述過孔到所述襯底基板的距離，所述第一遮光結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的垂直投影與所述漏極或所述源極在所述襯底基板上的垂直投影之間的距離小于或等于3微米。
15.一種液晶顯示裝置，包括如權(quán)利要求1-13任一所述的陣列基板，與所述陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板，以及位于所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層。