本申請(qǐng)要求于2016年1月8日提交的第10-2016-0002769號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)以及由此產(chǎn)生的所有的權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用包含于此。

本發(fā)明總體上涉及一種顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示器作為平板顯示裝置中的一種類型被廣泛地使用。液晶顯示器具有設(shè)置有諸如像素電極和共電極的場(chǎng)產(chǎn)生電極的兩個(gè)顯示面板以及設(shè)置在兩個(gè)顯示面板之間的液晶層。對(duì)場(chǎng)產(chǎn)生電極施加電壓以便在液晶層中產(chǎn)生電場(chǎng)，并由電場(chǎng)確定液晶層的液晶分子的取向。因此，通過(guò)液晶層的液晶分子的取向來(lái)控制入射光的偏振，從而執(zhí)行圖像顯示。

液晶顯示器的兩個(gè)顯示面板可以是薄膜晶體管陣列面板和對(duì)向顯示面板。在薄膜晶體管陣列面板中，傳輸柵極信號(hào)的柵極線和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線形成為彼此相交，可形成連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管以及連接到薄膜晶體管的像素電極。對(duì)向顯示面板可包括阻光構(gòu)件、濾色器、共電極等。在一些情況下，阻光構(gòu)件、濾色器和共電極可設(shè)置在薄膜晶體管陣列面板中而不設(shè)置在對(duì)向顯示面板中。

在具有兩個(gè)顯示面板的諸如液晶顯示器的傳統(tǒng)平板顯示裝置中，使用兩個(gè)基礎(chǔ)基底。在具有兩個(gè)基礎(chǔ)基底的情況下，傳統(tǒng)的液晶顯示器的構(gòu)成元件分別設(shè)置在兩個(gè)基礎(chǔ)基底上，使得傳統(tǒng)的液晶顯示器相對(duì)重，成本相對(duì)高，并且其加工時(shí)間相對(duì)長(zhǎng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例提供了具有減少了的重量、厚度、成本和加工時(shí)間的優(yōu)勢(shì)的僅包括一個(gè)基礎(chǔ)基底的顯示裝置及其僅利用一個(gè)基礎(chǔ)基底的制造方法。

當(dāng)通過(guò)使用其中的一個(gè)單個(gè)基底制造顯示裝置時(shí)，在形成微腔之后執(zhí)行用于將取向材料注入到微腔中的工藝。取向材料形成顯示裝置的取向?qū)?。?duì)于微腔中由取向材料形成的取向?qū)?，因?yàn)槿∠驅(qū)拥纳媳砻娌槐┞队谖⑶坏耐獠?，所以?duì)取向?qū)訄?zhí)行接觸型摩擦工藝會(huì)是困難的。因此，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出使用紫外(“uv”)光來(lái)形成取向?qū)拥墓馊∠蚬に?。然而，由于在使用光取向工藝時(shí)設(shè)置在微腔上和下的厚層，造成設(shè)置在微腔中的光學(xué)介質(zhì)的取向能力被劣化。因此，不期望地出現(xiàn)光泄漏缺陷。

所描述的技術(shù)已經(jīng)致力于提供具有改善光學(xué)介質(zhì)取向能力并減少或有效地防止光泄漏缺陷的優(yōu)勢(shì)的一種顯示裝置及其制造方法。

根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置包括：基底；薄膜晶體管，設(shè)置在基底上；像素電極，連接到薄膜晶體管；共電極，與像素電極疊置；絕緣層，設(shè)置在像素電極與共電極之間；頂層，與像素電極分隔開(kāi)；微腔，設(shè)置為多個(gè)，均被限定在彼此分隔開(kāi)的頂層與像素電極之間；第一取向?qū)?，設(shè)置在微腔與像素電極之間，并且限定其與微腔相鄰的上表面，第一取向?qū)拥纳媳砻嫦薅ǖ谝蝗∠驅(qū)拥牡谝话疾?；第二取向?qū)樱O(shè)置在微腔與頂層之間，并且限定其與微腔相對(duì)的上表面，第二取向?qū)拥纳媳砻嫦薅ㄋ龅诙∠驅(qū)拥牡诙疾?；光學(xué)介質(zhì)層，設(shè)置在多個(gè)微腔中。

第一凹槽可以與像素電極和共電極中的至少一個(gè)疊置。

第一凹槽可以限定大于其寬度的其長(zhǎng)度，并且第一凹槽的長(zhǎng)度的延伸方向可以限定第一方向。

基底還可以包括多個(gè)像素，第一凹槽分別在多個(gè)像素中的每個(gè)像素內(nèi)設(shè)置為多個(gè)。

多個(gè)第一凹槽可以限定大于其寬度的其長(zhǎng)度，多個(gè)第一凹槽的長(zhǎng)度彼此平行地延伸。

多個(gè)第一凹槽可以限定大于其寬度的其長(zhǎng)度，多個(gè)第一凹槽中的各個(gè)第一凹槽的長(zhǎng)度可以限定：第一長(zhǎng)度部分，在第一方向上縱向延伸；第二長(zhǎng)度部分，在不同于第一方向的第二方向上縱向延伸。

第二凹槽可以與像素電極和共電極中的至少一個(gè)疊置。

在多個(gè)微腔中的每個(gè)微腔可以分別被其上表面、其下表面以及將上表面和下表面彼此連接的其側(cè)表面限定。第二凹槽可以設(shè)置為不與每個(gè)微腔的側(cè)表面疊置。

第一取向?qū)雍偷诙∠驅(qū)涌梢园ㄗ贤?“uv”)可固化聚合物。

根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的制造方法包括：在基底上形成第一電極；在基底上形成第二電極；在第一電極與第二電極之間形成絕緣層；在絕緣層和第二電極上形成第一取向?qū)樱辉诘谝蝗∠驅(qū)由闲纬蔂奚鼘?；在犧牲層上形成頂層；通過(guò)去除犧牲層在第二電極與頂層之間形成微腔；通過(guò)將光學(xué)介質(zhì)材料注入微腔中形成光學(xué)介質(zhì)層。第一取向?qū)拥男纬刹襟E包括限定與微腔相鄰的其上表面以及在其上表面中形成第一取向?qū)拥牡谝话疾邸?/p>

在第一取向?qū)拥牡谝话疾鄣男纬刹襟E中，在第一取向?qū)拥纳媳砻嫔显O(shè)置第一模具，并將第一模具壓制到上表面中以限定第一凹槽。

第一凹槽可以與第一電極和第二電極中的至少一個(gè)疊置。

第一凹槽可以限定大于其寬度的其長(zhǎng)度，并且第一凹槽的長(zhǎng)度的延伸方向可以限定第一方向。

所述方法還可以包括在基底上形成多個(gè)像素，第一凹槽可以分別在多個(gè)像素的每個(gè)像素內(nèi)設(shè)置為多個(gè)。

多個(gè)第一凹槽可以限定大于其寬度的其長(zhǎng)度，多個(gè)第一凹槽的長(zhǎng)度可以彼此平行地延伸。

多個(gè)第一凹槽可以限定大于其寬度的其長(zhǎng)度，多個(gè)第一凹槽中的各個(gè)第一凹槽的長(zhǎng)度可以限定：第一長(zhǎng)度部分，在第一方向上縱向延伸；第二長(zhǎng)度部分，在不同于第一方向的第二方向上縱向延伸。

制造方法還可以包括：在第一取向?qū)由系臓奚鼘由闲纬傻诙∠驅(qū)?。形成第二取向?qū)拥牟襟E可以包括限定與微腔相對(duì)的其上表面，并且在其上表面中形成第二取向?qū)拥牡诙疾邸?/p>

在第二取向?qū)拥牡诙疾鄣男纬刹襟E中，在第二取向?qū)拥纳媳砻嫔显O(shè)置第二模具，并且將第二模具壓制到第二取向?qū)拥纳媳砻嬷幸韵薅ǖ诙疾?，第二凹槽可以與第一電極和第二電極中的至少一個(gè)疊置。

多個(gè)微腔中的每個(gè)微腔可以分別被其上表面、其下表面以及將上表面和下表面彼此連接的其側(cè)表面限定。第二凹槽可以形成為不與每個(gè)微腔的側(cè)表面疊置。

第一取向?qū)雍偷诙∠驅(qū)涌梢园ㄗ贤饪晒袒酆衔铩?/p>

根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置具有下面的效果。

根據(jù)示例性實(shí)施例，通過(guò)僅使用一個(gè)基底來(lái)制造顯示裝置，從而減少了顯示裝置的總重量、厚度、成本和加工時(shí)間。

此外，顯示裝置通過(guò)由紫外(“uv”)可固化聚合物形成取向?qū)右约爸T如通過(guò)使用模具在取向?qū)拥谋砻嬷行纬砂疾蹃?lái)改善液晶取向能力。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)地描述本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，本公開(kāi)的以上和其它優(yōu)勢(shì)和特征將變得更加明顯，在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的示例性實(shí)施例的俯視平面圖。

圖2是沿圖1的線ii-ii截取的顯示裝置的示例性實(shí)施例的剖視圖。

圖3是沿圖1的線iii-iii截取的顯示裝置的示例性實(shí)施例的剖視圖。

圖4至圖17是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的工藝的示例性實(shí)施例的剖視圖。

圖18至圖20是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的第一凹槽和第二凹槽的各種形狀的示例性實(shí)施例的俯視平面圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，在全部不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式來(lái)修改所描述的實(shí)施例。

在附圖中，為了清晰，夸大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。貫穿說(shuō)明書，同樣的附圖標(biāo)記指示同樣的元件。將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件“上”時(shí)，不存在中間元件。將理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等來(lái)描述各種的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)僅是用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開(kāi)。因此，在不脫離在此的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。

這里使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述具體實(shí)施例的目的，而不意圖進(jìn)行限制。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式“一個(gè)(種、者)”和“所述(該)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式(包括“至少一個(gè)(種、者)”)?！爸辽僖粋€(gè)(種、者)”不被解釋為局限于“一個(gè)(種、者)”?！盎?或者)”意味著“和/或”。如在這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任意組合和所有組合。還將理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書中使用術(shù)語(yǔ)“包含”、“包括”和/或其變型時(shí)，說(shuō)明存在陳述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

此外，這里可以使用諸如“下”或“底部”和“上”或“頂部”的相對(duì)術(shù)語(yǔ)來(lái)描述如附圖中示出的一個(gè)元件與另一個(gè)元件的關(guān)系。將理解的是，相對(duì)術(shù)語(yǔ)意圖包含除了附圖中描繪的方位之外裝置的不同的方位。例如，如果在附圖中的一幅附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件“下”側(cè)的元件隨后將被定位為“在”所述其它元件“上”側(cè)。示例性術(shù)語(yǔ)“下”可因此根據(jù)附圖的具體方位包括“下”和“上”兩種方位。相似地，如果在附圖中的一幅附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其它元件“下面”或“下方”的元件隨后將被定位為“在”所述其它元件“上面”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在……下面”或“在……下方”可以包括上面和下面兩種方位。

除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本公開(kāi)所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。將進(jìn)一步理解的是，除非這里明確這樣定義，否則術(shù)語(yǔ)(諸如在通用的字典中定義的術(shù)語(yǔ))應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域和本公開(kāi)的環(huán)境中它們的意思一致的意思，而將不以理想化的或過(guò)于形式化的含義來(lái)解釋。

這里參照作為理想的實(shí)施例的示意性圖的剖視圖來(lái)描述示例性實(shí)施例。如此，例如由制造技術(shù)和/或公差導(dǎo)致的圖示的形狀的變化將是預(yù)期的。因此，這里描述的實(shí)施例不應(yīng)該被理解為受限于如這里示出的區(qū)域的具體形狀，而是包括例如由制造導(dǎo)致的形狀上的偏差。例如，示出或描述為平坦的區(qū)域通常可具有粗糙和/或非線性特征。此外，示出的尖角可以被倒圓。因此，附圖中示出的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意圖示出區(qū)域的精確的形狀并且不意圖限制權(quán)利要求的范圍。

首先，將參照?qǐng)D1至圖3描述根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的示例性實(shí)施例。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的示例性實(shí)施例的俯視平面圖，圖2是沿線ii-ii截取的圖1的顯示裝置的示例性實(shí)施例的剖視圖，圖3是沿線iii-iii截取的圖1的顯示裝置的示例性實(shí)施例的剖視圖。

參照?qǐng)D1至圖3，柵極線121以及從柵極線121的主體部分突出的柵電極124設(shè)置在包括透明的玻璃或塑料或者由透明的玻璃或塑料制成的基底110上。柵極線121可以被認(rèn)為包括和/或限定柵電極124?；?10限定單基底顯示裝置的基礎(chǔ)基底?；?10可以是顯示裝置的層之中唯一的基礎(chǔ)基底。

在俯視平面圖中，柵極線121的長(zhǎng)度可以主要在水平方向上延伸。柵極線121傳輸經(jīng)其的柵極信號(hào)。柵電極124從柵極線121的主體部分向上突出。然而，示例性實(shí)施例不限于此，柵電極124的突出的形狀可以被各種地修改?？蛇x擇的是，柵電極124可以不從柵極線121的主體部分突出，并且可以與柵極線121的主體部分設(shè)置在同一線上。

柵極絕緣層140設(shè)置在柵極線121和柵電極124上。柵極絕緣層140可以包括諸如氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)的無(wú)機(jī)絕緣材料或者由這種無(wú)機(jī)絕緣材料制成。此外，柵極絕緣層140可以包括單層或多層或者由單層或多層形成。

半導(dǎo)體154設(shè)置在柵極絕緣層140上。在俯視平面圖中，半導(dǎo)體154可以位于柵電極124上并且與柵電極124疊置。在一些示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體154也可以在顯示裝置的厚度方向上位于數(shù)據(jù)線171下方。半導(dǎo)體154可以包括非晶硅、多晶硅或金屬氧化物或者由非晶硅、多晶硅或金屬氧化物形成。

歐姆接觸件(未示出)還可以設(shè)置在半導(dǎo)體154上并且與半導(dǎo)體154疊置。歐姆接觸件可以包括硅化物或以相對(duì)高濃度摻雜n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅，或者由硅化物制成或由諸如以相對(duì)高濃度摻雜n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅制成。

數(shù)據(jù)線171以及與數(shù)據(jù)線171分開(kāi)的漏電極175設(shè)置在半導(dǎo)體154和柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171包括或限定源電極173，源電極173和漏電極175被定位為彼此分隔開(kāi)以面對(duì)彼此。

數(shù)據(jù)線171傳輸經(jīng)其的數(shù)據(jù)信號(hào)。在俯視平面圖中，數(shù)據(jù)線的長(zhǎng)度主要在豎直方向上延伸，從而與柵極線121相交。為了描述的目的，參照?qǐng)D1的俯視平面圖，柵極線121的長(zhǎng)度方向可以被限定為水平方向，數(shù)據(jù)線171的長(zhǎng)度方向可以被限定為與水平方向相交的豎直方向。顯示裝置的厚度方向可以被限定為垂直于由上面描述的水平方向和豎直方向限定的平面。示出的是，數(shù)據(jù)線171在豎直方向上線性延伸。然而，示例性實(shí)施例不限于此，數(shù)據(jù)線171可以具有周期性彎曲的形狀。在示例性實(shí)施例中，例如，數(shù)據(jù)線171可以具有顯示裝置的每個(gè)像素px至少?gòu)澢淮蔚男螤睢ｏ@示裝置可以包括多個(gè)像素px。像素px可以設(shè)置或被限定在基底110上。

如圖1中示出的，源電極173不從數(shù)據(jù)線171的主體部分突出，并且可以與數(shù)據(jù)線171的主體部分設(shè)置在同一線上。漏電極175可以包括其長(zhǎng)度基本平行于源電極173延伸的棒狀的第一端部以及與棒狀的第一端部相對(duì)的延伸的第二端部。

柵電極124、源電極173和漏電極175與半導(dǎo)體154一起形成一個(gè)薄膜晶體管(“tft”)。薄膜晶體管可以用作傳輸數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓的開(kāi)關(guān)元件sw。開(kāi)關(guān)元件sw的溝道被限定或形成在暴露在源電極173與漏電極175之間的半導(dǎo)體154中。

鈍化層180設(shè)置在數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175以及半導(dǎo)體154的暴露部分上。鈍化層180可以包括有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料，或者由有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料制成，并且可以包括單層或多層或者由單層或多層形成。

濾色器230可以在鈍化層180上設(shè)置多個(gè)以設(shè)置在顯示裝置的每個(gè)像素px中。

每個(gè)濾色器230可以顯示來(lái)自紅色、綠色和藍(lán)色的顏色中的一種原色。濾色器230不限于顯示紅色、綠色和藍(lán)色的三原色，并且還可以顯示諸如藍(lán)綠色、品紅色、黃色和白色系顏色的其它顏色。

阻光構(gòu)件220設(shè)置在相鄰的濾色器230之間的區(qū)域處。阻光構(gòu)件220設(shè)置在像素px的邊界上或者在像素px的邊界處，并且與柵極線121、數(shù)據(jù)線171和薄膜晶體管疊置以防止光在此處泄漏。然而，示例性實(shí)施例不限于此，阻光構(gòu)件220可以與柵極線121和薄膜晶體管疊置，并且可以不與數(shù)據(jù)線171疊置。當(dāng)阻光構(gòu)件220不與數(shù)據(jù)線171疊置時(shí)，相鄰的濾色器230在數(shù)據(jù)線171上或在數(shù)據(jù)線171處彼此疊置以防止光泄漏。濾色器230和阻光構(gòu)件220可以在它們的部分區(qū)域中彼此疊置。

第一絕緣層240還可以設(shè)置在濾色器230和阻光構(gòu)件220上。第一絕緣層240可以包括有機(jī)絕緣材料或者由有機(jī)絕緣材料形成，并且可以用來(lái)使濾色器230和阻光構(gòu)件220的每個(gè)的上表面平坦化。第一絕緣層240可以包括具有由有機(jī)絕緣材料制成的層與由無(wú)機(jī)絕緣材料制成的層的雙層，或者由所述雙層制成。此外，在一些示例性實(shí)施例中可以省略第一絕緣層240。

共電極270設(shè)置在第一絕緣層240上。共電極270可以設(shè)置為多個(gè)。分別設(shè)置在多個(gè)像素px中的共電極270通過(guò)連接橋276等彼此連接，以便將基本相同的電壓傳遞到每個(gè)共電極270。設(shè)置在每個(gè)像素px中的共電極270可以具有平面的形狀。共電極270可以包括諸如銦錫氧化物(“ito”)和銦鋅氧化物(“izo”)的透明金屬氧化物，或者由這種透明金屬氧化物制成。

共電極270可以被施加有共電壓。共電壓可以是預(yù)定的電壓。因?yàn)楣搽妷和ㄟ^(guò)共電極270以及其間的連接橋276來(lái)施加，所以共電極270和連接橋276的集合可以限定共電壓施加構(gòu)件。

第二絕緣層250設(shè)置在共電極270上。第二絕緣層250可以包括諸如氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)的無(wú)機(jī)絕緣材料，或者由這種無(wú)機(jī)絕緣材料制成。

鈍化層180、第一絕緣層240、阻光構(gòu)件220和第二絕緣層250限定暴露漏電極175的至少一部分的接觸孔185a。具體地，接觸孔185a暴露漏電極175的延伸第二端部。

像素電極191設(shè)置在第二絕緣層250上。像素電極191可以包括或限定多個(gè)分支電極193以及設(shè)置在相鄰的分支電極193之間的縫隙93。在俯視平面圖中，多個(gè)分支電極193和縫隙93的長(zhǎng)度根據(jù)一個(gè)方向延伸。在示例性實(shí)施例中，例如，多個(gè)分支電極193和縫隙93線性地延伸以平行于數(shù)據(jù)線171的線性長(zhǎng)度。然而，示例性實(shí)施例不限于此。在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，例如，數(shù)據(jù)線171、多個(gè)分支電極193和縫隙93可以具有每像素px至少?gòu)澢淮蔚男螤睢?/p>

在像素px內(nèi)，像素電極191的多個(gè)分支電極193與共電極270疊置。在顯示裝置的厚度方向上(例如，剖視圖)，像素電極191和共電極270通過(guò)第二絕緣層250彼此分開(kāi)。第二絕緣層250用作使像素電極191與共電極270彼此絕緣。

像素電極191可以包括或限定用于將像素電極191與顯示裝置的其它層連接的突出部195。像素電極191的突出部195通過(guò)接觸孔185a并在接觸孔185a處物理連接并電連接到漏電極175，從而接收來(lái)自漏電極175的電壓。像素電極191可以包括諸如銦錫氧化物(“ito”)或銦鋅氧化物(“izo”)的透明金屬氧化物或者由這種透明金屬氧化物制成。

像素電極191被施加有數(shù)據(jù)電壓。當(dāng)開(kāi)關(guān)元件sw導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)電壓通過(guò)數(shù)據(jù)線171傳輸?shù)较袼仉姌O191。

上面描述的像素px的布置、薄膜晶體管的形狀以及像素電極191和共電極270的位置和形狀可以改變。另外，像素電極191和共電極270的沉積位置可以在顯示裝置的厚度方向上交換。即，第二絕緣層250示出為設(shè)置在共電極270上(例如，上面)并且像素電極191示出為設(shè)置在第二絕緣層250上(例如，上面)，在示例性實(shí)施例中，第二絕緣層250可以設(shè)置在像素電極191上并且共電極270可以設(shè)置在第二絕緣層250上。另外，像素電極191可以用平面形狀制成或者具有平面的形狀，共電極270可以包括或限定多個(gè)分支電極以及在相鄰的分支電極之間的縫隙。

第一取向?qū)?1設(shè)置在像素電極191和第二絕緣層250上。第一取向?qū)?1可以包括紫外(“uv”)固化聚合物或者由紫外(“uv”)固化聚合物制成。紫外(“uv”)固化聚合物是在紫外(“uv”)光照射到它時(shí)固化的材料。在示例性實(shí)施例中，例如，紫外(“uv”)固化聚合物包括諾蘭光學(xué)膠65(norlandopticaladhesive65，noa65)。

第一凹槽510被限定在第一取向?qū)?1的上表面處或者被第一取向?qū)?1的上表面限定。第一凹槽510可以與像素電極191和共電極270中的至少一個(gè)疊置。在示出的示例性實(shí)施例中，第一凹槽510與像素電極191的縫隙93和共電極270疊置。然而，示例性實(shí)施例不限于此，第一凹槽510可以與像素電極191的分支電極193疊置，而不是與像素電極191的縫隙93疊置。在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一凹槽510可以與像素電極191的分支電極193和縫隙93以及共電極270疊置。

多個(gè)第一凹槽510可以設(shè)置在一個(gè)像素px中。多個(gè)第一凹槽510可以在其與其長(zhǎng)度方向垂直的寬度方向上以規(guī)則的間距布置。多個(gè)第一凹槽510可以限定其根據(jù)預(yù)定方向延伸的長(zhǎng)度，多個(gè)第一凹槽510的長(zhǎng)度可以彼此平行地延伸。第一凹槽510的長(zhǎng)度的延伸方向可以平行于數(shù)據(jù)線171、分支電極193和縫隙93中的每個(gè)的長(zhǎng)度的延伸方向。可選擇的是，第一凹槽510的長(zhǎng)度的延伸方向可以與數(shù)據(jù)線171、分支電極193和縫隙93中的每個(gè)的延伸方向形成預(yù)定的角度。

第一凹槽510的寬度和深度以及多個(gè)第一凹槽510之間的間距可以改變。可以通過(guò)第一凹槽510的寬度和深度以及多個(gè)第一凹槽510之間的間距的改變來(lái)使諸如液晶取向能力的光學(xué)介質(zhì)取向能力成為可控的。在示例性實(shí)施例中，例如，可以通過(guò)增加第一凹槽510的深度以及縮小相鄰的第一凹槽510之間的間距來(lái)改善液晶取向能力。第一凹槽510的深度可以被限定為從第一取向?qū)?1的上表面至凹進(jìn)的底表面，其中，第一凹槽510從第一取向?qū)?1的所述上表面凹進(jìn)。所述深度可以是在這樣的上表面與底表面之間的最大距離。

在顯示裝置的厚度方向上與像素電極191將分開(kāi)預(yù)定距離的頂層360設(shè)置在像素電極191上。頂層360可以包括有機(jī)材料或者由有機(jī)材料制成。在俯視平面圖中，頂層360可以限定它的比它的寬度大的長(zhǎng)度。在俯視平面圖中，頂層360的長(zhǎng)度可以在水平方向上延伸。

微腔305設(shè)置或限定為多個(gè)，其中，每個(gè)在顯示裝置的厚度方向上設(shè)置在像素電極191與頂層360之間。每個(gè)微腔305被像素電極191與頂層360包圍。頂層360覆蓋微腔305的上表面并且從上表面延伸以覆蓋微腔305的側(cè)表面的一部分。在制造顯示裝置的示例性實(shí)施例中，頂層360的材料可以通過(guò)固化工藝來(lái)硬化以保持顯示裝置中的微腔305的最終形狀。微腔305的尺寸(例如，長(zhǎng)度、寬度和/或深度)可以根據(jù)顯示裝置的尺寸和分辨率來(lái)改變。

參照?qǐng)D2，例如，覆蓋相鄰的微腔305的上表面的頂層360沒(méi)有延伸為覆蓋在相鄰的微腔305的第一邊緣的側(cè)表面與第二邊緣的側(cè)表面中的每個(gè)的一部分。相鄰的微腔305的沒(méi)有被頂層360覆蓋的部分被稱為微腔305的注入孔307a和307b。注入孔307和307b包括第一注入孔307a和第二注入孔307b，其中，第一注入孔307a在兩個(gè)相鄰的微腔305中的一個(gè)微腔305的第一邊緣處在側(cè)表面處暴露這一個(gè)微腔305的內(nèi)部區(qū)域，第二注入孔307b在微腔305的第二邊緣處在側(cè)表面處暴露兩個(gè)相鄰的微腔305中的另一個(gè)的內(nèi)部區(qū)域。一個(gè)微腔305的第一邊緣面對(duì)相鄰的微腔305的第二邊緣。在示例性實(shí)施例中，例如，在俯視平面圖中，第一邊緣可以是下微腔305的上邊緣，第二邊緣可以是上微腔305的下邊緣。在制造顯示裝置的示例性實(shí)施例中，相鄰的微腔305的內(nèi)部區(qū)域分別被注入孔307a和307b暴露，使得諸如液晶材料的光學(xué)介質(zhì)可以通過(guò)注入孔307a和307b注入到微腔305中。

光學(xué)介質(zhì)設(shè)置在位于像素電極191與頂層360之間的微腔305中。對(duì)于液晶顯示裝置，包括液晶分子310或由液晶分子310制成的液晶層設(shè)置在位于像素電極191與頂層360之間的微腔305中。液晶分子310具有正介電各向異性或負(fù)介電各向異性。可以布置液晶分子310，使得在不存在電場(chǎng)的情況下其長(zhǎng)軸方向平行于基底110取向。即，可以實(shí)現(xiàn)水平取向。盡管作為示例描述了用于液晶顯示裝置的包括液晶分子310或由液晶分子310制成的液晶層，但是本發(fā)明不限于此。在示例性實(shí)施例中，對(duì)于僅使用一個(gè)基礎(chǔ)基底的其它顯示裝置和/或顯示面板，可以使用控制對(duì)其的入射光從而執(zhí)行圖像顯示的其它光學(xué)介質(zhì)。

通過(guò)開(kāi)關(guān)元件sw被施加有數(shù)據(jù)電壓的像素電極191與被施加有共電壓的共電極270一起產(chǎn)生電場(chǎng)，從而確定設(shè)置在微腔305中的液晶層的液晶分子310的方向。具體地，像素電極191的分支電極193與共電極270一起在液晶層中產(chǎn)生邊緣場(chǎng)，從而確定液晶分子310的排列方向。如此，穿過(guò)液晶層的光的亮度根據(jù)液晶分子310的確定的取向方向而改變，從而顯示圖像。

第二取向?qū)?1在顯示裝置的厚度方向上設(shè)置在頂層360的下方。第二取向?qū)?1可以包括紫外(“uv”)固化聚合物或者由紫外(“uv”)固化聚合物制成。在示例性實(shí)施例中，例如，第二取向?qū)?1包括諾蘭光學(xué)膠65(“noa65”)。

第二凹槽610被限定在第二取向?qū)?1的上表面處或者被第二取向?qū)?1的上表面限定。第二凹槽610可以與像素電極191和共電極270中的至少一個(gè)疊置。

多個(gè)第二凹槽610可以設(shè)置在一個(gè)像素px中。多個(gè)第二凹槽610可以在其與其長(zhǎng)度方向垂直的寬度方向上以規(guī)則的間距布置。多個(gè)第二凹槽610可以限定其根據(jù)預(yù)定方向延伸的長(zhǎng)度，多個(gè)第二凹槽610可以彼此平行地延伸。第二凹槽610的長(zhǎng)度的延伸方向可以平行于數(shù)據(jù)線171、分支電極193和縫隙93中的每個(gè)的長(zhǎng)度的延伸方向?？蛇x擇的是，第二凹槽610的長(zhǎng)度的延伸方向可以與數(shù)據(jù)線171、分支電極193和縫隙93中的每個(gè)的長(zhǎng)度的延伸方向形成預(yù)定的角度。

第二凹槽610的長(zhǎng)度延伸方向可以平行于第一凹槽510的長(zhǎng)度延伸方向。第二凹槽610可以與第一凹槽510疊置。然而，示例性實(shí)施例不限于此，第二凹槽610的長(zhǎng)度延伸方向可以不平行于第一凹槽510的長(zhǎng)度延伸方向。在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二凹槽610的長(zhǎng)度延伸方向可以平行于第一凹槽510的長(zhǎng)度延伸方向，并且第二凹槽610可以不與第一凹槽510疊置。

第二凹槽610的寬度和深度以及多個(gè)第二凹槽610之間的間距可以改變。可以通過(guò)第二凹槽610的寬度和深度以及相鄰的第二凹槽610之間的間距的改變來(lái)使諸如液晶取向能力的光學(xué)介質(zhì)取向能力成為可控的。第二凹槽610的深度可以被限定為從第二取向?qū)?1的上表面至凹進(jìn)的底表面，其中，第二凹槽610從第二取向?qū)?1的所述上表面凹進(jìn)。所述深度可以是在這樣的上表面與底表面之間的最大距離。在液晶分子310的初始狀態(tài)下，液晶層的液晶分子310可以通過(guò)由第一取向?qū)?1限定或形成的第一凹槽510以及由第二取向?qū)?1限定或形成的第二凹槽610根據(jù)預(yù)定的方向來(lái)取向。在示例性實(shí)施例中，例如，液晶分子310可以根據(jù)第一凹槽510和第二凹槽610的長(zhǎng)度延伸方向取向。

在示出的示例性實(shí)施例中，第一凹槽510形成在第一取向?qū)?1的接觸微腔305的下表面的部分處或者被第一取向?qū)?1的接觸微腔305的下表面的部分限定，第二凹槽610形成在第二取向?qū)?1的接觸微腔305的上表面的部分處或者被第二取向?qū)?1的接觸微腔305的上表面的部分限定。第一凹槽510和第二凹槽610不設(shè)置在微腔305的側(cè)表面(諸如第二取向?qū)?1的接觸微腔305的側(cè)表面的部分)處或者相鄰的微腔305之間的區(qū)域處。

當(dāng)諸如凹槽的預(yù)定圖案形成在第二取向?qū)?1的接觸微腔305的側(cè)表面的部分處或者被第二取向?qū)?1的接觸微腔305的側(cè)表面的部分限定時(shí)，設(shè)置在微腔305的側(cè)表面處的液晶分子310的取向方向變得扭曲。在示出的示例性實(shí)施例中，因?yàn)榈诙疾?10不形成在第二取向?qū)?1的接觸微腔305的側(cè)表面的部分上，所以在微腔305的側(cè)表面處的液晶分子310可以根據(jù)預(yù)定的方向取向并且不會(huì)不期望地扭曲。因此，可以減少或有效地防止在微腔305的邊緣處的光泄漏。

第三絕緣層350還可以設(shè)置在頂層360與第二取向?qū)?1之間。第三絕緣層350可以包括諸如氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)的無(wú)機(jī)絕緣材料或者由諸如氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)的無(wú)機(jī)絕緣材料制成。此外，在示例性實(shí)施例中可以省略第三絕緣層350。

第四絕緣層370還可以設(shè)置在頂層360上。第四絕緣層370可以包括諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無(wú)機(jī)絕緣材料或者由諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無(wú)機(jī)絕緣材料制成。第四絕緣層370可以形成為覆蓋頂層360的上表面和/或側(cè)表面。第四絕緣層370保護(hù)包括有機(jī)材料或由有機(jī)材料制成的頂層360，在示例性實(shí)施例中可以省略第四絕緣層370。

包封層390設(shè)置在第四絕緣層370上。包封層390從微腔上面延伸至微腔305的側(cè)表面以覆蓋將微腔305的內(nèi)部暴露于外部的注入孔307a和307b。即，包封層390可以密封微腔305，使得設(shè)置在微腔305內(nèi)部的液晶分子310不能泄漏。因?yàn)榘鈱?90接觸諸如液晶分子310的光學(xué)介質(zhì)，所以包封層390包括不與諸如液晶分子310的光學(xué)介質(zhì)反應(yīng)的材料或者由不與諸如液晶分子310的光學(xué)介質(zhì)反應(yīng)的材料制成。在示例性實(shí)施例中，例如，包封層390可以包括聚對(duì)二甲苯等或者由聚對(duì)二甲苯等制成。

示出的是，包封層390設(shè)置在頂層360上并且覆蓋注入孔307a和307b。然而，示例性實(shí)施例不限于此。包封層390可以不設(shè)置在頂層360上并且可以僅設(shè)置為覆蓋在微腔305的第一邊緣和第二邊緣處的注入孔307a和307b。

包封層390可以包括諸如作為雙層結(jié)構(gòu)或三層結(jié)構(gòu)的多層。雙層結(jié)構(gòu)由用不同材料制成的兩個(gè)層組成。三層結(jié)構(gòu)由三個(gè)層組成，并且相鄰層的材料彼此不同。在示例性實(shí)施例中，例如，包封層390可以包括具有有機(jī)絕緣材料或由有機(jī)絕緣材料制成的層以及具有無(wú)機(jī)絕緣材料或由無(wú)機(jī)絕緣材料制成的層。

盡管未示出，但是偏振器還可以設(shè)置在上述顯示裝置的上表面以及與顯示裝置的上表面相對(duì)的下表面上。偏振器可以包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可以附著在基底110的下表面上，第二偏振器可以附著在包封層390上。

接下來(lái)，參照?qǐng)D4至圖17，將如下描述根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的示例性實(shí)施例。另外，將參照?qǐng)D1至圖3進(jìn)行描述。

圖4至圖17是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的工藝的示例性實(shí)施例的剖視圖。圖4、圖6、圖8、圖10、圖12、圖14和圖16可以是沿圖1的線ii-ii的圖，圖5、圖7、圖9、圖11、圖13、圖15和圖17可以是沿圖1的線iii-iii的圖。

如圖4和圖5中示出的，在基底110上形成將其長(zhǎng)度限定為在水平方向上延伸的柵極線121(參照?qǐng)D1)以及從柵極線121的主體部分突出的柵電極124?；?10包括玻璃或塑料或者由玻璃或塑料制成。在基底110的俯視平面圖中，柵極線121的長(zhǎng)度可以基本在水平方向上延伸。柵極線121和柵電極124從同一材料層形成并設(shè)置在形成在基底110上的層之中的同一層中。

使用諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無(wú)機(jī)絕緣材料，在柵極線121和柵電極124上形成柵極絕緣層140。柵極絕緣層140可以包括單層或多層或者被單層或多層限定。

在柵極絕緣層140上沉積諸如非晶硅、多晶硅或金屬氧化物的半導(dǎo)體材料，對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行圖案化以形成半導(dǎo)體154(參照?qǐng)D1)。半導(dǎo)體154可以位于柵電極124上。

在沉積金屬材料之后，對(duì)金屬材料圖案化以形成數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175。數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175可以包括單層或多層或者被單層或多層限定。數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175由同一材料層形成并且設(shè)置在形成在基底110上的層之中的同一層中。數(shù)據(jù)線171傳輸經(jīng)其的數(shù)據(jù)信號(hào)并限定其主要在豎直方向上延伸的長(zhǎng)度，從而與柵極線121相交。源電極173的長(zhǎng)度可以與數(shù)據(jù)線171設(shè)置在同一線上，漏電極175與源電極173分開(kāi)預(yù)定的距離。

雖然在上面的描述中，描述了形成半導(dǎo)體154，隨后沉積金屬材料并對(duì)其圖案化以形成數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175的方法，但是示例性實(shí)施例不限于此。即，在順序地沉積半導(dǎo)體材料和金屬材料之后，可以同時(shí)對(duì)它們進(jìn)行圖案化以形成半導(dǎo)體154、數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175。在對(duì)順序地沉積的半導(dǎo)體材料和金屬材料同時(shí)圖案化的情況下，還可以在數(shù)據(jù)線171下方設(shè)置半導(dǎo)體154。柵電極124、源電極173和漏電極175與半導(dǎo)體154一起形成一個(gè)薄膜晶體管(“tft”)。

在數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175以及在源電極173與漏電極175之間的半導(dǎo)體154的暴露部分上形成鈍化層180。鈍化層180可以包括有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料或者由有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料制成，并且可以包括單層或多層或者被由單層或多層限定。

在鈍化層180上形成濾色器230。濾色器230可以形成在每個(gè)像素(參照?qǐng)D1中的px)內(nèi)部，并且可以不形成在像素的邊緣處。允許不同的波長(zhǎng)經(jīng)其透射的多個(gè)濾色器230可以形成在顯示裝置內(nèi)，在基底110的俯視平面圖中，同種顏色的濾色器230可以沿豎直方向形成。在形成三種顏色的濾波器時(shí)，可以首先形成第一顏色的濾色器230，可以移動(dòng)掩模以形成第二顏色的濾色器，可以再次移動(dòng)同一掩模以形成第三顏色的濾色器230。

隨后，在鈍化層180上使用阻光材料來(lái)形成阻光構(gòu)件220。阻光構(gòu)件220可以位于像素的邊緣處，并且可以與柵極線121、數(shù)據(jù)線171和薄膜晶體管疊置以防止在此處光泄漏。然而，示例性實(shí)施例不限于此，阻光構(gòu)件220可以與柵極線121和薄膜晶體管疊置，但是不與數(shù)據(jù)線171疊置。

在濾色器230和阻光構(gòu)件220上形成第一絕緣層240。第一絕緣層240可以包括有機(jī)絕緣材料或者由有機(jī)絕緣材料形成，并且可以用來(lái)使濾色器230和阻光構(gòu)件220的頂表面平坦化?？梢酝ㄟ^(guò)順序地沉積包括有機(jī)絕緣材料或由有機(jī)絕緣材料制成的層以及包括無(wú)機(jī)絕緣材料或由無(wú)機(jī)絕緣材料制成的層將第一絕緣層240形成為雙層結(jié)構(gòu)。

在第一絕緣層240上沉積諸如銦錫氧化物(“ito”)或銦鋅氧化物(“izo”)的透明金屬氧化物材料，隨后對(duì)其圖案化以形成共電極270?？梢栽诨?10上設(shè)置多個(gè)共電極270。分別設(shè)置在多個(gè)像素px中的共電極270通過(guò)連接橋276(參照?qǐng)D1)等彼此連接，以便將基本相同的電壓傳遞到共電極270。設(shè)置在每個(gè)像素px中的共電極270可以具有平面的形狀。

在共電極270上使用諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無(wú)機(jī)絕緣材料來(lái)形成第二絕緣層250。對(duì)第二絕緣層250、第一絕緣層240、阻光構(gòu)件220和鈍化層180進(jìn)行圖案化以形成穿過(guò)它們延伸的暴露漏電極175的至少一部分的接觸孔185a。

在第二絕緣層250上沉積諸如銦錫氧化物(“ito”)或銦鋅氧化物(“izo”)的透明金屬材料，并隨后對(duì)其圖案化以形成像素電極191。像素電極191通過(guò)接觸孔185a連接到漏電極175。像素電極191可以包括或限定多個(gè)分支電極193以及設(shè)置在相鄰的分支電極193之間的縫隙93。

使用紫外(“uv”)固化聚合物，在像素電極191和第二絕緣層250上形成第一取向?qū)?1。紫外(“uv”)固化聚合物是在紫外(“uv”)光照射到它時(shí)固化的材料。在示例性實(shí)施例中，例如，紫外(“uv”)固化聚合物包括諾蘭光學(xué)膠65(“noa65”)。形成的第一取向?qū)?1可以具有平坦化的上表面。

在第一取向?qū)?1形成在像素電極191和第二絕緣層250上的情況下，在第一取向?qū)?1之上設(shè)置第一模具1000。在第一模具1000設(shè)置在第一取向?qū)?1之上之后，向下移動(dòng)第一模具1000(見(jiàn)圖4和圖5中的箭頭)，形成的第一取向?qū)?1被第一模具1000壓縮。如圖6和圖7中所示，通過(guò)第一模具1000壓縮第一取向?qū)?1的平坦化的上表面，從而由第一取向?qū)?1的被壓縮部分形成多個(gè)第一凹槽510。

第一模具1000的下表面包括或限定凸部1010和凹部1020。第一凹槽510形成在第一取向?qū)?1的與第一模具1000的凸部1010對(duì)應(yīng)的部分處。

第一凹槽510可以與像素電極191和共電極270中的至少一個(gè)疊置。在示例性實(shí)施例中，第一凹槽510與像素電極191的縫隙93以及共電極270疊置。然而，示例性實(shí)施例不限于此，第一凹槽510可以與像素電極191的分支電極193疊置，而不是與像素電極191的縫隙93疊置。在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一凹槽510可以與像素電極191的分支電極193、像素電極191的縫隙93和共電極270疊置。

多個(gè)第一凹槽510可以形成在一個(gè)像素px(參照?qǐng)D1)中。多個(gè)第一凹槽510可以以規(guī)則的間距形成在像素px內(nèi)。多個(gè)第一凹槽510可以限定其根據(jù)預(yù)定方向延伸的長(zhǎng)度，多個(gè)第一凹槽510的長(zhǎng)度可以彼此平行地延伸。第一凹槽510的長(zhǎng)度的延伸方向可以平行于數(shù)據(jù)線171、分支電極193和縫隙93中的每個(gè)的長(zhǎng)度的延伸方向。在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一凹槽510的長(zhǎng)度的延伸方向可以與數(shù)據(jù)線171、分支電極193和縫隙93中的每個(gè)的長(zhǎng)度延伸方向形成預(yù)定的角度。

第一凹槽510的垂直于其長(zhǎng)度的寬度、第一凹槽510的在基底110的厚度方向上的深度和相鄰的第一凹槽510之間的在它們的寬度方向上的間距可以改變?？梢酝ㄟ^(guò)第一凹槽510的寬度和深度以及相鄰的第一凹槽510之間的間距的改變來(lái)使液晶取向能力成為可控的。

如圖8和圖9中示出的，在其中限定有第一凹槽510的第一取向?qū)?1上形成犧牲層300?？梢栽谄渲邢薅ㄓ械谝话疾?10的第一取向?qū)?1上沉積犧牲層材料，隨后對(duì)其圖案化以形成犧牲層300。犧牲層300可以形成為限定其在基底110的俯視平面圖中沿垂直方向延伸的長(zhǎng)度。犧牲層300可以與柵極線121、薄膜晶體管和像素電極191疊置，犧牲層300可以不與數(shù)據(jù)線171疊置。

如圖10和圖11中示出的，使用紫外(“uv”)固化聚合物，在犧牲層300以及在其中限定有第一凹槽510的第一取向?qū)?1上形成第二取向?qū)?1。形成的第二取向?qū)?1可以具有平坦化的上表面。

在第二取向?qū)?1形成在犧牲層300上以及在其中限定有第一凹槽510的第一取向?qū)?1上的情況下，在第二取向?qū)?1之上設(shè)置第二模具2000。在將第二模具2000設(shè)置在第二取向?qū)?1上之后，向下移動(dòng)第二模具2000(見(jiàn)圖10和圖11中的箭頭)，形成的第二取向?qū)?1被第二模具2000壓縮。如圖12和圖13中所示，通過(guò)第二模具2000壓縮第二取向?qū)?1的平坦化的上表面，從而由第二取向?qū)?1的被壓縮部分形成多個(gè)第二凹槽610。

第二模具2000的下表面包括或限定凸部2010和凹部2020。第二凹槽610形成在第二取向?qū)?1的與第二模具2000的凸部2010對(duì)應(yīng)的部分處。

第二凹槽610可以與像素電極191和共電極270中的至少一個(gè)疊置。

多個(gè)第二凹槽610可以形成在一個(gè)像素px(參照?qǐng)D1)中。多個(gè)第二凹槽610可以形成在形成有第一凹槽510的同一像素px(參照?qǐng)D1)中。多個(gè)第二凹槽610可以以規(guī)則的間距形成在像素px內(nèi)。多個(gè)第二凹槽610可以限定其根據(jù)預(yù)定的方向延伸的長(zhǎng)度，多個(gè)第二凹槽610的長(zhǎng)度可以彼此平行地延伸。第二凹槽610的長(zhǎng)度的延伸方向可以平行于數(shù)據(jù)線171、分支電極193和縫隙93中的每個(gè)的長(zhǎng)度的延伸方向。在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二凹槽610的長(zhǎng)度的延伸方向可以與數(shù)據(jù)線171、分支電極193和縫隙93中的每個(gè)長(zhǎng)度的延伸方向形成預(yù)定的角度。

第二凹槽610的長(zhǎng)度的延伸方向可以平行于第一凹槽510的長(zhǎng)度的延伸方向。第二凹槽610可以與第一凹槽510疊置。然而，示例性實(shí)施例不限于此，第二凹槽610的長(zhǎng)度的延伸方向可以不平行于第一凹槽510的長(zhǎng)度的延伸方向。在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二凹槽610的長(zhǎng)度的延伸方向可以平行于第一凹槽510的長(zhǎng)度的延伸方向，第二凹槽610可以不與第一凹槽510疊置。

第二凹槽610的垂直于其長(zhǎng)度的寬度、第二凹槽610的在基底110的厚度方向上的深度以及相鄰的第二凹槽610之間的在它們的寬度方向上的間距可以改變?？梢酝ㄟ^(guò)第二凹槽610的寬度和深度以及相鄰的第二凹槽610之間的間距的改變來(lái)使液晶取向能力成為可控的。

第一凹槽510形成在第一取向?qū)?1的設(shè)置在犧牲層300的下表面處的部分處，第二凹槽610形成在第二取向?qū)?1的設(shè)置在犧牲層300的上表面處的部分處。第一凹槽510和第二凹槽610可以分別由第一取向?qū)?1的上表面和第二取向?qū)?1的上表面限定。參照?qǐng)D13，沒(méi)有凹槽通過(guò)第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1的在犧牲層300的側(cè)表面處的部分來(lái)形成。第一取向?qū)?1和第二取向?qū)?1分別限定與犧牲層300的側(cè)面分隔開(kāi)的第一凹槽510和第二凹槽610。

如圖14和圖15中示出的，使用諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無(wú)機(jī)絕緣材料，在其中限定有第二凹槽610的第二取向?qū)?1上形成第三絕緣層350。

在第三絕緣層350上涂覆有機(jī)材料，隨后對(duì)其圖案化以形成頂層360?？梢詧?zhí)行圖案化步驟，從而去除有機(jī)材料的與柵極線121和薄膜晶體管疊置的部分。因此，頂層360可以限定其沿基底110的俯視平面圖中的水平方向延伸的長(zhǎng)度。用于形成頂層360的有機(jī)材料的與柵極線121和薄膜晶體管疊置的部分去除步驟暴露了下層的第三絕緣層350。

在如上面描述的對(duì)頂層360進(jìn)行圖案化之后，將光照射到頂層360以對(duì)其形成材料執(zhí)行固化工藝。因?yàn)轫攲?60在執(zhí)行固化工藝之后硬化，所以即使在頂層360下方產(chǎn)生預(yù)定空間，頂層360也可以保持其形狀。

通過(guò)使用頂層360作為掩模對(duì)第三絕緣層350的和第二取向?qū)?1的其下與柵極線121和薄膜晶體管疊置的部分進(jìn)行圖案化來(lái)去除暴露的第三絕緣層350的所述部分和第二取向?qū)?1的所述部分。第三絕緣層350和第二取向?qū)?1的部分的去除步驟使下層的犧牲層300暴露(參照?qǐng)D14)。

可以在圖案化后的頂層360和暴露的犧牲層300上沉積諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無(wú)機(jī)絕緣材料，隨后對(duì)其圖案化以形成第四絕緣層370?？梢詧?zhí)行圖案化，從而用于形成第四絕緣層370的無(wú)機(jī)絕緣材料的與柵極線121和薄膜晶體管疊置的部分被去除并且使先前暴露的下層的犧牲層300暴露。如圖14和圖15中示出的，第四絕緣層370可以覆蓋頂層360的頂表面，并且還可以覆蓋頂層360的側(cè)表面(參照?qǐng)D14)。

因?yàn)閷?duì)頂層360、第三絕緣層350、第二取向?qū)?1和第四絕緣層370進(jìn)行了圖案化，所以犧牲層300的部分暴露于外部。當(dāng)將顯影劑或剝離溶液(stripersolution)施用在暴露的犧牲層300上以完全地去除犧牲層300時(shí)，或者當(dāng)在暴露的犧牲層300處使用灰化工藝以完全地去除犧牲層300時(shí)，如圖16和圖17中示出的，在先前設(shè)置有犧牲層300的位置處產(chǎn)生微腔305。

像素電極191和頂層360彼此分隔開(kāi)，同時(shí)使微腔305置于像素電極191與頂層360之間。如圖16和圖17中示出的，頂層360覆蓋微腔305的頂表面并且延伸為覆蓋微腔305的兩個(gè)側(cè)表面(參照?qǐng)D17)。

在基底110上設(shè)置多個(gè)微腔305。微腔305的內(nèi)部區(qū)域通過(guò)不存在頂層360的部分來(lái)暴露到其外部(參照?qǐng)D16)，微腔305的使微腔305的內(nèi)部區(qū)域暴露的部分可以被限定為注入孔307a和307b?？梢葬槍?duì)一個(gè)微腔305形成注入孔307a和307b。在示例性實(shí)施例中，例如，可以形成在一個(gè)微腔305的第一邊緣的第一側(cè)表面處暴露該微腔305的內(nèi)部區(qū)域的第一注入孔307a以及在同一個(gè)微腔305的第二邊緣的第二側(cè)表面處暴露該微腔305的內(nèi)部區(qū)域的第二注入孔307b，其中，所述第二邊緣與其第一邊緣相對(duì)。第一邊緣和第二邊緣可以相對(duì)于同一個(gè)微腔305的內(nèi)部區(qū)域彼此相對(duì)并彼此面對(duì)。參照?qǐng)D1中的俯視平面圖，例如，所述一個(gè)微腔305的第一邊緣可以是該微腔305的上邊緣，而同一個(gè)微腔305的第二邊緣可以是該微腔305的下邊緣。

當(dāng)使用噴墨法或滴涂法來(lái)將諸如液晶(“l(fā)c”)材料的光學(xué)介質(zhì)材料滴到其上形成有的微腔305的基底110上時(shí)，lc材料在毛細(xì)管力的作用下經(jīng)過(guò)注入孔307a和307b注入到微腔305中。因此，在微腔305中形成諸如包括液晶分子310的液晶層的光學(xué)介質(zhì)層。

在第四絕緣層370上沉積不與諸如液晶分子310的光學(xué)介質(zhì)反應(yīng)的材料以形成包封層390。參照?qǐng)D16和圖17，包封層390形成為諸如從微腔305的上面延伸為覆蓋注入孔307a和307b以密封微腔305(參照?qǐng)D16)，從而防止形成在微腔305中的液晶分子310泄漏到微腔305外部。形成基底110上的包封層390以及在基底110與包封層390之間的上述層一起形成了顯示裝置。

接下來(lái)，盡管未示出，但是還可以將偏振器附著到上述顯示裝置的頂表面和底表面。偏振器可以包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可附著在基底110的下表面上，第二偏振器可附著在包封層390上。

將參照?qǐng)D18至圖20描述形成在第一取向?qū)?1中或被第一取向?qū)?1限定的第一凹槽510以及形成在第二取向?qū)?1中或被第二取向?qū)?1限定的第二凹槽610的各種平面的形狀。

圖18至圖20是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的第一凹槽和第二凹槽的各種形狀的示例性實(shí)施例的俯視平面圖。

如圖18中示出的，第一凹槽510形成在第一取向?qū)?1中或被第一取向?qū)?1限定，多個(gè)第一凹槽510形成在相應(yīng)的像素px中的每個(gè)中。多個(gè)第一凹槽510限定其根據(jù)第一方向d1延伸為彼此平行的長(zhǎng)度。

第二凹槽610形成在第二取向?qū)?1中或被第二取向?qū)?1限定，多個(gè)第二凹槽610形成在相應(yīng)的像素px中的每個(gè)中。多個(gè)第二凹槽610限定其根據(jù)第一方向d1延伸為彼此平行的長(zhǎng)度。

如圖18中示出的，第一凹槽510和第二凹槽610完全地疊置。第一凹槽510和第二凹槽610整體在一個(gè)單一方向(即，第一方向d1)上延伸。然而，示例性實(shí)施例不限于此。第一凹槽510和第二凹槽610可以交替地形成。

如圖19中示出的，第一凹槽510的長(zhǎng)度根據(jù)第一方向d1和第二方向d2延伸。像素px被劃分成上區(qū)pxa和下區(qū)pxb。在上區(qū)pxa中，第一凹槽510的第一長(zhǎng)度部分根據(jù)第一方向d1延伸，在下區(qū)pxb中，第一凹槽510的第二長(zhǎng)度部分根據(jù)第二方向d2延伸。第一長(zhǎng)度部分整體在單一的第一方向d1上延伸，第二長(zhǎng)度部分整體在單一的第二方向d2上延伸。第一凹槽510的根據(jù)第一方向d1延伸的第一長(zhǎng)度部分以及第一凹槽510的根據(jù)第二方向d2延伸的第二長(zhǎng)度部分可以彼此連接。第一長(zhǎng)度部分和第二長(zhǎng)度部分可以形成單個(gè)的第一凹槽510。

此外，第二凹槽610的第一長(zhǎng)度部分和第二長(zhǎng)度部分分別根據(jù)第一方向d1和第二方向d2延伸。第一凹槽510和第二凹槽610可以彼此疊置。

因?yàn)樵谝粋€(gè)像素px中，設(shè)置為多個(gè)的第一凹槽510和第二凹槽610均根據(jù)兩個(gè)方向延伸，所以設(shè)置在上區(qū)pxa中的液晶分子以及設(shè)置在下區(qū)pxb中的液晶分子可以根據(jù)互不相同的方向取向。因此，一個(gè)像素px可以被劃分成兩個(gè)域，可以改善可見(jiàn)性。此外，當(dāng)?shù)谝话疾?10和第二凹槽610根據(jù)比上面描述的兩種方向多的互不相同的各種方向來(lái)延伸時(shí)，所述一個(gè)像素px可以被劃分成三個(gè)或更多個(gè)域。

如圖20中示出的，多個(gè)第一凹槽510形成在各個(gè)像素px中。多個(gè)第一凹槽510中的第一組限定其根據(jù)第一方向d1延伸的長(zhǎng)度，多個(gè)第一凹槽510中的第二組限定其根據(jù)第二方向d2延伸的長(zhǎng)度。

一個(gè)像素px劃分成左區(qū)pxc和右區(qū)pxd。在左區(qū)pxc中，第一凹槽510的長(zhǎng)度根據(jù)第一方向d1延伸，而在右區(qū)pxd中，第一凹槽510的長(zhǎng)度根據(jù)第二方向d2延伸。

第二凹槽610的第一組和第二組也限定其分別根據(jù)第一方向d1和第二方向d2延伸的長(zhǎng)度。第一凹槽510和第二凹槽610彼此疊置。

因?yàn)樵谝粋€(gè)像素px中，設(shè)置為多個(gè)的第一凹槽510和第二凹槽610均根據(jù)兩個(gè)方向延伸，所以設(shè)置在左區(qū)pxc中的液晶分子以及設(shè)置在右區(qū)pxd中的液晶分子可以根據(jù)互不相同的方向取向。因此，一個(gè)像素px可以被劃分成兩個(gè)域，可以改善可見(jiàn)性。此外，當(dāng)?shù)谝话疾?10和第二凹槽610的長(zhǎng)度根據(jù)比上面描述的兩種方向多的互不相同的各種方向來(lái)延伸時(shí)，所述一個(gè)像素px可以被劃分成三個(gè)或更多個(gè)域。

雖然已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為成可實(shí)施的示例性實(shí)施例描述了本公開(kāi)，但是將理解的是，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，而是相反，本發(fā)明意圖覆蓋包括在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。