本發(fā)明涉及一種缺陷修補方法，尤其是一種集成電路用掩模板圖形區(qū)內(nèi)金屬殘留缺陷修補方法，屬于集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

在半導體集成電路制造領(lǐng)域，光刻工藝是在半導體晶園上形成電路圖案的重要技術(shù)。在更小更復雜集成度更高的大規(guī)模集成電路中，需要更先進的光刻技術(shù)產(chǎn)生更小的線寬(CD)和精細圖案。光刻工藝中，需要用到一種模板來對圖形進行轉(zhuǎn)印和復制，這種模板稱之為光掩模板(又稱光罩，以下統(tǒng)稱為掩模板)。掩模板是連接設(shè)計公司和晶園制造間的紐帶。目前的晶園制作工藝中還無法實現(xiàn)無掩模光刻，因此掩模板是集成電路制造中較為關(guān)鍵的一環(huán)。

掩模基板的主要制作流程為曝光、顯影、刻蝕、去膠、檢測等，我們需要對檢測出來的缺陷進行修復，缺陷的形成原因很多，其中在工藝過程中掉入顆粒會造成大面積的金屬殘留，如果大面積金屬殘留落在了圖形區(qū)，那么很有可能會導致基板報廢。

目前，修補機是缺陷修復的主要設(shè)備。業(yè)界修補缺陷的方法主要是激光束和電子束(或者離子束)的高能量快速掩模板表面金屬殘留，可以快速去除表面缺陷。但是當金屬殘留面積較大，會增加修補機臺的壓力甚至機臺無力修補。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是解決在掩?；灞砻鎴D形區(qū)大面積的金屬殘留，且使用修補機已經(jīng)無法進行有效的修補而導致基板報廢的缺陷，提供一種補救方法。

按照本發(fā)明提供的方案，一種集成電路用的掩模板圖形區(qū)金屬殘留的修補方法，包括如下步驟：

(a)、將出現(xiàn)金屬殘留缺陷的掩模板均勻涂布光膠保護層；

(b)、在缺陷處選定曝光區(qū)域并獲得曝光數(shù)據(jù)，對基板進行二次曝光；

(c)、通過顯影工藝在選定區(qū)域內(nèi)獲得新的圖形并且覆蓋原有圖形；

(d)、通過蝕刻工藝，將沒有光膠保護的金屬層去除；

(e)、對掩模板進行去膠和清洗。

進一步，所述步驟(a)中，利用噴涂烘烤方式涂布光膠保護層，烘烤溫度為95℃～150℃，烘烤時間為25～30分鐘，光膠保護層的厚度為440～480nm。

進一步，所述步驟(b)中利用具有二次曝光功能的曝光機在缺陷區(qū)域上進行二次曝光。

進一步，所述步驟(c)中，利用顯影液和曝光區(qū)域內(nèi)的光膠進行反應(yīng)，出現(xiàn)新的圖形并且覆蓋原圖形。

進一步，所述步驟(d)中，利用蝕刻液去除基板上沒有光膠保護的金屬層。

進一步，所述步驟(e)中的清洗步驟包括：

(1)、以H₂SO₄和H₂O₂混合溶液進行初步清洗，時間為10～15分鐘；

(2)、以氨水、H₂O₂和清水形成的混合溶液進行再次清洗，時間為10～15分鐘；

(3)、利用清水對基板和金屬層進行最后清洗。

本發(fā)明的優(yōu)點：

1、該修補方法不需要專用的修補設(shè)備，可以僅依靠現(xiàn)有工藝設(shè)備完成，操作方便，能對圖形區(qū)內(nèi)大面積金屬殘留進行有效的清除；

2、大大降低了修補機臺的壓力，而且二次曝光只是針對特定缺陷區(qū)域進行，因此大大加快了二次曝光速度；

3、減少了基板報廢率，節(jié)約了基板。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。

圖1為涂布光膠保護層前的出現(xiàn)金屬殘留缺陷的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為涂布保護光膠后的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為二次曝光后的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為顯影后掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為去除光膠后基板的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖標記說明:1石英玻璃、2金屬層、3金屬殘留、4保護光膠。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行說明，應(yīng)當理解，此處所描述的優(yōu)選實施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

實施例

一種利用二次曝光技術(shù)修補掩模板圖形區(qū)內(nèi)缺陷的方法，包括以下步驟：

(a)、將出現(xiàn)金屬殘留缺陷的掩模板均勻涂布光膠保護層，烘烤溫度為95℃～150℃，烘烤時間為25～30分鐘，光膠保護層的厚度為440～480nm；圖1為涂布光膠保護層前的出現(xiàn)金屬殘留缺陷的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為涂布保護光膠后的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

(b)、在缺陷處選定曝光區(qū)域并處理得到曝光數(shù)據(jù)，利用本公司的具有二次曝光功能的曝光機臺對基板進行二次曝光；圖3為二次曝光后的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

(c)、通過顯影工藝在選定區(qū)域內(nèi)獲得新的圖形并且覆蓋原有圖形，利用顯影液和曝光區(qū)域內(nèi)的光膠進行反應(yīng)，出現(xiàn)新的圖形并且覆蓋原圖形；圖4為顯影后掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

(d)、通過蝕刻工藝，將沒有光膠保護的金屬層去除，利用蝕刻液去除基板上沒有光膠保護的金屬層；圖5為去除光膠后基板的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；

(e)、對掩模板進行去膠和清洗。清洗步驟如下：

(1)、以H₂SO₄和H₂O₂混合溶液進行初步清洗，時間為10～15分鐘；

(2)、以氨水、H₂O₂和清水形成的混合溶液進行再次清洗，時間為10～15分鐘；

(3)、利用清水對基板和金屬層進行最后清洗。

最后應(yīng)說明的是：以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。