示例性實(shí)施方式涉及顯示基板和包括該顯示基板的液晶顯示(LCD)裝置。

背景技術(shù)：

根據(jù)其光發(fā)射方案，顯示裝置分類為液晶顯示(LCD)裝置、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置、等離子體顯示面板(PDP)裝置、電泳顯示(EPD)裝置等。

LCD裝置可以包括兩個基板和在兩個基板之間的液晶層，所述兩個基板包括形成在其上的電極。在向電極施加電壓時，LCD裝置重新布置液晶層的液晶分子，使得被透射的光的量被控制。這種LCD裝置通常包括配向?qū)?，該配向?qū)涌梢耘湎蛞壕Х肿?，以均勻控制液晶層?/p>

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)實(shí)施方式，顯示基板可以包括具有多個像素區(qū)域的基底基板以及在像素區(qū)域中的像素電極。像素電極可以包括限定多個域的凸塊部分和在至少一個域中沿著像素電極的邊緣延伸的至少一個狹縫。

凸塊部分可以包括在第一方向上延伸的第一凸塊部分以及在第二方向上延伸的第二凸塊部分，第二方向在平面圖中與第一方向相交。

第一凸塊部分和第二凸塊部分的交疊區(qū)域可以在平面圖中具有四邊形、圓形、橢圓形、或菱形形狀。

第一凸塊部分和第二凸塊部分中的至少一個可以具有隨著距交疊區(qū)域的距離增大而增大的寬度。

第一凸塊部分和第二凸塊部分可以具有隨著距交疊區(qū)域的距離增大而減小的寬度。

第一凸塊部分可以具有不同于第二凸塊部分的寬度的寬度。

第一凸塊部分可以具有大于第二凸塊部分的寬度的寬度。

凸塊部分可以具有在大約2μm到大約15μm范圍內(nèi)的寬度。

凸塊部分可以具有在大約0.1μm到大約1.0μm范圍內(nèi)的高度。

顯示基板可以進(jìn)一步包括在基底基板和像素電極之間的至少一個絕緣層，絕緣層可以包括在平面圖中具有與凸塊部分的形狀基本上相同的形狀的突起。

顯示基板可以進(jìn)一步包括在基底基板上的至少一個突起圖案，突起圖案在平面圖中具有與凸塊部分的形狀基本上相同的形狀。

突起圖案可以包括在基底基板上的第一突起圖案和在第一突起圖案上的第二突起圖案，第二突起圖案與第一突起圖案絕緣。

至少一個狹縫可以包括形成在第一方向上的第一狹縫和形成在第二方向上的第二狹縫。

第一狹縫和第二狹縫中的至少一個可以具有從像素電極的邊緣朝凸塊部分增大的寬度。

第一狹縫和第二狹縫中的至少一個可以交疊凸塊部分。

第一狹縫可以具有與第二狹縫的寬度不同的寬度。

第一狹縫可以具有比第二狹縫的寬度大的寬度。

第一狹縫的端部側(cè)可以相對于第一方向形成銳角。

第二狹縫的端部側(cè)可以相對于第二方向形成銳角。

狹縫可以具有在大約2μm到大約5μm范圍內(nèi)的寬度。

像素電極可以進(jìn)一步包括從像素電極的一側(cè)延伸的凹口部分。

凹口部分可以連接到凸塊部分。

凹口部分可以具有隨著距像素電極的距離增大而減小的寬度。

像素電極可以進(jìn)一步包括連接到凸塊部分并有待連接到薄膜晶體管的連接部分。

像素電極可以具有被倒角的至少一個邊緣。

根據(jù)示例性實(shí)施方式，液晶顯示(LCD)裝置可以包括：顯示基板；與顯示基板面對的相對基板；以及在顯示基板和相對基板之間的液晶層。顯示基板可以包括具有多個像素區(qū)域的基底基板；以及在像素區(qū)域中的像素電極，像素電極可以包括限定多個域的凸塊部分以及在至少一個域中沿著像素電極的邊緣延伸的至少一個狹縫。

LCD裝置可以進(jìn)一步包括在相對基板上的公共電極，公共電極不具有狹縫。

顯示基板可以包括垂向配向?qū)?homeotropic alignment layer)。

垂向配向?qū)涌梢园ü饩酆喜牧稀?/p>

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式，各特征對本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得清楚，圖中：

圖1示出根據(jù)第一示例性實(shí)施方式的液晶顯示(LCD)裝置的像素的示意性平面圖；

圖2示出沿著圖1的線I-II截取的橫截面圖；

圖3示出平面圖，單獨(dú)示出圖1的柵極層導(dǎo)體；

圖4示出平面圖，單獨(dú)示出圖1的數(shù)據(jù)層導(dǎo)體；

圖5示出平面圖，單獨(dú)示出圖1的第三絕緣層；

圖6示出透視圖，單獨(dú)示出圖1的像素電極；

圖7示出局部放大圖，示出圖5的像素電極的一部分；以及

圖8、9、10、11、12、13、14、15和16分別示出根據(jù)第二到第十示例性實(shí)施方式的像素電極的平面圖。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖更全面描述示例性實(shí)施方式，但是它們可以按照不同形式實(shí)施并且不應(yīng)解釋為限制于在此陳述的實(shí)施方式。相反，這些實(shí)施方式被提供使得本公開將是全面和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_(dá)示例性實(shí)現(xiàn)方式。

在附圖中，層和區(qū)域的尺寸為了圖示清楚可以被夸大。也應(yīng)理解的是當(dāng)層或元件被稱為在另一個層或基板上時，它可以直接在另一層或基板上或者也可以存在中間層。另外，也將理解的是當(dāng)層被稱為在兩個層“之間”時，它可以是兩個層之間的唯一層，或者也可以存在一個或多個中間層。相同的附圖標(biāo)記始終標(biāo)識相同元件。

在整個說明書中，當(dāng)元件被稱為連接到另一元件時，該元件直接連接到該其他元件，或者利用其間夾置的一個或多個中間元件電連接到其他元件。將進(jìn)一步理解的是，術(shù)語“包括”、“包含”和/或其變形，當(dāng)用于本說明書時，表示所述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是并不排除一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在或添加。

將理解的是，雖然術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等在此用于描述各種元件，這些元件不應(yīng)受到這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件與另一個元件區(qū)分開。從而，下面討論的“第一元件”可以被稱為“第二元件”或“第三元件”，且“第二元件”和“第三元件”能夠類似地稱謂，而不背離在此的教導(dǎo)。

空間相對術(shù)語“之下”、“下面”、“下部”、“之上”、“上部”等可以在此使用以便于描述一個元件或部件與另一個元件或部件之間如圖中所示的關(guān)系。將理解的是，除了圖中所示的取向外，空間相對術(shù)語旨在涵蓋使用或操作中的裝置的不同取向。例如，在圖中所示的裝置被翻轉(zhuǎn)的情況下，定位在另一裝置“之下”或“下面”的裝置可以放置在另一裝置“之上”。于是，說明性術(shù)語“之下”可以包括下部和上部位置二者。裝置也可以在其他方向上取向，并由此，空間相對術(shù)語可以根據(jù)取向而不同地解釋。

除非另外限定，在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本領(lǐng)域技術(shù)人員共同理解的相同的含義。將進(jìn)一步理解的是諸如共同使用的字典中限定的那些，術(shù)語應(yīng)該解釋為具有與它們在背景技術(shù)的上下文中的含義相一致的含義，并且不應(yīng)解釋為理想的或過于正式的含義，除非在本說明書中清楚限定。

下面，將參照圖1、2、3、4、5、6和7描述第一示例性實(shí)施方式。

圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施方式的液晶顯示(LCD)裝置的像素的示意性平面圖，而圖2是沿著圖1的線I-II截取的橫截面圖。根據(jù)示例性實(shí)施方式的LCD裝置可以包括多個像素，但是在多個像素中的單個像素在圖1中示出，而其他像素和像素區(qū)域被省略。

參照圖1和2，根據(jù)示例性實(shí)施方式的LCD裝置可以包括顯示基板100、相對基板200和液晶層300。液晶層300可以夾置在彼此相對的顯示基板100和相對基板200之間。在示例性實(shí)施方式中，根據(jù)示例性實(shí)施方式的LCD裝置可以進(jìn)一步包括背光單元，該背光單元朝向顯示基板100發(fā)射光。

顯示基板100可以包括基底基板110、柵極層導(dǎo)體120、第一絕緣層130、半導(dǎo)體層140、數(shù)據(jù)層導(dǎo)體150、第二絕緣層160、第三絕緣層170、像素電極180、第一配向?qū)?90等。

例如，基底基板110可以是絕緣基板，如塑料基板，其具有光透射特性和柔性。但是，例如，基底基板110可以包括硬基板，如玻璃基板。

圖3是單獨(dú)示出圖1的柵極層導(dǎo)體120的平面圖。

參照圖1、2和3，柵極層導(dǎo)體120可以設(shè)置在基底基板110之上。

柵極層導(dǎo)體120可以包括例如鋁(Al)或其合金、銀(Ag)或其合金、銅(Cu)或其合金、鉬(Mo)或其合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)和/或其他等等，或由上述材料形成。

在示例性實(shí)施方式中，柵極層導(dǎo)體120可以具有多層結(jié)構(gòu)，包括具有彼此不同的物理特性的兩個或多個導(dǎo)電層。例如，多層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層可以包括具有低電阻率的材料或由該材料形成，該材料例如是鋁(Al)基金屬、銀(Ag)基金屬、銅(Cu)基金屬和/或其他等等，以減小信號延遲或電壓降。另一方面，多層結(jié)構(gòu)的另一導(dǎo)電層可以包括被發(fā)現(xiàn)與銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)具有優(yōu)異接觸特性的材料，例如，鉬(Mo)基金屬、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)和/或其他等等。

兩個或多個導(dǎo)電層的組合的示例可以包括鉻下部層和鋁上部層、鋁下部層和鉬上部層、鈦下部層和銅上部層等。但是，柵極層導(dǎo)體120可以包括任何適當(dāng)?shù)慕饘俸蛯?dǎo)體或由其形成。

柵極層導(dǎo)體120可以包括柵極布線121和122、存儲布線123、124和125、柵極突起圖案126和127等。柵極層導(dǎo)體120可以在相同工藝中同時形成。

柵極布線121和122可以包括例如在第一方向D1上延伸的柵極線121和在與第一方向D1相交的第二方向D2上延伸的柵電極122。柵極線121可以傳輸柵極信號，且柵電極122與下面將描述的源電極153和漏電極155一起構(gòu)成薄膜晶體管TR的三個端子。

存儲布線123、124和125可以包括在例如第一方向D1的方向上延伸的水平部分123、在第二方向D2上從水平部分123延伸的垂直部分124以及屏蔽部分125。

水平部分123和垂直部分124可以沿著下面將描述的像素電極180的至少一側(cè)延伸，并可以交疊或可以不交疊像素電極180。在交疊像素電極180的情況下，水平部分123和垂直部分124可以沿著像素電極180的邊緣交疊像素電極180，以防止開口率減小。

屏蔽部分125可以設(shè)置在接觸孔175之下，該接觸孔175接觸漏電極155和像素電極180。屏蔽部分125的位置可以基于薄膜晶體管TR的形狀和像素電極180的形狀而變化。在替代的示例性實(shí)施方式中，屏蔽部分125可以不連接到包括水平部分123的任何導(dǎo)體(例如，柵極布線、數(shù)據(jù)布線、存儲布線和像素電極)。屏蔽部分125可以有效地減小或防止背光單元提供的光在像素電極180上的影響。

柵極突起圖案126和127可以包括在第一方向D1上延伸的第一柵極突起圖案126以及在與第一方向D1相交的第二方向D2上延伸的第二柵極突起圖案127。柵極突起圖案126和127可以一起在平面圖中形成十字形。第一柵極突起圖案126和第二柵極突起圖案127的交疊區(qū)域C在平面圖中可以具有從四邊形、圓形、橢圓形和菱形中選出的形狀。

柵極突起圖案126和127可以不連接到任何導(dǎo)體(例如，柵極布線、數(shù)據(jù)布線、存儲布線和像素電極)。例如，柵極突起圖案126和127可以電浮置。

柵極突起圖案126和127可以具有在大約0.1μm到大約1.0μm范圍內(nèi)的厚度，并可以具有在大約2μm到大約15μm范圍內(nèi)的寬度W1。

在圖3中，柵極突起圖案126和127被描繪為具有相同寬度W1。但是，第一柵極突起圖案126和第二柵極突起圖案127的寬度W1可以隨著距交疊區(qū)域C的距離增大(例如，從交疊區(qū)域C朝向其至少一個端部)而增大或減小。

在示例性實(shí)施方式中，第一柵極突起圖案126和第二柵極突起圖案127可以具有彼此不同的寬度。例如，第一柵極突起圖案126可以具有大于第二突起圖案127的寬度。

柵極突起圖案126和127可以設(shè)置成在下面將描述的像素電極180上形成凸塊部分186和187，并可以在平面圖中具有與凸塊部分186和187的形狀基本相同的形狀。另外，柵極突起圖案126和127可以設(shè)置成對應(yīng)于下面將描述的域DM1、DM2、DM3和DM4之間的邊界，并由此能夠防止漏光。

第一絕緣層130可以設(shè)置在其上形成柵極層導(dǎo)體120的基底基板110上。第一絕緣層130也可以被稱為柵極絕緣層。第一絕緣層130例如可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)。在示例性實(shí)施方式中，第一絕緣層130例如可以包括鋁氧化物、鈦氧化物、鉭氧化物或鋯氧化物。

半導(dǎo)體層140可以設(shè)置在第一絕緣層130上。半導(dǎo)體層140可以包括半導(dǎo)體材料，如例如非晶硅或多晶硅。在示例性實(shí)施方式中，半導(dǎo)體層140可以包括氧化物半導(dǎo)體，如：IGZO、ZnO、SnO₂、In₂O₃、Zn₂SnO₄、Ge₂O₃或HfO₂，并可以包括化合物半導(dǎo)體，如例如GaAs、GaP或InP。

在示例性實(shí)施方式中，半導(dǎo)體層140被描述為基本上交疊柵電極122。但是，半導(dǎo)體層140可以基本上交疊數(shù)據(jù)布線151、153和155，如下面將描述的。

圖4是單獨(dú)示出圖1的數(shù)據(jù)層導(dǎo)體150的平面圖。

參照圖1、2和4，數(shù)據(jù)層導(dǎo)體150可以設(shè)置在基底基板110上，在該基底基板上形成半導(dǎo)體層140。數(shù)據(jù)層導(dǎo)體150可以包括與前述柵極層導(dǎo)體120相同的材料或由相同的材料形成。

數(shù)據(jù)層導(dǎo)體150可以包括數(shù)據(jù)布線151、153和155以及數(shù)據(jù)突起圖案156和157。數(shù)據(jù)層導(dǎo)體150可以在相同工藝中同時形成。

數(shù)據(jù)布線151、153和155可以包括在與柵極線121相交的方向上例如第二方向D2上延伸的數(shù)據(jù)線151；從數(shù)據(jù)線151分支并延伸到半導(dǎo)體層140上的源電極153、以及與源電極153間隔開并交疊半導(dǎo)體層140的一部分的漏電極155。

歐姆接觸層可以進(jìn)一步設(shè)置在源電極153和半導(dǎo)體層140之間和/或在漏電極155和半導(dǎo)體層140之間，以改善電特性。

漏電極155可以包括交疊半導(dǎo)體層140的一部分的第一漏電極155a以及連接到第一漏電極155a并具有多邊形形狀的第二漏電極155b。

在薄膜晶體管TR的操作過程中通過其傳輸電荷的溝道可以形成在源電極153和漏電極155之間的半導(dǎo)體層140中。

數(shù)據(jù)突起圖案156和157可以包括在第一方向D1上延伸的第一數(shù)據(jù)突起圖案156和在與第一方向D1相交的第二方向D2上延伸的第二數(shù)據(jù)突起圖案157。數(shù)據(jù)突起圖案156和157可以一起在平面圖中形成十字形。第一數(shù)據(jù)突起圖案156和第二數(shù)據(jù)突起圖案157的交疊區(qū)域C可以在平面圖中具有從四邊形、圓形、橢圓形和菱形中選出的形狀。

數(shù)據(jù)突起圖案156和157可以不連接到任何導(dǎo)體(例如，柵極布線、數(shù)據(jù)布線、存儲布線和像素電極)。例如，數(shù)據(jù)突起圖案156和157可以電浮置。

數(shù)據(jù)突起圖案156和157可以具有在大約0.1μm到大約1.0μm范圍內(nèi)的厚度，并可以具有在大約2μm到大約15μm范圍內(nèi)的寬度W2。

在圖4中，數(shù)據(jù)突起圖案156和157被描繪為具有相同寬度W2。但是，第一數(shù)據(jù)突起圖案156和第二數(shù)據(jù)突起圖案157的寬度W2可以隨著距交疊區(qū)域C的距離的增大(例如從交疊區(qū)域C朝向其至少一個端部)而增大或減小。

在示例性實(shí)施方式中，第一數(shù)據(jù)突起圖案156和第二數(shù)據(jù)突起圖案157可以具有不同寬度。例如，第一數(shù)據(jù)突起圖案156可以具有大于第二數(shù)據(jù)突起圖案157的寬度的寬度。

數(shù)據(jù)突起圖案156和157可以設(shè)置成在下面描述的像素電極180上形成凸塊部分186和187，并可以在平面圖中具有與凸塊部分186和187基本相同的形狀。另外，數(shù)據(jù)突起圖案156和157可以設(shè)置成對應(yīng)于下面將描述的域DM1、DM2、DM3和DM4之間的邊界，并由此能夠防止漏光。

第二絕緣層160可以設(shè)置在其上形成數(shù)據(jù)層導(dǎo)體150的基底基板110上。第二絕緣層160可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，該單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)例如包括硅氧化物、硅氮化物、光敏有機(jī)材料或低介電常數(shù)絕緣材料如a-Si:C:O或a-Si:O:F。

圖5是單獨(dú)示出圖1的第三絕緣層170的平面圖。

參照圖1、2和5，第三絕緣層170可以設(shè)置在第二絕緣層160上。

第三絕緣層170可以包括有機(jī)絕緣層或無機(jī)絕緣層。例如，第三絕緣層170可以是濾色器。例如，濾色器可以是紅色、綠色、藍(lán)色、青色、品紅色、黃色和白色中的一種。紅色、綠色和藍(lán)色或者青色、品紅色和黃色的三原色可以構(gòu)成用于顏色形成的基礎(chǔ)像素組。

第三絕緣層170可以包括暴露第二漏電極155b的一部分的接觸孔175以及突起176和177。第三絕緣層170可以突出以形成突起176和177。

在示例性實(shí)施方式中，由于上述柵極突起圖案127和數(shù)據(jù)突起圖案157中的至少一個，第三絕緣層170可以突出，由此形成突起176和177。在示例性實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谌^緣層170被圖案化時，突起176和177可以形成在柵極突起圖案127和數(shù)據(jù)突起圖案157的旁邊。在示例性實(shí)施方式中，當(dāng)柱間隔件(column spacer)或黑矩陣被圖案化時，突起176和177可以例如與柱間隔件或黑矩陣一起形成。

突起176和177可以包括在第一方向D1上延伸的第一突起176和在與第一方向D1相交的第二方向D2上延伸的第二突起177。突起176和177可以在平面圖中一起形成十字形。第一突起176和第二突起177的交疊區(qū)域C在平面圖中可以具有從四邊形、圓形、橢圓形和菱形中選出的形狀。

突起176和177可以具有在大約0.1μm到大約1.0μm范圍內(nèi)的高度，并具有在大約2μm到大約15μm范圍內(nèi)的寬度W3。

在圖5中，突起176和177可以描繪為具有相同寬度W3。但是，第一突起176和第二突起177的寬度W3可以隨著距交疊區(qū)域C的距離增大(例如，從交疊區(qū)域C朝向其至少一個端部)而增大或減小。

在示例性實(shí)施方式中，第一突起176和第二突起177可以具有不同寬度。例如，第一突起176可以具有大于第二突起177的寬度的寬度。

突起176和177可以設(shè)置成在下面要描述的像素電極180上形成凸塊部分186和187，并可以在平面圖中具有與凸塊部分186和187的形狀相同的形狀。

蓋層可以進(jìn)一步設(shè)置在第三絕緣層170上。蓋層可以用于防止污染物滲入液晶層300中。蓋層可以包括例如有機(jī)材料或無機(jī)材料，或由有機(jī)材料或無機(jī)材料形成，該無機(jī)材料諸如是硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、碳注入硅氧化物(SiOC)等。

圖6是單獨(dú)示出圖1的像素電極180的透視圖。

參照圖1、2和6，像素電極180可以設(shè)置在第三絕緣層170上。例如，像素電極180可以是包括透明導(dǎo)體或由透明導(dǎo)體形成的電極，該透明導(dǎo)體諸如是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。像素電極180可以具有矩形形狀，具有第一、第二、第三和第四邊S1、S2、S3和S4。

基底基板110可以具有多個像素區(qū)域PA，且像素電極180可以設(shè)置在每個像素區(qū)域PA內(nèi)。

像素區(qū)域PA可以分成多個域DM1、DM2、DM3和DM4，所述多個域布置成矩陣形式。但是，像素區(qū)域PA可以分成以任何適當(dāng)方式布置的多個域。

像素電極180可以包括凸塊部分186和187，用于限定多個域DM1、DM2、DM3和DM4。

凸塊部分186和187可以包括在第一方向D1延伸的第一凸塊部分186和在與第一方向D1相交的第二方向D2延伸的第二凸塊部分187。凸塊部分186和187在平面圖中可以一起形成十字形。第一凸塊部分186和第二凸塊部分187的交疊區(qū)域C在平面圖中可以具有從四邊形、圓形、橢圓形和菱形中選出的形狀。

凸塊部分186和187可以具有在大約0.1μm到大約1.0μm范圍內(nèi)的高度H以及在大約2μm到大約15μm范圍內(nèi)的寬度W4。

在圖6中，凸塊部分186和187被描繪為具有相同寬度W4。但是，第一凸塊部分186和第二凸塊部分187的寬度W4可以隨著距交疊區(qū)域C的距離增大(例如，從交疊區(qū)域C朝向其至少一個端部)而逐漸增大或減小。

在示例性實(shí)施方式中，第一凸塊部分186和第二凸塊部分187可以具有不同寬度。例如，第一凸塊部分186可以具有比第二凸塊部分187的寬度大的寬度。

另外，像素電極180可以包括從第一凸塊部分186和第二凸塊部分187中的至少一個平行向外延伸的連接部分181以及連接到連接部分181并具有多邊形形狀的像素電極接觸部分183。像素電極接觸部分183可以通過接觸孔175連接到第二漏電極155b。

圖7是示出圖5的像素電極180的一部分的局部放大圖。

參照圖1、2、6和7，像素電極180可以在平面圖中具有矩形形狀，具有第一、第二、第三和第四邊S1、S2、S3和S4，并可以具有沿著第一、第二、第三和第四邊S1、S2、S3和S4延伸的至少一個狹縫，例如，第一狹縫SL1和第二狹縫SL2。

像素電極180在多個域DM1、DM2、DM3和DM4中可以具有在第一方向D1上形成的第一狹縫SL1和在與第一方向D1相交的第二方向D2上形成的第二狹縫SL2。

狹縫，例如，第一狹縫SL1和第二狹縫SL2可以關(guān)于第一凸塊部分186和第二凸塊部分187對稱地形成，因此，形成在第一域DM1中的第一狹縫SL1和第二狹縫SL2將被代表性地描述。

第一狹縫SL1可以限定為鄰近第一邊S1。

下面，為了容易描述，第一狹縫SL1的鄰近第一邊S1的一側(cè)被稱為第一狹縫外側(cè)SL1_O，第一狹縫SL1的相對遠(yuǎn)離第一邊S1的一側(cè)被稱為第一狹縫內(nèi)側(cè)SL1_I，并且第一狹縫SL1的鄰近第二凸塊部分187的一側(cè)被稱為第一狹縫端部側(cè)SL1_E。

第一狹縫外側(cè)SL1_O和第一狹縫內(nèi)側(cè)SL_I可以基本上平行于第一邊S1，并且第一狹縫端部側(cè)SL1_E可以基本上平行于第二邊S2。

但是，在示例性實(shí)施方式中，第一狹縫內(nèi)側(cè)SL1_I可以相對于第一邊S1具有預(yù)定角度，第一狹縫端部側(cè)SL1_E可以相對于第一邊S1具有預(yù)定角度。

另外，第一狹縫SL1的寬度WSL1可以在大約2μm到大約5μm的范圍內(nèi)，且在可替代示例性實(shí)施方式中，第一狹縫SL1的寬度WSL1可以從像素電極180的邊緣朝向第二凸塊部分187逐漸增大。

第二狹縫SL2可以限定為鄰近第二邊S2。

下面，為了容易描述，第二狹縫SL2的鄰近第二邊S2的一側(cè)被稱為第二狹縫外側(cè)SL2_O，而第二狹縫SL2的相對遠(yuǎn)離第二邊S2的一側(cè)被稱為第二狹縫內(nèi)側(cè)SL2_I，并且第二狹縫SL2的鄰近第一凸塊部分186的一側(cè)被稱為第二狹縫端部側(cè)SL2_E。

第二狹縫外側(cè)SL2_O和第二狹縫內(nèi)側(cè)SL2_I可以基本上平行于第二邊S2，并且第二狹縫端部側(cè)SL2_E可以基本上平行于第一邊S1。

但是，第二狹縫內(nèi)側(cè)SL2_I可以相對于第二邊S2具有預(yù)定角度，且第二狹縫端部側(cè)SL2_E可以相對于第二邊S2具有預(yù)定角度。

在示例性實(shí)施方式中，第二狹縫SL2的寬度WSL2可以在大約2μm到大約5μm的范圍內(nèi)，且在可替代示例性實(shí)施方式中，第二狹縫SL2的寬度WSL2可以從像素電極180的邊緣朝向第一凸塊部分186逐漸增大。

第一狹縫SL1的寬度WSL1和第二狹縫SL2的寬度WSL2可以彼此相同或不同。例如，第一狹縫SL1的寬度WSL1可以大于第二狹縫SL2的寬度WSL2。

第一狹縫SL1和第二狹縫SL2可以在像素電極180的邊緣處彼此連接或彼此分離。另外，第一狹縫SL1和第二狹縫SL2可以交疊第一凸塊部分186和第二凸塊部分187的一部分。

在第一域DM1的第一狹縫SL1和第二域DM2的第一狹縫SL1之間的間隙T1以及在第一域DM1的第二狹縫SL2和第三域DM3的第二狹縫SL2之間的間隙T2可以至少是大約2μm或更大。

參照圖1和2，第一配向?qū)?90可以設(shè)置在像素電極180上方。當(dāng)顯示基板100和相對基板200之間沒有電場時，第一配向?qū)?90可以配向包括在液晶層300中的液晶分子301以對應(yīng)于第一配向?qū)?90的傾角。例如，第一配向?qū)?90可以是垂向配向?qū)踊虬ü饩酆喜牧系墓馀湎驅(qū)印Ｆ渲欣霉馀湎驅(qū)拥腖CD裝置可以被限定成處于光對準(zhǔn)模式中。

在液晶層300的液晶分子301設(shè)置在第一配向?qū)?90上方的情況下，由于像素電極180的第一凸塊部分186和第二凸塊部分187，液晶分子301可以在第一、第二、第三和第四配向方向DR1、DR2、DR3和DR4上具有預(yù)傾斜。例如，在平面圖中，在四個相鄰域DM1、DM2、DM3和DM4中的液晶分子301可以在朝向像素電極180的中心會聚的方向上被配向。例如，液晶層300可以包括反應(yīng)單體或聚合物材料，該聚合物材料可以被反應(yīng)液晶原(mesogen)聚合。

反應(yīng)單體可以包括在液晶分子301內(nèi)，以在制造LCD裝置的過程中，在施加電場到其上的同時將反應(yīng)單體聚合。當(dāng)紫外(UV)光被照射到反應(yīng)單體上時，液晶層300的液晶分子301可以被配向，以針對每個域具有不同預(yù)傾斜。包括這種液晶分子301的LCD裝置可以被限定成處于面穩(wěn)定垂直配向(SVA)模式。在SVA模式中的LCD裝置可以以短響應(yīng)時間顯示圖像。

相對基板200可以包括相對基底基板210、光阻擋構(gòu)件220、外覆層230、公共電極240等。相對基板200可以進(jìn)一步包括第二配向?qū)?50。

相對基底基板210可以是絕緣基板，例如，塑料基板，該基板具有光透射和柔軟特性。但是，基底基板110可以包括例如硬基板，如玻璃基板。

光阻擋構(gòu)件220可以設(shè)置在相對基底基板210上方。光阻擋構(gòu)件220也可以被稱為黑矩陣，并可以包括例如金屬、不透明有機(jī)層材料等或由金屬、不透明有機(jī)層材料等形成，所述金屬諸如是鉻氧化物(CrOx)。

光阻擋構(gòu)件220可以具有基本上類似于像素區(qū)域PA的多個孔，使得從背光單元提供的光可以透射通過像素區(qū)域PA。另外，光阻擋構(gòu)件220可以形成在對應(yīng)于基底基板110上形成的薄膜晶體管TR的部分中。但是，光阻擋構(gòu)件220可以設(shè)置在基底基板110上方。

外覆層230可以設(shè)置在光阻擋構(gòu)件220和相對基底基板210上方。外覆層230可以平坦化其下方的層例如光阻擋構(gòu)件220的不平坦表面，并有效地抑制或防止不期望的材料從其下方的層滲出。

公共電極240可以設(shè)置在外覆層230上。公共電極240可以是包括透明導(dǎo)體或由透明導(dǎo)體形成的整板電極，該透明導(dǎo)體例如是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。在替代示例性實(shí)施方式中，公共電極240可以具有不平坦部分或至少一個狹縫，以限定多個域。

下面，將參照圖8、9、10、11、12、13、14、15和16描述其他示例性實(shí)施方式。

在此，在關(guān)于其他示例性實(shí)施方式的描述中，將省略上面參照第一示例性實(shí)施方式的描述。應(yīng)當(dāng)理解的是，兩個或多個示例性實(shí)施方式的組合與每個示例性實(shí)施方式本身一起包括在實(shí)施方式的范圍內(nèi)。

圖8、9和10是分別示出根據(jù)第二、第三和第四示例性實(shí)施方式的像素電極180的平面圖。在圖8、9和10中，省略了像素電極180的連接部分、像素電極接觸部分等構(gòu)造。

參照圖8、9和10，像素電極180可以包括用于限定多個域DM1、DM2、DM3和DM4的凸塊部分186和187以及在多個域DM1、DM2、DM3和DM4中的第一狹縫SL1和第二狹縫SL2。第一狹縫SL1可以在第一方向D1上形成，第二狹縫SL2可以在與第一方向D1相交的第二方向D2上形成。

凸塊部分186和187可以包括在第一方向D1上延伸的第一凸塊部分186和在與第一方向D1相交的第二方向D2上延伸的第二凸塊部分187。凸塊部分186和187可以在平面圖中一起形成十字形形狀，并且第一凸塊部分186和第二凸塊部分187的交疊區(qū)域C在平面圖中可以具有從四邊形、圓形、橢圓形和菱形中選出的形狀。

在圖8中，根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的像素電極180的第一凸塊部分186’和第二凸塊部分187’的寬度隨著距交疊區(qū)域C的距離增大(例如從交疊區(qū)域C朝向其端部)而逐漸增加。在示例性實(shí)施方式中，第一凸塊部分186’和第二凸塊部分187’的鄰近交疊區(qū)域C的部分的寬度Wa與第一凸塊部分186’和第二凸塊部分187’的遠(yuǎn)離交疊區(qū)域C預(yù)定距離的部分的寬度Wb可以具有大約1:1.5到大約1:2范圍內(nèi)的比。

在示例性實(shí)施方式中，在第一凸塊部分186’和第二凸塊部分187’的鄰近交疊區(qū)域C的部分的寬度Wa是3μm的情況下，第一凸塊部分186’和第二凸塊部分187’的遠(yuǎn)離交疊區(qū)域C預(yù)定距離的部分的寬度Wb可以在大約4.5μm到大約6μm的范圍內(nèi)。

在圖9中，根據(jù)第三示例性實(shí)施方式的像素電極180的第一凸塊部分186”和第二凸塊部分187”的寬度隨著距交疊區(qū)域C的距離的增加(例如從交疊區(qū)域C朝向其端部)而逐漸減小。在示例性實(shí)施方式中，第一凸塊部分186”和第二凸塊部分187”的鄰近交疊區(qū)域C的部分的寬度Wa與第一凸塊部分186”和第二凸塊部分187”的遠(yuǎn)離交疊區(qū)域C預(yù)定距離的部分的寬度Wb可以具有在大約1.5:1到大約2:1的范圍內(nèi)的比。

在示例性實(shí)施方式中，在第一凸塊部分186”和第二凸塊部分187”的鄰近交疊區(qū)域C的部分的寬度Wa是5μm的情況下，第一凸塊部分186”和第二凸塊部分187”的遠(yuǎn)離交疊區(qū)域C預(yù)定距離的部分的寬度Wb可以在大約2.5μm到大約3μm的范圍內(nèi)。

在圖10中，在根據(jù)第四實(shí)施方式的像素電極180中，第一凸塊部分186”’可以具有不同于第二凸塊部分187”’的寬度Wd的寬度Wc。在示例性實(shí)施方式中，第一凸塊部分186”’的寬度Wc可以大于第二凸塊部分187”’的寬度Wd。第一凸塊部分186”’的寬度Wc和第二凸塊部分187”’的寬度Wd可以具有在大約1.5:1到大約2:1的范圍內(nèi)的比。

在示例性實(shí)施方式中，在第一凸塊部分186”’的寬度Wc是5μm的情況下，第二凸塊部分187”’的寬度Wd可以在大約2.5μm到大約3μm的范圍內(nèi)。

圖11、12、13和14是分別示出根據(jù)第五、第六、第七和第八示例性實(shí)施方式的像素電極180的平面圖。在圖11、12、13和14中，省略了像素電極180的連接部分、像素電極接觸部分等構(gòu)造。

參照圖11、12、13和14，像素電極180可以在平面圖中具有矩形形狀，具有第一、第二、第三和第四邊S1、S2、S3和S4。像素電極180可以包括用于限定多個域DM1、DM2、DM3和DM4的凸塊部分186和187以及在多個域DM1、DM2、DM3和DM4中的第一狹縫SL1和第二狹縫SL2。第一狹縫SL1可以在第一方向D1上形成，而第二狹縫SL2可以在與第一狹縫D1相交的第二方向D2上形成。

凸塊部分186和187可以包括在第一方向D1上延伸的第一凸塊部分186以及在與第一方向D1相交的第二方向D2上延伸的第二凸塊部分187。

狹縫，例如，第一狹縫SL1和第二狹縫SL2，可以關(guān)于第一凸塊部分186和第二凸塊部分187對稱地形成，因此，將代表性地描述形成在第一域DM1中的第一狹縫SL1和第二狹縫SL2。

參照圖11，在根據(jù)第五示例性實(shí)施方式的像素電極180中，第一狹縫SL1’的寬度WSL1和第二狹縫SL2’的寬度WSL2可以彼此不同。

例如，第一狹縫SL1’的寬度WSL1可以大于第二狹縫SL2’的寬度WSL2。在這樣的實(shí)施方式中，第一狹縫SL1’的寬度WSL1和第二狹縫SL2’的寬度WSL2可以具有大約1.5:1到大約2:1的范圍內(nèi)的比。于是，在第一狹縫SL1的寬度WSL1是5μm的情況下，第二狹縫SL2的寬度WSL2可以在大約2.5μm到大約3μm的范圍內(nèi)。

參照圖12，在根據(jù)第六示例性實(shí)施方式的像素電極180中，第一狹縫外側(cè)SL1_O可以基本上平行于第一邊S1，且第一狹縫內(nèi)側(cè)SL1_I可以相對于第一邊S1具有第一角度θ1。在示例性實(shí)施方式中，第一角度θ1可以是銳角。例如，第一狹縫SL1”的寬度WSL1可以從像素電極180的邊緣朝向第二凸塊部分187逐漸增大。

另外，在像素電極180中，第二狹縫外側(cè)SL2_O可以基本上平行于第二邊S2，并且第二狹縫內(nèi)側(cè)SL2_I可以相對于第二邊S2具有第二角度θ2。例如，第二角度θ2可以是銳角。例如，第二狹縫SL2”的寬度WSL2可以從像素電極180的邊緣朝第一凸塊部分186逐漸增加。

參照圖13，在根據(jù)第七示例性實(shí)施方式的像素電極180中，第一狹縫端部側(cè)SL1_E’可以相對于第一邊S1具有第三角度θ3。另外，第二狹縫端部側(cè)SL2_E’可以相對于第二邊S2具有第四角度θ4。第三角度θ3和第四角度θ4可以各自是銳角。

參照圖14，根據(jù)第八示例性實(shí)施方式的像素電極180中，第一狹縫SL1”’和第二狹縫SL2”’可以在像素電極180的邊緣處彼此分離。

圖15和16是分別示出根據(jù)第九和第十示例性實(shí)施方式的像素電極180的平面圖。在圖15和16中，省略了像素電極180的連接部分、像素電極接觸部分等構(gòu)造。

參照圖15和16，像素電極180可以包括用于限定多個域DM1、DM2、DM3和DM4的凸塊部分186和187以及在多個域DM1、DM2、DM3和DM4中的第一狹縫SL1和第二狹縫SL2。第一狹縫SL1可以在第一方向D1上形成，而第二狹縫SL2可以在與第一方向D1相交的第二方向D2上形成。凸塊部分186和187可以包括在第一方向D1上延伸的第一凸塊部分186和在與第一方向D1相交的第二方向D2上延伸的第二凸塊部分187。

參照圖15，根據(jù)第九示例性實(shí)施方式的像素電極180可以進(jìn)一步包括凹口部分189，該凹口部分從第一凸塊部分186和第二凸塊部分187的至少一個向像素電極180外側(cè)延伸。凹口部分189可以具有從三角形、半圓形和半橢圓形中選出的形狀。

參照圖16，根據(jù)第十示例性實(shí)施方式的像素電極180可以具有包括倒角188的至少一個邊緣，且第一凸塊部分186和第二凸塊部分187的交疊區(qū)域C在平面圖中可以具有菱形形狀。

作為總結(jié)和回顧，分別通過將像素區(qū)域限定為多個域并且通過向多個域的相應(yīng)一個域中的液晶分子沿不同方向賦予預(yù)傾斜，已經(jīng)做出嘗試來改善LCD的視角特性。例如，LCD裝置可以采用光配向模式和面穩(wěn)定垂直配向(SVA)模式。

在這種情況下，在每個域的邊界部分處可以產(chǎn)生邊緣場，并且由于邊緣場，在LCD裝置的操作過程中，可以在每個域的邊緣部分呈現(xiàn)紋理。

示例性實(shí)施方式提出一種顯示裝置，其可以有效地減小或防止在每個域的邊緣部分處的紋理的產(chǎn)生。

具體地，并如上面陳述的，根據(jù)一個或多個示例性實(shí)施方式的LCD裝置可以通過改善在每個域的邊緣部分處的液晶分子的控制來有效地減少或防止紋理，并由此可以改善LCD裝置的透射率和可見性。

已經(jīng)在此公開了示例性實(shí)施方式，并且雖然采用了特定術(shù)語，它們僅在整體和描述含義上被使用和解釋，而不用于限制目的。在一些情況下，如本申請?zhí)峤坏念I(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的那樣，結(jié)合特定實(shí)施方式描述的特征、特性和/或元件可以單獨(dú)使用或與結(jié)合其他實(shí)施方式描述的特征、特性和/或元件結(jié)合使用，除非另外特別指出。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是在不背離如所附權(quán)利要求書給出的本發(fā)明的精髓和范圍的前提下，可以在形式和細(xì)節(jié)上做出各種變化。

2015年11月6日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交并且名稱為“顯示基板和包括該顯示基板的液晶顯示裝置”的韓國專利申請第10-2015-0155923號通過引用整體結(jié)合于此。