技術(shù)特征：

1.一種長波紅外濾光片，其特征在于，包括：基板(2)和沉積在所述基板(2)兩側(cè)表面上的長波通膜系和短波通膜系，長波通膜系為：A/2.2(0.5LH0.5L)⁴L 1.8(0.5LH0.5L)⁸L 1.4(0.5LH0.5L)⁸L 0.8(0.5LH0.5L)⁴1.4H 0.52L/S，短波通膜系為：A/1.8(0.5HL0.5H)¹¹(0.5HL0.5H)¹²1.5(0.5LH0.5L)⁷(0.5LH0.5L)¹⁰0.85(0.5LH0.5L)¹⁰/S，膜系中的符號含義：A為空氣，S為Ge基底，H為高折射率材料Ge，L為低折射率材料ZnS。

2.如權(quán)利要求1所述的長波紅外濾光片，其特征在于，所述基板(2)選用直徑為20mm、厚度為1mm±0.05mm的Ge基板，其表面光圈N≤2，局部光圈ΔN≤0.5，不平行度＜20″，表面光潔度B＝Ⅴ。

3.一種權(quán)利要求1或2所述長波紅外濾光片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：真空室清潔；

S2：鍍膜前基板清洗；

S3：真空室準備

在真空室電子槍坩堝內(nèi)預(yù)置鍍膜材料鍺、硫化鋅；

S4：膜層鍍制

打開離子源，用離子束清洗基板；按照基板兩側(cè)表面上的長波通膜系和短波通膜系結(jié)構(gòu)，利用電子束蒸鍍方法進行鍺膜層沉積，利用離子束輔助的電子束蒸鍍方法進行硫化鋅膜層沉積。

4.如權(quán)利要求3所述的長波紅外濾光片的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，將鍺和硫化鋅交替蒸鍍到基板表面時，鍺膜沉積時，控制沉積速率0.5-0.8nm/s；硫化鋅膜沉積時，離子源氬氣氣體流量18±2sccm，離子源束壓180V～220V，離子源束流80V～110V，沉積速率0.5-0.8nm/s。

5.如權(quán)利要求3所述的長波紅外濾光片的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，用噴砂機清洗鍍膜機真空室防護屏、電極、擋板和工裝，然后用脫脂紗布蘸無水乙醇擦凈真空室。

6.如權(quán)利要求3所述的長波紅外濾光片的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，依次用脫脂紗布和脫脂棉布蘸體積比為1：1的乙醇、乙醚混合溶液擦凈基片表面。

7.如權(quán)利要求3所述的長波紅外濾光片的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述電子槍坩堝內(nèi)預(yù)置鍺、硫化鋅的純度不小于99.99％，其預(yù)置量為：1000mm鍍膜機，鍺、硫化鋅分別為180g、220g。

8.如權(quán)利要求4所述的長波紅外濾光片的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，膜層鍍制時，離子源采用氬氣作為工作氣體，工作氣體純度不小于99.995％，氣體流量18sccm-22sccm。

9.如權(quán)利要求8所述的長波紅外濾光片的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，膜層鍍制時，離子束清洗基板后，將基片加熱到200±10℃，并保持1h。

10.如權(quán)利要求3所述的長波紅外濾光片的制備方法，其特征在于，還包括步驟S5：基板降溫，在真空不低于2×10^-3Pa，基板降溫到80±8℃，關(guān)閉抽真空系統(tǒng)，真空室降到室溫后取出濾光片。