技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)岢隽艘环N觸摸陣列基板。第一種結(jié)構(gòu)：在位于感測線路下方的氧化銦錫層上沿感測線路走線方向開有槽，槽寬可以大于感測線路走線寬度，槽底為還可以為鏤空結(jié)構(gòu)。第二種結(jié)構(gòu)：在與感測線路相鄰的氧化銦錫層上沿感測線路走線方向開有縫隙，縫隙兩側(cè)通過氧化銦錫連接部進行連接，槽寬可以大于感測線路走線寬度，感測線路走線可以位于縫隙內(nèi)部，多個氧化銦錫連接部均位于縫隙頂部，也可以一部分氧化銦錫連接部位于縫隙頂部，另一部分氧化銦錫連接部位于縫隙底部。采用本發(fā)明的方案可明顯減小寄生電容，降低電路的RC延時，提高充電率，提高TP工作的精度，改善畫質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：張啟沛
受保護的技術(shù)使用者：武漢華星光電技術(shù)有限公司
文檔號碼：201611036216
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.18
技術(shù)公布日：2017.02.15