本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種彩膜基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管液晶顯示器(英文：Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱：TFT-LCD)是目前常見的一種平板顯示裝置，應(yīng)用十分廣泛。通常，TFT-LCD包括對盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板、以及設(shè)置在彩膜基板和陣列基板之間的液晶。

以扭曲向列(英文：Twisted Nematic，簡稱：TN)型TFT-LCD為例，彩膜基板包括陣列分布的多個色阻塊、分布于色阻塊之間的黑矩陣、以及覆蓋在色阻塊和黑矩陣上的公共電極層；陣列基板通常包括導(dǎo)電走線和TFT開關(guān)。彩膜基板和陣列基板對盒后，彩膜基板上的黑矩陣與陣列基板上的導(dǎo)電走線和TFT開關(guān)相對設(shè)置。為了保證顯示屏整體的厚度均勻性，彩膜基板上通常還設(shè)置有隔墊物(英文：Photo Spacer，簡稱：PS)，PS分布在彩膜基板和陣列基板之間，用來支撐彩膜基板和陣列基板。

在TFT-LCD的制造過程中，通常是先分別獨立制造陣列基板和彩膜基板，再將陣列基板和彩膜基板進行對盒，形成液晶盒。其中，在彩膜基板上加工形成PS之后，彩膜基板上會留有導(dǎo)電凸起異物，因此，需要清洗彩膜基板，以去除導(dǎo)電凸起異物。而在清洗過程中，色阻塊和黑矩陣的交疊區(qū)域存在的較高的角段差以及PS會阻礙導(dǎo)電凸起異物的移動，導(dǎo)致導(dǎo)電凸起異物殘留在色阻塊和黑矩陣交疊區(qū)域或者殘留在PS附近。在對盒時，位于色阻塊和黑矩陣交疊區(qū)域、或者PS附近的導(dǎo)電凸起異物容易將彩膜基板和陣列基板上的配向膜頂破，使得TFT-LCD工作時，陣列基板上配向膜之下的導(dǎo)電走線(即靠近配向膜設(shè)置的導(dǎo)電走線)與彩膜基板上的公共電極導(dǎo)通，形成短路。當(dāng)TFT開關(guān)或配向膜之下的導(dǎo)電走線與公共電極短路時，整個導(dǎo)電走線的電壓可能會被拉低形成亮線，致使TFT-LCD產(chǎn)品的良率降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電凸起異物殘留在色阻塊和黑矩陣交疊區(qū)域、或者PS附近致使TFT-LCD產(chǎn)品良率低的問題，本發(fā)明實施例提供了一種彩膜基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種彩膜基板，所述彩膜基板包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的黑矩陣、色阻層和公共電極層，所述黑矩陣在所述襯底基板上圍成陣列分布的多個子像素區(qū)域，所述色阻層包括一一對應(yīng)設(shè)置在所述多個子像素區(qū)域的多個色阻塊，所述公共電極層設(shè)置在所述黑矩陣和所述色阻層上，所述公共電極層上設(shè)有隔墊物墻，每個所述子像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)有一個所述隔墊物墻，每個所述隔墊物墻為圍繞在對應(yīng)的子像素區(qū)域的邊緣的環(huán)形結(jié)構(gòu)。

具體地，所述彩膜基板還包括設(shè)置在所述公共電極層上的隔墊物，所述隔墊物墻的高度小于所述隔墊物的高度。

進一步地，所述隔墊物包括主隔墊物和輔隔墊物，所述主隔墊物的高度大于所述輔隔墊物的高度。

進一步地，所述隔墊物為柱形隔墊物。

進一步地，所述隔墊物墻的高度為0.1μm～0.5μm。

進一步地，所述隔墊物墻采用光阻材料制成。

進一步地，所述彩膜基板還包括設(shè)置在所述公共電極層上的配向膜。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括前述彩膜基板。

第三方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括前述顯示面板。

第四方面，本發(fā)明實施例還提供了一種彩膜基板的制作方法，所述方法包括：

在所述襯底基板上形成黑矩陣、色阻層和公共電極層，所述黑矩陣在所述襯底基板上形成陣列分布的多個子像素區(qū)域，所述色阻層包括一一對應(yīng)設(shè)置在所述多個子像素區(qū)域內(nèi)的多個色阻塊，所述公共電極層設(shè)置在所述黑矩陣和所述色阻層上；

在所述公共電極層上形成隔墊物墻，每個所述子像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)有一個所述隔墊物墻，每個所述隔墊物墻為圍繞在對應(yīng)的子像素區(qū)域的邊緣的環(huán)形結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

對于彩膜基板而言，子像素區(qū)域所占面積遠大于黑矩陣所占面積，因此PS加工工序中的導(dǎo)電凸起異物殘留在子像素區(qū)域的幾率遠大于殘留在黑矩陣區(qū)域的幾率。本發(fā)明通過在每個子像素區(qū)域的邊緣位置設(shè)置環(huán)形結(jié)構(gòu)的隔墊物墻，可以在清洗過程中對殘留在子像素區(qū)域的導(dǎo)電凸起異物起到阻擋作用，將其阻擋在子像素區(qū)域內(nèi)，即阻止導(dǎo)電凸起異物移動至隔墊物附近以及色阻塊和黑色矩陣交疊區(qū)域，降低了導(dǎo)電凸起異物殘留在隔墊物附近以及色阻塊和黑色矩陣交疊區(qū)域的可能，從而可以減小導(dǎo)電凸起異物在彩膜基板和陣列基板對盒時導(dǎo)通陣列基板上的導(dǎo)電走線或者TFT開關(guān)與彩膜基板上的公共電極的可能，進而提高了TFT-LCD的產(chǎn)品良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種彩膜基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的一種彩膜基板的俯視圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的又一種彩膜基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的彩膜基板的制作方法的流程圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種彩膜基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該彩膜基板包括襯底基板10、以及設(shè)置在襯底基板10上的黑矩陣20、色阻層、公共電極層40和設(shè)置在公共電極層40上的隔墊物墻60，色阻層包括多個色阻塊30。

圖2為本實施例提供的一種彩膜基板的俯視圖。如圖2所示，黑矩陣20在襯底基板10上圍成陣列分布的多個子像素區(qū)域31，多個色阻塊30一一對應(yīng)設(shè)置在多個子像素區(qū)域31。每個子像素區(qū)域31對應(yīng)設(shè)有一個隔墊物墻60，每個隔墊物墻60為圍繞在對應(yīng)的子像素區(qū)域31的邊緣的環(huán)形結(jié)構(gòu)。

具體實現(xiàn)時，每三個子像素區(qū)域31可以對應(yīng)一個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域中的三個子像素區(qū)域中的色阻塊30可以分別為紅色色阻塊(如圖2中R所示)、藍色色阻塊(如圖2中B所示)和綠色色阻塊(如圖2中G所示)，其中，紅色色阻塊僅允許紅光通過，藍色色阻塊僅允許藍光通過，綠色色阻塊僅允許綠光通過。

需要說明的是，圖2中僅示例性地顯示了三個子像素區(qū)域，實際應(yīng)用中，子像素區(qū)域的數(shù)量可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不做限制。

對于傳統(tǒng)的彩膜基板而言，子像素區(qū)域所占面積遠大于黑矩陣所占面積，因此PS加工工序中的導(dǎo)電凸起異物殘留在子像素區(qū)域的幾率遠大于殘留在黑矩陣區(qū)域的幾率。本發(fā)明實施例通過在每個子像素區(qū)域的邊緣位置設(shè)置環(huán)形結(jié)構(gòu)的隔墊物墻，可以在清洗過程中對殘留在子像素區(qū)域的導(dǎo)電凸起異物a(見圖1)起到阻擋作用，將其阻擋在子像素區(qū)域內(nèi)，即阻止導(dǎo)電凸起異物a移動至色阻塊30和黑色矩陣20交疊區(qū)域，降低了導(dǎo)電凸起異物a殘留色阻塊和黑色矩陣交疊區(qū)域的可能，從而可以減小導(dǎo)電凸起異物在彩膜基板和陣列基板對盒時導(dǎo)通陣列基板上的導(dǎo)電走線或者TFT開關(guān)與彩膜基板上的公共電極的可能，進而提高了TFT-LCD的產(chǎn)品良率。

實現(xiàn)時，環(huán)形結(jié)構(gòu)的隔墊物墻60圍繞對應(yīng)的子像素區(qū)域設(shè)置，為了進一步減小導(dǎo)電凸起異物導(dǎo)通陣列基板上的導(dǎo)電走線(通常為數(shù)據(jù)線和柵線中更靠近彩膜基板的導(dǎo)電走線)和彩膜基板上的公共電極的可能，則應(yīng)當(dāng)保證與彩膜基板對向設(shè)置的陣列基板上的配向膜之下的導(dǎo)電走線在襯底基板10上的投影位于相鄰的隔墊物墻60之間。進一步地，由于通常彩膜基板上的黑矩陣20與陣列基板上的導(dǎo)電走線對應(yīng)設(shè)置，則相應(yīng)地，黑矩陣20在襯底基板10上的投影可以位于相鄰的隔墊物墻60在襯底基板10上的投影之間。

具體地，隔墊物墻60的高度可以為2μm～3μm。在本實施例中，墊隔物墻60不僅可以對導(dǎo)電凸起異物起到阻擋作用，還可以起到支撐作用，以保持顯示面板厚度的均一性。

實現(xiàn)時，襯底基板10通常是透明的，可以為玻璃基板、塑料基板等。黑矩陣20可以采用不透光的金屬材料或者有機材料制成。公共電極層40可以采用透明導(dǎo)電材料制成，例如可以采用銦錫氧化物(Indium Tin Oxides，ITO)材料制成。色阻塊30可以采用色阻材料制成。隔墊物墻60可以采用光阻材料制成。光阻材料可以為正性光阻材料也可以為負性光阻材料。

具體地，該彩膜基板還可以包括設(shè)置在公共電極層40上的配向膜，配向膜起著控制液晶分子排列方向的作用。

圖3為本發(fā)明實施例提供的另一種彩膜基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖，與圖1所示彩膜基板相比，圖3所示彩膜基板還包括設(shè)置在公共電極層40上的隔墊物50，隔墊物墻60的高度小于隔墊物50的高度。隔墊物墻60的高度小于隔墊物50的高度，使得隔墊物50起到支撐彩膜基板和陣列基板的作用，且對現(xiàn)有產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不會造成影響，并且隔墊物墻60的高度較低，對彩膜基板所屬顯示面板的出光效果影響較小。

對于傳統(tǒng)的彩膜基板而言，子像素區(qū)域所占面積遠大于黑矩陣所占面積，因此PS加工工序中的導(dǎo)電凸起異物殘留在子像素區(qū)域的幾率遠大于殘留在黑矩陣區(qū)域的幾率。本發(fā)明實施例通過在每個子像素區(qū)域的邊緣位置設(shè)置環(huán)形結(jié)構(gòu)的隔墊物墻，可以在清洗過程中對殘留在子像素區(qū)域的導(dǎo)電凸起異物起到阻擋作用，將其阻擋在子像素區(qū)域內(nèi)，即阻止導(dǎo)電凸起異物移動至隔墊物附近以及色阻塊和黑色矩陣交疊區(qū)域，降低了導(dǎo)電凸起異物殘留在隔墊物附近以及色阻塊和黑色矩陣交疊區(qū)域的可能，從而可以減小導(dǎo)電凸起異物在彩膜基板和陣列基板對盒時導(dǎo)通陣列基板上的導(dǎo)電走線或者TFT開關(guān)與彩膜基板上的公共電極的可能，進而提高了TFT-LCD的產(chǎn)品良率。

進一步地，隔墊物墻60的高度可以為0.1μm～0.5μm。該高度范圍即可以保證隔墊物墻60對導(dǎo)電凸起異物有較好的阻擋作用，同時可以降低其對出光效果的影響。

具體地，在本實施例中，隔墊物50可以包括主隔墊物50a和輔隔墊物50b，主隔墊物50a的高度大于輔隔墊物50b的高度。其中，主隔墊物50a支撐彩膜基板和陣列基板，而在顯示面板意外受到外界壓力時，輔隔墊物50b可以增大支撐強度并且起到一定的緩沖作用，避免了顯示面板在外力壓迫后受損。

在本實施例中，隔墊物50可以為柱狀隔墊物。進一步地，隔墊物50在襯底基板10上的投影位于黑矩陣20在襯底基板10上的投影內(nèi)。

實現(xiàn)時，隔墊物50可以與隔墊物墻60采用相同的材料同步制作。

此外，在本發(fā)明的另一種實施例中，也可以將球形隔墊物和隔墊物墻組合，球形隔墊物分散于彩膜基板上，起到主要的支撐作用，而隔墊物墻采用與圖3所示相同的結(jié)構(gòu)，起阻擋導(dǎo)電凸起異物的作用。或者，在本發(fā)明的又一種實施例中，還可以采用柱狀隔墊物、球形隔墊物和隔墊物墻組合的方式，在這種方式中，柱狀隔墊物在襯底基板上的投影位于黑矩陣在襯底基板上的投影內(nèi)，起主要的支撐作用；球形隔墊物分散于彩膜基板上，起緩沖作用，而隔墊物墻采用與圖3所示相同的結(jié)構(gòu)，起阻擋導(dǎo)電凸起異物的作用。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，該顯示面板包括圖1或圖3所示的彩膜基板。該顯示面板還包括與彩膜基板對盒設(shè)置的陣列基板，以及設(shè)置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括前述顯示面板。

在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的顯示裝置可以為手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本發(fā)明通過在彩膜基板中的每個子像素區(qū)域的邊緣位置設(shè)置環(huán)形結(jié)構(gòu)的隔墊物墻，可以在清洗過程中對殘留在子像素區(qū)域的導(dǎo)電凸起異物起到阻擋作用，將其阻擋在子像素區(qū)域內(nèi)，即阻止導(dǎo)電凸起異物移動至隔墊物附近以及色阻塊和黑色矩陣交疊區(qū)域，降低了導(dǎo)電凸起異物殘留在隔墊物附近以及色阻塊和黑色矩陣交疊區(qū)域的可能，從而可以減小導(dǎo)電凸起異物在彩膜基板和陣列基板對盒時導(dǎo)通陣列基板上的導(dǎo)電走線或者TFT開關(guān)與彩膜基板上的公共電極的可能，進而提高了TFT-LCD的產(chǎn)品良率。

本發(fā)明實施例還提供了一種彩膜基板的制作方法，適用于制造圖1或圖3所示的彩膜基板，如圖4所示，該方法包括：

S1：在襯底基板上形成黑矩陣、色阻層和公共電極層。

其中，黑矩陣在襯底基板上形成陣列分布的多個子像素區(qū)域，色阻層包括一一對應(yīng)設(shè)置在所述多個子像素區(qū)域內(nèi)的多個色阻塊，公共電極層設(shè)置在黑矩陣和色阻層上。

S2：在公共電極層上形成隔墊物墻。

每個子像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)有一個隔墊物墻，每個隔墊物墻為圍繞在對應(yīng)的子像素區(qū)域的邊緣的環(huán)形結(jié)構(gòu)。

其中，步驟S1可以包括：

在襯底基板上形成黑矩陣；在形成有黑矩陣的襯底基板上形成色阻層。在色阻層上形成公共電極層。

步驟S2可以采用光刻工藝實現(xiàn)，具體地，該步驟S2可以包括：在公共電極層上涂覆一層光阻材料；在掩膜板的掩蓋下對光阻材料進行光照；對光照后的光阻材料進行顯影和刻蝕操作，得到形成在公共電極上的隔墊物墻。

可選地，該方法還可以包括：在形成有隔墊物墻的公共電極層上形成配向膜。

需要說明的是，當(dāng)彩膜基板還包括隔墊物且隔墊物為柱狀隔墊物時，隔墊物和隔墊物墻可以同步形成。此外，若彩膜基板還包括球形隔墊物，則可以在配向膜形成之后，再將球形隔墊物分散于彩膜基板上。

以上僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。