相關(guān)申請(qǐng)的引證

本申請(qǐng)要求于2016年1月15日提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2016-0005168號(hào)的優(yōu)先權(quán)及從中衍生的所有權(quán)益，通過引證將其內(nèi)容全部結(jié)合于此。

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及液晶顯示(“l(fā)cd”)設(shè)備及其制造方法。

背景技術(shù)：

由于液晶顯示(“l(fā)cd”)設(shè)備的優(yōu)異特性，諸如重量輕、薄以及功耗低，其已被廣泛用作各種尺寸的顯示設(shè)備，例如，供作為智能電話、用于筆記本電腦的監(jiān)視器或電視機(jī)(“tv”)使用。

lcd設(shè)備向介于兩個(gè)基板之間的液晶層施加電場，并且通過調(diào)整電場強(qiáng)度以調(diào)整穿過液晶層透射的光的量來顯示期望圖像。

lcd設(shè)備根據(jù)其驅(qū)動(dòng)方法可被分類成水平場型lcd設(shè)備和垂直場型lcd設(shè)備。水平場型lcd設(shè)備通過在水平方向上控制液晶分子的運(yùn)動(dòng)來控制光的透射，以及垂直場型lcd設(shè)備通過在垂直方向上控制液晶分子的運(yùn)動(dòng)來控制光的透射。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在液晶顯示(“l(fā)cd”)設(shè)備的制備期間，離子雜質(zhì)會(huì)設(shè)置在液晶層中。離子雜質(zhì)會(huì)影響對(duì)液晶層施加的電場的強(qiáng)度的控制。離子雜質(zhì)可累積在lcd設(shè)備的特定區(qū)域中，并且結(jié)果，該特定區(qū)域中的像素會(huì)顯得比lcd設(shè)備的其余區(qū)域中的其他像素更亮。因此，期望最小化lcd設(shè)備的區(qū)域之間的亮度差異的設(shè)計(jì)。

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供一種lcd設(shè)備，該lcd設(shè)備最小化其亮度的區(qū)域差異。

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式還提供一種lcd設(shè)備的制造方法，該lcd設(shè)備最小化其亮度的區(qū)域差異。

然而，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不局限于本文闡述的那些。對(duì)本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，通過參照以下給出的本發(fā)明的詳細(xì)說明，本發(fā)明的以上和其他示例性實(shí)施方式將變得更加顯然。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，一種lcd設(shè)備包括：基板，該基板包括其中多個(gè)顯示像素在行方向和列方向上排列的顯示區(qū)域、鄰近于顯示區(qū)域的沿行方向的第一側(cè)的第一虛擬區(qū)域以及鄰近于顯示區(qū)域的沿行方向的第二側(cè)的第二虛擬區(qū)域；像素電極，布置在基板上，該像素電極包括分別布置在多個(gè)顯示像素中的多個(gè)顯示像素電極、在列方向上布置在第一虛擬區(qū)域中的多個(gè)第一虛擬像素電極以及在列方向上布置在第二虛擬區(qū)域中的多個(gè)第二虛擬像素電極；以及配向?qū)樱贾迷谙袼仉姌O上，其中，配向?qū)拥钠骄穸仍诘谝惶摂M區(qū)域和第二虛擬區(qū)域中比在顯示區(qū)域中更大。

在示例性實(shí)施方式中，lcd設(shè)備也可包括：多條數(shù)據(jù)線，布置在基板上以在列方向上延伸并且連接至多個(gè)顯示像素電極中的多個(gè)行；第一虛擬數(shù)據(jù)線，布置在基板上以在列方向上延伸并且連接至多個(gè)第一虛擬像素電極中的多個(gè)行；以及第二虛擬數(shù)據(jù)線，布置在基板上以在列方向上延伸并且連接至多個(gè)第二虛擬像素電極中的多個(gè)行。

在示例性實(shí)施方式中，第一虛擬數(shù)據(jù)線可連接至被布置在顯示區(qū)域的第一最外側(cè)上的數(shù)據(jù)線，并且第二虛擬數(shù)據(jù)線可連接至被布置在顯示區(qū)域的第二最外側(cè)上的數(shù)據(jù)線。

在示例性實(shí)施方式中，多個(gè)第一虛擬像素電極中的多個(gè)行的數(shù)目和多個(gè)第二虛擬像素電極中的多個(gè)行的數(shù)目可與多個(gè)顯示像素電極中的多個(gè)行的數(shù)目相同。

在示例性實(shí)施方式中，多個(gè)第一虛擬像素電極中的每一個(gè)可包括第一分支電極至第三分支電極，該第一分支電極至第三分支電極相對(duì)于列方向以大約45°或更小的角度延伸，連續(xù)地(inseries)布置在行方向上并且彼此平行。從第一分支電極到顯示區(qū)域的距離可大于從第二分支電極到顯示區(qū)域的距離，并且從第二分支電極到顯示區(qū)域的距離可大于從第三分支電極到顯示區(qū)域的距離。從第一分支電極的頂表面到配向?qū)拥呐c第一分支電極重疊的部分的頂表面的距離可大于從第二分支電極的頂表面到配向?qū)拥呐c第二分支電極重疊的部分的頂表面的距離，并且從第二分支電極的頂表面到配向?qū)拥呐c第二分支電極重疊的部分的頂表面的距離可大于從第三分支電極的頂表面到配向?qū)拥呐c第三分支電極重疊的部分的頂表面的距離。

在示例性實(shí)施方式中，配向?qū)拥呐c鄰近于第一虛擬區(qū)域或第二虛擬區(qū)域的顯示像素的列重疊的部分的平均厚度可大于配向?qū)拥呐c不鄰近于第一虛擬區(qū)域或第二虛擬區(qū)域的多個(gè)顯示像素的列重疊的部分的平均厚度。

在示例性實(shí)施方式中，相同極性的電壓可被提供至多個(gè)第一虛擬像素電極，并且相同極性的電壓可被提供至多個(gè)第二虛擬像素電極。

在示例性實(shí)施方式中，配向?qū)拥钠骄穸仍诘谝惶摂M區(qū)域和第二虛擬區(qū)域中可為約到約并且在顯示區(qū)域中可為約到大約

在示例性實(shí)施方式中，配向?qū)涌稍谂c顯示區(qū)域的中間的多個(gè)顯示像素的列重疊的區(qū)域中具有最小厚度。

在示例性實(shí)施方式中，lcd設(shè)備也可包括布置在配向?qū)由系囊壕?，其中，在液晶層中生成的電場的平均?qiáng)度在第一虛擬區(qū)域和第二虛擬區(qū)域中比在顯示區(qū)域中更弱。

在示例性實(shí)施方式中，lcd設(shè)備也可包括布置在配向?qū)由系恼诠鈽?gòu)件，其中，遮光構(gòu)件與第一虛擬區(qū)域和第二虛擬區(qū)域重疊。

根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式，一種lcd設(shè)備包括：基板，該基板包括其中多個(gè)顯示像素在行方向和列方向上排列的顯示區(qū)域、鄰近于顯示區(qū)域的沿行方向的第一側(cè)的第一虛擬區(qū)域以及鄰近于顯示區(qū)域的沿行方向的第二側(cè)的第二虛擬區(qū)域；共用電極，布置在基板上；像素絕緣層，布置在共用電極上；以及像素電極，布置在像素絕緣層上，其中，像素絕緣層的平均厚度在第一虛擬區(qū)域和第二虛擬區(qū)域中比在顯示區(qū)域中更大。

在示例性實(shí)施方式中，lcd設(shè)備也可包括：多條數(shù)據(jù)線、多條第一虛擬數(shù)據(jù)線以及多條第二虛擬數(shù)據(jù)線，它們布置在基板上以在列方向上延伸，其中，像素電極包括分別布置在多個(gè)顯示像素中的多個(gè)顯示像素電極、在列方向上布置在第一虛擬區(qū)域中的多個(gè)第一虛擬像素電極以及在列方向上布置在第二虛擬區(qū)域中的多個(gè)第二虛擬像素電極，數(shù)據(jù)線連接至多個(gè)顯示像素電極中的多個(gè)行，第一虛擬數(shù)據(jù)線連接至多個(gè)第一虛擬像素電極中的多個(gè)行，并且第二虛擬數(shù)據(jù)線連接至多個(gè)第二虛擬像素電極中的多個(gè)行。

在示例性實(shí)施方式中，第一虛擬數(shù)據(jù)線可連接至被布置在顯示區(qū)域的第一最外側(cè)上的數(shù)據(jù)線，并且第二虛擬數(shù)據(jù)線可連接至被布置在顯示區(qū)域的第二最外側(cè)上的數(shù)據(jù)線。

在示例性實(shí)施方式中，像素絕緣層可包括第一子像素絕緣層和第二子像素絕緣層。第一子像素絕緣層可布置在顯示區(qū)域、第一虛擬區(qū)域和第二虛擬區(qū)域中，并且遍及顯示區(qū)域、第一虛擬區(qū)域和第二虛擬區(qū)域可具有均勻厚度，并且第二子像素絕緣層可布置在第一虛擬區(qū)域和第二虛擬區(qū)域中。

根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式，一種lcd設(shè)備包括：基板，該基板包括其中多個(gè)顯示像素在行方向和列方向上排列的顯示區(qū)域、鄰近于顯示區(qū)域的沿行方向的第一側(cè)的第一虛擬區(qū)域以及鄰近于顯示區(qū)域的沿行方向的第二側(cè)的第二虛擬區(qū)域；以及像素電極，布置在基板上，該像素電極包括分別布置在顯示像素中的多個(gè)顯示像素電極、在列方向上布置在第一虛擬區(qū)域中的多個(gè)第一虛擬像素電極以及在列方向上布置在第二虛擬區(qū)域中的多個(gè)第二虛擬像素電極，其中，多個(gè)顯示像素電極、多個(gè)第一虛擬像素電極以及多個(gè)第二虛擬像素電極中的每一個(gè)包括在列方向上延伸的多個(gè)分支電極，并且分支電極的沿行方向的橫向長度在多個(gè)第一虛擬像素電極和多個(gè)第二虛擬像素電極中比在多個(gè)顯示像素電極更小。

在示例性實(shí)施方式中，在列方向上延伸的多個(gè)狹縫可被限定在多個(gè)顯示像素電極、多個(gè)第一虛擬像素電極以及多個(gè)第二虛擬像素電極中的每一個(gè)中，并且狹縫的沿行方向的橫向長度在多個(gè)第一虛擬像素電極和多個(gè)第二虛擬像素電極中可比在多個(gè)顯示像素電極中更大。

在示例性實(shí)施方式中，lcd設(shè)備也可包括：多條數(shù)據(jù)線，布置在基板上以在列方向上延伸并且連接至多個(gè)顯示像素電極中的多個(gè)行；第一虛擬數(shù)據(jù)線，布置在基板上以在列方向上延伸并且連接至多個(gè)第一虛擬像素電極中的多個(gè)行；以及第二虛擬數(shù)據(jù)線，布置在基板上以在列方向上延伸并且連接至多個(gè)第二虛擬像素電極中的多個(gè)行，其中，第一虛擬數(shù)據(jù)線連接至被布置在顯示區(qū)域的第一最外側(cè)上的數(shù)據(jù)線，并且第二虛擬數(shù)據(jù)線連接至被布置在顯示區(qū)域的第二最外側(cè)上的數(shù)據(jù)線。

根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式，一種制造lcd設(shè)備的方法包括：制備基板，該基板包括其中多個(gè)顯示像素在行方向和列方向上排列的顯示區(qū)域、鄰近于顯示區(qū)域的沿行方向的第一側(cè)的第一虛擬區(qū)域以及鄰近于顯示區(qū)域的沿行方向的第二側(cè)的第二虛擬區(qū)域；在基板上形成像素電極；以及在像素電極上形成配向?qū)?，使得配向?qū)釉诘谝惶摂M區(qū)域和第二虛擬區(qū)域中比在顯示區(qū)域中更厚。

在示例性實(shí)施方式中，形成配向?qū)涌砂ǎ涸谙袼仉姌O上涂布(applying)配向材料、干燥配向材料、向配向材料施加紫外(“uv”)光以及對(duì)配向材料執(zhí)行熱處理，并且涂布配向材料可包括：在第一虛擬區(qū)域和第二虛擬區(qū)域上比在顯示區(qū)域上涂布更多量的配向材料。

根據(jù)示例性實(shí)施方式，可提供一種lcd設(shè)備，該lcd設(shè)備最小化其亮度的區(qū)域差異。

此外，可提供一種lcd設(shè)備的制造方法，該lcd設(shè)備最小化其亮度的區(qū)域差異。

從以下具體實(shí)施方式、附圖和權(quán)利要求書中，其他特征和示例性實(shí)施方式將是明顯的。

附圖說明

通過參考附圖，以本公開的進(jìn)一步詳述的示例性實(shí)施方式進(jìn)行描述，本公開的以上和其他示例性實(shí)施方式、優(yōu)點(diǎn)和特征將變得更加明顯，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示(“l(fā)cd”)設(shè)備的示例性實(shí)施方式的框圖。

圖2是圖1的lcd設(shè)備的像素的等效電路圖。

圖3是圖2的區(qū)域a中的像素處于特定幀中的等效電路圖。

圖4是圖3的像素處于特定幀的后續(xù)幀中的等效電路圖。

圖5是圖2的區(qū)域a中的像素的平面圖。

圖6是沿著圖5的線i-i’截取的截面圖。

圖7是沿著圖5的線ii-ii’、iii-iii’以及iv-iv’截取的截面圖。

圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的形成第一配向?qū)拥氖纠詫?shí)施方式的方法的流程圖。

圖9是用于說明如在圖8的方法中執(zhí)行的配向材料在陣列基板上的涂布的lcd設(shè)備的透視圖。

圖10是用于說明如在圖8的方法中執(zhí)行的初步熱處理的執(zhí)行的lcd設(shè)備的透視圖。

圖11是用于說明如在圖8的方法中執(zhí)行的紫外(“uv”)光的施加的lcd設(shè)備的透視圖。

圖12是用于說明如在圖8的方法中執(zhí)行的熱處理的執(zhí)行的lcd設(shè)備的透視圖。

圖13是沿著圖5的線ii-ii’、iii-iii’以及iv-iv’截取的根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的截面圖。

圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的形成第二子像素絕緣層的示例性實(shí)施方式的方法的流程圖。

圖15是用于說明如在圖14的方法中執(zhí)行的無機(jī)絕緣材料在陣列基板上的沉積的lcd設(shè)備的截面圖。

圖16是用于說明如在圖14的方法中執(zhí)行的曝光的執(zhí)行的lcd設(shè)備的截面圖。

圖17是從如在圖14的方法中執(zhí)行的蝕刻處理獲得的lcd設(shè)備的截面圖。

圖18是從如在圖14的方法中執(zhí)行的第二子像素絕緣層的形成獲得的lcd設(shè)備的截面圖。

圖19是根據(jù)本發(fā)明的lcd設(shè)備的圖2的區(qū)域a中的像素的另一示例性實(shí)施方式的平面圖。

圖20是沿著圖19的線v-v’、vi-vi’以及vii-vii’截取的截面圖。

具體實(shí)施方式

通過參照示例性實(shí)施方式的以下詳細(xì)描述和附圖，本發(fā)明的優(yōu)勢(shì)和特征和實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法可被更容易地理解。然而，本發(fā)明可以以多種不同形式體現(xiàn)，且不應(yīng)被解釋為局限于本文所闡述的實(shí)施方式。而是，提供這些實(shí)施方式以使得本發(fā)明更詳盡和完整，并且將本發(fā)明的構(gòu)思充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員，并且本發(fā)明將僅由所附權(quán)利要求限定。貫穿本說明書，相同的參考標(biāo)號(hào)指相同的元件。

用于指定元件在另一元件上或者位于不同層或一層上的術(shù)語“在…上”，包括其中元件直接位于另一元件或?qū)由系那闆r以及其中元件經(jīng)由另一層或又一元件而位于另一元件上的情況兩者。在本發(fā)明的整個(gè)說明書中，跨越各個(gè)圖，相同附圖參考標(biāo)號(hào)被用于相同元件。

盡管術(shù)語“第一、第二等”用于描述不同的組成元件，但這些組成元件不受術(shù)語的限制。術(shù)語僅用于將組成元件與其它組成元件區(qū)分開。因此，在以下描述中，第一組成元件可以是第二組成元件。

在本文中使用的術(shù)語僅用于描述特定實(shí)施方式的目的，并非旨在限制。除非內(nèi)容另有明確說明，否則如在本文中所使用的，單數(shù)形式“一(a)”、“一個(gè)(an)”和“該(the)”旨在包括復(fù)數(shù)形式，包括“至少一個(gè)”?！盎蛘摺笔侵浮昂?或”。如在本文中所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列出項(xiàng)中的一個(gè)或多個(gè)的任何和所有組合。將進(jìn)一步理解的是，術(shù)語“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”、或“含有(includes)”和/或“含(including)”在用于本說明書中時(shí)，指定存在所述及的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或者附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。

而且，諸如“下部”或“底部”以及“上部”或“頂部”的相對(duì)術(shù)語可被用在本文中以描述如圖中所示出的一個(gè)元件與另一個(gè)元件的關(guān)系。將理解的是，相對(duì)術(shù)語旨在涵蓋設(shè)備的除了圖中描繪的取向之外的不同取向。在示例性實(shí)施方式中，當(dāng)將圖中之一中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)時(shí)，則被描述為在其他元件的“下部”側(cè)的元件將被定向在其他元件的“上部”側(cè)。因此示例性術(shù)語“下部”能夠涵蓋取決于圖中的特定取向的“下部”和“上部”兩個(gè)取向。類似地，當(dāng)將圖中之一中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)時(shí)，則被描述為在其他元件的“下方”或“之下”的元件將被定向在其他元件的“上方”。因此，示例性術(shù)語“在…下方”或“在…之下”能夠涵蓋在…上方和在…下方兩個(gè)取向。

考慮到討論中的測(cè)量以及與特定量的測(cè)量相關(guān)的誤差(即，測(cè)量系統(tǒng)的制約)，如本文使用的“約”或“近似”包括在如由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員確定的特定值的偏差的可接受范圍內(nèi)的所述值和平均值。例如，“約”能夠表示在一個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差內(nèi)，或者在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％內(nèi)。

除非另有定義，否則本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與由本發(fā)明所屬的領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。將進(jìn)一步理解的是，術(shù)語，諸如在常用詞典中定義的那些，應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域和本發(fā)明的上下文中的含義一致的含義，并且除非本文中明確進(jìn)行如此限定，否則將不被解釋為理想的或過于刻板的意義。

本文參照作為理想化的實(shí)施方式的示意圖的截面圖來描述示例性實(shí)施方式。因而，預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖面的形狀的變化。因此，本文所描述的實(shí)施方式不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于如本文所示的區(qū)域的特定形狀，而是包括因例如制造等產(chǎn)生的形狀偏差。在示例性實(shí)施方式中，被示出或描述為平坦的區(qū)域通常具有粗糙和/或非線性的特征。此外，示出的尖角可以是圓的。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，并且它們的形狀并不旨在示出區(qū)域的精確形狀，并且不旨在限制權(quán)利要求的范圍

在下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示(“l(fā)cd”)設(shè)備的框圖，并且圖2是圖1的lcd設(shè)備的像素的等效電路圖。

參考圖1和圖2，根據(jù)示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備包括：柵極驅(qū)動(dòng)器110、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120、信號(hào)控制器130以及顯示面板140。

顯示面板140包括多個(gè)顯示像素px、多個(gè)第一虛擬像素dpx1以及多個(gè)第二虛擬像素dpx2。顯示像素px可以是在向用戶顯示的圖像的灰度級(jí)方面單獨(dú)地可被控制的最小單元。第一虛擬像素dpx1和第二虛擬像素dpx2也可以是在向用戶顯示的圖像的灰度級(jí)方面單獨(dú)地可被控制的最小單元，但是不同于顯示像素px，第一虛擬像素dpx1和第二虛擬像素dpx2可被隨后將描述的遮光構(gòu)件540隱藏不見。

顯示像素px可排列為n行和m列的矩陣，其中，n和m是自然數(shù)，并且可布置在顯示面板140的中間的顯示區(qū)域aa中。第一虛擬像素dpx1可布置在第一虛擬區(qū)域da_1中，該第一虛擬區(qū)域da_1在行方向上與顯示區(qū)域aa的沿行方向的一側(cè)相鄰。第二虛擬像素dpx2可布置在第二虛擬區(qū)域da_2中，該第二虛擬區(qū)域da_2與顯示區(qū)域aa的沿行方向的另一側(cè)相鄰。

即，如圖1所示，第一虛擬區(qū)域da_1可鄰近于顯示區(qū)域aa的左側(cè)，并且第二虛擬區(qū)域da_2可鄰近于顯示區(qū)域aa的右側(cè)。

第一虛擬像素dpx1可沿著列方向連續(xù)地(inseries)布置在第一虛擬區(qū)域da_1中。第二虛擬像素dpx2可沿著列方向連續(xù)地布置在第二虛擬區(qū)域da_2中。一個(gè)第一虛擬像素dpx1和一個(gè)第二虛擬像素dpx2可被設(shè)置用于顯示區(qū)域aa中的每行顯示像素px，并且顯示像素px、第一虛擬像素dpx1以及第二虛擬像素dpx2可作為一個(gè)整體排列成矩陣形式。即，第一虛擬像素dpx1的行數(shù)和第二虛擬像素dpx2的行數(shù)可與顯示像素px的行數(shù)相同。

然而，第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2的排列不限于本文闡述的那些。即，在可替換示例性實(shí)施方式中，第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2可分別鄰近于顯示區(qū)域aa的沿列方向的兩側(cè)或者可沿著列方向和行方向兩者連續(xù)地布置。

在下文中，行方向?qū)⒈环Q為第一方向dr1，并且如圖2所示，可對(duì)應(yīng)于由其上布置有顯示面板140的平面的從左到右的任意直線指示的方向。在下文中，列方向?qū)⒈环Q為第二方向dr2，并且如圖2所示，可對(duì)應(yīng)于由其上布置有顯示面板140的平面的從頂部到底部的任意直線指示的方向。

顯示面板140可包括在第一方向dr1上延伸的多條柵極線g1至gn以及在第二方向dr2上延伸的多條數(shù)據(jù)線d1至dm。

柵極線g1至gn從柵極驅(qū)動(dòng)器110接收柵極信號(hào)，并且數(shù)據(jù)線d1至dm從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120接收數(shù)據(jù)信號(hào)。顯示像素px可布置在柵極線g1至gn與數(shù)據(jù)線d1至dm之間的交叉處。

為了實(shí)現(xiàn)彩色顯示，顯示像素px中的每一個(gè)可唯一地顯示多種原色中的一個(gè)。原色的實(shí)例包括例如紅色、綠色和藍(lán)色。顯示像素px中的一些可顯示白色。顯示紅色的顯示像素px在下文中將被稱為紅色像素，顯示綠色的顯示像素px在下文中將被稱為綠色像素，顯示藍(lán)色的顯示像素px在下文中將被稱為藍(lán)色像素，并且顯示白色的顯示像素px在下文中將被稱為白色像素。通過一起控制紅色像素、綠色像素、藍(lán)色像素以及白色像素的亮度(brightness)，可顯示除了紅色、綠色和藍(lán)色以外的任意顏色。然而，本發(fā)明不限于此，并且顯示像素px可顯示各種其他顏色。

紅色像素、綠色像素以及藍(lán)色像素可交替排列在第一方向dr1上，但是本發(fā)明不限于此。即，紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素也可交替排列在第二方向dr2上。像素px可以以除了本文闡述的那些方式以外的各種方式進(jìn)行排列。

信號(hào)控制器130從外部源接收各種信號(hào)并且控制柵極驅(qū)動(dòng)器110和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。更具體地，信號(hào)控制器130可從外部源接收第一圖像數(shù)據(jù)data1和用于控制第一圖像數(shù)據(jù)data1的顯示的輸入控制信號(hào)cont1，并且可輸出柵極驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)cont3、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)cont2以及第二圖像數(shù)據(jù)data2。

第一圖像數(shù)據(jù)data1可包括顯示像素px中的每一個(gè)的亮度(luminance)信息。在示例性實(shí)施方式中，亮度信息可具有預(yù)定數(shù)量的灰度級(jí)，例如1024(＝2¹⁰)、256(＝2⁸)或64(＝2⁶)個(gè)灰度級(jí)，但是本發(fā)明不限于此。第一圖像數(shù)據(jù)data1可以以幀為單位進(jìn)行劃分。

傳輸至信號(hào)控制器130的輸入控制信號(hào)cont1可包括例如，垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)、主時(shí)鐘以及數(shù)據(jù)使能信號(hào)，但是本發(fā)明不限于此。即，除本文闡述的那些信號(hào)以外的其他信號(hào)也可輸入至信號(hào)控制器130。

柵極驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)cont3可以是用于控制柵極驅(qū)動(dòng)器110的操作的信號(hào)，并且可由信號(hào)控制器130生成。柵極驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)cont3可包括但不限于掃描起始信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)，但是也可包括其他信號(hào)。柵極驅(qū)動(dòng)器110可根據(jù)柵極驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)cont3生成可激活顯示像素px的柵極信號(hào)，并且可向柵極線g1至gn提供該柵極信號(hào)。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)cont2可以是用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120的操作的信號(hào)，并且可由信號(hào)控制器130生成。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120可根據(jù)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器控制信號(hào)cont2生成數(shù)據(jù)信號(hào)，并且可將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸至數(shù)據(jù)線d1至dm。

在下文中將參考圖3和圖4描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的驅(qū)動(dòng)。

圖3是圖2的區(qū)域a中的像素在特定幀中的等效電路圖，并且圖4是區(qū)域a中的像素在特定幀的后續(xù)幀中的等效電路圖。

參考圖3和圖4，在相同列中的一對(duì)相鄰顯示像素px可連接至不同數(shù)據(jù)線，并且可從不同數(shù)據(jù)線接收數(shù)據(jù)信號(hào)。即，在顯示像素px的陣列的第一行和第一列中的顯示像素px11可連接至第一數(shù)據(jù)線d1，在顯示像素px的陣列的第二行和第一列中的顯示像素px21可連接至第二數(shù)據(jù)線d2，在顯示像素px的陣列的第三行和第一列中的顯示像素px31可連接至第一數(shù)據(jù)線d1，并且在顯示像素px的陣列的第四行和第一列中的顯示像素(未示出)可連接至第二數(shù)據(jù)線d2。在每一列中，一些顯示像素px可連接至它們左側(cè)上的數(shù)據(jù)線，并且其他顯示像素px可連接至它們右側(cè)上的數(shù)據(jù)線，并且連接至它們左側(cè)上的數(shù)據(jù)線的顯示像素px與連接至它們右側(cè)上的數(shù)據(jù)線的顯示像素px可交替出現(xiàn)在對(duì)應(yīng)列中。

類似地，在顯示像素px的陣列的第一行和第二列中的顯示像素px12可連接至第二數(shù)據(jù)線d2，在顯示像素px的陣列的第二行和第二列中的顯示像素px22可連接至第三數(shù)據(jù)線d3，在顯示像素px的陣列的第三行和第二列中的顯示像素px32可連接至第二數(shù)據(jù)線d2，并且在顯示像素px的陣列的第四行和第二列中的顯示像素(未示出)可連接至第三數(shù)據(jù)線d3。另外，在顯示像素px的陣列的第一行和第三列中的顯示像素px13可連接至第三數(shù)據(jù)線d3，在顯示像素px的陣列的第二行和第三列中的顯示像素px23可連接至第四數(shù)據(jù)線d4，在顯示像素px的陣列的第三行和第三列中的顯示像素px33可連接至第三數(shù)據(jù)線d3，并且在顯示像素px的陣列的第四行和第三列中的顯示像素(未示出)可連接至第四數(shù)據(jù)線d4。

由于顯示像素px的上述排列，所以可執(zhí)行有效極性反轉(zhuǎn)。更具體地，根據(jù)示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備可使用極性反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法，在該極性反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法中，施加至顯示像素px的信號(hào)的電壓周期性地反轉(zhuǎn)以防止例如串?dāng)_和閃爍噪聲的出現(xiàn)。在極性反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法中，顯示像素px在具有正極性(+)或負(fù)極性(-)時(shí)顯示圖像。

正極性(+)表示輸入至顯示像素px或者第一虛擬像素dpx1和第二虛擬像素dpx2的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓高于共用信號(hào)的電壓。負(fù)極性(-)表示輸入至顯示像素px或者第一虛擬像素dpx1和第二虛擬像素dpx2的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓低于共用信號(hào)的電壓。即，正極性(+)或負(fù)極性(-)不一定意味著提供高于0v或低于0v的電壓。而是，可基于輸入至顯示像素px、第一虛擬像素dpx1或第二虛擬像素dpx2的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓與共用信號(hào)的電壓之間的相對(duì)差來確定正極性(+)和負(fù)極性(-)。

極性反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法的實(shí)例包括：列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法，在該列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法中，顯示像素px中的每一列具有相同極性，顯示像素px的兩個(gè)相鄰列具有不同極性，并且顯示像素px的極性以幀為單位進(jìn)行反轉(zhuǎn)；以及點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法，在該點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法中，相鄰顯示像素px全部具有不同極性。列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法相對(duì)易于實(shí)現(xiàn)，但是可能無法適當(dāng)防止串?dāng)_和閃爍噪聲。點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法相對(duì)難以實(shí)現(xiàn)，但是可有效防止串?dāng)_和閃爍噪聲。

當(dāng)使用如圖3和圖4所示的顯示像素px與數(shù)據(jù)線d1至dm之間的連接時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)可以以與列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法相同的方式輸入至數(shù)據(jù)線d1至dm，并且同時(shí)可獲得點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法的益處。

更具體地，在一個(gè)幀中，具有正極性(+)的數(shù)據(jù)信號(hào)可被提供至第一數(shù)據(jù)線d1，具有負(fù)極性(-)的數(shù)據(jù)信號(hào)可被提供至第二數(shù)據(jù)線d2，具有正極性(+)的數(shù)據(jù)信號(hào)可被提供至第三數(shù)據(jù)線d3，并且具有負(fù)極性(-)的數(shù)據(jù)信號(hào)可被提供至第四數(shù)據(jù)線d4。

通過簡單地調(diào)整輸入至第一數(shù)據(jù)線d1至第四數(shù)據(jù)線d4的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓，可允許顯示像素px11、px13、px22、px31以及px33在任意幀中具有正極性(+)，可允許顯示像素px12、px21、px23以及px32在任意幀中具有負(fù)極性(-)，可允許顯示像素px11、px13、px22、px31以及px33在任意幀的后續(xù)幀中具有負(fù)極性(-)，并且可允許顯示像素px12、px21、px23以及px32在任意幀的后續(xù)幀中具有正極性(+)。

即，通過調(diào)整施加至數(shù)據(jù)線d1至dm的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓，可允許在第一方向dr1或第二方向dr2上的每一對(duì)相鄰顯示像素px具有不同極性，并且因此，可獲得點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的益處。

第一虛擬區(qū)域da_1(參考圖2)和第二虛擬區(qū)域da_2(參考圖2)布置在顯示區(qū)域aa(參考圖2)的外部。在第一虛擬區(qū)域da_1中，第一虛擬像素dpx1(參考圖2)連續(xù)地布置在第二方向dr2上，并且在第二虛擬區(qū)域da_2中，第二虛擬像素dpx2(參考圖2)連續(xù)地布置在第二方向dr2上。虛擬像素dpx(參考圖2)可允許顯示像素px的極性反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)得以適當(dāng)?shù)貓?zhí)行。

更具體地，顯示像素px不布置在連接至顯示像素px11和px31的第一數(shù)據(jù)線d1的左側(cè)上，并且顯示像素px11和px31布置在第一數(shù)據(jù)線d1的右側(cè)上。因此，連接至第一數(shù)據(jù)線d1的顯示像素px的數(shù)目可不同于連接至第二數(shù)據(jù)線d2至第四數(shù)據(jù)線d4中的每一條的顯示像素px的數(shù)目，并且因此，第一數(shù)據(jù)線d1會(huì)表現(xiàn)出與第二數(shù)據(jù)線d2至第四數(shù)據(jù)線d4不同的操作性能。

因此，通過在第一數(shù)據(jù)線d1的左側(cè)上布置第一虛擬像素dpx1(即，在第一虛擬像素dpx的陣列的第一行和第一列中的第一虛擬像素dpx1_11)，可允許第一數(shù)據(jù)線d1至第四數(shù)據(jù)線d4表現(xiàn)出相同的操作性能。另外，通過不僅在第一虛擬像素dpx的陣列的第二行和第一列中額外地布置第一虛擬像素dpx1_21，而且在第一虛擬像素dpx的陣列的第一行和第一列中額外地布置第一虛擬像素dpx1_11并且在第一虛擬像素dpx的陣列的第三行和第一列中額外地布置第一虛擬像素dpx1_31，可允許顯示像素px和第一虛擬像素dpx1作為一個(gè)整體一起形成矩陣。結(jié)果，在顯示區(qū)域aa中顯示的圖像的顯示質(zhì)量會(huì)變得一致。

向第一虛擬像素dpx1_11至dpx1_31提供數(shù)據(jù)信號(hào)的第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1可連接至第一數(shù)據(jù)線d1，并且因此可從第一數(shù)據(jù)線d1接收數(shù)據(jù)信號(hào)。由于其中向用戶顯示圖像的區(qū)域是顯示區(qū)域aa并且第一虛擬區(qū)域da_1被遮光構(gòu)件540覆蓋，并且因此第一虛擬區(qū)域da_1對(duì)用戶隱藏不見，而不管其具有什么樣的灰度級(jí)，所以可不通過額外數(shù)據(jù)線向第一虛擬像素dpx1提供數(shù)據(jù)信號(hào)。

第一虛擬區(qū)域da_1和第一虛擬像素dpx1的上述描述直接可適用于第二虛擬區(qū)域da_2和第二虛擬像素dpx2。

由于第一虛擬像素dpx1和第二虛擬像素dpx2的排列以及顯示像素px的極性反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，顯示區(qū)域aa的第一列中的顯示像素px可顯得比它們應(yīng)該具有的亮度更亮。這是因?yàn)樵陔S后將描述的液晶層400中殘存的離子雜質(zhì)累積在虛擬區(qū)域da中以及顯示區(qū)域aa的外部上，在該外部處布置有虛擬區(qū)域da。

更具體地，在根據(jù)示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的制備期間可提供的離子雜質(zhì)可殘存在液晶層400中。離子雜質(zhì)可使數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓與共用信號(hào)的電壓之間的差值失真，并且因此可使虛擬像素dpx或顯示像素px具有比它們應(yīng)該具有的灰度級(jí)更高的灰度級(jí)。離子雜質(zhì)通常均勻分布在顯示區(qū)域aa中，并且因此，在顯示區(qū)域aa中不是太大問題。然而，在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中，離子雜質(zhì)可集中地累積并因此會(huì)引起問題。

例如，具有負(fù)極性(-)的離子雜質(zhì)可存在于其中布置有顯示像素px22的區(qū)域中。在這種情況下，顯示像素px12、px21、px23以及px32全部具有負(fù)極性(-)，并且因此，具有負(fù)極性(-)的離子雜質(zhì)不會(huì)移動(dòng)很多。

當(dāng)具有負(fù)極性(-)的離子雜質(zhì)存在于其中布置有顯示像素px11的區(qū)域中時(shí)，即使鄰近于顯示像素px11的顯示像素，即顯示像素px12和px21都具有負(fù)極性(-)，但因?yàn)猷徑陲@示像素px11的第一虛擬像素dpx，即第一虛擬像素dpx1_11具有正極性(+)，所以離子雜質(zhì)可移動(dòng)至其中布置有第一虛擬像素dpx1_11的區(qū)域。

隨著上述過程繼續(xù)，離子雜質(zhì)不僅會(huì)累積在第一虛擬區(qū)域da_1中，而且會(huì)累積在顯示區(qū)域aa的鄰近于第一虛擬區(qū)域da_1的外部上。因此，即使第一虛擬區(qū)域da_1被遮光構(gòu)件540覆蓋并且由此對(duì)用戶隱藏不見，但是由于離子雜質(zhì)累積在顯示區(qū)域aa的鄰近于第一虛擬區(qū)域da_1的外部上，顯示區(qū)域aa的左側(cè)上的顯示像素px也會(huì)顯得比顯示區(qū)域aa的中間的顯示像素px更亮，并且該現(xiàn)象也會(huì)出現(xiàn)在顯示區(qū)域aa的鄰近于第二虛擬區(qū)域da_2的右側(cè)上。

可通過第一配向?qū)?20的結(jié)構(gòu)來最小化該現(xiàn)象，這將在下文中參考圖5至圖7來進(jìn)行描述。

圖5是圖2的區(qū)域a中的像素的平面圖，圖6是沿著圖5的線i-i’截取的截面圖，并且圖7是沿著圖5的線ii-ii’、iii-iii’以及iv-iv’截取的截面圖。

參考圖5至圖7，顯示面板140(參考圖1)包括陣列基板200、相對(duì)基板500以及液晶層400。

陣列基板200是在其上布置有用于控制液晶層400中的液晶分子的晶體管tr的基板，并且相對(duì)基板500是面向陣列基板200的基板。

在下文中將描述陣列基板200。

陣列基板200包括第一基底基板210。第一基底基板210可以是透明絕緣基板。在示例性實(shí)施方式中，第一基底基板210可設(shè)置為例如，玻璃基板、石英基板或透明樹脂基板。第一基底基板210可包括具有高耐熱性的聚合物或塑料。第一基底基板210可以是平板的形式，但是可以沿特定方向彎曲。在示例性實(shí)施方式中，第一基底基板210可以是例如，在平面圖中具有四個(gè)邊的矩形。在可替換示例性實(shí)施方式中，第一基底基板210可包括除了矩形、圓形以外的諸如多邊形的各種其他形狀，或者可具有一個(gè)或多個(gè)彎曲邊。

柵極線g1至gn和柵電極221布置在第一基底基板210上。如上所述，柵極線g1至gn可在第一方向dr1上延伸。柵極線g1至gn和柵電極221可傳輸柵極信號(hào)。

柵極信號(hào)可以是由柵極驅(qū)動(dòng)器110提供的具有變化電壓的信號(hào)，并且tfttr可被控制為根據(jù)柵極信號(hào)的電壓而被導(dǎo)通或截止。

柵電極221可從柵極線g1至gn突出，并且可形成tfttr。

在示例性實(shí)施方式中，柵極線g1至gn以及柵電極221可包括鋁(al)基金屬(諸如al或al合金)、銀(ag)基金屬(諸如ag或ag合金)、銅(cu)基金屬(諸如cu或cu合金)、鉬(mo)基金屬(諸如mo或mo合金)、鉻(cr)、鉭(ta)、鈦(ti)等。

柵極線g1至gn以及柵電極221可具有單層結(jié)構(gòu)或者可具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有不同物理性能的至少兩個(gè)導(dǎo)電膜。在示例性實(shí)施方式中，至少兩個(gè)導(dǎo)電膜中的一個(gè)可包括低電阻金屬，例如al基金屬、ag基金屬、cu基金屬等，以防止柵極線g1至gn以及柵電極221中的信號(hào)延遲或電壓降，并且另一導(dǎo)電膜可包括相對(duì)于氧化銦錫(“ito”)和氧化銦鋅(“izo”)具有優(yōu)異接觸性能的材料，諸如mo基金屬、cr、ti、ta等。柵極線g1至gn以及柵電極221的多層結(jié)構(gòu)的實(shí)例包括cr下部膜和al上部膜的組合以及al下部膜和mo上部膜的組合，但是本發(fā)明不限于此。即，可使用除本文闡述的那些以外的各種金屬和導(dǎo)體來設(shè)置柵極線g1至gn以及柵電極221。

柵極絕緣層230布置在柵極線g1至gn以及柵電極221上。柵極絕緣層230可使布置在柵極絕緣層230之下的元件(諸如柵極線g1至gn以及柵電極221)與布置在柵極絕緣層230上的元件絕緣。柵極絕緣層230可包括絕緣材料。在示例性實(shí)施方式中，柵極絕緣層230可包括例如，氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或高介電常數(shù)材料。柵極絕緣層230可具有單層結(jié)構(gòu)或者可具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有不同物理性能的兩個(gè)絕緣膜。

半導(dǎo)體層240布置在柵極絕緣層230上。半導(dǎo)體層240可與柵電極221至少部分重疊。在示例性實(shí)施方式中，半導(dǎo)體層240可包括例如，非晶硅、多晶硅或氧化物半導(dǎo)體。

盡管未具體示出，但是歐姆接觸構(gòu)件可進(jìn)一步設(shè)置在半導(dǎo)體層240上。歐姆接觸構(gòu)件可包括摻雜有高濃度的n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅或硅化物。歐姆接觸構(gòu)件可布置在半導(dǎo)體層240上、與其他歐姆接觸構(gòu)件配對(duì)。響應(yīng)于半導(dǎo)體層240包括氧化物半導(dǎo)體，可不設(shè)置歐姆接觸構(gòu)件。

數(shù)據(jù)線d1至dm、第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1、第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2(參考圖2)、源電極265以及漏電極266布置在半導(dǎo)體層240和柵極絕緣層230上。

數(shù)據(jù)線d1至dm在第二方向dr2上延伸。數(shù)據(jù)線d1至dm可通過柵極絕緣層230與柵極線g1至gn絕緣。

數(shù)據(jù)線d1至dm可將向其提供的數(shù)據(jù)信號(hào)從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120提供至顯示像素px。數(shù)據(jù)信號(hào)可以是由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120提供的具有變化電壓的信號(hào)，并且可根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)控制顯示像素px的灰度級(jí)。

第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1在第二方向dr2上延伸。第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1可連接至鄰近于第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1的第一數(shù)據(jù)線d1。第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1的一部分可在第二方向dr2以外的方向上延伸以連接至第一數(shù)據(jù)線d1。第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1可通過柵極絕緣層230與柵極線g1至gn絕緣。

第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2在第二方向dr2上延伸。第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2可連接至鄰近于第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2的第m數(shù)據(jù)線dm。第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2的一部分可在第二方向dr2以外的方向上延伸以連接至第m數(shù)據(jù)線dm。第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2可通過柵極絕緣層230與柵極線g1至gn絕緣。

第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1可連接至第一數(shù)據(jù)線d1，并且因此可將從第一數(shù)據(jù)線d1接收的數(shù)據(jù)信號(hào)提供至第一虛擬像素dpx1(參考圖2)?？筛鶕?jù)由第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1提供的數(shù)據(jù)信號(hào)控制第一虛擬像素dpx1的灰度級(jí)。

類似地，第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2可連接至第m數(shù)據(jù)線dm，并且因此可將從第m數(shù)據(jù)線dm接收的數(shù)據(jù)信號(hào)提供至第二虛擬像素dpx2?？筛鶕?jù)由第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2提供的數(shù)據(jù)信號(hào)，控制第二虛擬像素dpx2的灰度級(jí)。

源電極265可分叉并且從數(shù)據(jù)線d1至dm、第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1以及第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2突出。源電極265可從數(shù)據(jù)線d1至dm、第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1以及第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2接收數(shù)據(jù)信號(hào)。

漏電極266可與源電極265間隔開。

如圖5所示，源電極265可以是例如，包圍漏電極266的u形。然而，源電極265和漏電極266的形狀不限于圖5所示的實(shí)例。即，源電極265的第一邊可與漏電極266的第一邊間隔開預(yù)定距離，使得源電極265和漏電極266可布置為彼此平行。

半導(dǎo)體層240可布置在彼此間隔的漏電極266與源電極265之間的間隙中。即，在半導(dǎo)體層240布置為介入其間的情況下，漏電極266和源電極265可在與半導(dǎo)體層240部分重疊或接觸的同時(shí)彼此相對(duì)。

在示例性實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)線d1至dm、第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1、第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2、源電極265以及漏電極266可包括例如，al、cu、ag、mo、cr、ti、ta或其合金，并且可具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括含有難熔金屬的下部膜以及布置在下部膜上的低電阻上部膜。

柵電極221、源電極265和漏電極266可與半導(dǎo)體層240一起形成作為開關(guān)器件的晶體管tr。

晶體管tr可根據(jù)提供至柵電極221的柵極信號(hào)的電壓，來電連接源電極265與漏電極266。更具體地，當(dāng)提供至柵電極221的柵極信號(hào)的電壓用于截止晶體管tr時(shí)，源電極265和漏電極266不被電連接。當(dāng)提供至柵電極221的柵極信號(hào)的電壓用于導(dǎo)通晶體管tr時(shí)，源電極265和漏電極266經(jīng)由限定在半導(dǎo)體層240中的溝道而被電連接。

溝道可主要限定在源電極265與漏電極266之間的區(qū)域中。即，當(dāng)晶體管tr導(dǎo)通時(shí)，溝道可主要限定在源電極265與漏電極266之間的半導(dǎo)體層240中，并且電壓和電流可沿著溝道傳輸。

結(jié)果，除了半導(dǎo)體層240以外，數(shù)據(jù)信號(hào)可提供至連接至漏電極266的元件，并且可通過提供至柵極線g1至gn的柵極信號(hào)來控制數(shù)據(jù)信號(hào)的傳輸。

晶體管tr可布置在顯示像素px中，并且也可布置在第一虛擬像素dpx1和第二虛擬像素dpx2中。

鈍化層270布置在數(shù)據(jù)線d1至dm、第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1、第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2、源電極265、漏電極266以及半導(dǎo)體層240上。鈍化層270可包括無機(jī)絕緣材料，并且可覆蓋和保護(hù)全部布置在鈍化層270之下的數(shù)據(jù)線d1至dm、第一虛擬數(shù)據(jù)線dml1、第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2以及晶體管tr。

平坦化層280布置在鈍化層270上。平坦化層280可使由于柵極線g1至gn、數(shù)據(jù)線d1至dm、第一數(shù)據(jù)虛擬線dml1、第二虛擬數(shù)據(jù)線dml2以及晶體管tr的存在而在其上設(shè)置有高度差的鈍化層270的頂表面平坦化。平坦化層280可包括有機(jī)材料。在示例性實(shí)施方式中，平坦化層280可包括例如，感光有機(jī)組合物。在另一示例性實(shí)施方式中，可不設(shè)置平坦化層280。

暴露晶體管tr的部分并且具體地暴露漏電極266的部分的接觸孔ch，可被限定在平坦化層280和鈍化層270中。接觸孔ch可被限定為垂直穿透平坦化層280和鈍化層270的形狀。因此，接觸孔ch可暴露漏電極266的部分并且同時(shí)與漏電極的部分重疊。接觸孔ch可被限定在顯示像素px、第一虛擬像素dpx1以及第二虛擬像素dpx2中。

共用電極290布置在平坦化層280上。共用電極290可以以平面形狀設(shè)置在除了其中限定接觸孔ch的區(qū)域以及其中限定接觸孔ch的區(qū)域的周圍以外的整個(gè)區(qū)域中。在示例性實(shí)施方式中，共用電極290可包括諸如ito、izo、氧化鋅銦錫(“itzo”)或摻雜有al的氧化鋅(“azo”)的透明導(dǎo)電材料。共用電壓可被施加至共用電極290，并且因此，共用電極290可與隨后將描述的像素電極310一起在液晶層400中生成電場。

像素絕緣層300布置在共用電極290上。像素絕緣層300可包括無機(jī)絕緣材料。像素絕緣層300可使布置在像素絕緣層300之下的共用電極290與布置在像素絕緣層300上的像素電極310絕緣。因此，可通過施加至共用電極290的電壓與施加至像素電極310的電壓之間的差來生成電場。

像素電極310布置在像素絕緣層300上。像素電極310可經(jīng)由接觸孔ch物理連接至漏電極266，并且因此可從漏電極266接收數(shù)據(jù)信號(hào)。在示例性實(shí)施方式中，像素電極310可包括諸如ito、izo、itzo或azo的透明導(dǎo)電材料。與不管像素之間的區(qū)別如何都設(shè)置為板的共用電極290不同，像素電極310可單獨(dú)設(shè)置在顯示像素px、第一虛擬像素dpx1以及第二虛擬像素dpx2中。

像素電極310包括：布置在顯示像素px中的顯示像素電極311、布置在第一虛擬像素dpx1中的第一虛擬像素電極312以及布置在第二虛擬像素dpx2中的第二虛擬像素電極(未示出)。

第一虛擬像素電極312布置在第一虛擬像素dpx1中，并且因此可沿第二方向dr2設(shè)置在第一虛擬區(qū)域da_1中，并且第二虛擬像素電極(未示出)布置在第二虛擬像素dpx2中，并且因此可沿第二方向dr2設(shè)置在第二虛擬區(qū)域da_2中。由于如上所述，第一虛擬像素dpx1的行數(shù)和第二虛擬像素dpx2的行數(shù)與顯示像素px的行數(shù)相同，所以第一虛擬像素電極312的行數(shù)和第二虛擬像素電極(未示出)的行數(shù)會(huì)與顯示像素電極311的行數(shù)相同。

顯示像素電極311中的每一個(gè)包括多個(gè)顯示分支電極311_1以及連接顯示分支電極311_1的顯示連接電極311_2。顯示分支電極311_1在與第二方向dr2類似的方向上延伸。在示例性實(shí)施方式中，例如，與第二方向dr2類似的方向可以是相對(duì)于第二方向dr2具有小于約45°的絕對(duì)交叉角的方向。顯示分支電極311_1可以在與第二方向dr2類似的方向的范圍內(nèi)以不同的角度傾斜。在示例性實(shí)施方式中，顯示分支電極311_1中的每一個(gè)可包括在從第二方向dr2逆時(shí)針傾斜的方向上延伸的區(qū)段以及在從第二方向dr2順時(shí)針傾斜的方向上延伸的區(qū)段。

顯示分支電極311_1彼此間隔，并且布置為彼此平行。顯示狹縫311_3被限定在顯示分支電極311_1之間。顯示分支電極311_1、顯示狹縫311_3以及布置在顯示分支電極311_1與顯示狹縫311_3之間的共用電極290彼此相互作用以生成具有特定方向性的電場，并且可通過該電場控制液晶層400中的液晶分子。

顯示連接電極311_2可在第一方向dr1上延伸，并且電連接和物理連接顯示分支電極311_1。因此，在其中電壓提供至顯示分支電極311_1或顯示連接電極311_2的情況下，電壓可傳輸至所有顯示分支電極311_1和所有顯示連接電極311_2。

然而，本發(fā)明不限于示例性實(shí)施方式。即，顯示分支電極311_1可在類似于第一方向dr1的方向上延伸，并且顯示連接電極311_2可在第二方向dr2上延伸。類似于第一方向dr1的方向可以是相對(duì)于第一方向dr1具有小于約45°的絕對(duì)交叉角的方向。

如同顯示像素電極311中的每一個(gè)，第一虛擬像素電極312中的每一個(gè)包括多個(gè)第一虛擬分支電極312_1和連接第一虛擬分支電極312_1的第一虛擬連接電極312_2。第一虛擬狹縫312_3被限定在第一虛擬分支電極312_1之間。第一虛擬分支電極312_1具有與顯示分支電極311_1的那些形狀和特性相同的形狀和相同的特性，第一虛擬連接電極312_2具有與顯示連接電極311_2的那些形狀和特性相同的形狀和相同的特性，并且第一虛擬狹縫312_3具有與顯示狹縫311_3的那些形狀和特性相同的形狀和相同的特性。因此，將省略第一虛擬分支電極312_1、第一虛擬連接電極312_2以及第一虛擬狹縫312_3的詳細(xì)描述。

如同第一虛擬像素電極312中的每一個(gè)，第二虛擬像素電極(未示出)中的每一個(gè)包括多個(gè)第二虛擬分支電極(未示出)和連接第二虛擬分支電極(未示出)的第二虛擬連接電極(未示出)，并且將省略第二虛擬分支電極(未示出)和第二虛擬連接電極(未示出)的詳細(xì)描述。

第一配向?qū)?20布置在像素電極310上。第一配向?qū)?20可使液晶層400中的液晶分子預(yù)傾斜。即，在其中電場尚未被施加至液晶層400的情況下，第一配向?qū)?20可將液晶層400中的液晶分子配向?yàn)閺钠渲胁贾糜械谝慌湎驅(qū)?20的平面指向預(yù)定方向，并且可將液晶層400中的液晶分子配向?yàn)橄鄬?duì)于與其中布置有第一配向?qū)?20的平面垂直的方向限定約0.5°到約3°的角度。

第一配向?qū)?20的厚度可從一個(gè)區(qū)域到另一個(gè)區(qū)域而不同。更具體地，第一配向?qū)?20的平均厚度在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中可比在顯示區(qū)域aa中更大。

即，從第一虛擬像素dpx1或第二虛擬像素dpx2中的像素電極310的表面上的位置到第一配向?qū)?20的表面上的對(duì)應(yīng)位置的距離可大于從顯示像素px中的像素電極310的表面上的位置到第一配向?qū)?20的表面上的對(duì)應(yīng)位置的距離。

在示例性實(shí)施方式中，例如，第一配向?qū)?20可在第一虛擬區(qū)域da_1或第二虛擬區(qū)域da_2中具有約到約的平均厚度，并且在顯示區(qū)域aa中具有約到約的平均厚度。在示例性實(shí)施方式中，例如，第一配向?qū)?20可在第一虛擬區(qū)域da_1或第二虛擬區(qū)域da_2中具有約的平均厚度，并且在顯示區(qū)域aa中具有約的平均厚度。

在第一虛擬區(qū)域da_1或第二虛擬區(qū)域da_2中，布置有第一虛擬像素dpx1或第二虛擬像素dpx2，并且在顯示區(qū)域aa中，布置有顯示像素px。因此，在已考慮像素電極310上的第一配向?qū)?20的厚度的誤差的情況下描述了第一配向?qū)?20的平均厚度。因此，盡管未具體示出，但是第一配向?qū)?20在第一虛擬區(qū)域da_1或第二虛擬區(qū)域da_2的例外部分中的厚度可比在顯示區(qū)域aa的例外部分中的厚度更小。然而，第一配向?qū)?20在第一虛擬區(qū)域da_1或第二虛擬區(qū)域da_2中的平均厚度通常會(huì)比在顯示區(qū)域aa中的平均厚度更大。

另外，在第一虛擬區(qū)域da_1或第二虛擬區(qū)域da_2內(nèi)，第一配向?qū)?20的厚度可不同。即，與第一虛擬分支電極312_1重疊的第一配向?qū)?20可相對(duì)厚于在相對(duì)遠(yuǎn)離顯示區(qū)域aa的第一虛擬分支電極312_1上的第一配向?qū)?20。

更具體地，圖7示出在圖5的線ii-ii’、iii-iii’以及iv-iv’中的每一個(gè)上的三個(gè)位置處，從像素電極310的表面到第一配向?qū)?20的表面的距離。

第一虛擬像素dpx1_11(參考圖3)的左側(cè)上的第一虛擬分支電極312_1的頂表面與第一配向?qū)?20的頂表面間隔了第一長度321_1，第一虛擬像素dpx1_11的中間的第一虛擬分支電極312_1的頂表面與第一配向?qū)?20的頂表面間隔了第二長度321_2，并且第一虛擬像素dpx1_11的右側(cè)上的第一虛擬分支電極312_1的頂表面與第一配向?qū)?20的頂表面間隔了第三長度321_3。

顯示像素px11(參考圖3)的左側(cè)上的顯示分支電極311_1的頂表面與第一配向?qū)?20的頂表面間隔了第四長度321_4，顯示像素px11的中間的顯示分支電極311_1的頂表面與第一配向?qū)?20的頂表面間隔了第五長度321_5，并且顯示像素px11的右側(cè)上的顯示分支電極311_1的頂表面與第一配向?qū)?20的頂表面間隔了第六長度321_6。

顯示像素px12(參考圖3)的左側(cè)上的顯示分支電極311_1的頂表面與第一配向?qū)?20的頂表面間隔了第七長度321_7，顯示像素px12的中間的顯示分支電極311_1的頂表面與第一配向?qū)?20的頂表面間隔了第八長度321_8，并且顯示像素px12的右側(cè)上的顯示分支電極311_1的頂表面與第一配向?qū)?20的頂表面間隔了第九長度321_9。

第一長度321_1、第二長度321_2以及第三長度321_3的平均值可大于第四長度321_4、第五長度321_5以及第六長度321_6的平均值，并且第四長度321_4、第五長度321_5以及第六長度321_6的平均值可大于第七長度321_7、第八長度321_8以及第九長度321_9的平均值。

第一長度321_1可大于第二長度321_2，并且第二長度321_2可大于第三長度321_3。即，當(dāng)?shù)谝慌湎驅(qū)?20相距顯示區(qū)域aa更遠(yuǎn)時(shí)，第一配向?qū)?20可更厚。

第四長度321_4可大于第五長度321_5，并且第五長度321_5可大于第六長度321_6。即，當(dāng)?shù)谝慌湎驅(qū)?20更接近顯示區(qū)域aa的邊時(shí)，第一配向?qū)?20可更厚。

第七長度321_7、第八長度321_8以及第九長度321_9可全部相同。即，當(dāng)?shù)谝慌湎驅(qū)?20更接近顯示區(qū)域aa的中心時(shí)，第一配向?qū)?20的厚度可更均勻。第七長度321_7、第八長度321_8以及第九長度321_9中的每一個(gè)被示出為對(duì)應(yīng)于第一配向?qū)?20在從顯示區(qū)域aa的邊起的第二顯示像素px中的三個(gè)位置中的每一個(gè)位置處的厚度，但是本發(fā)明不限于此。即，第一配向?qū)?20可在從顯示區(qū)域aa的邊起的第二顯示像素px中的三個(gè)位置中的每一個(gè)位置處，不一定具有相同厚度。換言之，通常，第一配向?qū)?20的厚度對(duì)于鄰近于顯示區(qū)域aa的中心的顯示像素px可以是均勻的，并且對(duì)于鄰近于顯示區(qū)域aa的邊的顯示像素顯著地改變。

由于第一配向?qū)?20的厚度的區(qū)域差異，所以可最小化在顯示區(qū)域aa中會(huì)出現(xiàn)的顯示像素px的亮度的區(qū)域差異。

如將變得顯然的，液晶層400可布置在第一配向?qū)?20上。由于提供至像素電極310的電壓與提供至共用電極290的電壓之間的差而在液晶層400中生成電場，并且通過該電場重新配向液晶層400中的液晶分子。由于第一配向?qū)?20的厚度在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中比在顯示區(qū)域aa中更大，所以從像素電極310到液晶層400的距離以及從共用電極290到液晶層400的距離在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中會(huì)比在顯示區(qū)域aa中更大。

提供至第一虛擬區(qū)域da_1中的第一虛擬像素電極312的電壓和提供至第二虛擬區(qū)域da_2中的第二虛擬像素電極(未示出)的電壓可與提供至顯示區(qū)域aa中的顯示像素電極311的電壓相同，并且提供至第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中的共用電極290的電壓可與提供至顯示區(qū)域aa中的共用電極290的一部分的電壓相同。因此，由第一虛擬像素電極312、第二虛擬像素電極(未示出)與共用電極290生成的電場的強(qiáng)度可與由顯示像素電極311與共用電極290生成的電場的強(qiáng)度相同。然而，由于第一配向?qū)?20的厚度的區(qū)域差異，提供至液晶層400的電場的強(qiáng)度在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中實(shí)際上會(huì)比在顯示區(qū)域aa中更弱。這是因?yàn)椋?dāng)?shù)谝慌湎驅(qū)?20距像素電極310和共用電極290更遠(yuǎn)時(shí)，電場的強(qiáng)度變得更弱。

因此，如以上參考圖2和圖3討論的，即使當(dāng)液晶層400中的離子雜質(zhì)隨著時(shí)間在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中累積時(shí)，因?yàn)槭┘又恋谝惶摂M區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2的電場的強(qiáng)度較弱，離子雜質(zhì)在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中累積的程度會(huì)降低。因此，累積在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2以及顯示區(qū)域aa的鄰近于第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2的部分中的離子雜質(zhì)的量會(huì)被最小化，并且結(jié)果，顯示區(qū)域aa的亮度的區(qū)域差異會(huì)被最小化。

如上所述，第一配向?qū)?20在顯示像素px11上可比在顯示像素px12上更厚。因此，即使當(dāng)在液晶層400的與顯示像素px11重疊的部分中比在液晶層400的與顯示像素px12重疊的部分中累積更多的離子雜質(zhì)時(shí)，顯示像素px11與px12之間的亮度的差異也會(huì)被最小化，這是因?yàn)槭┘又烈壕?00的與顯示像素px11重疊的部分的電場的強(qiáng)度比施加至液晶層400的與顯示像素px12重疊的部分的電場的強(qiáng)度更弱。

在下文中將描述相對(duì)基板500。

相對(duì)基板500包括第二基底基板550。第二基底基板550可與第一基底基板210執(zhí)行相同的功能，并且可包括與第一基底基板210的材料相同的材料。第二基底基板550可面向第一基底基板210。第二基底基板550的面積可小于第一基底基板210的面積，并且因此，第二基底基板550可被第一基底基板210重疊。

如圖6和圖7所示，遮光構(gòu)件540布置在第二基底基板550上，例如，布置在第二基底基板550之下。遮光構(gòu)件540可與顯示像素px的晶體管tr、數(shù)據(jù)線d1至dm、柵極線g1至gn、第一虛擬像素dpx1以及第二虛擬像素dpx2重疊，并且因此可防止會(huì)由液晶層400中的液晶分子的未對(duì)齊所造成的漏光。

如圖6和圖7所示，濾色器530布置在遮光構(gòu)件540上，例如，布置在遮光構(gòu)件540之下。濾色器530允許在從第一基底基板210外部入射至其上的光束之中的預(yù)定波段的光的透射，并且阻擋入射光的其余部分的透射，由此使得向第二基底基板550的外部發(fā)射的光展現(xiàn)出預(yù)定顏色。

遮光構(gòu)件540和濾色器530不限于鄰近于第二基底基板550，而是可鄰近于第一基底基板210。在其中遮光構(gòu)件540和濾色器530鄰近于第一基底基板210的情況下，濾色器530可替代平坦化層280，但是本發(fā)明不限于此。即，濾色器530可布置在鈍化層270與平坦化層280之間，并且平坦化層280可使由濾色器530提供的任意高度差平坦化。

如圖6和圖7所示，保護(hù)層520可布置在遮光構(gòu)件540和濾色器530上，例如，布置在遮光構(gòu)件540和濾色器530之下。保護(hù)層520可降低由遮光構(gòu)件540和濾色器530提供的任意高度差，但是本發(fā)明不限于此?？刹辉O(shè)置保護(hù)層520。

如圖6和圖7所示，第二配向?qū)?10可布置在保護(hù)層520上，例如，布置在保護(hù)層520之下。如同第一配向?qū)?20，第二配向?qū)?10可使液晶層400中的液晶分子預(yù)傾斜。即，在其中電場尚未被施加至液晶層400的情況下，第二配向?qū)?10可將液晶層400中的液晶分子配向?yàn)閺钠渲胁贾糜械诙湎驅(qū)?10的平面指向預(yù)定方向，并且可將液晶層400中的液晶分子配向?yàn)橄鄬?duì)于與其中布置有第二配向?qū)?10的平面垂直的方向限定約0.5°到約3°的角度。

不同于第一配向?qū)?20，第二配向?qū)?10通常遍及顯示區(qū)域aa、第一虛擬區(qū)域da_1以及第二虛擬區(qū)域da_2可具有均勻厚度。在另一示例性實(shí)施方式中，可不設(shè)置第二配向?qū)?10。

在下文中將描述液晶層400。

液晶層400介于陣列基板200與相對(duì)基板500之間。液晶層400可包括具有介電各向異性的多個(gè)液晶分子。在示例性實(shí)施方式中，例如，液晶分子可以是在相對(duì)于陣列基板200和相對(duì)基板500的水平方向上，在陣列基板200與相對(duì)基板500之間配向的水平配向型的液晶分子。響應(yīng)于電場被施加在陣列基板200與相對(duì)基板500之間，液晶分子可在陣列基板200與相對(duì)基板500之間沿特定方向旋轉(zhuǎn)，并且因此可調(diào)整穿過其中透射的光的偏振的狀態(tài)。

已采用其中像素電極310布置在共用電極290上的情況作為實(shí)例描述了示例性實(shí)施方式，但是本發(fā)明不限于此。即，即使在其中共用電極290布置在像素電極310上的lcd設(shè)備中，也會(huì)出現(xiàn)亮度的區(qū)域差異并且可通過調(diào)整第一配向?qū)?20的厚度來最小化該亮度的區(qū)域差異。

另外，已采用其中共用電極290未被具體地圖案化并且像素電極310被圖案化的情況作為實(shí)例描述了示例性實(shí)施方式，但是本發(fā)明不限于此。即，即使在其中共用電極290和像素電極310都被圖案化的lcd設(shè)備，即，面內(nèi)轉(zhuǎn)換(“ips”)lcd設(shè)備中，也會(huì)出現(xiàn)亮度的區(qū)域差異并且可通過調(diào)整第一配向?qū)?20的厚度來最小化該亮度的區(qū)域差異。

另外，已采用使用水平配向型的液晶分子的水平配向型lcd設(shè)備作為實(shí)例描述了示例性實(shí)施方式，但是本發(fā)明不限于此。即，即使在其中液晶層400介于共用電極290與像素電極310之間，并且液晶層400中的液晶分子是在相對(duì)于陣列基板200和相對(duì)基板500的垂直方向上在陣列基板200與相對(duì)基板500之間配向的垂直配向型的液晶分子的垂直配向型的lcd設(shè)備中，也會(huì)出現(xiàn)亮度的區(qū)域差異并且可通過調(diào)整第一配向?qū)?20的厚度來最小化該亮度的區(qū)域差異。

在下文中，將參考圖8至圖12描述第一配向?qū)?20的形成。

圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的形成第一配向?qū)拥姆椒ǖ牧鞒虉D，圖9是用于說明如在圖8的方法中執(zhí)行的配向材料在陣列基板上的涂布的lcd設(shè)備的透視圖，圖10是用于說明如在圖8的方法中執(zhí)行的初步熱處理的執(zhí)行的lcd設(shè)備的透視圖，圖11是用于說明如在圖8的方法中執(zhí)行的紫外(“uv”)光的施加的lcd設(shè)備的透視圖，并且圖12是用于說明如在圖8的方法中執(zhí)行的熱處理的執(zhí)行的lcd設(shè)備的透視圖。

參考圖8，根據(jù)示例性實(shí)施方式的形成第一配向?qū)?20的方法包括：在陣列基板200上涂布配向材料(例如，聚合物材料或光配向材料)(s01)，以低溫對(duì)配向材料執(zhí)行初步熱處理(s02)，對(duì)配向材料施加uv光(s03)，以及以高溫對(duì)配向材料執(zhí)行熱處理(s04)。圖9至圖12的陣列基板200可以是以下陣列基板200，其中在圖6和圖7的陣列基板200的其他元件中，尚未設(shè)置第一配向?qū)?20。在下文中將詳細(xì)描述圖8的方法的操作s01至s04中的每一個(gè)。

參考圖9，在示例性實(shí)施方式中，例如環(huán)丁烷類光分解型材料、偶氮苯類光異構(gòu)化材料或者包括光異構(gòu)化材料或光聚合型材料的配向材料涂布在陣列基板200上。在示例性實(shí)施方式中，例如，配向材料可包括光異構(gòu)化型材料或光聚合型材料以及溶劑。

溶劑可以是有機(jī)溶劑。在示例性實(shí)施方式中，環(huán)戊醇、鹵素類溶劑(諸如1-氯丁烷、氯苯、1,1-二氯乙烷、1,2-二氯乙烷、氯仿或1,1,2,2-四氯乙烷)、醚類溶劑(諸如二乙醚、氧雜環(huán)戊烷或1,4-二氧六環(huán))、酮類溶劑(諸如甲乙酮(“mek”)、丙酮或環(huán)己酮)、醋酸酯類溶劑(諸如丙二醇單甲醚醋酸酯(“pgmea”))、酯類溶劑(諸如乙酸乙酯)、醋酸酯類溶劑(諸如γ-丁內(nèi)酯)、碳酸酯類溶劑(諸如碳酸亞乙酯或碳酸丙烯酯)、胺類溶劑(諸如三乙胺或吡啶)、腈類溶劑(諸如乙脲)、氨類溶劑(諸如n,n'-二甲基甲酰胺(“dmf”)、n,n'-二甲基乙酰胺(“dmac”)、四甲基脲或n-甲基吡咯烷酮(“nmp”))、硝基溶劑(諸如硝基甲烷或硝基苯)、硫基溶劑(諸如二甲亞砜(“dmso”)或環(huán)丁砜)、磷酸類溶劑(諸如六甲基磷酰胺氨或磷酸三丁酯)或者其任意組合物可被用作有機(jī)溶劑。

在示例性實(shí)施方式中，例如，可使用噴墨方法將配向材料涂布在陣列基板200上。噴墨方法是以下方法，通過該方法，通過以預(yù)定量為單位將配向材料經(jīng)由噴嘴噴射在陣列基板200上以使噴射的配向材料的液滴在所有方向上鋪展在陣列基板200上，而將配向材料涂布在陣列基板200上。

為了形成第一配向?qū)?20在顯示區(qū)域aa與第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2之間的厚度的差，噴射在第一虛擬區(qū)域da_1或第二虛擬區(qū)域da_2上的配向材料611的量可大于噴射在顯示區(qū)域aa上的配向材料612的量。即使當(dāng)噴射的配向材料的液滴全部鋪展在陣列基板200上時(shí)，因?yàn)榕湎虿牧暇哂姓承?，所以噴射在第一虛擬區(qū)域da_1或第二虛擬區(qū)域da_2上的配向材料611的厚度會(huì)大于噴射在顯示區(qū)域aa上的配向材料612的厚度。

然而，本發(fā)明不限于此。即，即使當(dāng)通過單個(gè)噴嘴噴射配向材料所依據(jù)的量對(duì)于顯示區(qū)域aa與第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2兩者相同時(shí)，也可通過以相對(duì)短的時(shí)間段的間隔在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2上噴射配向材料并且以相對(duì)長的時(shí)間段的間隔在顯示區(qū)域aa上噴射配向材料，來在顯示區(qū)域aa與第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2之間設(shè)置配向材料的厚度的差。

在示例性實(shí)施方式中，為了使配向材料具有適當(dāng)粘性，例如，配向材料中的光異構(gòu)化材料或光聚合材料的含量可為約5.0wt％至約7.0wt％，并且更具體地，約6.0wt％。

此后，參考圖10，配向材料經(jīng)受使用第一熱源630的初步熱處理過程。結(jié)果，溶劑可從配向材料中消除，并且會(huì)設(shè)置聚合物層620。在示例性實(shí)施方式中，初步熱處理過程可以以約70℃到約80℃的溫度執(zhí)行約60秒到約80秒，但是本發(fā)明不限于此。

此后，參考圖11，可通過向陣列基板200上的聚合物層620的一個(gè)表面或兩個(gè)表面施加偏振uv光來設(shè)置第一配向?qū)?20(參考圖6)。在示例性實(shí)施方式中，例如，具有約240納米至約380納米的波長的uv光可用作偏振uv光。在示例性實(shí)施方式中，具有約254納米的波長的uv光可用作偏振uv光。

然而，本發(fā)明不限于通過uv光的施加來形成配向?qū)?20。即，可通過利用具有足夠粗糙度的材料研磨陣列基板200上的聚合物層620以在聚合物層620上限定凹槽來設(shè)置第一配向?qū)?20。

此后，參考圖12，可通過使用第二熱源640對(duì)第一配向?qū)?20執(zhí)行另一熱處理過程來改進(jìn)第一配向?qū)?20的取向以便重新定向第一配向?qū)?20的整個(gè)聚合物。在示例性實(shí)施方式中，例如，第二熱源640可具有高于第一熱源630的溫度，例如約300℃的溫度。

圖13是沿著圖5的線ii-ii’、iii-iii’和iv-iv’截取的根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的截面圖。

在先前示例性實(shí)施方式與圖13所示的示例性實(shí)施方式中，相同參考標(biāo)號(hào)表示相同元件，并且因此，將省略或簡化其描述。

參考圖13，根據(jù)示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備與圖7的lcd設(shè)備的不同在于像素絕緣層700的結(jié)構(gòu)。

圖7的lcd設(shè)備的像素絕緣層300遍及顯示區(qū)域aa以及第一虛擬區(qū)域da_1(參考圖2)和第二虛擬區(qū)域da_2(參考圖2)具有均勻厚度，但是根據(jù)圖13的示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的像素絕緣層700在顯示區(qū)域aa與第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2的部分中具有不同厚度。像素絕緣層700在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中的平均厚度可比在顯示區(qū)域aa中的平均厚度更大。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的像素絕緣層700包括第一子像素絕緣層701和第二子像素絕緣層702。第一子像素絕緣層701可設(shè)置在所有的第一虛擬區(qū)域da_1、第二虛擬區(qū)域da_2和顯示區(qū)域aa中，但是第二子像素絕緣層702可僅設(shè)置在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中。第一子像素絕緣層701可具有對(duì)應(yīng)于第十長度711的厚度，并且第二子像素絕緣層702可具有對(duì)應(yīng)于第十一長度712的厚度。第十長度711可與第十一長度712相同或者可與第十一長度712不同。

更具體地，參考圖13，圖13示出多個(gè)第一虛擬像素dpx(參考圖2)的陣列的第一行和第一列中的第一虛擬像素dpx1_11(參考圖3)的截面、多個(gè)顯示像素px(參考圖2)的陣列的第一行和第一列中的顯示像素px11(參考圖3)的截面以及顯示像素px的陣列的第一顯示像素行和第二顯示像素列中的顯示像素px12(參考圖3)的截面，第一子像素絕緣層701和第二子像素絕緣層702可都布置在第一虛擬像素dpx1_11中，并且僅第一子像素絕緣層701可布置在顯示像素px11和px12中。

即，在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中，第一子像素絕緣層701布置在共用電極290上，第二子像素絕緣層702布置在第一子像素絕緣層701上，并且像素電極310布置在第二子像素絕緣層702上。在顯示區(qū)域aa中，第一子像素絕緣層701布置在共用電極290上，并且像素電極310布置在第一子像素絕緣層701上。

因此，共用電極290和像素電極310在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中間隔開多達(dá)與第一子像素絕緣層701的厚度對(duì)應(yīng)的第十長度711和與第二子像素絕緣層702的厚度對(duì)應(yīng)的第十一長度712的總和，但是在顯示區(qū)域aa中間隔開多達(dá)與第一子像素絕緣層701的厚度對(duì)應(yīng)的第十長度711。

提供至第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中的像素電極310的電壓可與提供至顯示區(qū)域aa中的像素電極310的電壓相同，并且提供至第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中的共用電極290的電壓可與提供至顯示區(qū)域aa中的共用電極290的電壓相同。由于像素電極310與共用電極290在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中間隔的距離比像素電極310與共用電極290在顯示區(qū)域aa中間隔的距離大了第十一長度712，所以通過第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中的像素電極310和共用電極290生成的電場的強(qiáng)度會(huì)弱于通過顯示區(qū)域aa中的像素電極310和共用電極290生成的電場的強(qiáng)度。因此，在液晶層400中生成的電場在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中會(huì)弱于在顯示區(qū)域aa中。

由于像素絕緣層700的厚度的區(qū)域差異，在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2中的液晶層400的部分中可比在顯示區(qū)域aa中的液晶層400的部分中生成更弱的電場。

因此，如以上關(guān)于先前示例性實(shí)施方式描述的，累積在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2以及顯示區(qū)域aa的鄰近于第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2的部分中的離子雜質(zhì)的量會(huì)被最小化，并且結(jié)果，顯示區(qū)域aa的亮度的區(qū)域差異會(huì)被最小化。

在示例性實(shí)施方式中，例如，第一子像素絕緣層701和第二子像素絕緣層702可包括諸如氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)的無機(jī)絕緣材料。

在示例性實(shí)施方式的可替換示例性實(shí)施方式中，第一配向?qū)?20可從一個(gè)區(qū)域到另一個(gè)區(qū)域具有變化的厚度，如圖5所示，并且像素絕緣層700可包括第一子像素絕緣層701和第二子像素絕緣層702。在該可替換示例性實(shí)施方式中，顯示區(qū)域aa的亮度的區(qū)域差異會(huì)被進(jìn)一步最小化。

在下文中將參考圖14至圖18描述第二子像素絕緣層702的形成。

圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的形成第二子像素絕緣層的方法的流程圖，圖15是用于說明如在圖14的方法中執(zhí)行的無機(jī)絕緣材料在陣列基板上的沉積的lcd設(shè)備的截面圖，圖16是用于說明如在圖14的方法中執(zhí)行的曝光的執(zhí)行的lcd設(shè)備的截面圖，圖17是從如在圖14的方法中執(zhí)行的蝕刻處理獲得的lcd設(shè)備的截面圖，并且圖18是從如在圖14的方法中執(zhí)行的第二子像素絕緣層的形成獲得的lcd設(shè)備的截面圖。

參考圖14，根據(jù)示例性實(shí)施方式的形成第二子像素絕緣層702的方法包括：在陣列基板200上涂布無機(jī)絕緣材料(s11)，在無機(jī)絕緣材料上涂布感光材料(s12)，使用掩膜707向感光材料的一部分施加uv光(s13)，執(zhí)行顯影處理以移除感光材料的一部分(s14)，蝕刻并由此移除無機(jī)絕緣材料的暴露部分(s15)，以及移除感光材料的其余部分(s16)。圖14至圖18的陣列基板200可以是以下陣列基板200：第一子像素絕緣層701布置在陣列基板200上，并且第一子像素絕緣層701可以與圖6和圖7的先前示例性實(shí)施方式中的像素絕緣層300以相同的形狀和相同的方式設(shè)置。在下文中將詳細(xì)描述圖14的方法中操作s11至s16中的每一個(gè)。

參考圖15，通過在其上布置有第一子像素絕緣層701的陣列基板200(參考圖6)上沉積諸如氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)的無機(jī)絕緣材料來設(shè)置無機(jī)絕緣層703。

此后，參考圖16，使用感光材料將感光材料層706布置在無機(jī)絕緣層703上。感光材料層706可包括第一區(qū)域704和第二區(qū)域705，并且可在利用uv光照射時(shí)被固化。感光材料層706的固化部分可在顯影處理之后保留而未移除，并且因此可保護(hù)設(shè)置在其下的無機(jī)絕緣材料。

第一區(qū)域704可以是感光材料層706的將要利用uv光照射的一部分的區(qū)域，并且第二區(qū)域705可以是感光材料層706的將不用uv光照射的一部分的區(qū)域。

在感光材料層706的形成之后，uv光施加至其中將要形成第二子像素絕緣層702的區(qū)域。其中將要形成第二子像素絕緣層702的區(qū)域可對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域704。掩膜707可與除了其中將要形成第二子像素絕緣層702的區(qū)域之外的整個(gè)陣列基板200重疊，并且第二區(qū)域705可對(duì)應(yīng)于除了其中將要形成第二子像素絕緣層702的區(qū)域之外的整個(gè)陣列基板200。由于掩膜707的這種形狀，uv光可僅被施加至第一區(qū)域704。

在示例性實(shí)施方式中，保留感光材料層706的利用uv光照射的一部分，但是本發(fā)明不限于此。即，在另一示例性實(shí)施方式中，感光材料層706的未利用uv光照射的一部分可被移除，在這種情況下，掩膜707可與其中將不設(shè)置第二子像素絕緣層702的區(qū)域重疊。

此后，參考圖17，可執(zhí)行顯影處理以移除感光材料層706在第二區(qū)域705中的一部分。此后，可執(zhí)行蝕刻處理以移除無機(jī)絕緣層703的與第二區(qū)域705重疊的一部分。

第二子像素絕緣層702布置在第一子像素絕緣層701上，并且第一子像素絕緣層701和第二子像素絕緣層702可包括具有相似化學(xué)性能的無機(jī)絕緣材料。因此，在移除無機(jī)絕緣層703的與第二區(qū)域705重疊的一部分期間，第一子像素絕緣層701可被部分移除。為了最小化這種對(duì)第一子像素絕緣層701的損壞，第一子像素絕緣層701和第二子像素絕緣層702可包括具有不同蝕刻選擇性的無機(jī)絕緣材料。

此后，參考圖18，通過從第一區(qū)域704移除感光材料層706，第二子像素絕緣層702可以以期望形狀設(shè)置在第一子像素絕緣層701上。

圖19是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備的圖2的區(qū)域a中的像素的平面圖，并且圖20是沿著圖19的線v-v’、vi-vi’以及vii-vii’截取的截面圖。

在圖19所示的示例性實(shí)施方式與先前示例性實(shí)施方式中，相同參考標(biāo)號(hào)表示相同元件，并且因此，將省略或簡化其描述。

參考圖19和圖20，根據(jù)示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備與圖5的lcd設(shè)備的不同在于像素電極810的結(jié)構(gòu)中。

更具體地，在圖5的lcd設(shè)備中，顯示像素電極311、第一虛擬像素電極312以及第二虛擬像素電極(未示出)全部成相同形狀，但是在根據(jù)示例性實(shí)施方式的lcd設(shè)備中，顯示像素電極811、第一虛擬像素電極812以及第二虛擬像素電極(未示出)具有彼此不同的形狀。

更具體地，多個(gè)第一虛擬像素dpx(參考圖2)的陣列的第一行和第一列中的第一虛擬像素dpx1_11(參考圖3)中的第一虛擬像素電極812的第一虛擬分支電極812_1的橫向長度可與第一寬度821相同，并且第一虛擬像素dpx1_11中的第一虛擬像素電極812的第一虛擬狹縫812_3的橫向長度可與第二寬度822相同。多個(gè)顯示像素px的陣列的第一行和第一列中的顯示像素px11(參考圖3)中的顯示像素電極811的顯示分支電極811_1的橫向長度可具有第三寬度831，并且顯示像素px11中的顯示像素電極811的顯示狹縫811_3的橫向長度可與第四寬度832相同。如本文使用的術(shù)語“橫向長度”可表示第一虛擬分支電極812_1、顯示分支電極811_1、第一虛擬狹縫812_3或顯示狹縫811_3的沿第一方向dr1的寬度。

第一寬度821可小于第三寬度831，并且第二寬度822可大于第四寬度832。然而，即使在這種情況下，第一虛擬像素dpx1_11中的第一虛擬像素電極812的沿第一方向dr1的寬度也可與顯示像素px11或顯示像素px的陣列的第一行和第二列中的顯示像素px12中的顯示像素電極811的沿第一方向dr1的寬度相同。

在液晶層400中生成的電場的強(qiáng)度在第一虛擬像素dpx1_11的區(qū)域中會(huì)比在顯示像素px11的區(qū)域中更弱。

更具體地，施加至第一虛擬像素dpx1_11中的第一虛擬像素電極812的電壓可與施加至顯示像素px11中的顯示像素電極811的電壓相同，并且施加至第一虛擬像素dpx1_11的區(qū)域中的共用電極290的電壓可與施加至顯示像素px11的區(qū)域中的共用電極290的電壓相同。因此，通過第一虛擬像素dpx1_11的第一虛擬像素電極812生成的電場的強(qiáng)度可與通過顯示像素px11的顯示像素電極811生成的電場的強(qiáng)度相同。然而，由于第一虛擬像素dpx1_11的第一虛擬像素電極812的第一虛擬狹縫812_3的沿第一方向dr1的寬度大于顯示像素px11的顯示像素電極811的顯示狹縫811_3的沿第一方向dr1的寬度，所以第一虛擬像素dpx1_11的第一虛擬狹縫812_3中的每一個(gè)的中心與第一虛擬像素dpx1_11的對(duì)應(yīng)相鄰第一虛擬分支電極812_1間隔的距離會(huì)大于顯示像素px11的顯示狹縫811_3中的每一個(gè)的中心與顯示像素px11的對(duì)應(yīng)相鄰顯示分支電極811_1間隔的距離。因此，在液晶層400的與第一虛擬像素dpx1_11的第一虛擬狹縫812_3中的每一個(gè)的中心重疊的部分中生成的電場的強(qiáng)度會(huì)比在液晶層400的與顯示像素px11的顯示狹縫811_3中的每一個(gè)的中心重疊的部分中生成的電場的強(qiáng)度更弱。因此，在液晶層400的在第一虛擬像素dpx1_11的區(qū)域中的一部分中會(huì)比在液晶層400的在顯示像素px11的區(qū)域中的一部分中生成更弱的電場。

因此，如以上關(guān)于先前示例性實(shí)施方式描述的，累積在第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2(參考圖2)以及顯示區(qū)域aa的鄰近于第一虛擬區(qū)域da_1和第二虛擬區(qū)域da_2的部分中的離子雜質(zhì)的量會(huì)被最小化，并且結(jié)果，顯示區(qū)域aa的亮度的區(qū)域差異會(huì)被最小化。

可通過經(jīng)由圖案化改變用來形成像素電極810的掩膜707的圖案來設(shè)置像素電極810的上述結(jié)構(gòu)。

在示例性實(shí)施方式的可替代示例性實(shí)施方式中，第一配向?qū)?20可從一個(gè)區(qū)域到另一個(gè)區(qū)域具有變化的厚度，如圖5所示，像素絕緣層700可包括第一子像素絕緣層701和第二子像素絕緣層702，并且像素電極810的結(jié)構(gòu)可從一個(gè)區(qū)域到另一個(gè)進(jìn)行變化。在該可替代示例性實(shí)施方式中，顯示區(qū)域aa的亮度的區(qū)域差異可被進(jìn)一步最小化。

已參考附圖描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的是，在實(shí)質(zhì)上不偏離本發(fā)明的原理的情況下，可對(duì)所公開的實(shí)施方式進(jìn)行許多變型和改變。因此，所公開的本發(fā)明的實(shí)施方式僅以一般和描述性的意義使用，并且不用于限制的目的。