本發(fā)明涉及顯示面板設(shè)計(jì)
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種顯示面板。
背景技術(shù)：
：一般為了防止液晶老化，TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器)在實(shí)際工作時(shí)，像素電壓的極性是周期性變化的，但同時(shí)也使得正負(fù)極性的像素電壓絕對(duì)值并不會(huì)是完全對(duì)稱，由此每幀畫面的亮度會(huì)有周期變化，反應(yīng)在視覺上就是閃爍。閃爍均一性，是面板整體閃爍狀況的一個(gè)衡量指標(biāo)，對(duì)面板的品質(zhì)有很大的影響。影響面板閃爍均一性的因素有很多，主要有饋通電壓均勻性、面板驅(qū)動(dòng)方式、耦合電容、漏電流以及公共電極電壓等，而饋通電壓均勻性是很重要的一個(gè)因素。圖1是現(xiàn)有的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。參照?qǐng)D1，現(xiàn)有的顯示面板包括顯示區(qū)域和該顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，非顯示區(qū)域包括陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元。100處是該顯示面板中柵極輸入端走線的設(shè)計(jì)方案，在該設(shè)計(jì)方案中，柵極輸入端沒有任何阻容單元，陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元輸出的柵極信號(hào)直接通過(guò)柵極走線與顯示區(qū)域的柵極輸入端電性連接。采用該設(shè)計(jì)方案，顯示區(qū)域的柵極信號(hào)延遲情況以及饋通電壓情況具體參見圖2。圖2是現(xiàn)有的顯示面板中在顯示區(qū)域的柵極信號(hào)延遲以及饋通電壓分布示意圖。為了便于描述，將顯示區(qū)域的柵極走線分為：柵極近端、柵極中端和柵極遠(yuǎn)端。參照?qǐng)D2，上半部分表示在顯示區(qū)域柵極近端、柵極中端以及柵極遠(yuǎn)端的柵極信號(hào)的延遲情況，下半部分表示在顯示區(qū)域柵極近端、柵極中端以及柵極遠(yuǎn)端的饋通電壓分布情況(ΔVa，ΔVb，ΔVc)。Vgh為打開TFT的電壓，Vpixel為像素電壓。由于該顯示面板在柵極輸入端沒有任何阻容單元，所以柵極近端的信號(hào)基本沒有延遲，相應(yīng)的其饋通電壓(ΔVa)較大；而柵極中端和柵極遠(yuǎn)端的柵極信號(hào)會(huì)出現(xiàn)延遲，相應(yīng)的其饋通電壓(ΔVb和ΔVc)較小。因此，采用該顯示面板中柵極輸入端走線的設(shè)計(jì)方案，會(huì)在顯示區(qū)域由于柵極電壓延遲而導(dǎo)致饋通電壓均一性較差，即ΔVa，ΔVb，ΔVc相差較大，從而造成顯示面板的閃爍均一性較差，進(jìn)而影響顯示面板的品質(zhì)?，F(xiàn)有技術(shù)的不足在于：柵極信號(hào)在進(jìn)入顯示區(qū)域之前基本沒有延遲，導(dǎo)致顯示面板的閃爍均一性較差。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：針對(duì)上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種顯示面板，其包括顯示區(qū)域和所述顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括彼此一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元和多個(gè)阻容單元，其中：各所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元的輸出端通過(guò)相應(yīng)的所述阻容單元與所述顯示區(qū)域中的相應(yīng)的柵極輸入端電性連接，以使各所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元輸出的柵極信號(hào)在進(jìn)入所述顯示區(qū)域前有時(shí)間上的延遲。在一個(gè)實(shí)施例中，所述阻容單元為以下任一電路元件：繞線電阻、多晶硅電阻和電容。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所述阻容單元為繞線電阻時(shí)，所述繞線電阻位于所述顯示面板的第一金屬層，所述繞線電阻的一端與相應(yīng)的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元的輸出端電性連接，所述繞線電阻的另一端與相應(yīng)的柵極輸入端電性連接。在一個(gè)實(shí)施例中，所述繞線電阻的材料與所述顯示面板的第一金屬層的材料相同。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所述阻容單元為繞線電阻時(shí)，所述繞線電阻的走線結(jié)構(gòu)為折線結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述折線結(jié)構(gòu)為連續(xù)的U型折線結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所述阻容單元為多晶硅電阻時(shí)，所述多晶硅電阻位于所述顯示面板的有源層，所述多晶硅電阻的一端通過(guò)第一過(guò)孔與相應(yīng)的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元的輸出端電性連接，所述多晶硅電阻的另一端通過(guò)過(guò)第二孔與相應(yīng)的柵極輸入端電性連接。在一個(gè)實(shí)施例中，所述非顯示區(qū)域還包括公共電極，當(dāng)所述阻容單元為電容時(shí)，所述電容的一個(gè)電極由所述公共電極構(gòu)成，所述電容的另一個(gè)電極位于所述顯示面板的第一金屬層。在一個(gè)實(shí)施例中，所述電容中位于第一金屬層的另一個(gè)電極的材料與所述顯示面板的第一金屬層的材料相同。在一個(gè)實(shí)施例中，所述電容中位于第一金屬層的另一個(gè)電極的形狀為方塊狀。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以具有如下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明提供的顯示面板在柵極輸入端增加了阻容單元，所以柵極信號(hào)在進(jìn)入顯示區(qū)域之前就存在一個(gè)適度的延遲，可以提高饋通電壓的均一性，從而改善顯示面板的閃爍均一性。本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書中變得顯而易見，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。附圖說(shuō)明附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的顯示面板中在顯示區(qū)域的柵極信號(hào)延遲以及饋通電壓分布示意圖；圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例中的顯示面板中在顯示區(qū)域的柵極信號(hào)延遲以及饋通電壓分布示意圖；圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施例中的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明的第二實(shí)施例中的顯示面板的各膜層剖面示意圖；圖6是本發(fā)明的第三實(shí)施例中的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明的第四實(shí)施例中的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明。由于該顯示面板在柵極輸入端沒有任何阻容單元，所以柵極近端的信號(hào)基本沒有延遲，相應(yīng)的其饋通電壓(ΔVa)較大；而柵極中端和柵極遠(yuǎn)端的柵極信號(hào)會(huì)出現(xiàn)延遲，相應(yīng)的其饋通電壓(ΔVb和ΔVc)較小。因此，采用該顯示面板中柵極輸入端走線的設(shè)計(jì)方案，會(huì)在AA區(qū)由于Gate電壓延遲而導(dǎo)致饋通電壓均一性較差，即ΔVa，ΔVb，ΔVc相差較大，從而造成顯示面板的閃爍均一性較差，進(jìn)而影響顯示面板的品質(zhì)。第一實(shí)施例本發(fā)明的第一實(shí)施例中一種顯示面板，其包括顯示區(qū)域和所述顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括彼此一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元和多個(gè)阻容單元，其中：各所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元的輸出端通過(guò)相應(yīng)的所述阻容單元與所述顯示區(qū)域中的相應(yīng)的柵極輸入端電性連接，以使各所述陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元輸出的柵極信號(hào)在進(jìn)入所述顯示區(qū)域前有時(shí)間上的延遲。優(yōu)選的，所述阻容單元為以下任一電路元件：繞線電阻、多晶硅電阻和電容。需要說(shuō)明的是，也可以用其他電路元件作為阻容單元，事實(shí)上，只要能夠使柵極信號(hào)在進(jìn)入顯示區(qū)域前有時(shí)間上的延遲的電路元件都可以實(shí)施，繞線電阻、多晶硅電阻和電容僅用于教導(dǎo)本領(lǐng)域技術(shù)人員具體如何實(shí)施本發(fā)明，但不意味僅能使用這三種電路元件，具體采用何種電路元件，實(shí)施過(guò)程中可以結(jié)合實(shí)踐需要來(lái)確定。相較于現(xiàn)有的顯示面板，本實(shí)施例中的顯示面板的柵極輸入端走線的設(shè)計(jì)方案中，柵極輸入端增加了阻容單元，當(dāng)阻容單元為繞線電阻、多晶硅電阻和電容中任一電路元件時(shí)，顯示區(qū)域的柵極信號(hào)延遲情況以及饋通電壓情況具體參見圖3。圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例中的顯示面板中在顯示區(qū)域的柵極信號(hào)延遲以及饋通電壓分布示意圖。參照?qǐng)D3，上半部分表示在顯示區(qū)域柵極近端、柵極中端以及柵極遠(yuǎn)端的柵極信號(hào)的延遲情況，下半部分表示在顯示區(qū)域柵極近端、柵極中端以及柵極遠(yuǎn)端的饋通電壓分布情況(ΔVa，ΔVb，ΔVc)。由于該顯示面板在柵極輸入端增加了阻容單元，所以柵極信號(hào)在進(jìn)入顯示區(qū)域之前就存在一個(gè)適度的延遲，使得柵極近端、柵極中端和柵極遠(yuǎn)端的柵極信號(hào)都會(huì)存在一定的延遲，參見圖3上半部分。這樣，在顯示區(qū)域柵極近端、柵極中端和柵極遠(yuǎn)端的饋通電壓均一性較好，即ΔVa，ΔVb，ΔVc相差較小，參見圖3下半部分，進(jìn)而改善顯示面板的閃爍均一性，提高面板的品質(zhì)。本實(shí)施例提供的顯示面板可有效改善現(xiàn)有的手機(jī)、顯示器以及電視的顯示面板閃爍現(xiàn)象，還可涵蓋LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶顯示器)、OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有機(jī)發(fā)光二極管)行業(yè)的改善面板閃爍均一性的技術(shù)。第二實(shí)施例圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施例中的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。參照?qǐng)D4，本實(shí)施例中的顯示面板的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例相同，200處是該顯示面板中柵極輸入端走線的設(shè)計(jì)方案，所述阻容單元為繞線電阻，所述繞線電阻位于所述顯示面板的第一金屬層M1，所述繞線電阻的一端與相應(yīng)的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元的輸出端電性連接，所述繞線電阻的另一端與相應(yīng)的柵極輸入端電性連接。圖5為本發(fā)明的第二實(shí)施例中的顯示面板的各膜層剖面示意圖。參照?qǐng)D5，以底柵方式TFT-LCD為例，第一金屬層M1為制作柵極GE走線的金屬層，第二金屬層M2為制作源極漏極SD走線的金屬層，M3為第三金屬層。將繞線電阻設(shè)置在第一金屬層，由于存在繞線電阻，使得柵極信號(hào)在進(jìn)入顯示區(qū)域之前就存在一個(gè)適度的延遲。表1為本發(fā)明的第二實(shí)施例中的顯示面板的各膜層的中英釋義表，具體如下所示：表1ITO_TOP頂層銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜PV(SiNx)鈍化層M3第三金屬層ITO_COM由銦錫氧化物半導(dǎo)體制成的公共電極PL有機(jī)平坦化層SD源極漏極ILD絕緣層GE柵極GI(SiOx+SiNx)柵極絕緣層Poly-Si多晶硅SiO2二氧化硅絕緣層SiNx氮硅化合物A_Si/Mo非晶硅/鉬Glass玻璃基板NMOSN型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管PMOSP型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管優(yōu)選的，所述繞線電阻的材料與所述顯示面板的第一金屬層的材料相同。具體的，繞線電阻設(shè)置在第一金屬層，也是采用這種金屬材料制成的。優(yōu)選的，當(dāng)所述阻容單元為繞線電阻時(shí)，所述繞線電阻的走線結(jié)構(gòu)為折線結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述折線結(jié)構(gòu)為連續(xù)的U型折線結(jié)構(gòu)。具體的，繞線電阻的走線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為折線結(jié)構(gòu)，是為了節(jié)省空間。折線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為連續(xù)的U型折線結(jié)構(gòu)，但不僅限于這一種折線結(jié)構(gòu)，可根據(jù)具體實(shí)施情況而定。第三實(shí)施例圖6是本發(fā)明的第三實(shí)施例中的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。參照?qǐng)D6，本實(shí)施例中的顯示面板的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例相同，300處是該顯示面板中柵極輸入端走線的設(shè)計(jì)方案，所述阻容單元為多晶硅電阻(Poly電阻)，所述多晶硅電阻位于所述顯示面板的有源層，所述多晶硅電阻的一端通過(guò)第一過(guò)孔與相應(yīng)的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路單元的輸出端電性連接，所述多晶硅電阻的另一端通過(guò)第二過(guò)孔與相應(yīng)的柵極輸入端電性連接。參照?qǐng)D5，以底柵方式TFTLCD為例，Poly-Si層為有源層，將多晶硅電阻設(shè)置在這一層，由于存在多晶硅電阻，使得柵極信號(hào)在進(jìn)入顯示區(qū)域之前就存在一個(gè)適度的延遲。有源層與第一金屬層不在同一膜層上，需要通過(guò)過(guò)孔將多晶硅電阻連接到第一金屬層。多晶硅的電阻率很小，可以通過(guò)調(diào)整摻雜程度而改變電阻率，達(dá)到與第二實(shí)施例中繞線電阻相同的結(jié)果。第四實(shí)施例圖7是本發(fā)明的第四實(shí)施例中的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。參照?qǐng)D7，本實(shí)施例中的顯示面板的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例相同，400處是該顯示面板中柵極輸入端走線的設(shè)計(jì)方案，所述非顯示區(qū)域還包括公共電極(COM電極)，當(dāng)所述阻容單元為電容時(shí)，所述電容的一個(gè)電極由所述公共電極構(gòu)成，所述電容的另一個(gè)電極位于所述顯示面板的第一金屬層。參照?qǐng)D5，以底柵方式TFTLCD為例，第一金屬層M1為制作柵極GE走線的金屬層，第二金屬層M2為制作源極漏極SD走線的金屬層，M3為第三金屬層。電容的一個(gè)電極由公共電極構(gòu)成，電容的另一個(gè)電極設(shè)置在第一金屬層，并設(shè)置在公共電極的正下方。如果顯示面板為頂柵結(jié)構(gòu)，則將電容的另一個(gè)電極設(shè)置在公共電極的正上方。由于存在設(shè)置在第一金屬層的電極和公共電極形成的電容，使得柵極信號(hào)在進(jìn)入顯示區(qū)域之前就存在一個(gè)適度的延遲。優(yōu)選的，所述電容中位于第一金屬層的另一個(gè)電極的材料與所述顯示面板的第一金屬層的材料相同。具體的，電容中位于第一金屬層的另一個(gè)電極設(shè)置在第一金屬層，也是采用這種金屬材料制成的。優(yōu)選的，所述電容中位于第一金屬層的另一個(gè)電極的形狀為方塊狀。具體的，電容中位于第一金屬層的另一個(gè)電極的形狀一般采用方塊狀。由此可知，采用本發(fā)明提供的顯示面板，可以提高饋通電壓的均一性，從而改善顯示面板的閃爍均一性。綜上所述，本實(shí)施例的顯示面板，在液晶顯示面板設(shè)計(jì)中具有實(shí)際的指導(dǎo)意義。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施案例，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)的技術(shù)人員在本發(fā)明所述的技術(shù)規(guī)范內(nèi)，對(duì)本發(fā)明的修改或替換，都應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3