本發(fā)明涉及顯示裝置及電子設備。

背景技術：

具有電荷的粒子在分散劑中移動的電泳顯示裝置得到廣泛應用。由于電泳顯示裝置的畫面閃爍較少，用作閱覽電子書籍的顯示裝置等。在專利文獻1中公開了該電泳顯示裝置。根據(jù)其可知，電泳顯示裝置具備設置有電極的一對基板。而且，設置有鋪滿膠囊的電泳片，該膠囊內(nèi)置有電極間包含白色帶電粒子及黑色帶電粒子的分散劑?；逯g夾設的電泳片通過粘接膜固定于基板。

在膠囊內(nèi)，白色帶電粒子帶(-)電，黑色帶電粒子帶(+)電。然后，通過向設置在相對的基板的電極施加電壓，一電極吸引黑色帶電粒子，另一電極吸引白色帶電粒子。接著，通過更換電極的電壓，黑色帶電粒子和白色帶電粒子的位置交換。

在基板一側設置像素電極，像素電極成為一個像素。然后，通過按照每個像素控制黑色帶電粒子及白色帶電粒子的位置，能夠顯示預定的圖形。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-204376號公報

技術實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術問題

將電泳動片設置在基板上時，借助粘接膜粘接。此時，存在基板和粘接膜之間進入空氣成為氣泡的情況。而且，觀察顯示圖案時能看到氣泡，因此，干擾觀看顯示圖案。因此，期待在基板和粘接膜之間難以存在氣泡的顯示裝置。

解決技術問題的技術手段

本發(fā)明是為了解決上述技術問題而完成的，可以通過以下方式或適用例來實現(xiàn)。

[適用例1]

本適用例提供一種顯示裝置，其特征在于，具備：基板；第一像素電極及第二像素電極，設置在所述基板上；粘接膜，設置在所述第一像素電極及所述第二像素電極上；以及通道，位于所述第一像素電極和所述第二像素電極之間，并向所述粘接膜的外周開口而供氣體通過。

根據(jù)本適用例，顯示裝置具備基板，在基板上設置有第一像素電極及第二像素電極。而且，在第一像素電極及第二像素電極上設置有粘接膜。并且，在第一像素電極和第二像素電極之間設置有向粘接膜的外周開口而供氣體通過的通道。

在顯示裝置中設置有粘接膜。通過重疊于粘接膜設置相應于電壓而顯示顏色變化的部件，顯示裝置能夠電控制顯示圖案。當在基板上設置粘接膜時，存在基板和粘接膜之間殘留氣泡的情況。此時，由于光在粘接膜和氣泡之間反射，難以看到顯示圖案。本顯示裝置在第一像素電極和第二像素電極之間具有通道，通道向基板的外周開口。因此，當基板和粘接膜之間殘留氣泡時，通過向氣泡施加壓力，能夠使氣泡內(nèi)的氣體通過通道，向基板的外周移動。其結果，能夠得到在第一像素電極及第二像素電極與粘接膜之間難以存在氣泡的顯示裝置。

[適用例2]

在上述適用例的顯示裝置中，其特征在于，所述顯示裝置具備沿著所述通道設置的凸部。

根據(jù)本適用例，凸部設置在基板和粘接膜之間，沿著通道設置凸部。凸部在基板和粘接膜之間形成空間，連接該空間成為通道。而且，當向基板的厚度方向按壓顯示裝置時，凸部抑制空間被擠壓。因此，當向基板的厚度方向按壓顯示裝置時，能夠維持通道。

[適用例3]

在上述適用例的顯示裝置中，其特征在于，所述凸部在所述基板的厚度方向上的高度等于或低于所述第一像素電極及所述第二像素電極的高度。

根據(jù)本適用例，凸部的高度設置為等于或低于第一像素電極及第二像素電極的高度。當凸部的高度高于第一像素電極及第二像素電極的高度時，第一像素電極或第二像素電極可能與粘接膜分離。此時，由于第一像素電極或第二像素電極與黏著膜之間形成氣泡，難以看到顯示圖案。在本顯示裝置中，由于凸部的高度低于第一像素電極及第二像素電極的高度，能夠抑制第一像素電極或第二像素電極與粘接膜分離。其結果，能夠抑制在第一像素電極或第二像素電極與粘接膜之間形成氣泡。

[適用例4]

在上述適用例的顯示裝置中，其特征在于，所述第一像素電極及所述第二像素電極具備基礎凸部以及位于所述基礎凸部上的導電膜，所述凸部和所述基礎凸部從所述基板的高度相同。

根據(jù)本適用例，第一像素電極及第二像素電極具備基礎凸部，在基礎凸部上設置有導電膜。而且，凸部和基礎凸部從基板的高度相同。此時，基板的厚度方向上的第一像素電極及第二像素電極的高度能夠可靠地高于凸部。

[適用例5]

在上述適用例的顯示裝置中，其特征在于，所述凸部和所述基礎凸部為相同材質(zhì)。

根據(jù)本適用例，凸部和基礎凸部為相同材質(zhì)。此時，能夠通過相同工序設置凸部和基礎凸部。因此，與通過不同工序制造基礎凸部和凸部時相比，能夠高生產(chǎn)率地制造顯示裝置。

[適用例6]

本適用例提供一種電子設備，其特征在于，具備顯示裝置以及用于驅(qū)動所述顯示裝置的驅(qū)動裝置，所述顯示裝置為上文所述的顯示裝置。

根據(jù)本適用例，在電子設備中，驅(qū)動裝置驅(qū)動顯示裝置。而且，顯示裝置成為不易在顯示圖案上形成氣泡的裝置。因此，電子設備成為具備難以在顯示圖案形成氣泡的顯示裝置的裝置。

[適用例7]

本適用例提供一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有在基板上設置凸部的工序以及在基板上設置第一像素電極及第二像素電極的工序，所述凸部位于所述第一像素電極和所述第二像素電極之間。

根據(jù)本適用例，在基板上設置有凸部、第一像素電極及第二像素電極。凸部位于第一像素電極和第二像素電極之間。在第一像素電極及第二像素電極上設置有粘接膜。由于第一像素電極和第二像素電極之間設置有凸部，因此，粘接膜與凸部粘接，抑制粘接膜與基板粘接。因此，在第一像素電極和第二像素電極之間形成有供氣體通過的通道。而且，當氣體進入到第一像素電極及第二像素電極與粘接膜之間時，也能容易地使氣體向通道移動。其結果，能夠容易地得到在第一像素電極及第二像素電極與粘接膜之間難以形成氣泡的顯示裝置。

[適用例8]

本適用例提供一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有：在基板上設置第一基礎凸部、第二基礎凸部及凸部的工序；在所述第一基礎凸部上設置第一像素電極，在所述第二基礎凸部上設置第二像素電極的工序；以及在所述第一像素電極及所述第二像素電極上設置粘接膜的工序，所述凸部位于所述第一基礎凸部和所述第二基礎凸部之間，并為相同高度。

根據(jù)本適用例，在基板上設置有第一基礎凸部、第二基礎凸部及凸部。而且，在第一基礎凸部上設置第一像素電極，在第二基礎凸部上設置第二像素電極。凸部位于第一基礎凸部和第二基礎凸部之間。因此，凸部位于第一像素電極和第二像素電極之間。而且，凸部的高度低于第一像素電極及第二像素電極。

在第一像素電極及第二像素電極上設置有粘接膜。由于第一像素電極及第二像素電極高于凸部，因此，粘接膜與第一像素電極及第二像素電極緊貼。而且，能夠使得第一像素電極及第二像素電極與粘接膜之間難以進入氣體。而且，在第一像素電極和第二像素電極之間設置有凸部。由此，粘接膜與凸部粘接，因此抑制粘接膜與基板粘接。因而，在第一像素電極和第二像素電極之間形成供氣體通過的通道。而且，當氣體進入到第一像素電極及第二像素電極與粘接膜之間時，也能容易地使氣體向通道移動。其結果，能夠容易地得到在第一像素電極及第二像素電極與粘接膜之間難以形成氣泡的顯示裝置。

能夠通過相同工序設置凸部和基礎凸部。因此，與通過不同工序制造凸部和基礎凸部時相比，能夠高生產(chǎn)率地制造顯示裝置。

附圖說明

圖1是示出第一實施方式的電泳顯示裝置的結構的平截面示意圖。

圖2是示出電泳顯示裝置的結構的側截面示意圖。

圖3是示出元件基板的結構的俯視示意圖。

圖4是示出元件基板的結構的主要部分俯視示意圖。

圖5是示出像素電極及凸部的結構的主要部分側截面示意圖。

圖6是示出像素電極及凸部的結構的主要部分側截面示意圖。

圖7是電泳顯示裝置的制造方法的流程圖。

圖8是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖9是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖10是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖11是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖12是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖13是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖14是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖15是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖16是用于說明第二實施方式的電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖17是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖18是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖19是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖20是用于說明第三實施方式的電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖21是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖22是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖23是示出第四實施方式的元件基板的結構的主要部分側截面示意圖。

圖24是電泳顯示裝置的制造方法的流程圖。

圖25是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖26是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖27是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖28是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖29是示出第五實施方式的元件基板的結構的主要部分側截面示意圖。

圖30是電泳顯示裝置的制造方法的流程圖。

圖31是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖32是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖33是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖34是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖35是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。

圖36是示出第六實施方式的電子書的結構的簡要立體圖。

圖37是示出手表的結構的簡要立體圖。

圖38是示出比較例的電泳顯示裝置的結構的平截面示意圖。

圖39是示出比較例的像素電極的結構的主要部分側截面示意圖。

附圖標記說明

1···作為顯示裝置的電泳顯示裝置、2···作為基板的元件基板、3···驅(qū)動電路、4···端子、5···像素電極、5a···第一像素電極、5b···第二像素電極、6···作為粘接膜的第一粘接膜、7···微膠囊、7a···分散劑、7b···黑色粒子、7c···白色粒子、8···第二粘接膜、9···共用電極、10···透明基板、11···電泳片、12···導通部、13···框部、14···保護基板、15···第三粘接膜、16···凸部、17···通道、18···氣泡、21···基材、22···元件層、22m···層間絕緣膜、23···開關元件、23e···半導體膜、23f···柵極絕緣膜、23g···柵極電極、23h···源極區(qū)域、23j···漏極區(qū)域、23k···溝道形成區(qū)域、23n···源極區(qū)域、23p···漏極電極、24···第一絕緣膜、25···第二絕緣膜、26···像素電極配線、27···貫通電極、30···第二絕緣膜、31···電泳顯示裝置、33···樹脂膜、34···凸部、35···第一絕緣膜、36···電泳顯示裝置、33···樹脂膜、34···凸部、35···第一絕緣膜、36···電泳顯示裝置、55···電泳顯示裝置、56···元件基板、57···第一絕緣膜、58···像素電極、58a···第一像素電極、58b···第二像素電極、59···基礎凸部、59b···第一基礎凸部、59c···第二基礎凸部、60···第二絕緣膜、61···電極膜、61a···第一電極膜、61b···第二電極膜、62···貫通電極、65···電泳顯示裝置、66···凸部、67···像素電極、67a···第一像素電極、67b···第二像素電極、68···基礎凸部、68b···第一基礎凸部、68c···第二基礎凸部、69···第二絕緣膜、70···貫通電極、71···作為導電膜的電極膜、71a···第一像素電極、71b···第二像素電極、83···作為電子設備的電子書、84···殼體、85···鉸鏈、86···蓋部、87···操作按鈕、88···顯示部、89···控制部、90···作為驅(qū)動裝置的驅(qū)動部、93···作為電子設備的手表、94···殼體、95···帶、96···操作按鈕、97···作為顯示裝置的顯示部、98···控制部、99···作為驅(qū)動裝置的驅(qū)動部。

具體實施方式

在本實施方式中，按照附圖說明電泳顯示裝置以及制造該電泳顯示裝置的特征性例子。另外，由于將各附圖中的各部件設為在各附圖上可識別程度的大小，因此，對每個部件采用不同比例尺進行圖示。

(第一實施方式)

根據(jù)圖1～圖6對第一實施方式的電泳顯示裝置進行說明。圖1是示出電泳顯示裝置的結構的平截面示意圖，圖2是示出電泳顯示裝置的結構的側截面示意圖。圖1是沿圖2的B-B線的截面圖，圖2是沿圖1的A-A線的截面圖。

如圖1及圖2所示，作為顯示裝置的電泳顯示裝置1具備作為基板的元件基板2。在元件基板2上呈矩陣狀設置有TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶體管)等未圖示的開關元件。并且，在元件基板2上設置有驅(qū)動開關元件的驅(qū)動電路3。然后，沿著元件基板2的一邊排列設置端子4，在端子4上設置未圖示的柔性線纜。然后，通過柔性線纜，從外部設備輸送用于控制電泳顯示裝置1的控制信號、數(shù)據(jù)信號。

元件基板2具備基材，在基材上設置有開關元件、配線。基材是具有例如30μm～500μm左右厚度的板狀部件。作為基材的構成材料，可以舉出例如玻璃基板、石英基板、硅基板、砷化鎵基板等無機基板，由聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜樹脂(PES)、芳族聚酯(液晶聚合物)等構成的塑料基板等。在本實施方式中，例如使用玻璃基板作為基材的材質(zhì)。

在元件基板2上，在與開關元件相對的位置設置有像素電極5。與開關元件同樣地，像素電極5呈矩陣狀排列。

將元件基板2的厚度方向作為Z方向，將排列像素電極5的方向作為X方向及Y方向。X方向及Y方向是元件基板2的兩個邊延伸的方向。而且，驅(qū)動電路3是位于元件基板2的-Y方向側并在X方向上長的形狀。

在像素電極5上設置有用作粘接膜第一粘接膜6，在第一粘接膜6上設置有微膠囊7。微膠囊7是從Z方向觀察的形狀為圓形，微膠囊7的直徑為30μm到100μm。微膠囊7是從X方向及Y方向觀察的形狀大致為圓形。微膠囊7是密閉的容器，分散劑7a、黑色粒子7b、白色粒子7c封裝于微膠囊7的內(nèi)部。黑色粒子7b和白色粒子7c中的一者帶正電，另一者帶負電。

關于分散劑7a，能夠使用水或乙醇類溶劑，各種酯類、酮類、脂肪烴、脂環(huán)烴、芳烴、鹵代烴、羧酸鹽或其他各種油類等。而且，關于分散劑7a，除單獨使用這些材質(zhì)之外，也能夠與這些混合物配合表面活性劑等來使用。

關于黑色粒子7b，能夠使用由碳黑、苯胺黑、氮氧化鈦等黑色顏料形成的粒子、高分子、膠體。關于白色粒子7c，能夠使用二氧化鈦等白色顏料。在上述顏料中，也可以根據(jù)需要添加由電解質(zhì)、表面活性劑、金屬皂、樹脂、橡膠、油脂、清漆、復合物等粒子構成的電荷控制劑、鈦偶聯(lián)劑、鋁偶聯(lián)劑、硅偶聯(lián)劑等分散劑、潤滑劑、穩(wěn)定劑等。通過添加這些添加材料，反應性良好地使黑色粒子7b及白色粒子7c移動，能夠長期穩(wěn)定地工作。

除黑色粒子7b及白色粒子7c之外，也能夠使用單偶氮的偶氮類顏料、異吲哚啉酮等黃色顏料、喹吖啶酮紅等紅色顏料、酞菁藍等藍色顏料、酞菁綠等綠色顏料等的一種或兩種以上。

在圖中，為了易于看圖，像素電極5和微膠囊7相對配置。像素電極5和微膠囊7也可以非一對一相對。也可以對于像素電極5不規(guī)則地配置微膠囊7。相對于像素電極5，微膠囊7小并數(shù)量多時比大并數(shù)量少時更能夠顯示平滑的線。

在微膠囊7上依次重疊設置有第二粘接膜8、共用電極9、透明基板10。然后，由第一粘接膜6、微膠囊7、第二粘接膜8、共用電極9及透明板10構成電泳片11。像素電極5的材質(zhì)是具有導電性的材質(zhì)即可，沒有特別地限制，除銅、鋁、鎳、金、銀、ITO(氧化銦錫)之外，能夠使用在銅箔上層疊鎳膜、金膜的物質(zhì)，在鋁箔上層疊鎳膜、金膜的物質(zhì)。在本實施方式中，例如，像素電極5構成為在層疊鋁和銅的配線上設置金膜。

共用電極9為透明導電膜即可，沒有特別地限定。例如，關于共用電極9，能夠使用MgAg、IGO(Indium-gallium oxdie：銦鎵氧化物)、ITO(Indium Tin Oxide：氧化錫銦)、ICO(Indium-cerium oxide：氧化銦鈰)、IZO(銦鋅氧化物)等。在本實施方式中，例如使用ITO作為共用電極9。

透明基板10的材質(zhì)是具有透光性、強度及絕緣性即可，沒有特別地限定。透明基板10的材質(zhì)能夠使用玻璃或丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜樹脂(PES)、聚碳酸酯(PC)等透光性高的材料。在透明基板10的+Z方向側的面上配置有未圖示的防濕片等。

第一粘接膜6、第二粘接膜8及第三粘接膜15的材質(zhì)是能夠粘接所夾的各部件并具有絕緣性的材質(zhì)即可，沒有特別地限定。例如，第一粘接膜6、第二粘接膜8及第三粘接膜15的材質(zhì)能夠使用聚氨酯、聚脲、聚脲-聚氨酯、尿素-甲醛樹脂、三聚氰胺-甲醛樹脂、聚酰胺、聚酯、聚磺酰胺等。除此之外，例如第一粘接膜6、第二粘接膜8及第三粘接膜15的材質(zhì)能夠使用聚碳酸酯、多亞硫酸鹽、環(huán)氧樹脂、聚丙烯酸酯等丙烯酸樹脂、聚甲基丙烯酸脂、聚乙酸乙烯酯、明膠、苯酚樹脂、乙烯基樹脂等。在本實施方式中，例如，第一粘接膜6、第二粘接膜8及第三粘接膜15的材質(zhì)使用紫外線固化型的丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂。

共用電極9及透明基板10比第一粘接膜6及第二粘接膜8更向-X方向突出。而且，在共用電極9及透明基板10突出的位置，元件基板2和共用電極9之間設置有導通部12。通過導通部12向共用電極9施加電壓。

在元件基板2上圍著電泳片11設置有框部13，在框部13的+Z方向側設置有保護基板14。并且，電泳片11和保護基板14通過第三粘接膜15粘接?？虿?3位于比電泳片11靠外側處，并設置在元件基板2上?？虿?3被保護基板14和元件基板2夾著?？虿?3例如通過丙烯酸類樹脂、PET等有機材料構成。成為分別緊貼于保護基板14及元件基板2的周緣部并且分別固定周緣部的狀態(tài)。這些各部件既可以通過激光熔融固定，也可以粘接固定。

保護基板14設置在電泳顯示裝置1的視覺識別側。保護基板14的板材適用透光性強、平坦性優(yōu)異、不易損傷的材料，能夠使用丙烯酸類板材、強化玻璃等。第二粘接膜8及第三粘接膜15優(yōu)選使用透明度高的光學粘接劑。

圖3是示出元件基板的結構的俯視示意圖，是從圖1中除去微膠囊7及第一粘接膜6的圖。圖4是示出元件基板的結構的主要部分俯視示意圖。在圖3及圖4中，將沿Y方向排列的像素電極5列的一列中像素電極5作為第一像素電極5a。并且，將位于第一像素電極5a旁邊的像素電極5作為第二像素電極5b。

此時，第一像素電極5a和第二像素電極5b之間設置有在Y方向上延伸的凸部16。凸部16延伸到第一粘接膜6的外周。凸部16位于各列的像素電極5之間。并且，凸部16也位于+X方向側端部的列的像素電極5的+X方向側。并且，凸部16也位于-X方向側端部的列的像素電極5的-X方向側。X方向上的凸部16兩側形成有供用作氣體的空氣通過的通道17。通道17沿著凸部16，在第一粘接膜6的外周開口。

圖5及圖6是示出像素電極及凸部的結構的主要部分側截面示意圖。如圖5及圖6所示，在像素電極5及凸部16上設置有第一粘接膜6。在第一像素電極5a和第二像素電極5b之間沒有凸部16時，第一粘接膜6在元件基板2側下垂，第一粘接膜6埋設于第一像素電極5a和第二像素電極5b之間。因此，第一像素電極5a和第二像素電極5b之間不再有空氣通過的空間。

與第一像素電極5a和第二像素電極5b之間的X方向的距離相比，第一像素電極5a和凸部16之間的距離短。因此，在第一像素電極5a和凸部16之間，第一粘接膜6難以向元件基板2側下垂。而且，在第一像素電極5a和凸部16之間形成供空氣通過的通道17。同樣地，與第一像素電極5a和第二像素電極5b之間的距離相比，第二像素電極5b和凸部16之間的距離短。因此，在第二像素電極5b和凸部16之間，第一粘接膜6難以向元件基板2側下垂。而且，在與第二像素電極5b之間也形成供空氣通過的通道17。

圖38是示出比較例的電泳顯示裝置的結構的平截面示意圖。如圖38所示，當將第一粘接膜6設置在元件基板2上時，存在像素電極5和第一粘接膜6之間殘留氣泡18的情況。此時，由于光在第一粘接膜6和氣泡之間反射，因此，難以看到顯示圖案。電泳顯示裝置1在第一像素電極5a和第二像素電極5b之間具有通道17，通道17向第一粘接膜6的外周開口。因此，當在像素電極5和第一粘接膜6之間殘留氣泡18時，按壓元件基板2和電泳片11。然后，通過向氣泡18施加壓力，能夠使氣泡內(nèi)的氣體穿過通道17，向第一粘接膜6的外周移動。其結果，能夠容易地制成在像素電極5和第一粘接膜6之間難以存在氣泡18的電泳顯示裝置1。

圖39是示出比較例的像素電極的結構的主要部分側截面示意圖。如圖39所示，當向第一粘接膜6施加壓力時，第一粘接膜6變形。當在第一像素電極5a和第二像素電極5b之間沒有凸部16時，第一粘接膜6進入第一像素電極5a和第二像素電極5b之間。由此，由于第一像素電極5a和第二像素電極5b之間無法形成空間，因此不能形成通道17。

返回圖5及圖6，在電泳顯示裝置1中，在元件基板2和第一粘接膜6之間設置有凸部16，凸部16沿著通道17設置。凸部16在元件基板2和第一粘接膜6之間形成空間。而且，當向元件基板2的厚度方向按壓電泳顯示裝置1時，凸部16抑制通道17被擠壓。因此，當向元件基板2的厚度方向按壓電泳顯示裝置1時，能夠維持通道17。

將像素電極5的Z方向的高度作為電極高度5c。并且，將凸部16的Z方向的高度作為凸部高度16a。凸部高度16a設定為等于或低于電極高度5c的高度。當凸部高度16a高于電極高度5c時，存在像素電極5和第一粘接膜6分離的可能性。此時，由于像素電極5和第一粘接膜6之間形成氣泡18，難以看到顯示圖案。在電泳顯示裝置1中，由于凸部高度16a低于電極高度5c，因此能夠抑制像素電極5和第一粘接膜6分離。其結果，能夠抑制在像素電極5與第一粘接膜6之間形成氣泡18。

接著，通過圖7～圖15對上述電泳顯示裝置1的制造方法進行說明。圖7是電泳顯示裝置的制造方法的流程圖，圖8～圖15是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。在圖7的流程圖中，步驟S1是下電極配線設置工序。該工序是設置從元件基板2通往像素電極5的配線的工序。接著，轉移至步驟S2。步驟S2是凸部設置工序。該工序是在元件基板2上設置凸部16的工序。接著，轉移至步驟S3。步驟S3是像素電極設置工序。該工序是在元件基板2上設置像素電極5的工序。接著，轉移至步驟S4。步驟S4是泳動片設置工序。該工序是在元件基板2上設置電泳片11的工序。接著，轉移至步驟S5。步驟S5是基板組裝工序。該工序是組裝元件基板2和保護基板14的工序。通過以上的工序，制成電泳顯示裝置1。

接著，使用圖8～圖15，與圖7所示的步驟對應地詳細說明制造方法。

圖8及圖9是對應于步驟S1的下電極配線設置工序的圖。如圖8所示，準備基材21?；?1使用將玻璃板研削及研磨成預定的厚度并使表面粗糙度變小的板。在基材21上形成元件層22。由于元件層22的形成方法為公知而省略詳細的說明，說明概要的制造方法。元件層22的形成方法有多種而沒有特別的限定。

首先，通過CVD法(chemical vapor deposition：化學氣相沉積法)，在基材21上形成未圖示的SiO₂的底絕緣膜。接著，通過CVD法等，在底絕緣膜上形成膜厚50nm左右的非結晶硅膜。通過激光結晶化法等，使該非結晶硅膜結晶化，形成多結晶硅膜。其后，通過光刻法等，形成島狀的多結晶硅膜即半導體膜23e。

接著，以覆蓋半導體膜23e及底絕緣膜的方式，通過CVD法等形成膜厚100nm左右的SiO₂，作為柵極絕緣膜23f。通過濺射法等，在柵極絕緣膜23f上形成膜厚500nm左右的Mo膜，通過光刻法形成島狀的柵極電極23g。通過離子注入法，將雜質(zhì)離子注入到半導體膜，形成源極區(qū)域23h、漏極區(qū)域23j及溝道形成區(qū)域23k。以覆蓋柵極絕緣膜23f及柵極電極23g的方式，形成膜厚800nm左右的SiO₂膜，作為層間絕緣膜22m。

接下來，在層間絕緣膜22m上形成到達源極區(qū)域23h的接觸孔和到達漏極區(qū)域23j的接觸孔。其后，在層間絕緣膜22m上和接觸孔及接觸孔內(nèi)，通過濺射法等形成膜厚500nm左右的Mo膜，通過光刻法進行圖案化，形成源極電極23n、漏極電極23p及未圖示的配線。通過半導體膜23e、柵極絕緣膜23f、柵極電極23g、源極電極23n及漏極電極23p等，構成開關元件23。

如圖9所示，設置第一絕緣膜24，以覆蓋層間絕緣膜22m、源極電極23n、漏極電極23p及配線。第一絕緣膜24是丙烯酸樹脂等樹脂膜。用旋轉器或滾涂輥，將溶解樹脂的溶液涂敷在元件層22上并進行干燥。接著，使用光刻法對第一絕緣膜24進行圖案化，在第一絕緣膜24上形成接觸孔。第一絕緣膜24的接觸孔是到達漏極電極23p的孔。接著，在第一絕緣膜24上形成膜厚800nm左右的Si₃N₄膜，作為第二絕緣膜25。接著，使用光刻法對第二絕緣膜25進行圖案化，使漏極電極23p暴露于接觸孔。此外，也可以在形成第一絕緣膜24之前設置保護膜。作為保護膜的材料，也可以使用例如四氮化三硅等。由此，即便在第一絕緣膜24上存在可動離子等，也能夠防止其進入該可動離子的層間絕緣膜22m、源極電極23n、漏極電極23p及配線。由此，能夠防止元件的特性變化。

接下來，使用濺射法等成膜法，在第二絕緣膜25上和接觸孔內(nèi)形成膜厚500nm左右的AlCu膜。接著，對AlCu膜進行蝕刻，形成像素電極配線26及貫通電極27。貫通電極27是設置在接觸孔的電極，連接漏極電極23p和像素電極配線26。蝕刻法沒有特別的限定，在本實施方式中，使用了濕蝕刻法。

在第一絕緣膜24和像素電極配線26之間設置有第二絕緣膜25。第一絕緣膜24是樹脂膜，像素電極配線26是金屬膜。如果在樹脂膜上設置金屬膜，則金屬膜易于剝落。第二絕緣膜25是無機質(zhì)的膜，無機質(zhì)的膜與樹脂膜及金屬膜接合時難以剝落。因此，通過設置第二絕緣膜25，能夠抑制像素電極配線26的剝落。

圖10是對應于步驟S2的凸部設置工序的圖。如圖10所示，在步驟S2中，在第二絕緣膜25上設置凸部16。凸部16的材料具有剛性即可，沒有特別地限定，在本實施方式中，例如使用丙烯酸樹脂。首先，用旋轉器、滾涂輥或各種印刷法在第二絕緣膜25上涂敷溶解樹脂的溶液并進行干燥。接著，利用光刻法對樹脂膜進行圖案化，設置凸部16。

圖11是對應于步驟S3的像素電極設置工序的圖。如圖11所示，重疊于像素電極配線26及貫通電極27，設置像素電極5。像素電極5使用無電解電鍍法形成。作為像素電極5的材料，具有電鍍的導電性并能夠進行無電解電鍍法即可，沒有特別地限定。可將金、鈀、鎳等金屬中的單個或多個金屬層疊使用。在本實施方式中，例如使用金作為像素電極5的材料。此外，也可以在基材21的下表面形成保護膜。作為該保護膜的材料，能夠使用四氮化三硅等。

圖12～圖14是對應于步驟S4的泳動片設置工序的圖。如圖12所示，在步驟S4中，準備電泳片11。首先，在透明基板10的單面上設置共用電極9。共用電極9是ITO膜。使用濺射法等成膜法，在透明基板10上形成膜厚100nm左右的ITO膜。接著，通過光刻法對ITO膜進行圖案化，形成共用電極9。

接著，重疊于共用電極9設置第二粘接膜8。通過在未圖示的第二襯紙上涂敷粘接劑并進行干燥，形成第二粘接膜8。然后，將設置有第二粘接膜8的第二襯紙設置在共用電極9上。接著，在透明基板10中，在與設置有第二粘接膜8的面相反的面設置第三粘接膜15。與第二粘接膜8同樣地，通過在未圖示的第三襯紙上涂敷粘接劑并進行干燥，形成第三粘接膜15。然后，將設置有第三粘接膜15的第三襯紙設置在透明基板10上。此外，將第二粘接膜8及第三粘接膜15干燥到未完全干燥而具有粘接性的程度。

接著，除去第二襯紙，露出第二粘接膜8，在第二粘接膜8上設置微膠囊7。在第二粘接膜8上撒微膠囊7，使其附著于第二粘接膜8。然后，除去未附著于第二粘接膜8的多余的微膠囊7。接下來，用預定的夾具使微膠囊7微動，對微膠囊7進行微調(diào)。

接著，重疊于微調(diào)的微膠囊7，設置第一粘接膜6。與第二粘接膜8同樣地，通過在未圖示的第一襯紙上涂敷粘接劑并進行干燥，形成第一粘接膜6。然后，將設置有第一粘接膜6的第一襯紙設置在微調(diào)后的微膠囊7上。

如圖13所示，在元件基板2上設置導通部12。導通部12可使用導電性膠、導電性橡膠、金屬片等具有導電性的部件。從第一粘接膜6除去第一襯紙，露出第一粘接膜6。然后，使第一粘接膜6接觸于像素電極5。對第一粘接膜6加熱并進行干燥，使第一粘接膜6固化。由此，粘接元件基板2和電泳片11。

如圖14所示，將相鄰列的像素電極5作為第一像素電極5a及第二像素電極5b。在第一像素電極5a和第二像素電極5b之間設置有凸部16，凸部16為比像素電極5低的高度。然后，當使電泳片11和元件基板2互相按壓時，由于第一粘接膜6和凸部16接觸，因此第一粘接膜6不向元件基板2側下垂。因此，在第一像素電極5a和第二像素電極5b之間形成供氣體通過的通道17。

能夠在像素電極5和第一粘接膜6之間形成氣泡。當?shù)谝徽辰幽?按壓于像素電極5時，氣泡內(nèi)的空氣從通道17流出。然后，空氣通過通道17，從第一粘接膜6的外周排出。其結果，能夠從像素電極5與第一粘接膜6之間除去氣泡。

圖15是對應于步驟S5的基板組裝工序的圖。如圖15所示，在元件基板2上設置框部13。然后，從電泳片11除去第三襯紙，露出第三粘接膜15。接著，重疊于第三粘接膜15設置保護基板14。接著，對第三粘接膜15加熱并進行干燥而使其固化，使電泳片11和保護基板14彼此粘接。

如上所述，根據(jù)本實施方式，具有如下效果。

(1)根據(jù)本實施方式，在第一像素電極5a和第二像素電極5b之間設置有向第一粘接膜6的外周開口而供氣體通過的通道17。當將第一粘接膜6設置在元件基板2上時，有時在元件基板2和第一粘接膜6之間殘留氣泡18。此時，由于光在第一粘接膜6和氣泡18之間反射，因此難以看見顯示圖案。電泳顯示裝置1在第一像素電極5a和第二像素電極5b之間具有通道17，通道17向第一粘接膜6的外周開口。因此，當元件基板2和第一粘接膜6之間殘留氣泡18時，通過向氣泡18施加壓力，能夠使氣泡18內(nèi)的氣體穿過通道17，向第一粘接膜6的外周移動。其結果，能夠容易地制成在像素電極5和第一粘接膜6之間沒有氣泡18的電泳顯示裝置1。

(2)根據(jù)本實施方式，在元件基板2和第一粘接膜6之間設置有凸部16，凸部16沿著通道17設置。凸部16在元件基板2和第一粘接膜6之間形成空間。而且，當向元件基板2的厚度方向按壓電泳顯示裝置1時，凸部16抑制空間被擠壓。因此，當向元件基板2的厚度方向按壓電泳顯示裝置1時，能夠維持通道17。

(3)根據(jù)本實施方式，凸部高度16a設置為等于或低于電極高度5c。當凸部高度16a高于電極高度5c時，存在像素電極5和第一粘接膜6分離的可能性。此時，由于像素電極5和第一粘接膜6之間形成氣泡18，難以看到顯示圖案。在電泳顯示裝置1中，由于凸部高度16a低于電極高度5c，因此能夠抑制像素電極5和第一粘接膜6分離。其結果，能夠抑制在像素電極5與第一粘接膜6之間形成氣泡18。

(第二實施方式)

接著，關于制造電泳顯示裝置的一實施方式，使用圖16～圖19的用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖進行說明。本實施方式與第一實施方式的不同之處在于設置凸部16后設置像素電極26這一點上。另外，對于與第一實施方式相同的點，省略其說明。此外，也可以設置與第一實施方式相同的保護膜。

圖16是對應于設置第一絕緣膜的工序的圖。即，在本實施方式中，如圖16所示，以覆蓋層間絕緣膜22m、源極電極23n、漏極電極23p及配線的方式，設置第一絕緣膜24，在第一絕緣膜24形成接觸孔。漏極電極23p暴露于接觸孔。第一絕緣膜24的設置方法與第一實施方式相同，省略說明。

圖17是對應于凸部設置工序的圖。如圖17所示，在步驟S2中，在第一絕緣膜24上設置凸部16。凸部16的設置方法與第一實施方式相同，省略說明。

圖18是對應于下電極配線設置工序的圖。如圖18所示，在第一絕緣膜24及凸部16上形成膜厚800nm左右的Si₃N₄膜，作為第二絕緣膜30。接著，使用光刻法對第二絕緣膜30進行圖案化，使漏極電極23p暴露于接觸孔。第二絕緣膜30的設置方法與第一實施方式的第二絕緣膜25的設置方法相同，省略說明。

接著，在第二絕緣膜30上和接觸孔內(nèi)形成AlCu膜。接著，對AlCu膜進行蝕刻，形成像素電極配線26及貫通電極27。像素電極配線26及貫通電極27的設置方法與第一實施方式的像素電極26及貫通電極27的設置方法相同，省略說明。

圖19是對應于像素電極設置工序的圖。如圖19所示，重疊于像素電極配線26及貫通電極27，設置像素電極5。像素電極5的設置方法與第一實施方式相同，省略說明。接下來進行的步驟S4的泳動片設置工序及步驟S5的基板組裝工序和第一實施方式相同，省略說明。通過以上工序制成電泳顯示裝置31。在電泳顯示裝置31中，也和第一實施方式同樣地，能夠抑制像素電極5和第一粘接膜6之間形成氣泡18。

(第三實施方式)

接著，關于制造電泳顯示裝置的一實施方式，使用圖20～圖22的用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖進行說明。本實施方式與第二實施方式的不同之處在于，一體地設置凸部16和第一絕緣膜24這一點。另外，對于與第一及第二實施方式相同點，省略說明。另外，也可以設置與第一實施方式相同的保護膜。

圖20是對應于設置第一絕緣膜及凸部的工序的圖。即，在本實施方式中，如圖20所示，以覆蓋元件層22的方式設置樹脂膜33。首先，用旋轉器、滾涂輥或各種印刷法在元件層22上涂敷溶解樹脂的溶液并進行干燥。接著，利用光刻法對樹脂膜進行圖案化，形成凸部34及第一絕緣膜35。樹脂膜33的材質(zhì)沒有特別地限定，在本實施方式中，例如使用丙烯酸樹脂。凸部34是和第一實施方式的凸部16相同的部位，第一絕緣膜35是和第一實施方式的第一絕緣膜24相同的部位。

接著，使用光刻法對第一絕緣膜35進行圖案化，在第一絕緣膜35形成接觸孔。使漏極電極23p暴露于接觸孔。接觸孔的設置方法與第一實施方式相同，省略說明。

圖21是對應于下電極配線設置工序的圖。如圖21所示，在第一絕緣膜35及凸部34上形成膜厚800nm左右的Si₃N₄膜，作為第二絕緣膜30。接著，使用光刻法對第二絕緣膜30進行圖案化，使漏極電極23p暴露于接觸孔。第二絕緣膜30的設置方法與第一實施方式的第二絕緣膜25的設置方法相同，省略說明。

接著，在第二絕緣膜30上和接觸孔內(nèi)形成AlCu膜。接著，對AlCu膜進行蝕刻，形成像素電極配線26及貫通電極27。像素電極配線26及貫通電極27的設置方法與第一實施方式的像素電極配線26及貫通電極27的設置方法相同，省略說明。

圖22是對應于像素電極設置工序的圖。如圖22所示，重疊于像素電極配線26及貫通電極27，設置像素電極5。像素電極5的設置方法與第一實施方式相同，省略說明。接下來進行的步驟S4的泳動片設置工序及步驟S5的基板組裝工序和第一實施方式相同，省略說明。通過以上的工序制成電泳顯示裝置36。

如上所述，根據(jù)本實施方式，具有如下效果。

(1)根據(jù)本實施方式，第一絕緣膜35及凸部34由相同樹脂膜33形成。因此，與第一絕緣膜35和凸部34由分別不同的樹脂膜制造相比，能夠減少設置樹脂膜的工序。其結果，能夠高生產(chǎn)率地制造電泳顯示裝置36。在電泳顯示裝置36中，也和第一實施方式同樣地，能夠抑制像素電極5和第一粘接膜6之間形成氣泡18。

(第四實施方式)

接著，使用圖23～圖28對電泳顯示裝置的一實施方式進行說明。本實施方式與第一實施方式的不同之處在于，像素電極構成為在基礎凸部上設置導通膜的這一點。另外，對于與第一實施方式相同點，省略其說明。

圖23是示出元件基板的結構的主要部分側截面示意圖。如圖23所示，電泳顯示裝置55具備元件基板56，元件基板56構成為層疊基材21、元件層22及第一絕緣膜57。第一絕緣膜57是無機質(zhì)的絕緣膜，是氧化硅或氮化硅的膜。在本實施方式中，例如第一絕緣膜57的材質(zhì)為SiO₂。在元件基板56的第一絕緣膜57上設置有凸部16及像素電極58。凸部16設置在X方向上相鄰的像素電極58之間。將X方向上相鄰的像素電極58中的一者作為第一像素電極58a，將另一者作為第二像素電極58b。第一像素電極58a和第二像素電極58b為相同構造。并且，像素電極58由基礎凸部59、覆蓋基礎凸部59設置的第二絕緣膜60以及作為覆蓋第二絕緣膜60的導電膜的電極膜61構成。

將第一像素電極58a的基礎凸部59作為第一基礎凸部59b，將第二像素電極58b的基礎凸部59作為第二基礎凸部59c。將設置在第一基礎凸部59b上的電極膜61作為第一電極膜61a，將設置在第二基礎凸部59c上的電極膜61作為第二電極膜61b。第一絕緣膜57設置有接觸孔，接觸孔中設置有與漏極電極23p連接的貫通電極62。而且，貫通電極62與電極膜61連接。

當將基礎凸部59的Z方向的高度作為基礎凸部高度59a時，凸部高度16a和基礎凸部59a為相同高度。然后，將像素電極58的高度作為電極高度58c。此時，電極高度58c是基礎凸部高度59a加上第二絕緣膜60及電極膜61的厚度的高度。因此，由于電極高度58c能可靠地高于凸部高度16a，能夠使得在像素電極58上難以形成氣泡18。

凸部16和基礎凸部59為材質(zhì)相同的樹脂。在本實施方式中，例如，凸部16及基礎凸部59的材質(zhì)為丙烯酸樹脂。此時，能夠通過相同工序設置凸部16和基礎凸部59。因此，與通過不同工序制造基礎凸部59和凸部16時相比，能夠高生產(chǎn)率地制造電泳顯示裝置55。

接著，通過圖24～圖28對上述電泳顯示裝置55的制造方法進行說明。圖24是電泳顯示裝置的制造方法的流程圖，圖25～圖28是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。在圖24的流程圖中，步驟S11是絕緣膜設置工序。該工序是在元件層22上設置第一絕緣膜57的工序。接著，轉移至步驟S12。步驟S12是凸部設置工序。該工序是在元件基板56上設置凸部16及基礎凸部59的工序。接著，轉移至步驟S13。步驟S13是像素電極設置工序。該工序是在基礎凸部59上設置第二絕緣膜60及電極膜61的工序。接著，轉移至步驟S4。步驟S4是泳動片設置工序。該工序是在元件基板56上設置電泳片11的工序。接著，轉移至步驟S5。步驟S5是基板組裝工序。該工序是組裝元件基板56和保護基板14的工序。通過以上的工序制成電泳顯示裝置55。

接著，使用圖25～圖28，對應于圖24所示的步驟來詳細地說明制造方法。

圖25是對應于步驟S11的絕緣膜設置工序的圖。如圖25所示，在基材21上設置元件層22。元件層22的設置方法與第一實施方式相同，省略說明。然后，在元件層22上設置第一絕緣膜57。在元件層22上使用CVD法設置SiO₂膜。接著，利用光刻法對SiO₂膜進行圖案化，設置接觸孔。形成接觸孔時的蝕刻法沒有特別地限定，在本實施方式中，例如使用了干蝕刻法。

圖26是對應于步驟S12的凸部設置工序的圖。如圖26所示，在第一絕緣膜57上設置凸部16及基礎凸部59。首先，用旋轉器、滾涂輥或各種印刷法在第一絕緣膜57上涂敷溶解樹脂的溶液并進行干燥。接著，利用光刻法對樹脂膜進行圖案化，設置凸部16及基礎凸部59。凸部16位于第一基礎凸部59b和第二基礎凸部59c之間。

圖27及圖28是對應于步驟S13的像素電極設置工序的圖。如圖27所示，在第一絕緣膜57、凸部16及基礎凸部59上形成膜厚800nm左右的Si₃N₄膜。接著，利用光刻法對Si₃N₄膜進行圖案化，設置第二絕緣膜60。第二絕緣膜60以覆蓋基礎凸部59的方式設置，使接觸孔的漏極電極23p露出。

如圖28所示，接著，使用濺射法等成膜法，在第二絕緣膜60上和接觸孔內(nèi)形成膜厚500nm左右的AlCu膜。接著，對AlCu膜進行蝕刻，形成電極膜61及貫通電極62。貫通電極62是設置在接觸孔的電極，連接漏極電極23p和電極膜61。

在該工序中，形成像素電極58。在第一基礎凸部59b上設置第二絕緣膜60及第一絕緣膜61a，得到第一像素電極58a。然后，在第二基礎凸部59c上設置第二絕緣膜60及第二電極膜61b，得到第二像素電極58b。蝕刻法沒有特別的限定，在本實施方式中，使用了濕蝕刻法。

接著步驟S13的像素電極設置工序，進行步驟S4的泳動片設置工序及步驟S5的基板組裝工序。在步驟S4中，在第一電極膜61a及第二電極膜61b上設置第一粘接膜6。另外，步驟S4及步驟S5與第1實施方式相同，省略說明。

如上所述，根據(jù)本實施方式，具有以下效果。

(1)根據(jù)本實施方式，像素電極58具備基礎凸部59，在基礎凸部59上設置有電極膜61。而且，凸部16和基礎凸部59從元件基板56的高度相同。此時，Z方向上的像素電極58的高度能夠可靠地高于凸部16。因此，能夠抑制在像素電極58與第一粘接膜6之間形成氣泡18。

(2)根據(jù)本實施方式，凸部16和基礎凸部59材質(zhì)相同。此時，能夠通過相同工序設置凸部16和基礎凸部59。因此，與通過不同工序制造基礎凸部59和凸部16時相比，能夠高生產(chǎn)率地制造電泳顯示裝置55。

(3)根據(jù)本實施方式，設置有第一基礎凸部59b、第二基礎凸部59c及凸部16。然后，在第一基礎凸部59b上設置第一電極膜61a，在第二基礎凸部59c上設置第二電極膜61b。凸部16位于第一基礎凸部59b和第二基礎凸部59c之間。因此，能夠使凸部16位于第一像素電極58a和第二像素電極58b之間。

(第五實施方式)

接著，使用圖29～圖35對電泳顯示裝置的一實施方式進行說明。本實施方式與第四實施方式的不同之處在于，構成為在基礎凸部上的配線上通過施鍍設置像素電極這一點。另外，對于與第四實施方式相同的點，省略其說明。

圖29是示出元件基板的結構的主要部分側截面示意圖。如圖29所示，電泳顯示裝置65在元件基板56的第一絕緣膜57上設置有凸部66及像素電極67。凸部66設置在X方向上相鄰的像素電極67之間。將X方向上相鄰的像素電極67中的一者作為第一像素電極67a，將另一者作為第二像素電極67b。第一像素電極67a和第二像素電極67b為相同結構。

而且，像素電極67由基礎凸部68、第二絕緣膜69、貫通電極70及作為導電膜的電極膜71構成。第二絕緣膜69設置為覆蓋基礎凸部68。貫通電極70是從第二絕緣膜69上跨越漏極電極23p設置的配線。電極膜71是在基礎凸部68上重疊于貫通電極70設置的電極。

第一絕緣膜57設置有接觸孔，接觸孔設置有與漏極電極23p連接的貫通電極62。而且，貫通電極62與貫通電極70連接。將第一像素電極67a的基礎凸部68作為第一基礎凸部68b，將第二像素電極67b的基礎凸部68作為第二基礎凸部68c。將設置在第一基礎凸部68b上的電極膜71作為第一像素電極71a，將設置在第二基礎凸部68c上的電極膜71作為第二像素電極71b。

將凸部66的Z方向的高度作為凸部高度66a，將基礎凸部68的Z方向的高度作為基礎凸部高度68a。凸部高度66a和基礎凸部高度68a為相同高度。然后，將像素電極67的高度作為電極高度67c。此時，電極高度67c是基礎凸部高度68a加上第二絕緣膜69、貫通電極70及電極膜71的厚度的高度。因此，由于電極高度67c可靠地高于凸部高度66a，能夠使得在像素電極67上難以形成氣泡18。

凸部66和基礎凸部68為材質(zhì)相同的樹脂。在本實施方式中，例如，凸部66及基礎凸部68的材質(zhì)為丙烯酸樹脂。此時，能夠通過相同工序設置凸部66和基礎凸部68。因此，與通過不同工序制造基礎凸部68和凸部66時相比，能夠高生產(chǎn)率地制造電泳顯示裝置65。

接著，通過圖30～圖35對上述電泳顯示裝置65的制造方法進行說明。圖30是電泳顯示裝置的制造方法的流程圖，圖31～圖35是用于說明電泳顯示裝置的制造方法的側截面示意圖。在圖30的流程中，步驟S11是絕緣膜設置工序。該工序是在元件層22上設置第一絕緣膜57的工序。接著，轉移至步驟S22。步驟S22是凸部設置工序。該工序是在元件基板56上設置凸部66及基礎凸部68的工序。接著，轉移至步驟S23。步驟S23是像素配線設置工序。該工序是在基礎凸部68上設置第二絕緣膜69及貫通電極70的工序。接著，轉移至步驟S24。步驟S24是像素電極設置工序。該工序是在基礎凸部68上的貫通電極70上設置電極膜71的工序。接著，轉移至步驟S4。步驟S4是泳動片設置工序。該工序是在元件基板56上設置電泳片11的工序。接著，轉移至步驟S5。步驟S5是基板組裝工序。該工序是組裝元件基板56和保護基板14的工序。通過以上的工序制成電泳顯示裝置65。

接著，使用圖31～圖35，對應于圖30所示的步驟來詳細地說明制造方法。

圖31是對應于步驟S11的絕緣膜設置工序的圖。如圖31所示，在基材21上設置元件層22。然后，在元件層22上設置第一絕緣膜57。元件層22及第一絕緣膜57的設置方法與第四實施方式相同，省略說明。

圖32是對應于步驟S22的凸部設置工序的圖。如圖32所示，在第一絕緣膜57上設置凸部66及基礎凸部68。首先，用旋轉器、滾涂輥或各種印刷法在第一絕緣膜57上涂敷溶解樹脂的溶液并進行干燥。接著，利用光刻法對樹脂膜進行圖案化，設置凸部66及基礎凸部68。凸部66位于第一基礎凸部68b和第二基礎凸部68c之間。

圖33及圖34是對應于步驟S23的像素配線設置工序的圖。如圖33所示，在第一絕緣膜57、凸部66及基礎凸部68上形成膜厚800nm左右的Si₃N₄膜。接著，利用光刻法對Si₃N₄膜進行圖案化，設置第二絕緣膜69。第二絕緣膜69以覆蓋基礎凸部68的方式設置，使接觸孔的漏極電極23p露出。

如圖34所示，接著，使用濺射法等成膜法，在第二絕緣膜69上和接觸孔內(nèi)形成膜厚500nm左右的AlCu膜。接著，對AlCu膜進行蝕刻，形成貫通電極70。貫通電極70是設置在接觸孔的電極，是從漏極電極23p連續(xù)到基礎凸部68上的配線。蝕刻法沒有特別的限定，在本實施方式中，使用了濕蝕刻法。

圖35是對應于步驟S24的像素電極設置工序的圖。如圖35所示，重疊于貫通電極70，設置電極膜71。重疊于在第一基礎凸部68b上的第二絕緣膜69及貫通電極70，設置第一像素電極71a。重疊于第二基礎凸部68c上的第二絕緣膜69及貫通電極70，設置第二像素電極71b。電極膜71的設置方法與第一實施方式的像素電極5的設置方法相同，省略說明。接著步驟S24，進行步驟S4的泳動片設置工序及步驟S5的基板組裝工序。在步驟S4中，在第一像素電極71a及第二像素電極71b上設置第一粘接膜6。步驟S4及步驟S5與第1實施方式相同，省略說明。通過以上的工序制成電泳顯示裝置65。

如上所述，根據(jù)本實施方式，具有以下效果。

(1)根據(jù)本實施方式，像素電極67具備基礎凸部68，在基礎凸部68上設置有電極膜71。而且，凸部66和基礎凸部68從元件基板56的高度相同。此時，Z方向上的像素電極67的高度能夠可靠地高于凸部66。因此，能夠抑制在像素電極67與第一粘接膜6之間形成氣泡18。

(2)根據(jù)本實施方式，凸部66和基礎凸部68材質(zhì)相同。此時，能夠通過相同工序設置凸部66和基礎凸部68。因此，與通過不同工序制造基礎凸部68和凸部66時相比，能夠高生產(chǎn)率地制造電泳顯示裝置65。

(3)根據(jù)本實施方式，設置有第一基礎凸部68b、第二基礎凸部68c及凸部66。而且，在第一基礎凸部68b上設置第二絕緣膜69、貫通電極70及第一像素電極71a，在第二基礎凸部68c上設置第二絕緣膜69、貫通電極70及第二像素電極71b。凸部66位于第一基礎凸部68b和第二基礎凸部68c之間。因此，能夠使凸部66位于第一像素電極67a和第二像素電極67b之間。

(第六實施方式)

接著，使用圖36及圖37對搭載電泳顯示裝置的電子設備的一實施方式進行說明。圖36是示出電子書的結構的簡要立體圖，圖37是示出手表的結構的簡要立體圖。如圖36所示，作為電子設備的電子書83具備板狀的殼體84。在殼體84借助鉸鏈85設置有蓋部86。并且，在殼體84設置有操作按鈕87和作為顯示裝置的顯示部88。操作者操作操作按鈕87，能夠操作顯示部88中顯示的內(nèi)容。

在殼體84的內(nèi)部設置有控制電子書83的控制部89和作為驅(qū)動顯示部88的驅(qū)動裝置的驅(qū)動部90?？刂撇?9向驅(qū)動部90輸出顯示數(shù)據(jù)。驅(qū)動部90輸入顯示數(shù)據(jù)，驅(qū)動顯示部88。然后，驅(qū)動部90使顯示部88顯示與顯示數(shù)據(jù)對應的內(nèi)容。顯示部88使用電泳顯示裝置1、電泳顯示裝置31、電泳顯示裝置36、電泳顯示裝置55或電泳顯示裝置65的任一個。因此，電子書83能夠作為在顯示部88使用了在顯示部88難以產(chǎn)生氣泡18的電泳顯示裝置的裝置。

如圖37所示，作為電子設備的手表93具備板狀的殼體94。在殼體94設置有帶95，操作者能夠?qū)?5卷于腕部而將手表93固定于腕部。并且，在殼體94設置有操作按鈕96和作為顯示裝置的顯示部97。操作者操作操作按鈕96，能夠操作顯示部97中顯示的內(nèi)容。

在殼體94的內(nèi)部設置有控制手表93的控制部98和作為驅(qū)動顯示部97的驅(qū)動裝置的驅(qū)動部99。控制部98向驅(qū)動部99輸出顯示數(shù)據(jù)。驅(qū)動部99輸入顯示數(shù)據(jù)，驅(qū)動顯示部97。然后，驅(qū)動部99使顯示部97顯示與顯示數(shù)據(jù)對應的內(nèi)容。而且，顯示部97使用了電泳顯示裝置1、電泳顯示裝置31、電泳顯示裝置36、電泳顯示裝置55或電泳顯示裝置65的任一個。因此，手表93能夠作為在顯示部97使用了在顯示部97難以產(chǎn)生氣泡18的電泳顯示裝置的裝置。

另外，本實施方式并不限定于上述實施方式，在本發(fā)明的技術思想內(nèi)，本領域中具有通常知識的人可以加入各種變更或改良。變形例將在以下說明。

(變形例一)

在上述第一實施方式中，在各列的像素電極5之間設置了凸部16。也可以對于兩列像素電極5，設置一列凸部16。另外，凸部16是在Y方向延伸的直線狀的形狀。凸部16也可以是呈階梯狀在X方向及Y方向延伸的形狀。此時，像素電極5和第一粘接膜6之間的氣泡18能夠穿過通道17排出。

(變形例二)

在所述第一實施方式中，微膠囊7的形狀為圓形。微膠囊7的形狀沒有特別地限定，也可以為四變形、多邊形、橢圓形。能夠不依賴于微膠囊7的形狀而排出氣泡18。

(變形例三)

在所述第一實施方式中，像素電極5的形狀為四邊形。像素電極5的形狀沒有特別地限定，也可以為多邊形、圓形、橢圓形。能夠不依賴于像素電極5的形狀而排出氣泡18。凸部16在X方向上的寬度恒定。凸部16的寬度也可以非恒定。也可以配合像素電極5的形狀而使變化。此外，變形例一～變形例三的內(nèi)容也能夠適用于上述第二實施方式～第五實施方式。

(變形例四)

在所述第一實施方式中，設置凸部16后，設置像素電極5。也可以將順序反過來，設置像素電極5后，設置凸部16。也可以是易于制造的工序順序。