本發(fā)明涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種量子點(diǎn)薄膜及其制作方法。

背景技術(shù)：

目前提高色域的方式包括調(diào)整背光源峰值的位置、采用紅綠熒光粉、量子點(diǎn)材料的背光以及調(diào)整彩色濾光片的通帶位置與半峰寬等。目前顯示器是采用藍(lán)光發(fā)光二極管激發(fā)紅色或者綠色的量子點(diǎn)薄膜進(jìn)行發(fā)光，其中量子點(diǎn)薄膜的發(fā)光線寬為30nm左右，窄線寬保證了背光的純色性。

現(xiàn)有的量子點(diǎn)的材料具有水氧敏感性。因此，在制備量子點(diǎn)薄膜的過程中，需要在量子點(diǎn)膜層的周緣制備水氧阻隔膜，以防止水氧侵襲量子點(diǎn)，而造成其效率下降乃至失效的問題。但是在具體地應(yīng)用到顯示器時(shí)，需要對(duì)量子點(diǎn)薄膜進(jìn)行裁剪，使得剪裁后的量子點(diǎn)薄膜的邊緣的水氧阻隔層失效，通常會(huì)出現(xiàn)0.3-2mm的邊緣失效區(qū)。

因此在應(yīng)用到背光模組中時(shí)，由于量子點(diǎn)薄膜邊緣的水氧阻隔層失效，使得藍(lán)光直接通過該失效邊緣區(qū)形成藍(lán)邊的現(xiàn)象。

由于量子點(diǎn)薄膜距離顯示輸出區(qū)具有一定的間隔，為保證在大視角情形下，不會(huì)看到量子點(diǎn)薄膜的藍(lán)色失效邊緣，通常需要在顯示器的邊緣設(shè)置較寬的油墨區(qū)或者黑色矩陣結(jié)構(gòu)以遮擋邊緣的漏藍(lán)光現(xiàn)象，但是這樣會(huì)增大面板的尺寸，不利于窄邊框的設(shè)計(jì)。

因此，有必要提供一種量子點(diǎn)薄膜及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種量子點(diǎn)薄膜及其制作方法，以解決現(xiàn)有量子點(diǎn)薄膜容易出現(xiàn)藍(lán)色失效邊緣，導(dǎo)致面板的尺寸比較大的技術(shù)問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種量子點(diǎn)薄膜，其包括：

第一基材層、第二基材層、量子點(diǎn)發(fā)光層以及至少兩個(gè)光阻部；所述第二基材層與所述第一基材層對(duì)置；所述量子點(diǎn)發(fā)光層和所述光阻部都位于所述第一基材層和所述第二基材層之間，所述光阻部位于所述量子點(diǎn)發(fā)光層的周緣；所述量子點(diǎn)發(fā)光層包括阻隔層和位于所述阻隔層內(nèi)的量子點(diǎn)層。

在本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中，在同一縱截面中，所述光阻部包括第一光阻部和第二光阻部，所述第一光阻部和所述第二光阻部位于所述量子點(diǎn)發(fā)光層的同一側(cè)，所述第一光阻部的厚度和所述第二光阻部的厚度之和與所述第一基材層和第二基材層之間的間距相等。

在本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中，所述第一光阻部的厚度和所述第二光阻部的厚度相等。

在本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中，所述第一光阻部與所述第二光阻部延水平方向?qū)ΨQ。

在本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中，所述光阻部的縱截面的形狀為三角形，所述光阻部具有一底邊，所述底邊的邊長位于第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，所述底邊靠近所述第一基材層或所述第二基材層側(cè)。

在本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中，所述光阻部具有內(nèi)側(cè)面，所述內(nèi)側(cè)面與所述量子點(diǎn)發(fā)光層相鄰，所述阻隔層部分位于所述第一基材層的內(nèi)表面和所述第二基材層的內(nèi)表面上，所述阻隔層的剩余部分位于所述光阻部的內(nèi)側(cè)面上。

在本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中，所述光阻部的材料為光刻膠。

本發(fā)明還提供一種量子點(diǎn)薄膜的制作方法，其包括：第一基材層、第二基材層、第一阻隔層、第二阻隔層、量子點(diǎn)層以及阻擋部；所述第一阻隔層位于所述第一基材層的內(nèi)表面，所述第二阻隔層位于所述第二基材層的內(nèi)表面；所述量子點(diǎn)層和所述阻擋部都位于所述第一阻隔層和所述第二阻隔層之間，所述阻擋部位于所述量子點(diǎn)層的周緣，以防止量子點(diǎn)薄膜出現(xiàn)藍(lán)色失效邊緣。

在本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中，所述阻擋部的材料包括水氧阻隔膠和氟化物熒光粉。

在本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜中，所述氟化物熒光粉的含量與所述量子點(diǎn)層中的量子點(diǎn)的含量之間的比例位于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。

本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜及其制作方法，通過在量子點(diǎn)發(fā)光層的周緣設(shè)置光阻部，從而使得在切割過程中，不會(huì)破壞阻隔層，防止量子點(diǎn)薄膜出現(xiàn)藍(lán)色失效邊緣，由于不需要在邊緣制作油墨層和黑色矩陣，因此減小了面板尺寸。

【附圖說明】

圖1為現(xiàn)有量子點(diǎn)薄膜的剖面示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例單個(gè)量子點(diǎn)薄膜的剖面示意圖。

圖3為本發(fā)明多個(gè)量子點(diǎn)薄膜的剖面示意圖。

圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例單個(gè)量子點(diǎn)薄膜的剖面示意圖。

圖5為本發(fā)明又一實(shí)施例單個(gè)量子點(diǎn)薄膜的剖面示意圖。

【具體實(shí)施方式】

以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為現(xiàn)有量子點(diǎn)薄膜的剖面示意圖。

如圖1所示，現(xiàn)有的量子點(diǎn)薄膜包括上基材層11、下基材層12，以及量子點(diǎn)層14，其中在量子點(diǎn)層14的周緣設(shè)置有阻隔層13，該阻隔層13用于防止水分子或者氧分子侵蝕量子點(diǎn)。但是在將整塊的量子點(diǎn)薄膜切割為小塊的過程中，比如延切割線101切割過程中，導(dǎo)致切割線附近的量子點(diǎn)層暴露在空氣中，從而降低了量子點(diǎn)的發(fā)光效率。

請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2為本發(fā)明單個(gè)量子點(diǎn)薄膜的剖面示意圖。

如圖2所示，本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜包括第一基材層21、第二基材層22、量子點(diǎn)發(fā)光層24、以及四個(gè)光阻部23。第一基材層21和第二基材層22相對(duì)設(shè)置，該第一基材層21和第二基材層22用于支撐量子點(diǎn)發(fā)光層24。該量子點(diǎn)發(fā)光層24包括阻隔層241和量子點(diǎn)層242；該阻隔層241用于隔離水分子和氧分子。該量子點(diǎn)層242位于所述阻隔層241內(nèi)部。

其中每個(gè)光阻部23位于所述量子點(diǎn)發(fā)光層24的周緣；優(yōu)選地，所述光阻部23具有內(nèi)側(cè)面233，所述內(nèi)側(cè)面233與所述量子點(diǎn)發(fā)光層24相鄰，所述阻隔層241部分位于所述第一基材層21的內(nèi)表面和所述第二基材層22的內(nèi)表面上，所述阻隔層241的剩余部分位于所述光阻部23的內(nèi)側(cè)面233上。也即，所述阻隔層241位于所述光阻部23的內(nèi)側(cè)面、未被光阻部23覆蓋的第一基材層21的內(nèi)表面以及未被光阻部23覆蓋的第二基材層22覆蓋的內(nèi)表面上，進(jìn)而形成密閉結(jié)構(gòu)?？梢岳斫獾?，該光阻部23的材料為可透光材料。

圖2僅給出單個(gè)量子點(diǎn)薄膜的沿縱向的剖面示意圖，但是具體在制作過程中，是將多個(gè)量子點(diǎn)薄膜一起制程。具體如圖3所示，當(dāng)多個(gè)量子點(diǎn)薄膜制程完畢時(shí)，延切割線201進(jìn)行切割，得到多個(gè)量子點(diǎn)薄膜。由于在量子點(diǎn)發(fā)光層24的周緣設(shè)置有光阻部23，因此在切割過程中，不會(huì)損壞阻隔層241，也即不會(huì)使得量子點(diǎn)被水氧侵蝕，提高了量子點(diǎn)的發(fā)光效率。由于不需要額外在顯示面板的周緣制作油墨層或者黑色矩陣，從而縮小了面板的尺寸。

優(yōu)選地，返回圖2，在同一縱截面中，所述光阻部23包括第一光阻部231和第二光阻部232，所述第一光阻部231和所述第二光阻部232位于所述量子點(diǎn)發(fā)光層24的同一側(cè)，也即在量子點(diǎn)發(fā)光層24的同一側(cè)共設(shè)置兩個(gè)光阻部23。所述第一光阻部231的厚度和所述第二光阻部231的厚度之和等于所述量子點(diǎn)發(fā)光層24的最大厚度。也即第一光阻部231的厚度和所述第二光阻部231的厚度之和與第一基材層21和第二基材層22之間的間距相等。由于將光阻部23的厚度設(shè)置為等于量子點(diǎn)發(fā)光層24的最大厚度，從而能夠使得量子發(fā)光層被周緣的光阻部包圍，以便使得第一基材層21和所述第二基材層22上的阻隔層在組合時(shí)，減少阻隔層的縫隙，從而能夠更好地保護(hù)量子點(diǎn)。

優(yōu)選地，所述第一光阻部231的厚度和所述第二光阻部232的厚度相等。比如該第一光阻部231的厚度為量子點(diǎn)發(fā)光層最大厚度的一半，從而便于制程，降低生產(chǎn)成本。

優(yōu)選地，所述第一光阻部231與所述第二光阻部232延水平方向?qū)ΨQ。也即同一側(cè)上下兩個(gè)光阻部成對(duì)稱結(jié)構(gòu)，此時(shí)所述第一光阻部231的截面面積和所述第二光阻部232的截面面積相等，且所述第一光阻部231的截面形狀和所述第二光阻部232的截面形狀相同。從而簡化制程工藝，降低生產(chǎn)成本。

優(yōu)選地，所述光阻部23的截面形狀為三角形，所述光阻部23具有一底邊25，所述底邊25的邊長位于第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，該第一預(yù)設(shè)范圍可以小于藍(lán)光失效區(qū)域，比如為3-2000微米。所述底邊25靠近所述第一基材層21側(cè)或者靠近所述第二基材層22側(cè)。進(jìn)一步地，所述光阻部23的截面形狀為直角三角形。當(dāng)然光阻部23的截面形狀也不限于圖2所示的形狀，還可以為長方形、梯形等等形狀。

優(yōu)選地，所述第一光阻部231與所述第二光阻部232相鄰接。以便使得第一基材層21和所述第二基材層22上的阻隔層在組合時(shí)，減少阻隔層的縫隙，從而能夠更好地保護(hù)量子點(diǎn)。

優(yōu)選地，所述光阻部23的材料為光刻膠。由于光刻膠能夠便于形成具有一定形狀或者結(jié)構(gòu)的部件，因此可以簡化制程工藝，降低生產(chǎn)成本。進(jìn)一步地，所述光阻部23的材料為SU-8光刻膠。

上述量子點(diǎn)薄膜的制作方法包括：

S101、在第一基材層和第二基材層的內(nèi)表面分別涂布光刻膠；

S102、對(duì)所述光刻膠進(jìn)行圖案化處理，以形成光阻部；

S103、在所述光阻部的內(nèi)側(cè)面、未被所述光阻部覆蓋的第一基材層的內(nèi)表面以及未被所述光阻部覆蓋的第二基材層的內(nèi)表面涂布阻隔層材料，以形成阻隔層；

例如，當(dāng)光阻部的截面形狀為直角三角形時(shí)，該光阻部的內(nèi)側(cè)面比如為三角形的斜邊。當(dāng)光阻部的截面形狀為直角梯形時(shí)，該光阻部的內(nèi)側(cè)面比如為梯形的斜邊。可以理解的是，該光阻部的內(nèi)側(cè)面與量子點(diǎn)發(fā)光層相鄰。

S104、在所述阻隔層內(nèi)部涂布量子點(diǎn)層；

S105、對(duì)具有量子點(diǎn)層的第一基材層和具有量子點(diǎn)層的第二基材層進(jìn)行組合。

本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜及其制作方法，通過在所述量子點(diǎn)發(fā)光層的周緣設(shè)置光阻部，從而使得在切割過程中，不會(huì)破壞阻隔層，防止量子點(diǎn)薄膜出現(xiàn)藍(lán)色失效邊緣，由于不需要在邊緣制作油墨層和黑色矩陣，因此減小了面板尺寸。

請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例單個(gè)量子點(diǎn)薄膜的剖面示意圖。

本實(shí)施例與上一實(shí)施例的區(qū)別在于，在量子點(diǎn)發(fā)光層的一側(cè)僅設(shè)置一個(gè)光阻部31，可以理解的，該光阻部31的厚度也可以等于第一基材層21和所述第二基材層22之間的間距，也即光阻部31上下分別與第一基材層21和所述第二基材層22抵接?？梢岳斫獾?，本實(shí)施例的阻隔層32和量子點(diǎn)層33的截面形狀與上一實(shí)施例的形狀不同。

優(yōu)選地，左側(cè)的光阻部31和右側(cè)的光阻部31延豎直方向?qū)ΨQ。

優(yōu)選地，左側(cè)的光阻部31和右側(cè)的光阻部31的截面面積相等，或者左側(cè)的光阻部31和右側(cè)的光阻部31的截面形狀相同。從而便于制程，降低生產(chǎn)成本。

可以理解的，該光阻部31的截面形狀不限于圖4所示的形狀，還可以為其他形狀，比如長方形，梯形等等，當(dāng)其形狀為梯形時(shí)，優(yōu)選為直角梯形。

上述量子點(diǎn)薄膜的制作方法包括：

S201、在第一基材層21的內(nèi)表面涂布光刻膠；

S202、對(duì)所述光刻膠進(jìn)行圖案化處理，以形成光阻部31；

S203、在所述光阻部31的內(nèi)側(cè)面、未被所述光阻部覆蓋的第一基材層21的內(nèi)表面以及整個(gè)第二基材層22的內(nèi)表面涂布阻隔層材料，以形成阻隔層；

例如，當(dāng)光阻部31的截面形狀為直角三角形時(shí)，該光阻部31的內(nèi)側(cè)面比如為三角形的斜邊。當(dāng)光阻部31的截面形狀為直角梯形時(shí)，該光阻部31的內(nèi)側(cè)面比如為梯形的斜邊?？梢岳斫獾氖牵摴庾璨?1的內(nèi)側(cè)面與量子點(diǎn)發(fā)光層相鄰。

S204、在所述阻隔層32內(nèi)部涂布量子點(diǎn)層33；

例如，當(dāng)在第一基材層上形成光阻部時(shí)，第一基材層的內(nèi)表面只有部分覆蓋有阻隔層，而第二基材層的內(nèi)表面全部覆蓋有阻隔層。

S205、對(duì)具有量子點(diǎn)層33的第一基材層21和第二基材層22進(jìn)行組合。

例如，當(dāng)在第一基材層21上形成光阻部31時(shí)，在組合時(shí)該第二基材層22不具有量子點(diǎn)層。

可以理解的，也可以僅在第二基材層22的內(nèi)表面涂布光刻膠，而第一基材層21上未涂布光刻膠。當(dāng)在第二基材層22上形成光阻部時(shí)，第二基材層22的內(nèi)表面只有部分覆蓋有阻隔層，而第一基材層21的內(nèi)表面全部覆蓋有阻隔層。當(dāng)在第二基材層22上形成光阻部時(shí)，在組合時(shí)對(duì)第一基材層和具有量子點(diǎn)層的第二基材層進(jìn)行組合，也即該第一基材層21不具有量子點(diǎn)層。

本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜及其制作方法，通過在所述量子點(diǎn)發(fā)光層的周緣設(shè)置光阻部，從而使得在切割過程中，不會(huì)破壞阻隔層，防止量子點(diǎn)薄膜出現(xiàn)藍(lán)色失效邊緣，由于不需要在邊緣制作油墨層和黑色矩陣，因此減小了面板尺寸。

可以理解的，雖然上述量子點(diǎn)薄膜在量子點(diǎn)發(fā)光層的同一側(cè)設(shè)置有一個(gè)、兩個(gè)光阻部，但是并不能對(duì)本發(fā)明構(gòu)成限定，也可以在量子點(diǎn)發(fā)光層的同一側(cè)設(shè)置兩個(gè)以上的光阻部。

請(qǐng)參照?qǐng)D5，圖5為本發(fā)明又一實(shí)施例單個(gè)量子點(diǎn)薄膜的剖面示意圖。

如圖5所示，本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜包括第一基材層21、第二基材層22、第一阻隔層41、第二阻隔層42、量子點(diǎn)層43以及阻擋部44；所述第一阻隔層41位于所述第一基材層21的內(nèi)表面，所述第二阻隔層42位于所述第二基材層22的內(nèi)表面；所述量子點(diǎn)層43和所述阻擋部44都位于所述第一阻隔層41和所述第二阻隔層42之間，所述阻擋部44位于所述量子點(diǎn)層43的周緣。所述阻擋部44用于防止量子點(diǎn)薄膜出現(xiàn)藍(lán)色失效邊緣。

優(yōu)選地，所述阻擋部44的材料包括水氧阻隔膠和氟化物熒光粉。比如在一實(shí)施方式中，在水氧阻隔膠中混合氟化物熒光粉，以得到該阻擋部44。

由于氟化物熒光粉的窄線寬特性，使其適用于高色域顯示模組的制作。由于氟化物熒光粉與量子點(diǎn)的高色域在色飽和度等方面差異較小，因而能夠有效解決量子點(diǎn)薄膜邊緣的漏藍(lán)光問題，同時(shí)由于阻擋部的材料包括水氧阻隔膠，還可以阻止水氧對(duì)量子點(diǎn)侵蝕。

優(yōu)選地，所述氟化物熒光粉的含量與所述量子點(diǎn)層43中的量子點(diǎn)的含量之間的比例位于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。通常氟化物熒光粉的外量子效率高達(dá)70％-85％，且對(duì)于膜層環(huán)境不敏感。而量子點(diǎn)本身具有較高的量子效率(70％-80％)。因此經(jīng)過與熒光粉、水氧阻隔膠的混合后，量子點(diǎn)膜層中的總體外量子效率僅有50％左右。因而當(dāng)邊緣區(qū)熒氟化物熒光粉與中心區(qū)的量子點(diǎn)的濃度位于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)時(shí)，使得量子點(diǎn)薄膜的亮度更佳。該預(yù)設(shè)范圍具體可以根據(jù)經(jīng)驗(yàn)值設(shè)定。

優(yōu)選地，為了更好地提高顯示效果，所述阻擋部44的厚度與所述量子點(diǎn)層43的厚度相等。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。