1.基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)方法，其特征在于：該光子晶體傳感器陣列是基于一維納米束波導(dǎo)和硅波導(dǎo)分束/耦合器相結(jié)合，即空氣孔硅介質(zhì)SOI背景結(jié)構(gòu)；在一維光子晶體中引入槽結(jié)構(gòu)并與硅波導(dǎo)和一維光子晶體濾波器直接耦合，通過級聯(lián)分束/耦合器實現(xiàn)并行光子晶體傳感器陣列。
2.根據(jù)權(quán)利1所述的實現(xiàn)方法，其特征在于傳感器陣列的具體設(shè)計方法，即：將一個1×8分束器，八個一維光子晶體納米束槽微腔(1DPC-SNCs)，八個漸變型一維光子晶體帶阻濾波器(1DPC-TNBF)和一個8×1耦合器級聯(lián)在厚度2μm的二氧化硅襯底上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種一維光子晶體納米束傳感器，其特征在于：所述光子晶體結(jié)構(gòu)包含的空氣孔個數(shù)為40，結(jié)構(gòu)尺寸僅為13.6μm×0.65μm，該傳感器結(jié)構(gòu)尺寸小，利于集成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種一維光子晶體納米束傳感器的傳感方法，其特征在于：在空氣/硅/二氧化硅微腔結(jié)構(gòu)中加入空氣槽，可以極大提高微腔的靈敏度。采用所述的光子晶體傳感器進(jìn)行傳感時，傳感器缺陷腔的靈敏度可達(dá)439nm/RIU。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種一維光子晶體濾波器，其特征在于：在一維光子晶體波導(dǎo)末端引入漸變空氣孔，可以極大減少旁瓣抖動。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分束/耦合器，其特征在于：1×8分束器和8×1耦合器的結(jié)構(gòu)尺寸分別為24μm×16μm和14μm×16μm，尺寸小，利于集成，適用于并行傳感。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分束/耦合器，其特征在于：插入損耗為0.91dB，該分束/耦合器結(jié)構(gòu)損耗很低。
8.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種分束/耦合器的復(fù)用方法，其特征在于：基于SOI的硅波導(dǎo)的多模干涉耦合器作為光子晶體并聯(lián)復(fù)用傳感的耦合器。