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液晶顯示設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):12785460閱讀:217來(lái)源:國(guó)知局
液晶顯示設(shè)備的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及液晶顯示設(shè)備,并且更具體地,涉及能夠提高生產(chǎn)率且不限制焊盤(pán)部件中的焊盤(pán)之間的間距的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備。



背景技術(shù):

能夠經(jīng)由在顯示設(shè)備的屏幕上的觸摸而輸入信息的觸摸傳感器被廣泛地應(yīng)用于便攜式信息設(shè)備,諸如智能電話以及諸如膝上型計(jì)算機(jī)、監(jiān)視器和家用電器的各種顯示設(shè)備。

根據(jù)觸摸傳感器的位置,應(yīng)用于顯示設(shè)備的觸摸技術(shù)被分類(lèi)為附加式和盒內(nèi)式。附加式顯示設(shè)備是觸摸屏面板以附接方式形成在顯示面板上的外部系統(tǒng)。盒內(nèi)式顯示設(shè)備是觸摸電極嵌入到顯示面板中從而將顯示面板與觸摸屏集成的內(nèi)部系統(tǒng)。

在盒內(nèi)式顯示設(shè)備中,為了顯示設(shè)備的輕薄,已經(jīng)開(kāi)發(fā)了液晶顯示設(shè)備的公共電極被劃分以用作觸摸電極的高級(jí)盒內(nèi)觸控(advanced in-cell touch,AIT)。

但是,盒內(nèi)觸摸顯示設(shè)備還包括將公共觸摸電極電連接至觸摸感測(cè)單元的觸摸信號(hào)線,由此增加了處理步驟且降低了生產(chǎn)率。由于連接至驅(qū)動(dòng)電路的焊盤(pán)部件中焊盤(pán)的數(shù)量增多,因此焊盤(pán)之間的間距或區(qū)域不夠。因此,存在顯示設(shè)備的可靠性下降的缺點(diǎn)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

因此,鑒于上述問(wèn)題提出了本發(fā)明,并且本發(fā)明的目的是提供一種具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備,該液晶顯示設(shè)備能夠提高生產(chǎn)率且沒(méi)有對(duì)焊盤(pán)部件中的焊盤(pán)之間的間距或空間的限制。

本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的及特征部分地將在以下的說(shuō)明書(shū)中進(jìn)行闡述,并且部分地對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)在研讀以下內(nèi)容后將變得清楚,或者可以通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而獲知。通過(guò)在撰寫(xiě)的說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求書(shū)以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu),可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn),并且根據(jù)本發(fā)明的目的,如本文具體表達(dá)和廣泛描述的,一種具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備,所述液晶顯示設(shè)備包括:像素電極,所述像素電極布置在用于覆蓋薄膜晶體管的第一鈍化層和平整層上,所述像素電極經(jīng)由穿過(guò)所述平整層和所述第一鈍化層的第一接觸孔連接至所述漏極;和觸摸信號(hào)線,所述觸摸信號(hào)線包括含有下部層和上部層的第三布線層,所述下部層由與所述像素電極相同的材料形成。觸摸公共電極由第四布線層形成,布置在第二鈍化層上以覆蓋所述像素電極和所述觸摸信號(hào)線,并且經(jīng)由穿過(guò)所述第二鈍化層的第二孔連接至所述觸摸信號(hào)線。

第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)可以經(jīng)由第一數(shù)據(jù)鏈路連接至數(shù)據(jù)線,并且,經(jīng)由第二數(shù)據(jù)鏈路連接至相鄰數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)可以布置在通過(guò)穿過(guò)所述平整層和鈍化層的第一孔提供的焊盤(pán)區(qū)域處。

所述第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)可以包括:第一下部焊盤(pán),所述第一下部焊盤(pán)連接至所述第一數(shù)據(jù)鏈路;第二下部焊盤(pán),所述第二下部焊盤(pán)由所述第一布線層形成;上部焊盤(pán),所述上部焊盤(pán)由所述第四布線層形成,所述上部焊盤(pán)經(jīng)由穿過(guò)所述鈍化層的第三接觸孔和穿過(guò)所述鈍化層和所述柵極絕緣層的第四接觸孔將所述第一下部焊盤(pán)連接至所述第二下部焊盤(pán)。

所述第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)可以包括:下部焊盤(pán),所述下部焊盤(pán)由所述第一布線層形成,所述下部焊盤(pán)連接至所述第二數(shù)據(jù)鏈路;和上部焊盤(pán),所述上部焊盤(pán)由所述第四布線層形成,所述上部焊盤(pán)經(jīng)由穿過(guò)所述鈍化層和所述柵極絕緣層的第五接觸孔連接至所述下部焊盤(pán)。

應(yīng)該理解的是,對(duì)本發(fā)明的以上概述和以下詳述都是示例性和解釋性的,并旨在對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。

附圖說(shuō)明

附圖被包括進(jìn)來(lái)以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,并結(jié)合到本申請(qǐng)中且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分,附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式,且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:

圖1是示意性例示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的圖;

圖2是示意性例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備中的像素部件的圖;

圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E和圖3F是例示通過(guò)掩模工藝制造圖2中所示的像素部件的工藝的圖;

圖4是示意性例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸檢測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的非顯示區(qū)域中的數(shù)據(jù)線的圖;

圖5是示意性地例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的非顯示區(qū)域中的觸摸線的圖;

圖6是例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的非顯示區(qū)域中的觸摸線的放大平面圖;

圖7A、圖7B和圖7C是按區(qū)域例示在圖6中示出的觸摸線的截面圖;

圖8是例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的非顯示區(qū)域中的數(shù)據(jù)線的放大平面圖;

圖9A、圖9B、圖9C和圖9D是按區(qū)域例示在圖8中所示的非顯示區(qū)域中的數(shù)據(jù)線的截面圖;

圖10是例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的焊盤(pán)部件中的觸摸焊盤(pán)的平面圖;

圖11是例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的焊盤(pán)部件中的數(shù)據(jù)焊盤(pán)的平面圖;并且

圖12是例示制造根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備中的薄膜晶體管陣列基板的工藝的流程圖。

具體實(shí)施方式

圖1是示意性例示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的圖。

參照?qǐng)D1,具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備包括顯示面板10、選通驅(qū)動(dòng)器20、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30和觸摸感測(cè)單元40。

顯示面板10經(jīng)由像素布置成矩陣的像素陣列來(lái)顯示圖像。顯示面板10使用公共電極TE來(lái)感測(cè)電容式觸摸。

顯示面板10包括薄膜晶體管陣列基板、濾色器陣列基板和插置在薄膜晶體管陣列基板與濾色器陣列基板之間的液晶層。在圖1中,主要示出了具有薄膜晶體管陣列基板的顯示面板10。

顯示面板10的薄膜晶體管陣列基板包括連接至選通線GL和數(shù)據(jù)線DL的薄膜晶體管TFT、通過(guò)每個(gè)像素連接至薄膜晶體管的像素電極PXL和通過(guò)包括像素的像素塊的公共觸摸電極(在下文中,稱(chēng)為觸摸電極)TE。每個(gè)像素根據(jù)經(jīng)由一個(gè)薄膜晶體管TFT提供至一個(gè)像素電極PXL的數(shù)據(jù)信號(hào)與提供至觸摸電極TE的調(diào)節(jié)透光率的公共電壓Vcom之間的電壓差來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶分子。多個(gè)狹縫SL設(shè)置在像素電極PXL和交疊的觸摸電極TE中的一個(gè)處,其中絕緣層插置在像素電極PXL和觸摸電極TE之間。像素電極PXL和觸摸電極TE以共面轉(zhuǎn)換(IPS)模式或邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)(FFS)模式驅(qū)動(dòng)液晶層。

考慮到觸摸點(diǎn)尺寸,每一個(gè)觸摸電極TE具有公共電極被劃分為具有均勻尺寸的結(jié)構(gòu)。薄膜晶體管基板包括多個(gè)觸摸行。每個(gè)觸摸行包括:多個(gè)觸摸電極TE,該多個(gè)觸摸電極TE布置在數(shù)據(jù)線DL的縱向方向上;多個(gè)觸摸信號(hào)線TL,該多個(gè)觸摸信號(hào)線TL在連接至觸摸感測(cè)單元40的同時(shí)單獨(dú)地連接至觸摸電極TE。

在顯示設(shè)備的工作時(shí)期期間,數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30將從定時(shí)控制器提供的圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)以便向數(shù)據(jù)線DL提供模擬信號(hào)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30將從嵌入在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30中或單獨(dú)設(shè)置的伽馬電壓產(chǎn)生器提供的伽瑪電壓集再分別細(xì)分成與數(shù)據(jù)的灰度值對(duì)應(yīng)的灰度電壓。在顯示設(shè)備的工作時(shí)期期間,數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30使用細(xì)分的灰度電壓將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成正模擬數(shù)據(jù)電壓或負(fù)模擬數(shù)據(jù)電壓。每當(dāng)驅(qū)動(dòng)選通線DL時(shí),數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30將數(shù)據(jù)電壓分別提供至數(shù)據(jù)線DL。在觸摸感測(cè)時(shí)期期間,數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30防止數(shù)據(jù)電壓被提供至數(shù)據(jù)線DL。

在顯示設(shè)備的工作時(shí)期期間,選通驅(qū)動(dòng)器20依次驅(qū)動(dòng)選通線GL。在顯示設(shè)備的工作時(shí)期期間,每個(gè)掃描周期,接通電壓(gate-on-voltage)的掃描脈沖被提供至一條選通線GL。在其它選通線的工作時(shí)期,提供斷開(kāi)電壓。在觸摸感測(cè)時(shí)期,選通驅(qū)動(dòng)器20向選通線GL不提供掃描脈沖。

在顯示設(shè)備的工作時(shí)期期間,公共電壓供給單元經(jīng)由觸摸信號(hào)線TL向觸摸電極TE提供公共電壓Vcom。

在觸摸感測(cè)時(shí)期期間,觸摸感測(cè)單元40經(jīng)由觸摸電極TE感測(cè)是否存在自電容觸摸方式的觸摸。觸摸感測(cè)單元40對(duì)從定時(shí)控制器提供的觸摸同步信號(hào)作出響應(yīng)以在觸摸感測(cè)時(shí)期期間經(jīng)由觸摸信號(hào)線TL向觸摸電極TE提供觸摸驅(qū)動(dòng)信號(hào)。然后,觸摸感測(cè)單元40從對(duì)應(yīng)的觸摸電極TE接收反饋信號(hào)。觸摸感測(cè)單元40不同地放大觸摸驅(qū)動(dòng)信號(hào)和觸摸電極TE的反饋信號(hào)以感測(cè)觸摸電極TE的自電容(信號(hào)延遲量)由于觸摸而產(chǎn)生的變化,由此產(chǎn)生感測(cè)信息。觸摸感測(cè)單元40通過(guò)感測(cè)信息的信號(hào)處理計(jì)算觸摸坐標(biāo)信息并且經(jīng)由主機(jī)系統(tǒng)輸出觸摸坐標(biāo)信息。

觸摸感測(cè)單元40可以被集成到觸摸集成芯片(IC)中或集成到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30和驅(qū)動(dòng)IC中。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器30可以包括至少一個(gè)IC。選通驅(qū)動(dòng)器20可以包括至少一個(gè)IC或可以以面板中選通(GIP)的方式被嵌入到薄膜晶體管基板的非顯示區(qū)域中,且選通驅(qū)動(dòng)器20和薄膜晶體管陣列的薄膜晶體管同時(shí)形成。

圖2是例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備中的像素部件的圖。

參照?qǐng)D2,薄膜晶體管TFT(參見(jiàn)圖1)包括基板SUB上的柵極G、覆蓋柵極G的柵極絕緣層GI、在柵極絕緣層GI上的有源層ACT和在有源層ACT上的源極S和漏極D。

在基板SUB上形成包括連接至選通線GL(參見(jiàn)圖1)的柵極G的第一布線層組。第一布線層組可以形成為包括第一布線層,所述第一布線層具有由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或它們的合金中的至少一種金屬形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

柵極絕緣層GI形成在基板SUB上以覆蓋第一布線層組。柵極絕緣層GI可以形成為具有由諸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氧化鋁(AlOx)的無(wú)機(jī)絕緣材料形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

有源層ACT形成在柵絕緣層GI上。包括源極S、漏極D和連接至源極S的數(shù)據(jù)線DL的第二布線層組形成在有源層ACT上。

有源層ACT被形成為包括非晶硅層和摻雜有用作堆疊在柵極絕緣層GI上的歐姆接觸層的雜質(zhì)(n+)的非晶硅層。去除與源極S和漏極D之間的溝道對(duì)應(yīng)的歐姆接觸層。另選地,可以將氧化物半導(dǎo)體涂覆至有源層ACT。氧化物半導(dǎo)體可以包括氧化鋅(ZnO)半導(dǎo)體、氧化銦鋅(IZO)半導(dǎo)體、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)半導(dǎo)體或氧化銦錫鋅(ITZO)半導(dǎo)體中的至少一種。

包括源極S、漏極D和有源層ACT上的數(shù)據(jù)線的第二布線層組可以形成為由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或它們的合金中的至少一種金屬形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

第一鈍化層PAS1形成在柵極絕緣層GI上以覆蓋堆疊在柵極絕緣層GI上的有源層ACT和有源層ACT上的第二布線層組。第一鈍化層PAS1可以形成為具有由諸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氧化鋁(AlOx)的無(wú)機(jī)絕緣材料形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

在第一鈍化層PAS1上形成平整層PAC。平整層PAC由諸如光壓克力(photo acryl)的有機(jī)絕緣材料形成。

包括像素電極PXL和觸摸信號(hào)線TL的第三布線層組形成在平整層PAC上。像素電極PXL經(jīng)由穿過(guò)平整層PAC和第一鈍化層PAS1的第一接觸孔H1連接至漏極D。像素電極PXL由包括銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電層形成。觸摸信號(hào)線TL包括在與像素電極PLX相同水平處形成的且由與像素電極PXL相同的材料形成的透明導(dǎo)電層102和堆疊在透明導(dǎo)電層102上的金屬層104。金屬層104可以被形成為具有由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或它們的合金中的至少一種金屬形成的單層或多層結(jié)構(gòu)。由于觸摸線TL形成在相對(duì)厚的平整層PAC上,可以減小信號(hào)線TL、選通線GL和數(shù)據(jù)線DL之間的信號(hào)干擾。

第二鈍化層PAS2形成在平整層PAC上以覆蓋像素電極PXL和第三布線層組。第二鈍化層PAS2可以形成為具有由諸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氧化鋁(AlOx)的無(wú)機(jī)絕緣材料形成的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。

包括觸摸電極TE的第四布線層組形成在第二鈍化層PAS2上。觸摸電極TE與像素電極PXL交疊,且第二鈍化層PAS插置在它們之間。多個(gè)狹縫SL設(shè)置為與像素電極PXL交疊。觸摸電極TE經(jīng)由穿過(guò)第二鈍化層PAS2的第二接觸孔H2連接至觸摸信號(hào)線TL。包括觸摸電極TE的第四布線層組由諸如ITO和IZO的透明導(dǎo)電層形成。

圖3A至圖3F是例示通過(guò)掩模工藝制造圖2中所示的像素部件的工藝的圖。

參照?qǐng)D3A,使用第一掩模工藝將包括選通線GL和柵極G的第一布線層組形成在基板SUB上。第一布線層沉積在基板SUB上并且使用第一掩模通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝被圖案化以在基板SUB上形成包括選通線GL和柵極G的第一布線層組。

參照?qǐng)D3B,在第二掩模工藝中,在形成有第一布線層組的基板SUB上形成柵極絕緣層GI、有源層ACT和第二布線層組以具有堆疊結(jié)構(gòu)。第二布線層組包括源極S、漏極D和數(shù)據(jù)線DL。柵極絕緣層GI沉積在基板SUB上以覆蓋第一布線層組。在半導(dǎo)體層和第二布線層在柵極絕緣層GI上堆疊之后,使用第二掩模通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝將半導(dǎo)體層和第二布線層圖案化以形成包括源極S、漏極D和數(shù)據(jù)線DL的第二布線層組。

半色調(diào)掩模或衍射(狹縫)掩模用作第二掩模。通過(guò)光刻工藝使用第二掩模將具有第一高度和第二高度的光刻圖案形成在第二布線層上。具有第一高度且與第二掩模的半色調(diào)部分(或衍射部分)對(duì)應(yīng)的第一光刻區(qū)域形成在將形成有源層ACT的溝道部分的部分處。具有第二高度(例如,大于第一高度的高度)且與第二掩模的遮光部分對(duì)應(yīng)的第二光刻區(qū)域形成在將形成第二布線層組和第二布線層組下方的有源層ACT的部分處。光刻膠沒(méi)有形成在去除半導(dǎo)體層和第二布線層以與第二掩模的暴露部分對(duì)應(yīng)的部分處。通過(guò)刻蝕工藝使用光刻圖案將第二布線層和半導(dǎo)體層圖案化為掩模以形成有源層ACT和有源層ACT上的第二布線層組。這里,源極S連接至漏極D。通過(guò)順序刻蝕工藝去除第一光刻區(qū)域和第一光刻區(qū)域下方的第二布線層和歐姆接觸層以被分成源極S和漏極D,并且形成溝道部件,且在源極S和漏極D下方的有源層ACT中沒(méi)有歐姆接觸層。

參照?qǐng)D3C,在形成有有源層ACT和第二布線層組的柵極絕緣層GI上形成第一鈍化層PAS1和平整層PAC以具有堆疊結(jié)構(gòu)。通過(guò)沉積將第一鈍化層PAS1形成在柵極絕緣層GI上以覆蓋有源層ACT和第二布線層組。在第一鈍化層PAS1上形成平整層PAC。使用第三掩模通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝形成穿過(guò)平整層PAC和第一鈍化層PAS1以暴露漏極D的一部分的接觸孔H1。

參照?qǐng)D3D,在第四掩模工藝中,在平整層PAC上形成包括像素電極PXL和堆疊的包括透明導(dǎo)電層102和金屬層104的觸摸信號(hào)線TL的第三布線層組。在平整層PAC上依次沉積透明導(dǎo)電層102和金屬層104以形成第三布線層。使用第四掩模通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝將第三布線層圖案化以形成包括像素電極PXL和觸摸信號(hào)線TL的第三布線層組。

半色調(diào)掩?;蜓苌?狹縫)掩模用作第四掩模。通過(guò)光刻工藝使用第四掩模將具有第一高度和第二高度的光刻圖案形成在上部金屬層上。具有第一高度且與第四掩模的半色調(diào)部分(或衍射部分)對(duì)應(yīng)的第一光刻區(qū)域形成在將形成像素電極的部分處。具有第二高度(例如,大于第一高度的高度)且與第四掩模的遮光部分對(duì)應(yīng)的第二光刻區(qū)域形成在將形成觸摸信號(hào)線TL的部分處。光刻膠沒(méi)有形成在去除第三布線層以與第四掩模的暴露部分對(duì)應(yīng)的部分處。使用光刻圖案作為掩模通過(guò)刻蝕工藝將上部金屬層圖案化。通過(guò)灰化工藝去除形成有像素電極PXL的第一光刻區(qū)域之后,使用圖案化的上部金屬層作為掩模通過(guò)刻蝕工藝將下部透明導(dǎo)電層圖案化。然后,在通過(guò)刻蝕工藝去除在像素電極PXL上暴露的上部金屬層之后,通過(guò)汽提工藝去除在觸摸信號(hào)線TL上余留的第二光刻區(qū)域。因此,由于形成透明導(dǎo)電層的像素電極PXL和堆疊的包括透明導(dǎo)電層102和金屬層104的觸摸信號(hào)線TL,因此不存在針對(duì)觸摸信號(hào)線TL的單獨(dú)的掩模工藝,由此提供了生產(chǎn)率。像素電極PXL經(jīng)由第一接觸孔H1連接至漏極D。

另外,像素電極PXL與觸摸信號(hào)線TL之間的空間與第四掩模的暴露部分對(duì)應(yīng)。由于暴露,在將空間的距離減小為小于6μm的方面存在限制。由此,像素電極PXL和觸摸信號(hào)線TL之間的距離增大,這減小了像素電極PXL的尺寸。但是,根據(jù)本發(fā)明,0.5μm至1.5μm的厚遮光線(或暗線)設(shè)置在半色調(diào)部分(或衍射部分)的與將形成像素電極PXL以減小暴露量的部分對(duì)應(yīng)的邊緣處。由此,像素電極PXL與觸摸信號(hào)線TL之間的距離可以減小至6μm或更小以防止像素電極PXL的尺寸減小。

參照?qǐng)D3E,在第五掩模工藝中,第二鈍化層PAS 2形成在形成第三布線層組的平整層PAC上。第二鈍化層PAS2通過(guò)沉積形成在平整層PAC上以覆蓋第三布線層組。使用第五掩模通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝形成穿過(guò)第二鈍化層PAS2且暴露金屬層104的作為觸摸信號(hào)線TL的上層的部分的接觸孔H2。

參照?qǐng)D3F,在第六掩模工藝中,觸摸電極TE形成在第二鈍化層PAS2上。透明導(dǎo)電層通過(guò)沉積形成在第二鈍化層PAS2上。通過(guò)第六掩模工藝將透明導(dǎo)電層圖案化以在第二鈍化層PAS2上形成觸摸電極TE(例如,如上所述,在顯示器工作期間,觸摸電極一起形成顯示器的公共電壓Vcom)。觸摸電極TE經(jīng)由穿過(guò)接觸孔H2連接至觸摸信號(hào)線TL。

根據(jù)本發(fā)明的例示的實(shí)施方式,在具有觸摸檢測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備中,使用相同的掩模工藝,將包括堆疊的透明導(dǎo)電層102和金屬層104的觸摸信號(hào)線TL和包括由透明導(dǎo)電層形成的像素電極PXL的第三布線層組形成在相同的水平處。因此,不需要用于形成觸摸信號(hào)線TL的單獨(dú)的掩模,由此與使用單獨(dú)的掩模來(lái)形成觸摸信號(hào)線TL相比,提高了生產(chǎn)率。

圖4是示意性例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸檢測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的非顯示區(qū)域中的數(shù)據(jù)線的圖。

參照?qǐng)D4,顯示區(qū)域AA的數(shù)據(jù)線DL(參見(jiàn)圖1)經(jīng)由在非顯示區(qū)域形成的數(shù)據(jù)鏈路DKa和DKb單獨(dú)地連接至在焊盤(pán)區(qū)域處形成的數(shù)據(jù)焊盤(pán)DP。數(shù)據(jù)焊盤(pán)DP是連接至安裝在其上的驅(qū)動(dòng)IC的部件。另外,數(shù)據(jù)焊盤(pán)DP經(jīng)由連接線DC單獨(dú)地連接至檢查晶體管Tr1。

數(shù)據(jù)鏈路DKa和DKb包括由與數(shù)據(jù)線DL(參見(jiàn)圖1)相同的第二布線層(數(shù)據(jù)線)形成的且連接至數(shù)據(jù)線DL的第一數(shù)據(jù)鏈路DKa,和由與數(shù)據(jù)線DL不同的第一布線層形成的且經(jīng)由第一跳變連接器JC1連接至相鄰的數(shù)據(jù)線(例如,與數(shù)據(jù)線DL緊鄰的另一數(shù)據(jù)線)的第二數(shù)據(jù)鏈路DKb。第二布線層的第一數(shù)據(jù)鏈路DKa和第一布線層的第二數(shù)據(jù)鏈路DKb交替地布置在非顯示區(qū)域中并且由不同的布線層制成。因此,充分確保了在包括多個(gè)數(shù)據(jù)鏈路DKa和DKb的有限的非顯示區(qū)域中的數(shù)據(jù)鏈路DKa和DKb之間的間距或區(qū)域,由此提高可靠性(例如,由于利用不同掩模從不同的布線層形成交替的數(shù)據(jù)鏈路,因此它們能更緊密地放置在一起)。

在焊盤(pán)區(qū)域中的第二布線層的第一數(shù)據(jù)鏈路DKa經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤(pán)DP連接至第一布線層的連接線DC。第一布線層的第二數(shù)據(jù)鏈路DKb經(jīng)由數(shù)據(jù)焊盤(pán)DP連接至第一布線層的連接線DC。第一布線層的連接線DC經(jīng)由第二跳變連接器JC2單獨(dú)地連接至由第二布線層形成的檢查晶體管Tr1的漏極。

檢查晶體管Tr1的漏極經(jīng)由第二跳變連接器JC2、連接線DC、數(shù)據(jù)焊盤(pán)DP或數(shù)據(jù)鏈路DKa和DKb單獨(dú)地連接至數(shù)據(jù)線DL。柵極共同連接至控制線CL1。源極共同連接至信號(hào)線SL1。檢查晶體管Tr1用于檢查諸如短路和數(shù)據(jù)線DL的通路的故障。

圖5是示意性地例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的非顯示區(qū)域中的觸摸線的圖。

參照?qǐng)D5,顯示區(qū)域的觸摸線TL(參見(jiàn)圖1)經(jīng)由形成在非顯示區(qū)域處的觸摸鏈路TK單獨(dú)地連接至在焊盤(pán)部分處形成的觸摸焊盤(pán)TP。每個(gè)觸摸焊盤(pán)TP是用于連接至安裝在其上的驅(qū)動(dòng)IC的部件。另外,觸摸焊盤(pán)TP經(jīng)由連接線TC單獨(dú)地連接至檢查晶體管Tr2。焊盤(pán)區(qū)域中的觸摸焊盤(pán)TP可以單獨(dú)地布置在圖4中所示的數(shù)據(jù)焊盤(pán)DP的兩側(cè)處。

觸摸鏈路TK由與觸摸信號(hào)線TL(參見(jiàn)圖1)相同的第三布線層形成以連接至觸摸信號(hào)線TL。觸摸鏈路經(jīng)由觸摸焊盤(pán)TP連接至第一布線層的觸摸連接線TC。第一布線層的連接線TC經(jīng)由第三連接器JC3單獨(dú)地連接至由第二布線層形成的檢查晶體管Tr2的漏極。

檢查晶體管Tr2的漏極經(jīng)由第三跳變連接器JC3、連接線TC、觸摸焊盤(pán)TP或觸摸鏈路TK單獨(dú)地連接至觸摸信號(hào)線TL。柵極共同連接至控制線CL2。源極共同連接至信號(hào)線SL2。檢查晶體管Tr2用于檢查諸如短路和觸摸信號(hào)線TL和觸摸電極TE的通路的故障。

圖6是例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的非顯示區(qū)域中的觸摸線的放大平面圖。圖7A是例示沿線A1-A1'截取的焊盤(pán)區(qū)域PA中的觸摸焊盤(pán)的截面圖。圖7B是例示沿線B1-B1'截取的跳變區(qū)域JCA中的跳變連接器的截面圖。圖7C是沿線C1-C1'截取的檢查晶體管區(qū)域AP-Tr的截面圖。

參照?qǐng)D6和圖7A,觸摸焊盤(pán)TP包括在不同的層處形成的第一下部焊盤(pán)112、第二下部焊盤(pán)114和第一上部焊盤(pán)116。第一上部焊盤(pán)116是將第一下部焊盤(pán)112連接至第二下部焊盤(pán)114且同時(shí)連接至驅(qū)動(dòng)IC的部件。

觸摸焊盤(pán)TP的第一下部焊盤(pán)112由與要連接至觸摸鏈路TK的觸摸信號(hào)線TL(參見(jiàn)圖1和圖2)相同的第三布線層102和104形成。

通過(guò)去除平整層PAC和第一鈍化層PAS 1形成的孔PH1設(shè)置在焊盤(pán)區(qū)域PA處以加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)IC的粘合力。在焊盤(pán)區(qū)域PA的孔PH1中,觸摸鏈路TK和第三布線層102和104的第一下部焊盤(pán)112布置在柵極絕緣層GI上。

觸摸焊盤(pán)TP的第二下部焊盤(pán)114形成在基板SUB和柵極絕緣層GI之間,且由第一布線層形成。第一布線層和柵極(即,第一布線層組)同時(shí)形成。

觸摸焊盤(pán)TP的上部焊盤(pán)116由第二鈍化層PAS2上的第四布線層形成。上部焊盤(pán)116經(jīng)由穿過(guò)第二鈍化層PAS2以暴露第一下部焊盤(pán)112的一部分的接觸孔H3和穿過(guò)第二鈍化層PAS2和柵極絕緣層GI以暴露第二下部焊盤(pán)114的一部分的接觸孔H4連接至第一下部焊盤(pán)112和第二下部焊盤(pán)114。第四布線層是與觸摸電極TE相同的透明導(dǎo)電層,且由具有高耐蝕性和耐酸性的ITO、IZO和ITZO中的至少一種形成。

參照?qǐng)D6、圖7B和圖7C,在跳變區(qū)域JAC中的第三跳變連接器JC3包括經(jīng)由連接線TL連接至觸摸焊盤(pán)TP的第二下部焊盤(pán)114的第一下部電極122、在與第一下部電極122的不同層處的第二下部電極124和上部電極126。

第三跳變連接器JC3的第一下部電極122由與要連接至連接線TC的觸摸焊盤(pán)TP的第二下部焊盤(pán)114和連接線TC相同的第一布線層形成。

第三跳變連接器JC3的第二下部電極124由第二布線層形成。第二下部電極124延伸至要連接至檢查晶體管Tr2的漏極(第二布線層)的檢查晶體管區(qū)域AP-Tr。有源層ACT形成在第二下部電極124下方。

跳變區(qū)域JCA包括穿過(guò)平整層PAC和第一鈍化層PAS1的孔PH2。第三跳變連接器JC3的中間電極128由覆蓋第二布線層的由孔PH2暴露的第二下部電極124,且包括堆疊的透明導(dǎo)電層102和金屬層104的第三布線層形成。由此,中間電極128用來(lái)防止第二布線層的第二下部電極124在形成第三布線層組的工藝中被刻蝕。中間電極128被形成為具有比第二孔PH2更大的寬度,使得中間電極128經(jīng)由圍繞孔PH2的平整層PAC的傾斜表面和第一鈍化層PAS1形成在鈍化層PAC上。

上部電極126形成在鈍化層PAS 2上,且由第四布線層形成。第四層包括與觸摸電極TE相同的透明導(dǎo)電層,且由具有高耐蝕性和耐酸性的ITO、IZO和ITZO中的至少一種形成。上部電極126經(jīng)由穿過(guò)第二鈍化層PAS2和柵極絕緣層GI以暴露第一下部電極122的一部分的接觸孔H5和穿過(guò)第二鈍化層PAS2以暴露中間電極128的一部分的接觸孔H6將第一下部電極122連接至中間電極128。因此,第三跳變連接器JC3將由第一布線層形成的連接線TC連接至檢查晶體管Tr2的由第二布線層形成的漏極。

圖8是例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的非顯示區(qū)域中的數(shù)據(jù)線的放大平面圖。圖9A是例示沿線A2-A2'截取的焊盤(pán)區(qū)域PA中的第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)的截面圖。圖9B是例示沿線A3-A3'截取的焊盤(pán)區(qū)域PA中的第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)的截面圖。圖9C是例示沿線B2-B2'截取的跳變區(qū)域JCA中的跳變連接器的截面圖。圖9D是沿線C2-C2'截取的檢查晶體管區(qū)域AP-Tr的截面圖。

參照?qǐng)D8、圖9A至圖9D,焊盤(pán)區(qū)域PA包括具有不同截面結(jié)構(gòu)的第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa和第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPb。第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa和第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPb交替地布置在焊盤(pán)區(qū)域PA中。

第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa包括布置在不同層處的第一下部焊盤(pán)132、第二下部焊盤(pán)134和第一上部焊盤(pán)136。上部焊盤(pán)136是將第一下部焊盤(pán)132連接至第二下部焊盤(pán)134且同時(shí)連接至驅(qū)動(dòng)IC的部件。

第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa的第一下部焊盤(pán)132由第三布線層102和104形成。第一下部焊盤(pán)132連接至由第二布線層形成的第一數(shù)據(jù)鏈路DKa以覆蓋第一數(shù)據(jù)鏈路DKa的一端。焊盤(pán)區(qū)域PA包括通過(guò)去除平整層PAC和第一鈍化層PAS 1而形成的孔PH1,該孔PH1加固了驅(qū)動(dòng)IC的粘合力。在焊盤(pán)區(qū)域PA的孔PH1中,第三布線層102和104的第一下部焊盤(pán)132布置在第一數(shù)據(jù)鏈路DKa和柵極絕緣層GI的端部上。在形成第三布線層組的工藝中,第一下部焊盤(pán)132用來(lái)防止第二布線層的第一數(shù)據(jù)鏈路DKa的暴露的端部被刻蝕。第一數(shù)據(jù)鏈路DKa的端部布置在第一下部焊盤(pán)132的具有相對(duì)窄的寬度的部分下方,并且沒(méi)有形成在第一下部焊盤(pán)132的具有相對(duì)寬的寬度的部分下方。

第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa的第二下部焊盤(pán)134形成在基板SUB和柵極絕緣層GI之間,且由第一布線層形成。第一布線層和柵極線(即,第一布線層組)同時(shí)形成。

第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa的上部焊盤(pán)136形成在第二鈍化層PAS2上,且由第四布線層形成。上部焊盤(pán)136經(jīng)由穿過(guò)第二鈍化層PAS2以暴露第一下部焊盤(pán)132的一部分的接觸孔H7和穿過(guò)第二鈍化層PAS2和柵極絕緣層GI以暴露第二下部焊盤(pán)134的一部分的接觸孔H8將第一下部焊盤(pán)132連接至第二下部焊盤(pán)134。作為與觸摸電極TE相同的透明導(dǎo)電層的第四布線層由具有高耐蝕性和耐酸性的ITO、IZO和ITZO中的至少一種形成。

第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPb包括由基板SUB上的第一布線層形成的下部焊盤(pán)144和由第二鈍化層PAS2上的第四布線層形成的上部焊盤(pán)146。上部焊盤(pán)146是連接至驅(qū)動(dòng)IC的部件并且經(jīng)由穿過(guò)第二鈍化層PAS2和柵極絕緣層GI的一個(gè)或更多個(gè)接觸孔H9連接至下部焊盤(pán)144。

參照?qǐng)D8、圖9C和圖9D,在跳變區(qū)域JAC中的第二跳變連接器JC2包括第一下部電極152、在與第一下部電極152的不同層處形成的第二下部電極154和上部電極156。

第二跳變連接器JC2的第一下部電極152由與第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa的第二下部焊盤(pán)134、第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPb的下部焊盤(pán)144和連接線DC相同的第一布線層形成。因此,第一下部電極152經(jīng)由連接線DC連接至第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa的第二下部焊盤(pán)134或第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPb的下部焊盤(pán)144。

第二跳變連接器JC2的第二下部電極154由與檢查晶體管Tr1的漏極相同的第二布線層形成。因此,第二下部電極154連接至檢查晶體管Tr1的漏極。有源層ACT形成在第二下部電極154下方。

跳變區(qū)域JCA包括穿過(guò)平整層PAC和第一鈍化層PAS1的孔PH3。第二跳變連接器JC2的中間電極158由包括堆疊的透明導(dǎo)電層102和金屬層104的第三布線層形成以覆蓋第二布線層的由孔PH3暴露的第二下部電極154。因此,在形成第三布線層組的工藝中,中間電極158用來(lái)防止第二布線層的第二下部電極154被刻蝕。中間電極158被形成為具有比第二孔PH2更大的寬度,使得中間電極128經(jīng)由圍繞孔PH2的平整層PAC的傾斜表面和第一鈍化層PAS1形成在鈍化層PAC上。

第二跳變連接器JC2的上部焊盤(pán)156由第二鈍化層PAS2上的第四布線層形成。第四布線層包括與觸摸電極TE相同的透明導(dǎo)電層并且由具有高耐蝕性和耐酸性的ITO、IZO和ITZO中的至少一種形成。上部電極156經(jīng)由穿過(guò)第二鈍化層PAS2和柵極絕緣層GI以暴露第一下部電極152的一部分的接觸孔H10和穿過(guò)第二鈍化層PAS2以暴露中間電極158的一部分的接觸孔H11將第一下部電極152連接至中間電極158。因此,第二跳變連接器JC2將由第一布線層形成的連接線DC連接至檢查晶體管Tr1的由第二布線層形成的漏極。

另外,將由顯示區(qū)域AA中的第二布線層形成的數(shù)據(jù)線DL(參見(jiàn)圖2)連接至由非顯示區(qū)域中的第一布線層形成的第二鏈路DKb的第一跳變連接器JC1具有與圖8和圖9C中所示的第二跳變連接器JC2相同的結(jié)構(gòu)。即,第一跳變連接器JC1包括由要連接至第二數(shù)據(jù)鏈路DKb的第一布線層形成的第一下部電極152、由要連接至數(shù)據(jù)線DL的第二布線層形成的第二下部電極154、用第三布線層覆蓋由穿過(guò)鈍化層PAC和第一鈍化層PAS1的孔PH3暴露的第二下部電極154的中間電極158和由第四布線層形成的且經(jīng)由接觸孔H10和H11將第一下部電極152連接至中間電極158上部電極156。

另外,以集成的方式形成穿過(guò)平整層PAC和第一鈍化層PAS1以提供焊盤(pán)區(qū)域的孔PH1和形成有連接至驅(qū)動(dòng)IC的觸摸焊盤(pán)TP和數(shù)據(jù)焊盤(pán)DP的焊盤(pán)區(qū)域PA。由此,平整層PAC的傾斜表面和孔PH1中的第一鈍化層PAS1圍繞觸摸焊盤(pán)TP和數(shù)據(jù)焊盤(pán)DP。穿過(guò)平整層PAC和第一鈍化層PA1的孔PH2和PH3單獨(dú)地形成在跳變連接器JC1、JC2和JC3處。因此,平整層PAC的傾斜表面和孔PH2和PH3中的第一鈍化層PAS1圍繞跳變連接器JC1、JC2和JC3中的每一個(gè)。

圖10是例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的焊盤(pán)部件中的觸摸焊盤(pán)的平面圖。圖11是例示根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備的焊盤(pán)部件中的數(shù)據(jù)焊盤(pán)的平面圖。

參照?qǐng)D10,布置在通過(guò)第一孔PH1設(shè)置的焊盤(pán)區(qū)域處且連接至驅(qū)動(dòng)IC的觸摸焊盤(pán)TP包括上部焊盤(pán)116和具有相對(duì)大面積的第一下部焊盤(pán)112和第二下部焊盤(pán)114。觸摸焊盤(pán)TP布置在垂直方向上的不同位置處,使得觸摸焊盤(pán)TP在水平方向上彼此不相鄰。因此,可以確保在有限的焊盤(pán)區(qū)域中的觸摸焊盤(pán)TP之間的間距或足夠的區(qū)域,由此提高可靠性。

參照?qǐng)D11,布置在通過(guò)第一孔PH1設(shè)置的焊盤(pán)區(qū)域處且連接至驅(qū)動(dòng)IC的第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DP包括上部焊盤(pán)136和具有相對(duì)大面積的第一下部焊盤(pán)132和第二下部焊盤(pán)134。第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)包括上部焊盤(pán)146和具有相對(duì)大的面積的下部焊盤(pán)144。第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa和第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPb布置在垂直方向上的不同位置處,使得觸摸焊盤(pán)在水平方向上彼此不相鄰。因此,可以確保在有限的焊盤(pán)區(qū)域中的數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa和DPb TP之間的間距或空間,由此提高可靠性。

具體地,第二布線的數(shù)據(jù)鏈路DKa連接至由第三布線層形成的第一下部焊盤(pán)132的延伸部分從而不存在需要第三布線層來(lái)防止焊盤(pán)區(qū)域中的刻蝕的第二布線層。

當(dāng)?shù)诙季€層布置在焊盤(pán)區(qū)域處時(shí),數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa和DPb中的每一個(gè)的寬度通過(guò)第二布線層和第三布線層而增加以覆蓋第二布線層從而防止第二布線層被刻蝕。因此,數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa和DPb之間的間隔不夠,由此發(fā)生短路。

但是,在本發(fā)明中,在焊盤(pán)區(qū)域中不存在第二布線層,使得數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa和DPb中的每一個(gè)的寬度沒(méi)有增加。因此,確保了觸摸焊盤(pán)DPa和DPb之間的間隔,由此與上述焊盤(pán)中的第二布線層相比提高了可靠性。

圖12是例示制造根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸檢測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備中的薄膜晶體管陣列基板的工藝的圖。另外,圖12被應(yīng)用于上述實(shí)施方式。

在第一掩模工藝M1中,由第一布線層形成的第一布線層組形成在基板SUB上。第一布線層組包括選通線GL的選通布線、柵極G、觸摸焊盤(pán)TP的第二下部焊盤(pán)114、觸摸連接線TC、第二數(shù)據(jù)鏈路DKb、第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa的第二下部焊盤(pán)134、第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPb的下部焊盤(pán)144和數(shù)據(jù)連接線DC。

在第二掩模工藝M2中,在形成有第一布線層組的基板SUB上形成柵極絕緣層GI、有源層ACT和第二布線層組。第二布線層組包括含有源極S的數(shù)據(jù)布線、漏極D、數(shù)據(jù)線DL和第一數(shù)據(jù)鏈路DKa和跳變連接器JC2和JC3的第二下部電極124和154。有源層ACT和第二布線層組使用半色調(diào)掩模或衍射掩模形成,且在相同的第二掩模工藝M2中形成。因此,有源層ACT布置在第二布線層組下方。

在第三掩模工藝M3中,形成第一鈍化層PAS1和平整層PAC以在形成有有源層ACT和第二布線層組的柵極絕緣層GI上堆疊。設(shè)置穿過(guò)平整層PAC和第一鈍化層PAS1以暴露漏極D的一部分的接觸孔H1、提供焊盤(pán)區(qū)域的孔PH1和獨(dú)立地在跳變連接器JC1、JC2和JC3處形成的孔PH2和PH3。通過(guò)焊盤(pán)區(qū)域中的孔PH1暴露柵極絕緣層GI和第二布線層的第一數(shù)據(jù)鏈路DKa的端部。通過(guò)在跳變連接器JC1、JC2和JC3中的孔PH2和PH3暴露柵極絕緣層GI和第二布線層。

在第四掩模工藝M4中,包括透明導(dǎo)電層的像素電極PXL和形成在第三布線層上且包括堆疊的透明導(dǎo)電層和金屬層的第三布線層組形成在平整層PAC上。由第三布線層形成且包括堆疊的透明導(dǎo)電層和金屬層的第三布線層組包括觸摸信號(hào)線TL、觸摸鏈路TK、觸摸焊盤(pán)TP的第一下部焊盤(pán)112、第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa的第一下部焊盤(pán)和在用于防止第二布線層被刻蝕的跳變連接器JC2和JC3中的中間電極128和158。如上所述,通過(guò)相同的工藝使用半色調(diào)掩?;蜓苌溲谀M瑫r(shí)形成包括透明導(dǎo)電層的像素電極PXL和由第三布線層形成且包括堆疊的透明導(dǎo)電層和金屬層的第三布線層組。

在第五掩模工藝M5中,在形成有像素電極PXL和第三布線層組的平整層PAC上形成第二鈍化層PAS2。形成穿過(guò)第二鈍化層PAS2以暴露觸摸信號(hào)線TL的一部分的接觸孔H2。另外,在焊盤(pán)區(qū)域中,觸摸焊盤(pán)TP的接觸孔H3和H4、數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa和DPb的接觸孔H7、H8和H9以及跳變連接器JC1、JC2和JC3的接觸孔H5、H6、H10和H11形成為穿過(guò)第二鈍化層PAS2或第二鈍化層PAS2和柵極絕緣層GI。

在第六掩模工藝M6中,作為透明導(dǎo)電層的由第四布線層形成的第四布線層組形成在第二鈍化層PAS2上。第四布線層組包括觸摸電極TE、觸摸焊盤(pán)TP的上部焊盤(pán)、數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa和DPb的上部焊盤(pán)136和146以及跳變連接器JC1、JC2和JC3的上部電極126和156。

根據(jù)本發(fā)明的例示的實(shí)施方式,在具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備中,使用相同的掩模工藝,將包括堆疊的透明導(dǎo)電層102和金屬層104的第三布線層的觸摸信號(hào)線TL和包括透明導(dǎo)電層的像素電極PXL形成在相同的水平處。因此,不需要用于形成觸摸信號(hào)線TL的單獨(dú)的掩模工藝,由此與使用單獨(dú)的掩模工藝來(lái)形成觸摸信號(hào)線TL相比,提高了生產(chǎn)率。

另外,根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式,在具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備中,在焊盤(pán)區(qū)域中,第三布線層的第一下部焊盤(pán)132、第一布線層的第二下部焊盤(pán)134、具有與第四布線層的上部焊盤(pán)136相同結(jié)構(gòu)的第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa和具有與第一布線層的下部焊盤(pán)144相同結(jié)構(gòu)的第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPb和第四布線層的上部焊盤(pán)146交替地布置。不需要要求第三布線層的保護(hù)的第二布線層從而確保數(shù)據(jù)焊盤(pán)DPa和DPb之間的間距,由此提高可靠性。

從上述說(shuō)明顯而易見(jiàn)的是,根據(jù)本發(fā)明,在根據(jù)示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備中,使用相同的掩模工藝將包括堆疊的透明導(dǎo)電層和金屬層的第三布線層的觸摸信號(hào)線和包括透明導(dǎo)電層的像素電極形成在相同水平處,從而不需要用于形成觸摸信號(hào)線的單獨(dú)的掩模工藝,由此提高生成率。

在根據(jù)本發(fā)明的示出的實(shí)施方式的具有觸摸感測(cè)功能的液晶顯示設(shè)備中,第三布線層的第一下部焊盤(pán)、第一布線層的第二下部焊盤(pán)、具有與第四布線層的上部焊盤(pán)相同的結(jié)構(gòu)的第一數(shù)據(jù)焊盤(pán)和具有與第四布線層的上部焊盤(pán)相同的結(jié)構(gòu)的第二數(shù)據(jù)焊盤(pán)交替地布置在焊盤(pán)區(qū)域中,從而在焊盤(pán)區(qū)域中不需要要求第三布線層的保護(hù)的第二布線層。因此,充分確保了數(shù)據(jù)焊盤(pán)之間的間距,由此提高了可靠性。

僅通過(guò)示例給出描述本發(fā)明的上述說(shuō)明,并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)落入本公開(kāi)的精神和范圍內(nèi)的各種修改和實(shí)施方式。因此,在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的實(shí)施方式不意在限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)由隨附權(quán)利要求來(lái)解釋?zhuān)⑶宜屑夹g(shù)和本發(fā)明意在覆蓋落入由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的左右修改、等價(jià)物和替換物。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2015年12月22日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.10-2015-0183758的優(yōu)先權(quán),該專(zhuān)利申請(qǐng)以引用方式并入本文,如同在本文中進(jìn)行完全闡述。

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