本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種使用效果更好的去除AZ光刻膠的去膠液。

背景技術(shù)：

光刻膠(又名光致抗蝕劑)是指通過紫外光、電子束、準(zhǔn)分子激光束、X射線、離子束等曝光源的照射或輻射，使溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，主要用于集成電路和半導(dǎo)體分立器件的細(xì)微圖形加工，近年來也逐步應(yīng)用于光電子領(lǐng)域平板顯示器(FPD)的制作。AZ光刻膠是一種正性光刻膠，所以生成的圖形具有良好的分辨率，但目前市場上大部分AZ光刻膠去膠液存在腐蝕金屬、去膠速度慢、有膠殘留或傷鈍化層的問題，不能滿足市場需求。

本發(fā)明就是為了提供一種新的去除AZ光刻膠的去膠液來解決以上問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種使用效果更好的去除AZ光刻膠的去膠液及其使用方法。

本發(fā)明通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)上述目的：一種去除AZ光刻膠的去膠液，其配方包括：10-50wt％有機酯，10-50wt％有機醇，補足余量的極性有機溶劑；其中有機酯為一元酸酯、二元酸酯或內(nèi)酯中的一種，有機醇為C2～3醇類，極性有機溶劑為二甲亞砜、環(huán)丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中的一種。

具體的，所述一元酸酯為乙酸乙酯、乳酸乙酯或甲酸乙酯中的一種。

具體的，所述二元酸酯為二乙酸乙二酯、乙二酸二甲酯、乙二酸二乙酯中的一種。

具體的，所述內(nèi)酯為乙二酸乙二酯或丁內(nèi)酯。

具體的，去膠液還包括0-10wt％阻蝕劑。

進一步的，所述阻蝕劑為苯并三唑、5-甲基苯并三唑、苯并咪唑中的一種。

具體的，去膠液還包括0-10wt％有機醇胺。

進一步的，所述有機醇胺為單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺中的一種。

采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明技術(shù)方案的有益效果是：

本發(fā)明去膠液去膠速度快，使用溫度相對較低，不傷硅、氧化硅、金屬、鈍化等各種底材，水溶性，容易清洗。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細(xì)說明。

一種去除AZ光刻膠的去膠液，其配方包括：10-50wt％有機酯，10-50wt％有機醇，補足余量的極性有機溶劑；其中有機酯為一元酸酯、二元酸酯或內(nèi)酯中的一種，有機醇為C2～3醇類，極性有機溶劑為二甲亞砜、環(huán)丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中的一種。

實施例1～10：

按照表1的配方配制去膠液。

表1：

因為配方中不包含酸堿成分，所以不傷硅、氧化硅、金屬、鈍化等各種底材，極性溶劑對水的相溶性好，容易清洗。

用實施例1～10以及現(xiàn)有市面上買到的AZ光刻膠去膠液在表2溫度條件下對同樣涂在10mm×10mm表面上的AZ光刻膠進行去膠速度實驗，得到如下結(jié)果。

表2：

從表2所示的測試結(jié)果可以看出，新的去膠液在去膠溫度相對較低的情況下去膠速度明顯高于對照例。因此相比于原技術(shù)，本方案去膠效果更佳。

以上所述的僅是本發(fā)明的一些實施方式。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。