本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體的說，涉及一種液晶顯示面板。

背景技術：

液晶顯示面板的通常是由一彩膜基板(Color Filter Substrate,CF Substrate)、一薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate,TFT Array Substrate)以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成，其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。按照液晶的取向方式不同，目前主流市場上的液晶顯示面板可以分為以下幾種類型：垂直配向(Vertical Alignment,VA)型、扭曲向列(Twisted Nematic,TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic,STN)型、平面轉換(In-Plane Switching,IPS)型、及邊緣場開關(Fringe Field Switching,FFS)型。

對于VA模式而言，液晶顯示器件主要由上、下兩基板，以及夾設于兩個基板之間的負性液晶分子組成。在上、下兩基板的內側均有透明導電層(氧化銦錫，ITO)，從而可以形成垂直電場：在兩層透明導電層之間嵌入的負性液晶，在沒有垂直電場作用的情況下，液晶分子垂直于基板表面取向，當有垂直電場作用時，液晶分子會發(fā)生特定方向的取向，最終垂直于電場方向排列。

VA模式具有高對比度、高穿透率的畫面顯示優(yōu)勢，但由于VA模式采用垂直轉動的液晶，液晶分子雙折射率的差異比較大，導致其視角較差、大視角下的色偏問題比較嚴重，通常采用多疇VA技術，即將一個子像素劃分成多個區(qū)域，并使每個區(qū)域中的液晶分子在施加電壓后轉動角度不一樣，從而改善色偏問題。

隨著技術的發(fā)展，出現(xiàn)了一種不需要使用配向膜的高分子穩(wěn)定垂直配向模式(Polymer Sustained Vertical Alignment,PSVA)，如圖1所示，PSVA模式液晶顯示面板包括第一基板100、與所述第二基板100相對設置的第二基板200、夾設于所述第一基板100與第二基板200之間的液晶層300、設于所述第一基板100上相互間陽的像素電極110、及設于所述第二基板200上靠近液晶層300一側覆蓋該第二基板200的公共電極210：所述液晶層300由多個液晶分子310和多個反應單體320構成。將第一基板100與第二基板200對組并填充液晶層300后，對公共電極210與像素電極110施加電壓，使液晶分子310按照像素電極110的狹縫(slit)的方向倒伏：再使用紫外光(Ultraviolet Rays,UV光)照射，使反應單體320反應形成附著于像素電極110與公共電極210表面的反應物凸起330，如圖2所示，反應物凸起330用于固定液晶分子310形成一定方向的預傾角。如圖3所示，當施加垂直電場作用時，液晶分子310發(fā)生特定方向的取向，最終垂直于電場方向排列。

PSVA模式具有快速相應和高對比度的特性，但由于液晶層中需加入反應單體參與配向過程，因此液晶的選用受到很大限制，易產(chǎn)生依賴性問題，對制程和材料都提出了很高的要求。

而IPS模式和FFS模式則具有廣視角的特性，但對比度相對于VA模式較差，并且制程繁瑣。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示面板，結合VA模式與IPS模式、FFS模式的優(yōu)勢，可以有效改善對比度，提高穿透率，減少制程，并具有廣視角的特性。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，包括陣列基板、與所述陣列基板相對設置的彩膜基板、夾設于所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層；

所述陣列基板包括第一基板、自下而上依次層疊設置于所述第一基板靠近所述液晶層一側的第一公共電極、絕緣層、像素電極以及第一配向膜；

所述彩膜基板包括第二基板以及設置于所述第二基板靠近所述陣列基板一側的第二配向膜；

所述液晶層中的液晶分子以一定的預傾角呈近垂直配向；在平行于所述陣列基板與所述彩膜基板的平面方向上，所述液晶分子與所述像素電極的分支電極方向之間形成方位角θ；所述方位角θ的范圍為5至30度；

所述第一配向膜為可實現(xiàn)垂直光配向的配向膜，第二配向膜為普通垂直配向的配向膜；對所述第一配向膜進行光照處理，使所述第一配向膜相對于所述第一基板具有第一傾斜角；

當施加顯示用的電場時，所述液晶分子呈水平旋轉。

進一步的是，所述陣列基板還包括在所述陣列基板平面上，沿水平方向延伸的掃描線和沿豎直方向延伸的數(shù)據(jù)線；所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線在所述陣列基板上交叉形成多個子像素區(qū)域，每個子像素區(qū)域中設有像素電極。

優(yōu)選的是，所述像素電極包括多條分支電極；相鄰兩條所述分支電極之間設置有狹縫，所述狹縫的延伸方向為豎直方向。

在一種實施方式中，所述第一配向膜的配向方向與所述狹縫的延伸方向之間呈一角度θ；所述液晶層中的液晶分子為正性液晶。

在另一種實施方式中，所述第一配向膜的配向方向與所述水平方向之間呈一角度θ；所述液晶層中的液晶分子為負性液晶。

優(yōu)選的是，所述絕緣層為條狀；所述像素電極位于所述絕緣層上；所述第一公共電極與所述像素電極間隔設置。

進一步的是，所述彩膜基板還包括第二公共電極；所述第二公共電極位于所述第二基板和所述第二配向膜之間。

優(yōu)選的是，所述預傾角為0.5至10度。

更優(yōu)選的是，所述預傾角為1至5度。

進一步的是，所述液晶層中的液晶分子配向方式為：對所述第一配向膜進行紫外曝光，使所述液晶分子形成一定角度的傾斜角，曝光時采用的紫外線的波長為200至500nm。

本發(fā)明帶來了以下有益效果：本發(fā)明提供的一種液晶顯示面板，其陣列基板與彩膜基板分別具有第一配向膜與第二配向膜，經(jīng)過紫外照光第一配向膜，使液晶分子以一定傾角呈近垂直配向。在不加電的暗態(tài)時，液晶分子近似垂直于陣列基板與彩膜基板表面排列，不產(chǎn)生相位差，漏光極低，暗態(tài)亮度很小因此對比度較高：施加顯示電場以后，液晶分子會在平行于陣列基板與彩膜基板的平面內轉動，因此具有IPS模式和FFS模式的廣視角和高穿透率的特性，并且只需通過在陣列基板一側進行光配向，從而減少了制程。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

為了更清楚的說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹：

圖1是現(xiàn)有的PSVA模式液晶顯示面板的剖面結構示意圖；

圖2是現(xiàn)有的PSVA模式液晶顯示面板不施加電場作用時的液晶分子的狀態(tài)示意圖：

圖3是現(xiàn)有的PSVA模式液晶顯示面板施加顯示電場作用時的液晶分子的狀態(tài)示意圖；

圖4是本發(fā)明的液晶顯示面板不施加電場作用時的液晶分子的狀態(tài)示意圖；

圖5是本發(fā)明的液晶顯示面板施加顯示電場作用時的液晶分子的狀態(tài)示意圖；

圖6是本發(fā)明一實施例的液晶顯示面板的陣列基板的示意圖；

圖7是本發(fā)明另一實施例的液晶顯示面板的陣列基板的示意圖；

圖8是本發(fā)明另一實施例的液晶顯示面板的彩膜基板的示意圖。

具體實施方式

以下將結合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應用技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明的是，只要不構成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結合，所形成的技術方案均在本發(fā)明的保護范圍之內。

本發(fā)明實施例提供一種液晶顯示面板，該液晶顯示面板適用于IPS模式和FFS模式等在施加顯示用的電場時液晶分子在與基板平行的平面內選擇的液晶顯示面板，以下僅以IPS模式為例進行說明，可以提高對比度并擴大視角，并減少制程。

如圖4所示，本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板，包括陣列基板10、與陣列基板10相對設置的彩膜基板20、夾設于陣列基板10和彩膜基板20之間的液晶層30。

陣列基板10包括第一基板11、自下而上依次層疊設置于第一基板11靠近液晶層30一側的第一公共電極12、絕緣層13、像素電極14以及第一配向膜41。

彩膜基板20包括第二基板21以及設置于第二基板21靠近陣列基板10一側的第二配向膜42。

液晶層30中的液晶分子以一定的預傾角呈近垂直配向；在平行于陣列基板10與彩膜基板20的平面方向上，液晶分子與像素電極14的分支電極方向之間形成方位角θ；方位角θ的范圍為5至30度。

第一配向膜41為可實現(xiàn)垂直光配向的配向膜，第二配向膜42為普通垂直配向的配向膜；對第一配向膜41進行光照處理，使第一配向膜41相對于第一基板11具有第一傾斜角。

具體的，液晶層30中的液晶分子配向方式為：對第一配向膜41進行紫外曝光，使液晶分子形成一定角度的傾斜角，曝光時采用的紫外線的波長為200至500nm。

其中，預傾角為0.5至10度。進一步的，預傾角為1至5度為佳。

如圖5所示，當施加顯示用的電場時，液晶分子呈水平旋轉。

本發(fā)明提供的液晶顯示面板，其陣列基板與彩膜基板分別具有第一配向膜與第二配向膜，經(jīng)過紫外照光第一配向膜，使液晶分子以一定傾角呈近垂直配向。在不加電的暗態(tài)時，液晶分子近似垂直于陣列基板與彩膜基板表面排列，不產(chǎn)生相位差，漏光極低，暗態(tài)亮度很小因此對比度較高：施加顯示電場以后，液晶分子會在平行于陣列基板與彩膜基板的平面內轉動，因此具有IPS模式和FFS模式的廣視角和高穿透率的特性，并且只需通過在陣列基板一側進行光配向，從而減少了制程。

如圖6所示，陣列基板10還包括在陣列基板10平面上，沿水平方向延伸的掃描線16和沿豎直方向延伸的數(shù)據(jù)線17；掃描線16和數(shù)據(jù)線17在陣列基板10上交叉形成多個子像素區(qū)域，每個子像素區(qū)域中設有像素電極14。

如圖7所示，在本發(fā)明的實施例中，像素電極14包括多條分支電極141；相鄰兩條分支電極141之間設置有狹縫142，狹縫142的延伸方向為豎直方向。

其中，第一配向膜41的配向方向與狹縫142的延伸方向之間呈一角度θ，即方位角，液晶層30中的液晶分子為正性液晶。

在本發(fā)明的另一實施例中，第一配向膜41的配向方向與水平方向之間呈一角度θ，即方位角，而液晶層30中的液晶分子為負性液晶。

本實施例中，絕緣層13為條狀，像素電極14位于絕緣層13上，第一公共電極12與像素電極14間隔設置。也就是，像素電極14、第一公共電極12與絕緣層13的圖形相同，因此像素電極14、第一公共電極12、絕緣層13可以在同一次掩膜板光刻工藝中依次形成，從而簡化了陣列基板的制作工藝。在本實施例中，液晶層30中的液晶分子為正向液晶。

如圖8所示，進一步的是，彩膜基板20還可以設置有第二公共電極15。第二公共電極15位于第二基板21和第二配向膜42之間。在施加顯示電場時，第一公共電極12和第二公共電極15可以同時作用，與像素電極14之間形成電場，從而能夠進一步提高響應速度，優(yōu)化液晶顯示面板的顯示效果。

雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術領域內的技術人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權利要求書所界定的范圍為準。