本實(shí)用新型涉及液晶顯示器顯示的制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種配向膜印刷版。

背景技術(shù)：

在On Cell產(chǎn)品制造過(guò)程中，需要利用配向膜印刷版將取向材料如聚酰亞胺(Polyimide，PI)印刷到玻璃基板上，在玻璃基板上形成配向膜，從而可以使液晶分子按一定規(guī)律排列在玻璃基板上。

目前，行業(yè)內(nèi)將PI液印刷到玻璃基板的工序?yàn)椋簠⒄請(qǐng)D1，網(wǎng)紋輥11逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，印刷輥12順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，并同時(shí)帶動(dòng)其上的配向膜印刷版13順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，基板14在印刷平臺(tái)15上向左運(yùn)動(dòng)。首先將PI液通過(guò)噴嘴16滴在網(wǎng)紋輥11上；然后，用刮刀17將網(wǎng)紋輥11上的PI液整平；之后，網(wǎng)紋輥11逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)把PI液再轉(zhuǎn)印到配向膜印刷版13上，配向膜印刷版13上的圓形凸部將PI液擠壓出并帶走；最后，將配向膜印刷版13上PI液均勻轉(zhuǎn)印到基板14上，提供液晶配向膜。

請(qǐng)參考圖2、圖3A以及圖3B，圖2是現(xiàn)有技術(shù)的配向膜印刷版的平面示意圖，圖3A是圖2中局部區(qū)域放大示意圖；圖3B為沿圖3A中的A1A2方向的剖面圖。如圖2、圖3A以及圖3B所示，其中，配向膜印刷版13包括中央?yún)^(qū)131和邊緣區(qū)132，中央?yún)^(qū)131和邊緣區(qū)132中等間隔分布有大小和密度相同的圓形凸部134，在相鄰圓形凸部134間形成凹槽135，需要說(shuō)明的是圖3A和圖3B中雖僅為中央?yún)^(qū)131局部的放大示意圖，但由于邊緣區(qū)132與中央?yún)^(qū)131中的凸部134大小和密度相同，因此，邊緣區(qū)132中的凸部分布情況與上述分布情況相同。從宏觀上肉眼看不到圖2中顯示的凸部134和凹槽135，只有在顯微鏡的幫助才可以看到凸部134和凹槽135。

但是，在現(xiàn)有PI液印刷到玻璃基板的工序中，由于配向膜印刷版13的中圓型凸部134在擠壓帶走網(wǎng)紋輥11凹槽內(nèi)PI液時(shí)，邊緣區(qū)132擠壓帶走的PI液通常比中央?yún)^(qū)131擠壓帶走的PI液的要少，這樣會(huì)造成配向膜印刷版13將PI液轉(zhuǎn)印到基板14上時(shí)，邊緣區(qū)132PI液不足甚至沒(méi)有，從而產(chǎn)生PI不沾現(xiàn)象，PI不沾會(huì)使基板物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)鍍膜不良率升高，例如在基板PVD鍍膜膜面會(huì)有霧狀泛白現(xiàn)象，甚至導(dǎo)致框膠粘附性減弱，使基板PVD鍍膜有破片風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供一種配向膜印刷版，以實(shí)現(xiàn)PI不沾現(xiàn)象得到改善，使基板PVD鍍膜不良率下降。

第一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種配向膜印刷版，該配向膜印刷版包括中央?yún)^(qū)和邊緣區(qū),在中央?yún)^(qū)等間隔分布多個(gè)第一凸部，在邊緣區(qū)等間隔分布多個(gè)第二凸部，中央?yún)^(qū)中的第一凸部的分布密度大于邊緣區(qū)中的第二凸部的分布密度，第一凸部的高度小于第二凸部的高度。

優(yōu)選地，第一凸部的分布密度為16萬(wàn)個(gè)每平方英寸。

優(yōu)選地，第二凸部的分布密度為9萬(wàn)個(gè)每平方英寸。

優(yōu)選地，第一凸部的高度15-20微米。

優(yōu)選地，第二凸部的高度與第一凸部的高度比值為1.2-1.5。

優(yōu)選地，第一凸部頂面面積大于第二凸部頂面面積。

優(yōu)選地，第一凸部為圓臺(tái)狀。

優(yōu)選地，第二凸部為圓臺(tái)狀。

本實(shí)用新型實(shí)施例的配向膜印刷版包括中央?yún)^(qū)和邊緣區(qū)，在中央?yún)^(qū)等間隔分布多個(gè)第一凸部，在邊緣區(qū)等間隔分布多個(gè)第二凸部，中央?yún)^(qū)中的第一凸部的分布密度大于邊緣區(qū)中的第二凸部的分布密度，第一凸部的高度小于第二凸部的高度。本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案解決了在On Cell制作工藝中因PI不沾使基板PVD鍍膜不良率升高的問(wèn)題，達(dá)到能夠?qū)I不沾現(xiàn)象得到改善，使基板PVD鍍膜不良率下降。

附圖說(shuō)明

圖1是配向膜印刷版將PI液印刷到玻璃基板上的過(guò)程示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)的配向膜印刷版的平面示意圖；

圖3A是圖2中局部區(qū)域放大示意圖；

圖3B為沿圖3A中的A1A2方向的剖面圖；

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例中的配向膜印刷版的平面示意圖；

圖5A是圖4中中央?yún)^(qū)局部區(qū)域放大示意圖；

圖5B為沿圖5A中的B1B2方向的剖面圖；

圖6A是圖4中邊緣區(qū)局部區(qū)域放大示意圖；

圖6B為沿圖6A中的C1C2方向的剖面圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本實(shí)用新型，而非對(duì)本實(shí)用新型的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實(shí)用新型相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例中的配向膜印刷版的平面示意圖，圖5A是圖4中中央?yún)^(qū)局部區(qū)域放大示意圖；圖5B為沿圖5A中的B1B2方向的剖面圖；圖6A是圖4中邊緣區(qū)局部區(qū)域放大示意圖；圖6B為沿圖6A中的C1C2方向的剖面圖。參見圖4、圖5A、圖5B、圖6A和圖6B，該配向膜印刷版20，包括中央?yún)^(qū)21和邊緣區(qū)22，在中央?yún)^(qū)21等間隔分布多個(gè)第一凸部212，在邊緣區(qū)22等間隔分布多個(gè)第二凸部222，中央?yún)^(qū)21中的第一凸部212的分布密度大于邊緣區(qū)22中的第二凸部222的分布密度，第一凸部212的高度h小于第二凸部222的高度H。

具體地，配向膜印刷版20可選用樹脂材料制得，配向膜印刷版20的中央?yún)^(qū)21上等間距均勻分布多個(gè)第一凸部212，相鄰第一凸部212之間形成第一凹槽213；配向膜印刷版20的邊緣區(qū)22等間距均勻分布多個(gè)第二凸部222，相鄰第二凸部222之間形成第二凹槽223，配向膜印刷版20通過(guò)第一凸部212和第二凸部222擠壓網(wǎng)紋輥，將帶走的PI液儲(chǔ)存于第一凹槽213和第二凹部223內(nèi)。

其中，可選地，第一凸部212頂面面積和第二凸部222頂面面積相同(任意圓的面積)，參見圖5A圖6A。

可選地在中央?yún)^(qū)21上，每英寸距離范圍內(nèi)具有300-600個(gè)第一凸部212，即分布密度為9-36萬(wàn)個(gè)每平方英寸；在邊緣區(qū)22上，每英寸距離范圍內(nèi)具有300-600個(gè)第二凸部222，且中央?yún)^(qū)21中的第一凸部212的分布密度大于邊緣區(qū)22中的第二凸部222的分布密度，這樣設(shè)計(jì)使得任一第二凹槽223的容積大于第一凹槽213的容積；優(yōu)選地，第一凸部的分布密度為16萬(wàn)個(gè)每平方英寸，第二凸部的分布密度為9萬(wàn)個(gè)每平方英寸。第一凸部212的高度h小于第二凸部222的高度H。其中，可選地，第一凸部212的高度h為15-20微米，第二凸部222的高度H與第一凸部212的高度h比值為1.2-1.5。優(yōu)選地，第一凸部212的高度h為15微米，第二凸部222的高度H為25微米。這樣設(shè)計(jì)使得配向膜印刷版20的第二凸部222擠壓網(wǎng)紋輥時(shí)，能帶走的更多的PI液。

通過(guò)減小邊緣區(qū)22的第二凸部222的分布密度以及增加第二凸部222的高度，使得邊緣區(qū)22中的所有第二凹槽223中PI液的存儲(chǔ)量增加。此時(shí)，配向膜印刷版20將PI液轉(zhuǎn)印到基板上形成配向膜，經(jīng)過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)表明，由PI液形成的配向膜的厚度與配向膜印刷版20的邊緣區(qū)22中所有第二凹槽223內(nèi)的PI液存儲(chǔ)量成正比，因此，當(dāng)邊緣區(qū)22中所有第二凹槽223內(nèi)的PI液的存儲(chǔ)量增加時(shí)，在PI基板的邊緣區(qū)均勻覆蓋有PI液，能有效的防止PI不沾現(xiàn)象產(chǎn)生。

表1給出了凸部分布密度、凸部高度以及配向膜的厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系。首先將配向膜印刷版分成4個(gè)不同區(qū)域，然后分別對(duì)每個(gè)區(qū)域中凸部分布密度、凸部高度以及配向膜的厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系進(jìn)行測(cè)試，參見表1。

表1、凸部分布密度、凸部高度以及配向膜的厚度的對(duì)應(yīng)關(guān)系

從上述測(cè)試結(jié)果可以得到，配向膜的厚度與凸部分布密度成反比，而與凸部高度成正比。即配向膜的厚度與配向膜印刷版20的邊緣區(qū)22中所有第二凹槽223內(nèi)的PI液存儲(chǔ)量成正比。

其中，第一凸部212和第二凸部222的形狀均為圓臺(tái)狀，也可以為其他的形狀，例如圓柱狀。

需要說(shuō)明的是，圖5A、圖5B、圖6A以及圖6B中對(duì)圖4中的中央?yún)^(qū)21中局部區(qū)域211和邊緣區(qū)22中局部區(qū)域221進(jìn)行放大，以更清楚的顯示第一凸部212和第二凸部222。實(shí)際上，只有在顯微鏡的輔助下才可以看到配向膜印刷版20上的第一凸部212和第二凸部222，宏觀上肉眼看不到第一凸部212和第二凸部222，配向膜印刷版20宏觀上肉眼看到的是粗糙的平面。

本實(shí)用新型實(shí)施例的配向膜印刷版包括中央?yún)^(qū)和邊緣區(qū)，在中央?yún)^(qū)等間隔分布多個(gè)第一凸部，在邊緣區(qū)等間隔分布多個(gè)第二凸部，中央?yún)^(qū)中的第一凸部的分布密度大于邊緣區(qū)中的第二凸部的分布密度，第一凸部的高度小于第二凸部的高度。本實(shí)施例提供的技術(shù)方案解決了在On Cell制作工藝中因PI不沾使基板PVD鍍膜不良率升高的問(wèn)題，達(dá)到能夠?qū)I不沾現(xiàn)象得到改善，使基板PVD鍍膜不良率下降的效果。

此外，在上述方案的基礎(chǔ)上減小第二凸部222頂面面積，使得第一凸部212頂面面積大于第二凸部222頂面面積，與上述方案相比，此方案中第二凹槽223中的PI液的存儲(chǔ)量增加，有效的防止PI不沾現(xiàn)象。

注意，上述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本實(shí)用新型不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本實(shí)用新型不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本實(shí)用新型的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。