本實(shí)用新型涉及顯示屏制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種掩膜板。

背景技術(shù)：

隨著平面顯示器技術(shù)的蓬勃發(fā)展，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)顯示裝置得到了廣泛的應(yīng)用。其與傳統(tǒng)的液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，除了更輕薄外，更具有自發(fā)光、低功率消耗、不需要背光源、無(wú)視角限制及高反應(yīng)速率等優(yōu)良特性，已成為目前平面顯示器技術(shù)中的主流。

光刻工藝質(zhì)量的優(yōu)劣直接關(guān)系到AMOLED顯示裝置中的AMOLED顯示面板的質(zhì)量如何。目前，AMOLED顯示面板的光刻工藝通常采用的是精密掩膜板(fine mask)。精密掩膜板采用張網(wǎng)和焊接的方法來(lái)制作。精密掩膜板通常包括有效區(qū)和過(guò)渡區(qū)，其中，有效區(qū)和AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))對(duì)應(yīng)；過(guò)渡區(qū)和AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))之間的過(guò)渡區(qū)對(duì)應(yīng)。為了減少?gòu)埦W(wǎng)過(guò)程的皺褶，精密掩膜板設(shè)計(jì)時(shí)會(huì)考慮在有源區(qū)(AA區(qū))之間的過(guò)渡區(qū)采用半刻蝕(half etching)工藝形成來(lái)釋放應(yīng)力，從而使精密掩膜板受力平均，減少皺褶。

但是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中的掩膜板結(jié)構(gòu)并不利于應(yīng)力的快速分散，依然容易引起皺褶。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種掩膜板，以解決現(xiàn)有的掩膜板結(jié)構(gòu)并不利于應(yīng)力的快速分散，依然容易引起皺褶的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種掩膜板，所述掩膜板包括：支撐掩膜板；及精密掩膜板，所述精密掩膜板位于所述支撐掩膜板上，所述精密掩膜板包括過(guò)渡區(qū)，所述過(guò)渡區(qū)中具有第一圖案，所述第一圖案包括通孔，所述過(guò)渡區(qū)與所述支撐掩膜板對(duì)應(yīng)。

可選的，在所述的掩膜板中，所述精密掩膜板還包括有效區(qū)，所述有效區(qū)中具有第二圖案。

可選的，在所述的掩膜板中，所述第一圖案與所述第二圖案相同。

可選的，在所述的掩膜板中，所述第一圖案與所述第二圖案同時(shí)形成。

可選的，在所述的掩膜板中，所述第一圖案通過(guò)全刻蝕工藝形成。

可選的，在所述的掩膜板中，所述通孔的數(shù)量為一個(gè)或者多個(gè)。

可選的，在所述的掩膜板中，所述通孔的形狀為方形、圓形或者三角形。

可選的，在所述的掩膜板中，所述通孔的最大截面寬度為10μm～100μm。

可選的，在所述的掩膜板中，所述精密掩膜板和支撐掩膜板的材料均為金屬。

可選的，在所述的掩膜板中，所述精密掩膜板和支撐掩膜板的厚度均為10μm～100μm。

發(fā)明人深入研究了現(xiàn)有技術(shù)后發(fā)現(xiàn)，雖然現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于精密掩膜板上的過(guò)渡區(qū)采用半刻蝕工藝形成，以通過(guò)減薄過(guò)渡區(qū)掩膜板的厚度來(lái)實(shí)現(xiàn)釋放壓力的目的。但是，由于采用半刻蝕工藝形成，即在過(guò)渡區(qū)仍舊存在一定厚度的掩膜板，由此使得應(yīng)力的分散效果并不十分理想。

基此，本實(shí)用新型提供了一種掩膜板，所述掩膜板包括精密掩膜板，所述精密掩膜板包括過(guò)渡區(qū)，所述過(guò)渡區(qū)中具有第一圖案，所述第一圖案包括通孔，即所述過(guò)渡區(qū)中存在鏤空的部分，由此可以提高掩膜板的應(yīng)力分散效果。

但是，過(guò)渡區(qū)的掩膜板需要阻擋有機(jī)材料的蒸鍍，當(dāng)?shù)谝粓D案包括通孔時(shí)，將不能實(shí)現(xiàn)其阻擋有機(jī)材料的蒸鍍的功能。

為此，在本實(shí)用新型提供的掩膜板中，還包括支撐掩膜板，所述過(guò)渡區(qū)與所述支撐掩膜板對(duì)應(yīng)，從而通過(guò)所述支撐掩膜板可以起到阻擋有機(jī)材料蒸鍍到AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))之間的過(guò)渡區(qū)的目的了。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一的掩膜板的主視示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一的精密掩膜板的俯視示意圖；

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例二的掩膜板的主視示意圖；

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例二的精密掩膜板的俯視示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的掩膜板作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。

發(fā)明人深入研究了現(xiàn)有技術(shù)后發(fā)現(xiàn)，雖然現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于精密掩膜板上的過(guò)渡區(qū)采用半刻蝕工藝形成，以通過(guò)減薄過(guò)渡區(qū)掩膜板的厚度來(lái)實(shí)現(xiàn)釋放壓力的目的。但是，由于采用半刻蝕工藝形成，即在過(guò)渡區(qū)仍舊存在一定厚度的掩膜板，由此使得應(yīng)力的分散效果并不十分理想。

基此，本實(shí)用新型提供了一種掩膜板，所述掩膜板包括精密掩膜板，所述精密掩膜板包括過(guò)渡區(qū)，所述過(guò)渡區(qū)中具有第一圖案，所述第一圖案包括通孔，即所述過(guò)渡區(qū)中存在鏤空的部分，由此可以提高掩膜板的應(yīng)力分散效果。

但是，過(guò)渡區(qū)的掩膜板需要阻擋有機(jī)材料的蒸鍍，當(dāng)?shù)谝粓D案包括通孔時(shí)，將不能實(shí)現(xiàn)其阻擋有機(jī)材料的蒸鍍的功能。

為此，在本實(shí)用新型提供的掩膜板中，還包括支撐掩膜板，所述過(guò)渡區(qū)與所述支撐掩膜板對(duì)應(yīng)，從而通過(guò)所述支撐掩膜板可以起到阻擋有機(jī)材料蒸鍍到AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))之間的過(guò)渡區(qū)的目的了。

接下去，請(qǐng)具體參考如下兩個(gè)實(shí)施例，以進(jìn)一步理解本實(shí)用新型提出的掩膜板。

【實(shí)施例一】

請(qǐng)參考圖1和圖2，其中，圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一的掩膜板的主視示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一的精密掩膜板的俯視示意圖。如圖1和圖2所示，所述掩膜板1包括：支撐掩膜板10；及精密掩膜板11，所述精密掩膜板11位于所述支撐掩膜板10上，所述精密掩膜板11包括過(guò)渡區(qū)12，所述過(guò)渡區(qū)12中具有第一圖案120，所述第一圖案120包括通孔，所述過(guò)渡區(qū)12與所述支撐掩膜板10對(duì)應(yīng)。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述過(guò)渡區(qū)12與所述支撐掩膜板10對(duì)應(yīng)主要指在使用時(shí)，所述支撐掩膜板10位于所述過(guò)渡區(qū)12正下方。

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述支撐掩膜板10的材料為金屬，例如，所述支撐掩膜板10的材料可以為鎳、鉬、鉻、鉑或者錫中的一種或多種。進(jìn)一步的，其厚度為10μm～100μm，例如，所述支撐掩膜板10的厚度可以為10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、40μm、60μm、80μm或者100μm等。

較佳的，所述支撐掩膜板10未經(jīng)過(guò)刻蝕工藝，即所述支撐掩膜板10上沒(méi)有圖案形成。在本申請(qǐng)的其他實(shí)施例中，所述支撐掩膜板10也可經(jīng)過(guò)刻蝕工藝，所述刻蝕工藝包括半刻蝕工藝或者全刻蝕工藝。當(dāng)所述支撐掩膜板10采用了全刻蝕工藝時(shí)，所形成的圖案與第一圖案120錯(cuò)開(kāi)。在此，只要通過(guò)所述支撐掩膜板10可以起到阻擋有機(jī)材料蒸鍍到AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))之間的過(guò)渡區(qū)的目的即可，即能夠防止AMOLED顯示面板的IC搭接區(qū)和封裝區(qū)沒(méi)有有機(jī)材料蒸鍍即可。

請(qǐng)繼續(xù)參考圖1和圖2，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述精密掩膜板11還包括有效區(qū)13，所述有效區(qū)13中具有第二圖案130。其中，所述第二圖案130對(duì)應(yīng)AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))需要形成的結(jié)構(gòu)，即通過(guò)所述第二圖案130，可以在AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))上蒸鍍形成相應(yīng)的結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述第一圖案120與所述第二圖案130相同，由此可以省去對(duì)于所述第一圖案120的設(shè)計(jì)步驟。較佳的，所述第一圖案120與所述第二圖案130同時(shí)形成，由此，可以簡(jiǎn)化工藝，降低生產(chǎn)成本。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述第一圖案120與第二圖案130均通過(guò)全刻蝕工藝形成。通過(guò)全刻蝕工藝可以方便的一次性形成所需要的圖案。在本申請(qǐng)的其他實(shí)施例中，所述第一圖案120與第二圖案130也可通過(guò)多次半刻蝕工藝形成，對(duì)此本申請(qǐng)不作限定。

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述精密掩膜板11的材料也為金屬，例如，所述精密掩膜板11的材料可以為鎳、鉬、鉻、鉑或者錫中的一種或多種。進(jìn)一步的，其厚度為10μm～100μm，例如，所述精密掩膜板11的厚度可以為10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、40μm、60μm、80μm或者100μm等。

【實(shí)施例二】

請(qǐng)參考圖3和圖4，其中，圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例二的掩膜板的主視示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例二的精密掩膜板的俯視示意圖。如圖3和圖4所示，所述掩膜板2包括：支撐掩膜板20；及精密掩膜板21，所述精密掩膜板21位于所述支撐掩膜板20上，所述精密掩膜板21包括過(guò)渡區(qū)22，所述過(guò)渡區(qū)22中具有第一圖案220，所述第一圖案220包括通孔，所述過(guò)渡區(qū)22與所述支撐掩膜板20對(duì)應(yīng)。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述過(guò)渡區(qū)22與所述支撐掩膜板20對(duì)應(yīng)主要指在使用時(shí)，所述支撐掩膜板20位于所述過(guò)渡區(qū)22正下方。

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述支撐掩膜板20的材料為金屬，例如，所述支撐掩膜板20的材料可以為鎳、鉬、鉻、鉑或者錫中的一種或多種。進(jìn)一步的，其厚度為10μm～100μm，例如，所述支撐掩膜板20的厚度可以為10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、40μm、60μm、80μm或者100μm等。

較佳的，所述支撐掩膜板20未經(jīng)過(guò)刻蝕工藝，即所述支撐掩膜板20上沒(méi)有圖案形成。在本申請(qǐng)的其他實(shí)施例中，所述支撐掩膜板20也可經(jīng)過(guò)刻蝕工藝，所述刻蝕工藝包括半刻蝕工藝或者全刻蝕工藝。當(dāng)所述支撐掩膜板20采用了全刻蝕工藝時(shí)，所形成的圖案與第一圖案220錯(cuò)開(kāi)。在此，只要通過(guò)所述支撐掩膜板20可以起到阻擋有機(jī)材料蒸鍍到AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))之間的過(guò)渡區(qū)的目的即可，即能夠防止AMOLED顯示面板的IC搭接區(qū)和封裝區(qū)沒(méi)有有機(jī)材料蒸鍍即可。

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述通孔的數(shù)量為一個(gè)或者多個(gè)。進(jìn)一步的，所述通孔的形狀為方形、圓形或者三角形等規(guī)則或者不規(guī)則的形狀。優(yōu)選的，所述通孔的最大截面寬度為10μm～100μm，即，若所述通孔的形狀為方形，則方形通孔的長(zhǎng)邊為10μm～100μm；若所述通孔的形狀為圓形，則圓形通孔的直徑為10μm～100μm；若所述通孔的形狀為三角形，則三角形通孔的最長(zhǎng)一條邊為10μm～100μm。請(qǐng)繼續(xù)參考圖4，在此，精密掩膜板21上示出了兩個(gè)過(guò)渡區(qū)22，每個(gè)過(guò)渡區(qū)22中均具有第一圖案220，每個(gè)第一圖案220包括兩個(gè)通孔。在此，該兩個(gè)通孔的形狀均為方形，更具體的，均為長(zhǎng)方形。

請(qǐng)繼續(xù)參考圖3和圖4，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述精密掩膜板21還包括有效區(qū)23，所述有效區(qū)23中具有第二圖案230。其中，所述第二圖案230對(duì)應(yīng)AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))需要形成的結(jié)構(gòu)，即通過(guò)所述第二圖案230，可以在AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))上蒸鍍形成相應(yīng)的結(jié)構(gòu)。

在本申請(qǐng)實(shí)施例中，所述第一圖案220亦可與所述第二圖案230同時(shí)形成，由此，可以簡(jiǎn)化工藝，降低生產(chǎn)成本。進(jìn)一步的，所述第一圖案220與第二圖案230均通過(guò)全刻蝕工藝形成。通過(guò)全刻蝕工藝可以方便的一次性形成所需要的圖案。在本申請(qǐng)的其他實(shí)施例中，所述第一圖案220與第二圖案230也可通過(guò)多次半刻蝕工藝形成，對(duì)此本申請(qǐng)不作限定。

進(jìn)一步的，所述精密掩膜板21材料也為金屬，例如，所述精密掩膜板21的材料可以為鎳、鉬、鉻、鉑或者錫中的一種或多種。進(jìn)一步的，其厚度為10μm～100μm，例如，所述精密掩膜板21的厚度可以為10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、40μm、60μm、80μm或者100μm等。

綜上可見(jiàn)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的掩膜板中，通過(guò)所述精密掩膜板包括過(guò)渡區(qū)，所述過(guò)渡區(qū)中具有第一圖案，所述第一圖案包括通孔，即所述過(guò)渡區(qū)中存在鏤空的部分，由此可以提高掩膜板的應(yīng)力分散效果。進(jìn)一步的，通過(guò)還包括支撐掩膜板，所述過(guò)渡區(qū)與所述支撐掩膜板對(duì)應(yīng)，從而通過(guò)所述支撐掩膜板可以起到阻擋有機(jī)材料蒸鍍到AMOLED顯示面板的有源區(qū)(AA區(qū))之間的過(guò)渡區(qū)的目的了。

上述描述僅是對(duì)本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本實(shí)用新型范圍的任何限定，本實(shí)用新型領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書(shū)的保護(hù)范圍。