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一種去除高階模式激光的包層功率剝離器的制作方法

文檔序號:11074343閱讀:1196來源:國知局
一種去除高階模式激光的包層功率剝離器的制造方法與工藝

本實用新型屬于高功率光纖激光器領域,具體涉及一種去除高階剝模激光的包層功率剝離器。



背景技術:

光纖激光器由于具有光束質量好、功耗低、體積小、壽命長等特點,而被廣泛應用于金屬切割、焊接、標刻、材料加工和國防安全等方面。尤其是高功率的光纖激光器,其輸出功率逐年遞升,單模最大輸出已超過一萬瓦。高功率激光器與放大器中采用雙包層摻雜光纖作為有源光纖,再使用包層泵浦方式將泵浦光耦合到纖芯中。由于吸收率的問題,包層中總會有殘留部分泵浦光;同時光纖激光器不可避免的存在熔接點,部分纖芯光會泄露到包層中;另外還一些高階模式的激光也會從纖芯中濾出到包層中去。這些殘余的包層光如果從光纖傳輸端直接輸出,會對隨后的光束整形設備帶來額外的熱沉積,嚴重影響輸出光斑的質量。因此,非常有必要在光纖激光器的輸出端對光纖包層中的殘余光進行剝離。

目前最常用的剝除包層光的方式,是在包層表面涂覆高折射率的紫外固化膠,在高功率光纖激光器中包層光功率較大,膠水作為高分子聚合物有很強的吸光特性,會導致涂膠區(qū)域溫度過高,導致器件性能嚴重弱化。另外一種是就是將內包層通過機械、化學的方法使表面粗糙化,使包層光無法滿足全反射的要求而泄露出來。但是上述方式均存在泵浦光剝除不完全,高階模式激光瀉出不足的問題。



技術實現(xiàn)要素:

本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足與缺陷,提供一種去除高階剝模激光的包層功率剝離器,本實用新型通過將光纖彎曲成環(huán)形,增大了高階模式包層光的剝離效率,提高光束質量。

本實用新型的技術方案為:

去除高階模式激光的包層功率剝離器,包含光纖、熱沉、導熱介質、環(huán)形水冷通道、殼體蓋板;其特征在于:光纖盤繞在熱沉的環(huán)形槽內,環(huán)形水冷通道盤繞在熱沉的環(huán)形槽內,在熱沉的環(huán)形槽內設有若干熱沉凹槽,且懸空在熱沉凹槽上的光纖段表面刻蝕成不規(guī)則的V型槽形貌,并在熱沉凹槽上填充導熱介質,且導熱介質將刻蝕的光纖段全部覆蓋包裹,將殼體蓋板對熱沉進行封裝保護。

所述熱沉的表面設有環(huán)形槽,將光纖、環(huán)形水冷通道按照軌跡進行固定,光纖刻蝕段與熱沉上的凹槽重合且懸空放置。

所述導熱介質為石墨粉、球型氧化鋁、碳化硅中的一種或二種以上混合物。

所述殼體蓋板為高反光的金屬材質制成。殼體蓋板可以起到保護光纖和固定導熱介質的作用。

所述光纖涂覆層的去除長度小于熱沉凹槽的長度。

去除高階模式激光的包層功率剝離器的方法,其特征在于包括以下幾個步驟:

1)截取規(guī)定長度的雙包層光纖,將雙包層光纖盤繞在熱沉的環(huán)形槽上,對懸在熱沉凹槽處的光纖做上標記;

2)將做上標記的光纖涂覆層去除并露出裸纖,涂覆層的去除長度小于熱沉凹槽的長度;

3)使用機械刻蝕法將裸纖表面刻成不規(guī)則的V型槽后超聲清洗干凈;

4)將上述光纖再次盤繞在熱沉的環(huán)形槽上,光纖刻蝕段需懸空在熱沉凹槽處,環(huán)形水冷通道盤繞在熱沉的環(huán)形槽內與光纖的盤繞軌跡一致,屬于隨行水冷結構;

5)在熱沉凹槽處填充導熱介質,需將光纖刻蝕段全部包裹覆蓋;

6)將殼體蓋板與熱沉進行裝配,采用螺絲固定結合。

本實用新型與現(xiàn)有技術對比,具有如下優(yōu)點及有益效果:1)采用分段剝離的方式,可以控制包層光的剝離效率;2)避免包層光集中泄露,造成產品局部溫度過高,保證器件安全正常運行;3)將包層功率剝模區(qū)彎曲成環(huán)形,可以有效的提升高階模式激光被剝離的能力,提升光束質量。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

圖2為本實用新型的包層功率剝離器的俯視圖。

圖3為本實用新型包層功率剝離器的熱沉凹槽部分的局部俯視圖。

圖4為本實用新型方包層功率剝離器的熱沉凹槽部分的局部示意圖。

圖中,光纖100,光纖刻蝕段101,熱沉200,熱沉凹槽201,導熱介質300,環(huán)形水冷通道400、殼體蓋板500。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本實用新型做進一步的說明。

如圖1、圖2、圖3、圖4所示,去除高階模式激光的包層功率剝離器,包含光纖、熱沉200、導熱介質300、環(huán)形水冷通道400、殼體蓋板500;其特征在于:光纖100盤繞在熱沉200的環(huán)形槽內,環(huán)形水冷通道400盤繞在熱沉200的環(huán)形槽內,在熱沉200的環(huán)形槽內設有若干熱沉凹槽201,且懸空在熱沉凹槽201上的光纖段表面刻蝕成不規(guī)則的V型槽形貌,并在熱沉凹槽201上填充導熱介質300,且導熱介質300將光纖刻蝕段101全部覆蓋包裹,將殼體蓋板500對熱沉200進行封裝保護;所述光纖涂覆層的去除長度小于熱沉凹槽的長度。

實施例一

環(huán)形水冷通道400盤繞在熱沉200的環(huán)形槽內,截取一段規(guī)定長度的光纖,將其盤繞在熱沉200的環(huán)形槽內,對懸空在熱沉凹槽201上的光纖段做上記號,使用剝線鉗剝掉所作標記處的光纖涂覆層,涂覆層剝離長度略小于熱沉凹槽201長度;對剝掉涂覆層的裸纖進行機械加工形成光纖刻蝕段101,使其表面形成不規(guī)則的V型槽形貌;再將處理過后的光纖在裝有潔凈乙醇的超聲清洗機中清洗干凈,空氣壓縮槍吹干表面溶劑。將清洗后的光纖重新盤繞在熱沉200上,光纖刻蝕段101懸空在熱沉凹槽201中心;在熱沉凹槽201處填充足量的導熱介質300石墨粉,光纖刻蝕段101需全部覆蓋包裹。將表面鍍金的鋁合金殼體蓋板500對熱沉進行封裝保護。

實施例二

本實施例與實施例一的結構相同,不同之處是,所述熱沉凹槽201中的導熱介質300是碳化硅,所述殼體蓋板500為鍍鎳的黃銅材質。

以上所述之實施例只為本實用新型之較佳實施例,只是用于幫助理解本實用新型的方法及核心思想,并非以此限制本實用新型的實施范圍。故凡依本實用新型之原理、形狀所作的變化,均應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。

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