1.一種光子集成裝置，其特征在于，包括半導(dǎo)體襯底，
所述半導(dǎo)體襯底包括第一側(cè)部區(qū)域(40)、第二側(cè)部區(qū)域(41)、中央?yún)^(qū)域(44)、位于所述第一側(cè)部區(qū)域(40)和所述中央?yún)^(qū)域(44)之間的第一中間區(qū)域(42)、位于所述第二側(cè)部區(qū)域(41)和所述中央?yún)^(qū)域(44)之間的第二中間區(qū)域，
所述襯底至少包括：第一波導(dǎo)(G1)以及第二波導(dǎo)(G2)，所述第一波導(dǎo)(G1)包括在所述第一側(cè)部區(qū)域(40)中的一部分，所述第二波導(dǎo)(G2)包括在所述第二側(cè)部區(qū)域(40)中的一部分，兩個(gè)波導(dǎo)由接合區(qū)域(JCN)相互耦合，
所述接合區(qū)域(JCN)包括位于所述中央?yún)^(qū)域(44)中的中央接合區(qū)域(10)、分別延伸至所述第一中間區(qū)域和所述第二中間區(qū)域(42，43)中的第一中間接合區(qū)域(80)和第二中間接合區(qū)域(92)，所述第一中間接合區(qū)域(80)和所述第二中間接合區(qū)域(92)逐漸變寬以便于接觸所述中央接合區(qū)域(10)以便于形成突節(jié)(R)，以及
至少所述第一波導(dǎo)(G1)包括在第二部分(7)上制造的第一部分(8)，所述第一波導(dǎo)(G1)的所述第二部分比所述第一部分(8)更寬，以及
所述接合區(qū)域(JCN)包括所述第二部分(7)的一部分(70)，所述第二部分(7)的一部分(70)從所述第一側(cè)部區(qū)域(40)延伸至所述第一中間區(qū)域(42)中并且延伸至所述中央?yún)^(qū)域(44)的一部分中，并且逐漸變窄，直至到達(dá)所述中央接合區(qū)域(10)的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二波導(dǎo)(G2)包括第一部分(14)，所述第一部分(14)被制造在比所述第一部分(14)更寬的所述第二波導(dǎo)(G2)的第二部分(13)上，以及
所述接合區(qū)域額外地包括所述第二部分(13)的一部分(130)，所述第二部分(13)的一部分(130)從所述第二側(cè)部區(qū)域(41)延伸至所述第二中間區(qū)域(43)中并且延伸至所述中央?yún)^(qū)域(44)的一部分中，并且逐漸變窄，直至達(dá)到所述中央接合區(qū)域(10)的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述第一中間區(qū)域(42)與所述第二中間區(qū)域(43)的長度不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述接合區(qū)域(JCN)的總長度小于或等于三十五微米。
5.一種光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)是光學(xué)收發(fā)器。