技術(shù)總結(jié)
本實用新型公開了一種低直流漂移的鈮酸鋰薄膜強度調(diào)制器，包括：基底晶片、鈮酸鋰薄膜、光學波導、調(diào)制電極、信號電極、地電極、直流偏壓電極，所述基底晶片采用具有低介電常數(shù)的材料；所述鈮酸鋰薄膜為單晶結(jié)構(gòu)、X切Y傳晶向的光學級鈮酸鋰單晶薄膜；所述光學波導為鈦擴散波導或退火質(zhì)子交換波導；所述調(diào)制電極為推挽型行波式電極結(jié)構(gòu)，所述直流偏壓電極為推挽型集總式電極結(jié)構(gòu)。本實用新型的有益效果為，通過采用基于低介電常數(shù)材料基底晶片的鈮酸鋰薄膜結(jié)構(gòu)，可去除二氧化硅緩沖層，實現(xiàn)鈮酸鋰強度調(diào)制器直流漂移現(xiàn)象的大幅抑制，顯著提升鈮酸鋰強度調(diào)制器的長期工作性能和可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：李萍;范寶泉
受保護的技術(shù)使用者：天津領(lǐng)芯科技發(fā)展有限公司
文檔號碼：201621399669
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.20
技術(shù)公布日：2017.07.28