相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2015年2月25日遞交的歐洲申請15156499.4的優(yōu)先權(quán)，并且其通過引用全文并入本文。

本說明書涉及一種控制兩個物體之間的距離的方法和設(shè)備。

背景技術(shù)：

光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ics)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述ic的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個或更多個管芯)上。所述圖案的轉(zhuǎn)移通常是通過將圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單個襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括：所謂的步進機，在所述步進機中，通過將整個圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個目標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo)部分。也可以通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。

為了監(jiān)測光刻過程，圖案化的襯底被檢查，并且圖案化的襯底的一個或更多個參數(shù)被測量。所述一個或更多個參數(shù)可以包括例如形成在圖案化的襯底中或圖案化的襯底上的連續(xù)的層之間的重疊誤差和/或經(jīng)過顯影的光敏抗蝕劑的臨界線寬?？梢栽诋a(chǎn)品襯底的目標(biāo)本身上和/或在設(shè)置在襯底上的專用的量測/檢查目標(biāo)上執(zhí)行所述測量。存在多種技術(shù)用于測量在光刻過程中形成的顯微結(jié)構(gòu)，包括使用掃描電子顯微鏡和/或不同的專用工具來進行測量。

一種快速且非侵入形式的專用的檢查工具是散射儀，其中輻射束被引導(dǎo)至襯底表面上的目標(biāo)上，并且測量散射或反射束的屬性。通過在所述束已經(jīng)被襯底反射或散射之前和之后比較束的一個或更多個屬性，可以確定襯底的一個或更多個屬性。已知兩種主要類型的散射儀。光譜散射儀將寬帶輻射束引導(dǎo)到襯底上并且測量散射到特定的窄的角度范圍中的輻射的光譜(強度作為波長的函數(shù))。角分辨散射儀使用相對窄帶的輻射束，并且將散射的輻射的強度作為角度的函數(shù)測量。

散射測量的特定應(yīng)用是在周期性的目標(biāo)內(nèi)測量特征非對稱性。這可以被用作例如重疊誤差的測量，但是其他應(yīng)用也是已知的。在角分辨散射儀中，可以通過比較衍射光譜的相對部分(例如，比較周期性光柵的衍射光譜中的-1級和+1級)測量非對稱性。這可以用例如在美國專利申請公開號us2006-066855中描述的角分辨衍射儀簡單地完成。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

隨著在光刻處理中物理尺寸的減小，例如需要增大測量精確度和/或減小專用于量測/檢查的目標(biāo)所占據(jù)的空間?；趫D像的散射測量已經(jīng)被設(shè)計為允許使用更小的目標(biāo)，通過使用-1和+1級的輻射輪流獲取目標(biāo)的單獨的圖像。在公開的美國專利申請公開號us2011-0027704、us2011-0043791和us2012-0044470中描述了該基于圖像的技術(shù)的示例，它們通過引用全文并入本文。

然而，對目標(biāo)尺寸的進一步減小和改進的精確度的需要繼續(xù)存在，并且現(xiàn)有的技術(shù)遇到各種限制，這些限制使得很難保持精確度和/或減小目標(biāo)的尺寸。改進檢查和測量技術(shù)的另一種方法是使用固體浸沒透鏡(sil)作為最接近襯底表面的光學(xué)元件。sil與襯底表面(例如，目標(biāo)表面)的極限接近導(dǎo)致具有大于1的非常高效的數(shù)值孔徑(na)的近場輻射。使用具有該sil的相干輻射源允許檢查非常小的目標(biāo)。

為了利用增大的數(shù)值孔徑的優(yōu)點，sil和襯底之間的間隙需要被設(shè)定為期望值。例如，間隙可以在λ/40至λ/8(其中λ為測量輻射的波長)的范圍內(nèi)以使sil與襯底有效光學(xué)接觸。示例性的光學(xué)間隙測量方法和設(shè)備可以包含檢測在高數(shù)值孔徑元件中的偏振的交叉部件。交叉偏振信號然后被檢測器記錄并且可以被用作在間隙控制過程中的輸入?yún)?shù)。該交叉偏振信號也可以通過在幾個波長的較大間隙處檢測的交叉偏振信號標(biāo)準(zhǔn)化。在另一個示例中，該間隙可以通過參考反射的激光輻射強度被控制。使用任一檢測方法，sil(或其它部件)和襯底(或其它部件)之間的間隙需要被建立為且保持在期望的間隙距離或距離范圍。

由于該小的間隙距離以及各種表面形貌可能性(由于工藝變化無論是期望的還是不期望的)，需要提供一個或更多個方法和設(shè)備以便在固體浸沒間隙距離處控制部件相對于表面的位置。因此，作為一個特定的應(yīng)用，實施例可以被應(yīng)用于控制光學(xué)元件和反射或衍射表面之間的間隙，用于例如由光刻技術(shù)制造的層的檢查，以測量重疊誤差或其他的一個或更多個其他參數(shù)。

在一方面中，提供了一種部件相對于表面的位置控制的方法，所述方法包括：計算作用在所述部件和所述表面之間的卡西米爾力的或由作用在所述部件和所述表面之間的卡西米爾力導(dǎo)出的估計效應(yīng)；和使用所述估計效應(yīng)補償所述部件相對于所述表面的定位。

在一方面中，提供了一種部件相對于表面的位置控制的方法，所述方法包括：由在所述部件的控制回路中的測量的信號或者由在控制回路中的測量的信號導(dǎo)出的信號產(chǎn)生觸發(fā)信號；和評價觸發(fā)信號是否穿過閾值以確定所述部件與所述表面的接近程度。在一個實施例中，產(chǎn)生觸發(fā)信號包括由控制誤差信號產(chǎn)生觸發(fā)信號，所述控制誤差信號為所述部件和所述表面之間的測量的間隙與所述部件和所述表面之間的期望的間隙的差值的量度。

在一個方面，提供了一種方法，包括：對于使用于相對于表面定位部件的控制信號不穩(wěn)定的卡西米爾和/或靜電力或剛度的值，基于所述部件和所述表面之間的卡西米爾和/或靜電力或剛度計算所述部件和所述表面之間的預(yù)估的間隙距離；評價與所述部件和所述表面之間的間隙距離有關(guān)的間隙信號以識別間隙信號的不穩(wěn)定性，處于不穩(wěn)定性下的間隙距離為參考間隙距離；和相對于預(yù)估的間隙距離評價參考間隙距離，以獲得用于所述部件相對于所述表面的定位的修正因子。

在一個方面，提供了一種部件相對于表面的位置控制的方法，所述方法包括：基于所述部件和所述表面之的測量的間隙距離計算作用在所述部件和所述表面之間的卡西米爾剛度的估計效應(yīng)；和使用卡西米爾剛度的估計效應(yīng)補償所述部件相對于所述表面的定位的實際的卡西米爾剛度。

附圖說明

現(xiàn)在參照隨附的附圖，僅以舉例的方式，描述實施例，在附圖中：

圖1示意性地圖示一種光刻設(shè)備的實施例；

圖2示意性地圖示光刻單元或簇的實施例；

圖3示意性地圖示示例性的檢查設(shè)備和量測技術(shù)；

圖4示意性地圖示示例性的檢查設(shè)備；

圖5示出檢查設(shè)備的照射斑和量測/檢查目標(biāo)之間的關(guān)系；

圖6圖示示例性的包括固體浸沒透鏡(sil)的檢查設(shè)備；

圖7(a)圖示檢查設(shè)備的特定部件關(guān)于目標(biāo)表面的彈簧示意圖；

圖7(b)圖示被修改為包含預(yù)估的卡西米爾剛度的圖7(a)的彈簧示意圖；

圖7(c)圖示在將預(yù)估的卡西米爾剛度應(yīng)用在圖7(b)中之后圖7(a)和7(b)的元件的理想的彈簧示意圖；

圖8(a)圖示基于理想導(dǎo)電的平行板的假設(shè)作為sil和襯底之間的距離的函數(shù)的預(yù)估的支柱力和卡西米爾力的示例；

圖8(b)圖示基于理想導(dǎo)電的平行板的假設(shè)作為sil和襯底之間的距離的函數(shù)的預(yù)估的支柱剛度和卡西米爾剛度的示例；

圖9圖示相對于目標(biāo)表面定位sil的過程的流程圖；

圖10圖示相對于目標(biāo)表面定位sil的示意性的控制回路和補償卡西米爾力對sil的作用的控制機構(gòu)；

圖11圖示確定sil和目標(biāo)表面之間的閾值接近的過程的流程圖；

圖12(a)、12(b)和12(c)圖示示出可被用于檢測控制不穩(wěn)定件的間隙距離、控制誤差和各種標(biāo)準(zhǔn)化的觸發(fā)信號的模擬結(jié)果；以及

圖13圖示校準(zhǔn)間隙誤差信號、測量的間隙距離和/或設(shè)定點值的過程的流程圖。

具體實施方式

在詳細地描述實施例之前，給出可以實施實施例的示例性的環(huán)境是有益的。

圖1示意地示出一種光刻設(shè)備la。所述設(shè)備包括：

-照射系統(tǒng)(照射器)il，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束b(例如uv輻射或duv輻射)；

-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)mt，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)ma，并與配置用于根據(jù)某些參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置pm相連；

-襯底臺(例如晶片臺)wt，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)w，并與配置用于根據(jù)某些參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置pw相連；和

-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))ps，其配置成用于將由圖案形成裝置ma賦予輻射束b的圖案投影到襯底w的目標(biāo)部分c(例如包括一根或更多根管芯)上，所述投影系統(tǒng)支撐在參考框架(rf)上。

照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。

支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式支撐圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。這里使用的任何術(shù)語“掩模版”或“掩?！笨梢钥醋髋c更為上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。

這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)該注意的是，賦予輻射束的圖案可能不與襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案精確地對應(yīng)(例如，如果所述圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。

圖案形成裝置可以是透射型的或反射型的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列、可變形反射鏡以及可編程lcd面板。掩模在光刻術(shù)中是熟知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。

這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”可以廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語“投影透鏡”可以認為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。

如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。

光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多臺(例如，兩個或更多襯底臺wta、wtb，兩個或更多圖案形成裝置臺，在投影系統(tǒng)下面、沒有專用于例如便于測量和/或清洗等等的襯底的襯底臺wta和臺wtb)的類型。在這種“多平臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。例如，可以進行使用對準(zhǔn)傳感器as的對準(zhǔn)測量和/或使用水平傳感器ls的水平(高度、傾斜等等)測量。

所述光刻設(shè)備還可以是這種類型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對高的折射率的液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體還可以施加到光刻設(shè)備的其他空間中，例如圖案形成裝置和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒技術(shù)用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域是已知的。這里使用的術(shù)語“液體浸沒”并不意味著必須將結(jié)構(gòu)(例如襯底)浸入到液體中，而僅意味著在曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。

進一步地，光刻設(shè)備還可以為如下類型，其中至少光學(xué)元件緊密靠近襯底的一部分，導(dǎo)致跨過光學(xué)元件和襯底之間的間隙的近場輻射。這可以被稱為使用固體浸沒透鏡/光學(xué)元件的固體浸沒。

參照圖1，照射器il接收來自輻射源so的輻射束。所述源和光刻設(shè)備可以是分立的實體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)bd的幫助，將所述輻射束從所述源so傳到所述照射器il。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時)。可以將所述源so和所述照射器il、以及如果需要時設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)bd一起稱作輻射系統(tǒng)。

所述照射器il可以包括被配置為調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器ad。通常，可以對所述照射器il的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器il可以包括各種其它部件，例如積分器in和聚光器co。可以將所述照射器il用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。

所述輻射束b入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)mt上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)ma上，并且通過所述圖案形成裝置ma來形成圖案。已經(jīng)穿過掩模ma之后，所述輻射束b通過投影系統(tǒng)ps，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底w的目標(biāo)部分c上。通過第二定位裝置pw和位置傳感器if(例如，干涉儀器件、線性編碼器、二維編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺wt，例如以便將不同的目標(biāo)部分c定位于所述輻射束b的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置pm和另一個位置傳感器(在圖1中沒有明確地示出)用于相對于所述輻射束b的路徑精確地定位圖案形成裝置ma。通常，可以通過形成所述第一定位裝置pm的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)mt的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置pw的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺wt的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)mt可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記m1、m2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記p1、p2來對準(zhǔn)圖案形成裝置ma和襯底w。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對準(zhǔn)標(biāo)記)上。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在圖案形成裝置ma上的情況下，所述圖案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間。

可以將所示的設(shè)備用于以下模式中的至少一種中：

1.在步進模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)mt和襯底臺wt保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分c上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺wt沿x和/或y方向移動，使得可以對不同目標(biāo)部分c曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分c的尺寸。

2.在掃描模式中，在對支撐結(jié)構(gòu)mt和襯底臺wt同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分c上(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺wt相對于支撐結(jié)構(gòu)mt的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)ps的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一的動態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描移動的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿掃描方向)。

3.在另一模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)mt保持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分c上的同時，對所述襯底臺wt進行移動或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺wt的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻中。

也可以采用上述使用模式的組合和/或變形，或完全不同的使用模式。

如圖2所示，光刻設(shè)備la形成光刻單元lc(有時也稱為光刻單元或者光刻簇)的一部分，光刻單元lc還包括用以在襯底上執(zhí)行曝光前和曝光后處理的設(shè)備。傳統(tǒng)地，這些包括用以沉積一個或更多個抗蝕劑層的一個或更多個旋涂器sc、用以對曝光后的抗蝕劑顯影的一個或更多個顯影器de、一個或更多個激冷板ch和一個或更多個烘烤板bk。襯底輸送裝置或機械人ro從輸入/輸出口i/o1、i/o2拾取一個或更多個襯底，然后將它們在不同的處理設(shè)備之間移動，然后將它們傳遞到光刻設(shè)備的進料臺lb。經(jīng)常統(tǒng)稱為軌道的這些設(shè)備處在軌道控制單元tcu的控制之下，所述軌道控制單元tcu自身由管理控制系統(tǒng)scs控制，所述管理控制系統(tǒng)scs也經(jīng)由光刻控制單元lacu控制光刻設(shè)備。因此，不同的設(shè)備可以被操作用于將生產(chǎn)率和處理效率最大化。

為了由光刻設(shè)備曝光的襯底被正確地和一致地曝光，需要檢查經(jīng)過曝光的襯底以測量一個或更多個屬性，例如連續(xù)層之間的重疊誤差、線厚度、臨界尺寸(cd)等。因此，光刻單元lc所位于其中的制造設(shè)施還通常包括量測/檢查系統(tǒng)met，所述量測/檢查系統(tǒng)接收已經(jīng)在光刻單元中被處理的一些或所有襯底w。量測/檢查系統(tǒng)met可以為光刻單元lc的一部分，例如，其可以為光刻設(shè)備la的一部分。

量測/檢查結(jié)果可以直接或間接提供給監(jiān)督控制系統(tǒng)scs。如果檢測到誤差，可以對后續(xù)襯底的曝光進行調(diào)整(尤其是在檢查能夠很快完成且足夠迅速到使該批次的一個或更多個其他襯底仍處于待曝光狀態(tài)的情況下)，和/或可以對曝光過的襯底的后續(xù)曝光進行調(diào)整。此外，已經(jīng)曝光過的襯底也可以被剝離并被重新加工以提高產(chǎn)率，或可以被遺棄，由此避免在已知存在缺陷的襯底上進行進一步處理。在襯底的僅僅一些目標(biāo)部分存在缺陷的情況下，可以僅對認為是完好的那些目標(biāo)部分進行進一步曝光。

在量測/檢查系統(tǒng)met中，檢查設(shè)備被用于確定襯底的一個或更多個屬性，且尤其，用于確定不同的襯底的一個或更多個屬性如何變化或同一襯底的不同層如何從層到層變化。檢查設(shè)備可以被集成到光刻設(shè)備la或光刻單元lc中，或可以是獨立的裝置。為了能進行迅速的測量，需要檢查設(shè)備在曝光后立即測量經(jīng)過曝光的抗蝕劑層中的一個或更多個屬性。然而，抗蝕劑中的潛像具有低的對比度(在經(jīng)過輻射曝光的抗蝕劑部分和沒有經(jīng)過輻射曝光的抗蝕劑部分之間僅有很小的折射率差)，且并非所有的檢查設(shè)備都對潛像進行的有效測量具有足夠的靈敏度。因此，測量可以在曝光后烘烤步驟(peb)之后進行，所述曝光后烘烤步驟通常是在經(jīng)過曝光的襯底上進行的第一步驟，且增加抗蝕劑的經(jīng)過曝光和未經(jīng)曝光的部分之間的對比度。在該階段，抗蝕劑中的圖像可以被稱為半潛的。也能夠在抗蝕劑的曝光部分或者非曝光部分已經(jīng)被去除的點處，或者在諸如蝕刻等圖案轉(zhuǎn)移步驟之后，對經(jīng)過顯影的抗蝕劑圖像進行測量。后一種可能性限制了有缺陷的襯底進行重新加工的可能性，但是仍可以提供有用的信息。

圖3示出示例性的檢查設(shè)備(例如，散射儀)。該檢查設(shè)備包括寬帶(白光)輻射投影裝置2，其將輻射投影到襯底w上。反射的輻射傳遞至光譜儀檢測器4，該光譜儀檢測器4測量鏡面反射輻射的光譜10(強度是波長的函數(shù))，如圖所示，例如在左下側(cè)的圖中。通過這個數(shù)據(jù)，產(chǎn)生所檢測的光譜的結(jié)構(gòu)或輪廓可以通過處理器pu重構(gòu)，例如通過嚴格耦合波分析和非線性回歸，或者通過與模擬光譜庫進行比較，如圖3的右下側(cè)所示。通常，對于所述重構(gòu)，已知所述結(jié)構(gòu)的總體形式，且通過根據(jù)所述結(jié)構(gòu)的制作過程的知識假定一些參數(shù)，僅留有結(jié)構(gòu)的一些參數(shù)根據(jù)測量數(shù)據(jù)確定。這種檢查設(shè)備可以被配置為正入射檢查設(shè)備或斜入射檢查設(shè)備。

可以使用的另一檢查設(shè)備如圖4所示。在該裝置中，由輻射源2發(fā)出的輻射采用透鏡系統(tǒng)12準(zhǔn)直并透射通過干涉濾光片13和偏振器17，由部分反射表面16反射并經(jīng)由具有高數(shù)值孔徑(na)(期望地至少0.9或至少0.95)的物鏡15在襯底w上聚焦成斑s。固體浸沒檢查設(shè)備(使用設(shè)備的物鏡和目標(biāo)之間的近場輻射)和/或液體浸沒檢查設(shè)備(使用相對高的折射率的流體，例如水)可以甚至具有超過1的數(shù)值孔徑。

正如在光刻設(shè)備la中，在測量操作過程中，可以提供一個或更多個襯底臺以保持襯底w。襯底臺在形式上可以與圖1的襯底臺wta、wtb相似或相同。在檢查設(shè)備與光刻設(shè)備集成的示例中，它們甚至可以為相同的襯底臺?？梢詾楸慌渲脼橄鄬τ跍y量光學(xué)系統(tǒng)精確地定位襯底的第二定位裝置pw提供粗和細定位裝置。例如提供各種傳感器和致動器以獲取所感興趣的目標(biāo)的位置，并且將它帶至在物鏡15下面的位置。通常地，在橫跨襯底w的不同位置將在目標(biāo)上進行許多測量?？梢匝豿和y方向移動襯底支撐件以獲取不同目標(biāo)，并且可以沿z方向移動襯底支撐件以獲得目標(biāo)相對于光學(xué)系統(tǒng)的焦點的期望位置。當(dāng)例如在實踐中光學(xué)系統(tǒng)可以保持基本靜止(通常沿x和y方向，但是也許也沿z方向)并且僅襯底移動時，認為和描述操作好像物鏡相對于襯底被帶到不同位置是方便的。假設(shè)襯底和光學(xué)系統(tǒng)的相對位置是正確的，那么在原理上無關(guān)緊要的是，它們中的哪一個在現(xiàn)實世界中移動、或者是否它們都移動、或者光學(xué)系統(tǒng)的一部分移動(例如在z和/或傾斜方向上)同時光學(xué)系統(tǒng)的其余部分靜止和襯底移動(例如，沿x和y方向，但是可選地也可以沿z和/或傾斜方向)的組合。

然后，被襯底w改變方向的輻射穿過部分反射表面16進入檢測器18，以便檢測光譜。檢測器可以位于在透鏡系統(tǒng)15的焦距處的后投影光瞳平面11上，然而，光瞳平面可以替代地通過輔助的光學(xué)裝置(未示出)在檢測器上重新成像。所述光瞳平面是在其中輻射的徑向位置限定入射角而角位置限定輻射的方位角的平面。所述檢測器可以為二維檢測器，以使得可以測量襯底目標(biāo)30的兩維角散射光譜。檢測器18可以是例如電荷耦合器件(ccd)或互補金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)傳感器的陣列，且可以采用例如每幀40毫秒的積分時間。

參考束可以被用于例如測量入射輻射的強度。為此，當(dāng)輻射束入射到部分反射表面16上時，輻射束的一部分透射通過所述部分反射表面16作為參考束朝向參考反射鏡14行進。然后，所述參考束被投影到同一檢測器18的不同部分上或替代地被投影到不同檢測器上(未示出)。

一個或更多個干涉濾光片13可用于在如405-790nm或甚至更低(例如200-300nm)的范圍中選擇感興趣的波長。干涉濾光片可以是可調(diào)的，而不是包括一組不同的濾光片。光柵可以被用于替代干涉濾光片。孔徑光闌或空間光調(diào)制器(未示出)可以設(shè)置在照射路徑中以控制在目標(biāo)上輻射的入射角的范圍。

檢測器18可以測量單一波長(或窄波長范圍)的改變方向的輻射的強度，所述強度在多個波長處是分立的，或者所述強度在一個波長范圍上被積分。進而，檢測器可以獨立地測量橫向磁場和橫向電場偏振輻射的強度和/或在橫向磁場和橫向電場偏振輻射之間的相位差。

襯底w上的目標(biāo)30可以是一維光柵，其被印刷成使得在顯影之后，所述條紋由實抗蝕劑線構(gòu)成。目標(biāo)30可以是二維光柵，其被印刷成使得在顯影之后，所述光柵由抗蝕劑中的實抗蝕劑柱或通孔構(gòu)成。所述條紋、柱或通孔可以被蝕刻到所述襯底中。該圖案(例如條紋、柱或通孔的圖案)對于光刻投影設(shè)備(尤其是投影系統(tǒng)ps)中的色差和照射對稱度敏感，且這種像差的存在將表明在所印刷的光柵中的變化。相應(yīng)地，所印刷的光柵的測量數(shù)據(jù)被用于重構(gòu)光柵。一維光柵的一個或更多個參數(shù)(例如線寬和形狀)，或者二維光柵的一個或更多個參數(shù)(例如柱或通孔寬度或長度或形狀)可以被輸入到重構(gòu)過程中，所述重構(gòu)過程由處理器pu根據(jù)印刷步驟和/或其他的檢查過程的知識實現(xiàn)。

除了通過重構(gòu)測量參數(shù)，角分辨率散射測量在產(chǎn)品和/或抗蝕劑圖案中的特征的非對稱性的測量中是有用的。非對稱性測量的特定應(yīng)用是用于重疊的測量，其中目標(biāo)30包括一組周期性的特征，其疊加在另一組上。例如在美國專利申請公開號us2006-066855中描述了使用圖3或圖4的儀器進行非對稱性測量的構(gòu)思，其全文并入本文。簡單地說，當(dāng)目標(biāo)的衍射光譜中的衍射級的位置僅僅通過目標(biāo)的周期性被確定時，衍射光譜中的非對稱性表示組成目標(biāo)的單獨特征中的非對稱性。在圖4的儀器中，檢測器18可以為圖像傳感器，在衍射級中的該非對稱性直接表現(xiàn)為由檢測器18記錄的光瞳圖像中的非對稱性。該非對稱性可以通過在單元pu中的數(shù)字圖像處理被測量，并且相對于已知的重疊值被校準(zhǔn)。

圖5示出了典型的目標(biāo)30的平面圖和在圖4的設(shè)備中的照明斑s的范圍。為了獲得免于來自周圍結(jié)構(gòu)的干擾的衍射光譜，在一個實施例中，目標(biāo)30為大于照射斑s的寬度(例如，直徑)的周期性的結(jié)構(gòu)(例如，光柵)。斑s的寬度可以超過10或20μm，并且目標(biāo)寬度a和長度可以為30或40μm的正方形。換句話說，目標(biāo)被照射“未充滿”，并且衍射信號免于在目標(biāo)本身之外的產(chǎn)品特征等等的干擾。照射布置2、12、13、17可以被配置為在物鏡15的光瞳面上提供均勻強度的照射。替代地，通過例如在照射路徑中包括孔徑，照射可以被限制為在軸方向或離軸方向。

近期，使用者有減小由量測/檢查目標(biāo)占據(jù)的空間和/或改善測量的精確度的需要。具體地，期望減小在襯底上的目標(biāo)部分c之間的“劃線”的寬度，其中目標(biāo)已經(jīng)按照慣例地被定位。而且，期望將目標(biāo)包含在器件圖案本身內(nèi)，以允許更精確地監(jiān)測和修正諸如cd和/或重疊的參數(shù)的變化。為此，最近已經(jīng)設(shè)計了基于衍射的量測/檢查的替代方法。例如，在基于圖像的量測/檢查中，目標(biāo)的兩個圖像被制成，每個使用衍射光譜的不同的選定級。比較兩個圖像，可以獲得非對稱性的信息。通過選擇圖像的部分，可以從目標(biāo)信號周圍分離目標(biāo)信號。目標(biāo)可以被制成更小，并且無需為正方形，使得幾個目標(biāo)可以包含在相同的照射斑內(nèi)。在美國專利申請公開出版物us2011-0027704、us2011-0043791和us2012-0044470中描述了該技術(shù)的示例。

因為對尺寸減小和/或精確度的需要繼續(xù)存在，現(xiàn)有的技術(shù)可以滿足一些技術(shù)限制。例如，一些方法(例如，重疊測量方法)可能需要捕獲至少±1衍射級。考慮物鏡15的數(shù)值孔徑，其限制了目標(biāo)的周期性結(jié)構(gòu)的節(jié)距(l)。為了提高敏感度和/或減小目標(biāo)尺寸，可以考慮使用更短的波長。然而，在實踐中，照射波長必須在可見光范圍內(nèi)，因為在重疊目標(biāo)中更低的周期性結(jié)構(gòu)可以被嵌入，并且一個或更多個中間層可以吸收uv輻射(200nm至400nm)。進一步地，目標(biāo)不能太小，否則它將不具有將被視為周期性結(jié)構(gòu)的足夠特征(例如，可能需要至少15條線，考慮前面的限制其可以確定最小的周期性結(jié)構(gòu)為約5μmx5μm)。因此，重疊(作為一個示例)被使用具有遠大于產(chǎn)品(例如，器件)布局的尺寸的尺寸的周期性結(jié)構(gòu)特征(例如，線)測量，使重疊測量更不可靠。理想地，特征線和節(jié)距應(yīng)當(dāng)具有與產(chǎn)品特征相似的尺寸。

圖6示出了一種檢查設(shè)備，其中更小的照射斑s’可以被應(yīng)用于具有更小的節(jié)距的特征的更小的目標(biāo)30’上。在所有附圖中，相似的附圖標(biāo)記表示相似的部件。

比較圖6的設(shè)備與圖4的設(shè)備，第一個差別是在目標(biāo)30’附近提供了附加的透鏡元件60。該附加的透鏡為微型的固體浸沒透鏡(sil)，具有僅在毫米量級上的寬度(例如，直徑)，例如在1mm至5mm的范圍內(nèi)，例如約2mm。在一個示例中，sil包括接收基本正入射到其表面上的輻射射線的材料的半球或超半球。在一個實施例中，sil由折射率n的材料(例如，玻璃、熔融石英、材料的組合等等)組成。接收的射線聚焦在大約半球或超半球的中心處，并且形成衍射限制的斑，所述衍射限制的斑與不具有sil的情況相比小n倍。例如，具有n＝2的典型的玻璃半球?qū)p小聚焦斑的寬度2倍。

將光學(xué)元件浸沒在液體中已經(jīng)被用于增大顯微術(shù)和光刻術(shù)的分辨率。固體浸沒透鏡可以獲得相似的效益，而沒有液體浸沒的不利/問題。然而，為了確保較小的斑尺寸確實增大了系統(tǒng)的分辨率，sil的底部必須或者與目標(biāo)30接觸或者定位成非常靠近目標(biāo)。這限制了其實際應(yīng)用。

還可以使用所謂的微sil。該sil的寬度(例如，直徑)小許多倍，例如寬度約2微米，而不是約2毫米。在一個示例中，其中在圖6的設(shè)備中的sil60為微型的sil，其可以具有小于或等于10μm(可能地小于或等于5μm)的寬度(例如，直徑)。

無論使用微型sil60還是微sil，其可以被附接在可移動支撐件上使得控制對襯底的對準(zhǔn)和接近比具有更大的寬度的透鏡的情況更簡單。例如，圖6中的sil60被安裝在框架62上。在一個實施例中，框架62是可移動的?？梢蕴峁┲聞悠饕砸苿涌蚣?2。在一個實施例中，框架62支撐物鏡15。相應(yīng)地，在一個實施例中，框架62可以一起移動物鏡15和sil60。在一個實施例中，用于框架62的致動器可以被配置為基本上沿z方向移動框架62(和sil60)。在一個實施例中，用于框架62的致動器可以被配置為圍繞x軸和/或y軸移動框架62(和sil60)。在一個實施例中，sil60處在相對于框架62相對固定的位置。這可以被稱為單臺布置，其中物鏡15和sil60相對于彼此固定，并且通過框架62的致動器移動。在這種情況下，好處可以為sil可以機械地定位在物鏡的焦點上。

如上所述，圖6中的sil60被安裝在框架62上，在一個實施例中，框架支撐物鏡15。當(dāng)然，sil60可以被安裝在與支撐物鏡15的框架分開的框架上。在一個實施例中，sil60通過臂64和致動器66與框架(例如，框架62)連接。致動器66例如可以在操作中是壓電的或者音圈致動的。sil60具有致動器以使可移動物鏡15和sil60之間的相對移動的布置可以被稱為雙臺布置。在雙臺中，可以分開某些功能，例如移動范圍、振動抑制能力、相對于表面的sil定位和聚焦的分開。在一個實施例中，物鏡臺可以僅僅基本上沿z方向(基本上垂直于表面)移動。在一個實施例中，sil臺可以以多于1個自由度(例如至少三個自由度)沿z方向和圍繞x軸和/或y軸移動，以基本上平行于表面定位sil。sil臺可以不具有足夠覆蓋期望的全部行程范圍的機械范圍。因此，sil臺可以被用于在表面上方某一小距離處定位sil，同時物鏡臺可以相對于表面將物鏡定位在焦點上。

致動器66可以與關(guān)于目標(biāo)整體定位物鏡的一個或更多個其它的致動器組合操作。關(guān)于上面提到的粗定位裝置和細定位裝置，例如，致動器66可以被當(dāng)作超細定位裝置。這些不同定位裝置的伺服控制回路可以彼此集成起來。部件62、64和66以及襯底臺和定位裝置(上面提到的但是在圖6中未示出)形成用于彼此緊密靠近定位sil和目標(biāo)t的支撐設(shè)備。如上所述，原則上，sil60可以剛性地安裝到框架62上，和/或可以具有更大的寬度。分開的臂和致動器允許更容易地控制非常小的間隙，如下面將更詳細地討論的。

包含有sil60打開了聚焦成小得多的斑s’的可能性。sil通過從目標(biāo)捕獲近場輻射工作，并且為此其基本上被定位成距離目標(biāo)結(jié)構(gòu)比輻射的一個波長(λ)更近，通常比半個波長更近，例如約λ/20。距離越近，近場信號與儀器的耦合將越強。sil60和目標(biāo)30’之間的間隙因此可以小于λ/4，例如在λ/40和λ/8之間。因為檢查設(shè)備的na被有效地增大，目標(biāo)的周期性結(jié)構(gòu)的節(jié)距可以被減小為更接近產(chǎn)品尺寸。

在微sil將被使用的示例中，常規(guī)上例如在散射儀中使用的所述類型的不相干的輻射不能被聚焦成像微sil一樣小的微米尺寸的斑點。因此，在該實施例中，輻射源2可以被改變成相干源。因此，激光源70通過光纖72與照明光學(xué)裝置12等耦接。對襯底上的斑尺寸的限制由聚焦透鏡系統(tǒng)的數(shù)值孔徑和激光波長設(shè)定。作為使用空間相干輻射的附加好處，具有激光輻射源70的儀器可以被用于執(zhí)行不同類型的散射測量或測量。例如，相干傅里葉散射測量(cfs)可以被用于測量目標(biāo)。

如上面強調(diào)的，在sil和目標(biāo)之間應(yīng)當(dāng)保持小間隙。同樣如上面強調(diào)的，用于控制間隙的已知技術(shù)具有限制，特別是當(dāng)各種不同的目標(biāo)結(jié)構(gòu)和材料將被檢查時。

因此，在一個實施例中，提出了通過基于補償sil和目標(biāo)之間的吸引力的技術(shù)控制間隙。該技術(shù)在諸如散射儀的光學(xué)量測/檢查設(shè)備中具有特別的適用性，但是可以被應(yīng)用于sil的其它應(yīng)用中或者物體被定位和/或保持得非常靠近另一個物體(例如，在低于400nm的范圍內(nèi))的其它應(yīng)用中。該技術(shù)不必排他地被應(yīng)用，而是可以與一個或更多個其它技術(shù)(包括在所引用的文獻中討論的一個或更多個技術(shù))組合地被應(yīng)用。

隨著兩個固體表面之間的間隙減小，由于電磁場的量子波動，廣泛版本或意義的范德瓦爾斯力在兩個表面之間出現(xiàn)。該廣泛意義的范德瓦爾斯力被已知為卡西米爾力，并且為兩個表面之間的吸引力。當(dāng)兩個中性粒子具有由量子或熱效應(yīng)引起的脈動偶極矩時，范德瓦爾斯力出現(xiàn)，并且根據(jù)粒子之間的分開距離改變。

因此，對于理想導(dǎo)電的平行板，該范德瓦爾斯相互作用導(dǎo)致由如下方程給出的近似吸引性的卡西米爾力：

其中為簡化的普朗克常數(shù)，并且等于h/2π，普朗克常數(shù)＝6.624e^-34js，c為光的速度(3e⁸m/s)，a為接近目標(biāo)表面的sil的尖端表面的面積，并且z為分開sil尖端表面和目標(biāo)表面的間隔。注意，如下面討論的，方程(1)的結(jié)果可能需要被改變以考慮不同的材料、不同的形貌等等。而且，在兩個板的非常小的間隔(例如高達幾百納米)時，力可能以1/z³衡量，而不是1/z⁴衡量。例如參見a.rodriguez等人的“thecasimireffectinmicrostructuredgeometries”，naturephotonics，vol.5，pages211-221(2011)，其通過引用全文并入本文。進一步地，由于接近的相互作用的復(fù)雜性，可以預(yù)期的是，力使用非整數(shù)冪次法則衡量，使得力在最通用的表達中將與1/z^ⁿ成比例，其中2.5≤n≤5.5。

該近似吸引性的卡西米爾力可以進一步地被表達為是具有如下方程給出的剛度kcas的彈簧的結(jié)果：

除了由上面的方程(1)和(2)給出的卡西米爾力和剛度，由于靜電相互作用在該如此小間隙力和剛度也變得顯著。對于理想導(dǎo)電的平行板之間的靜電力，sil尖端表面和目標(biāo)表面之間的靜電力近似由如下方程給出：

其中v為sil尖端表面和目標(biāo)表面之間的電壓差，z為分開sil尖端表面和目標(biāo)表面的間隔，表面a為接近目標(biāo)表面的sil尖端表面的面積，并且∈0＝8.85e^-12farad/m。靜電剛度因此為：

由于冪次法則，隨著z減小，卡西米爾剛度使得靜電剛度顯得不重要。對于諸如近場量測/檢查的應(yīng)用，其中z在λ/40-λ/20的量級(其可以為約10-30nm)上，并且v較小，靜電剛度相對于卡西米爾剛度可以變得忽略不計。

進一步地，應(yīng)當(dāng)意識到管控sil尖端表面和目標(biāo)表面之間的環(huán)境的物理學(xué)是非常復(fù)雜的。例如，在具體情況下，有可能的是，由于sil尖端表面和目標(biāo)表面之間的電磁相關(guān)力的過剩，電磁剛度使得卡西米爾剛度顯得不重要。在較高的電壓下，所述電磁力的示例為sil尖端和目標(biāo)表面之間的電容力。所述電磁力的另一個示例為由于隨機修補電荷的存在。所述電磁力的又一個示例為由于在非金屬表面上的靜電荷的出現(xiàn)(例如，電荷-電荷，電荷-偶極子，偶極子-偶極子)。由于靜電荷，該靜電力被認為很難預(yù)測，并且很可能強烈依賴于目標(biāo)表面的制造工藝。電磁相互作用的又一個示例是由于極性液體(例如水)在sil尖端表面和/或目標(biāo)表面上的出現(xiàn)。該極性液體的這種出現(xiàn)進一步受表面的與流體相關(guān)的類型(例如親水的或疏水的表面)影響。因此，最一般地，一種是具有作用在sil尖端表面和目標(biāo)表面之間的接近力，該接近力例如包括卡西米爾力或電磁力。

進一步地，對于實際的sil尺寸，sil和目標(biāo)表面之間的諸如靜電和卡西米爾力的微觀力在約10-30nm(例如，λ/40-λ/20)的間隙或間隔時變得顯著。這些力與控制力相比通?？珊雎圆挥?。然而，如下面進一步描述的，剛度(力-距離梯度或斜率)由于這些微觀力的高非線性特性可能超過控制剛度，并且因此使控制回路不穩(wěn)定。

圖7(a)圖示了檢查設(shè)備的具體部件和目標(biāo)表面(例如，襯底)之間的關(guān)系的示意圖。如圖7(a)所見，檢查設(shè)備的物鏡(例如，物鏡15)或其它框架800已經(jīng)被連接至可移動sil800，其中物鏡和sil之間的剛度被指定為kstrut。sil800相對于目標(biāo)表面(例如，襯底)820至少沿豎直方向是可移動的，以建立間隙z。sil和目標(biāo)表面之間的卡西米爾剛度(其作為間隙距離z的函數(shù)改變)被指定為kcas(z)。這里，靜電力和剛度被忽略，但是可以作為附加力和剛度元素被包含在圖7(a)中。

控制系統(tǒng)被提供以控制sil靠近目標(biāo)表面的定位并且將sil保持在該位置或在該位置的周圍。控制系統(tǒng)可以接收設(shè)定點間隙值，并且控制一個或更多個致動器(例如，致動器66)，以將sil定位在設(shè)定點間隙值或設(shè)定點間隙值附近，并且將sil保持在該位置或在該位置的周圍。在這樣的系統(tǒng)中，sil和目標(biāo)表面之間的間隙可以保持在約λ/20。目標(biāo)表面和sil保持器(例如，物鏡)之間的相對振動可以在λ/4的量級上，其可以例如借助相對高帶寬的反饋控制被抑制，例如具有介于1khz和20khz之間的帶寬，例如10khz。為了使控制系統(tǒng)進行控制，sil和目標(biāo)表面之間的間隙可以通過被稱為間隙誤差信號(ges)的光學(xué)信號表示?，F(xiàn)有技術(shù)中已知有各種用于測量ges的技術(shù)。

現(xiàn)在參考圖8中的圖線，圖8(a)示出了作為間隙距離的函數(shù)的朝向目標(biāo)表面的支柱和卡西米爾力的示例性的標(biāo)準(zhǔn)化的值，并且圖8(b)示出了基于如上所述的對于平行的理想導(dǎo)電板的公式模型化的作為間隙距離的函數(shù)的支柱和卡西米爾剛度的示例性的標(biāo)準(zhǔn)化的值。如圖8(a)所見，相對于控制和支柱力，實際的卡西米爾力可以相對小。但是，圖8(b)示出了卡西米爾剛度隨著sil和目標(biāo)表面之間的間隙減小而快速升高(即朝向負值走向和/或具有負值)。由卡西米爾效應(yīng)引起的間隙依賴的剛度kcas(z)可能通過抵消支柱剛度kstrut不利地改變控制系統(tǒng)的閉合回路行為，因為sil和目標(biāo)表面之間的間隙減小(例如，在圖8(b)的示例中小于80nm)，如圖8中的圖線所示。由卡西米爾剛度引起的控制回路中的擾動因而通過減小諸如在設(shè)備內(nèi)的目標(biāo)表面(例如，襯底)的振動的低頻擾動的抑制而不利地影響控制系統(tǒng)的性能。

如圖8(b)中的剛度圖所示，當(dāng)sil和目標(biāo)表面之間的間隙進一步減小時，例如在圖8(b)的示例中小于50nm，卡西米爾剛度變得足夠大以致支柱可能不會有效抵消卡西米爾吸引。因此，應(yīng)當(dāng)通過具有充分高帶寬(例如，具有介于1khz和20khz之間的帶寬，例如10khz)的控制系統(tǒng)加強閉合回路的穩(wěn)定性。在一些實施例中，對于足夠高的帶寬，例如大于約4khz，可以保持約10-30nm或更大的間隙，而沒有穩(wěn)定性問題。然而，對于小于約10-30nm的間隙，卡西米爾剛度可能變得足夠大而使控制回路不穩(wěn)定。

因此，在一個實施例中，提供了一種部件相對于目標(biāo)表面的位置控制的方法。圖9圖示了相對于目標(biāo)表面定位部件的方法的實施例。該方法可以包括：在步驟1000中，計算作用在部件和目標(biāo)表面之間的卡西米爾力或由作用在部件和目標(biāo)表面之間的卡西米爾力導(dǎo)出的估計效應(yīng)。并且，在步驟1010中，所述方法可以包括使用估計效應(yīng)補償部件相對于目標(biāo)表面的定位。

因此，參考圖7(b)，圖7(b)圖示了圖7(a)被修改為包含使用作用在sil810和目標(biāo)表面820之間的卡西米爾力或由作用在sil810和目標(biāo)表面820之間的卡西米爾力導(dǎo)出的估計效應(yīng)的補償?shù)氖疽庑缘膹椈梢晥D。在該情形中，估計效應(yīng)為被表示為kcasest(z)的預(yù)估的卡西米爾剛度，并且其被增加到支柱剛度kstrut上。使用被表示為kcasest(z)的預(yù)估的卡西米爾剛度的補償應(yīng)當(dāng)產(chǎn)生圖7(a)和(b)的元件的理想的示意性的彈簧視圖，如圖7(c)所示。即，在圖7(b)中的預(yù)估的卡西米爾剛度的應(yīng)用有效地抵消了sil810和目標(biāo)表面820之間的實際的卡西米爾剛度kcas(z)，并且因此，sil應(yīng)當(dāng)僅有效地具有它和物鏡/框架800之間的支柱剛度kstrut。

在一個實施例中，計算作用在部件和目標(biāo)表面之間的卡西米爾力或由作用在部件和目標(biāo)表面之間的卡西米爾力導(dǎo)出的估計效應(yīng)可以包括計算由部件和目標(biāo)表面之間的相互作用引起的預(yù)估的卡西米爾剛度。在理想的系統(tǒng)中，使用上面的方程(2)計算卡西米爾剛度。理想的系統(tǒng)包括被真空分開的兩個平行的理想導(dǎo)電的表面。實際上，例如，在sil和襯底之間存在相互作用的情況下，sil的表面和/或襯底表面可能不是理想導(dǎo)電的，并且兩個表面可能不是完全平行的。在一些實施例中，例如當(dāng)襯底表面包括例如測量目標(biāo)的周期性的結(jié)構(gòu)(例如光柵)時，sil和襯底之間沿著sil表面的距離可能改變。因此，真實的卡西米爾剛度將與理想的卡西米爾剛度不同。

為了適應(yīng)不同幾何形狀、材料或其它特性和/或一個或更多個這樣特性中的變化，可將常數(shù)或參數(shù)應(yīng)用于本文描述的任一計算中以將不同幾何形狀、材料等和/或變化的效應(yīng)近似于使用本文描述的方程(或其修改版本)的計算。該常數(shù)或參數(shù)可以通過使用幾何形狀、材料等的特定配置和/或特定變化的模擬確定。因而，可以針對每一個配置或針對多個配置、或針對一個或更多個配置中的變化確定特定的常數(shù)或參數(shù)。例如，可以針對特定類型的目標(biāo)表面(例如，量測/檢查目標(biāo)的類型)、和/或針對目標(biāo)表面的特定類型的變化的范圍確定特定的常數(shù)或參數(shù)。

在一個實施例中，可以通過使用目標(biāo)表面的一個或更多個已知的或測量的參數(shù)計算預(yù)估的卡西米爾剛度。例如，在cd重構(gòu)的使用情形中，目標(biāo)表面的幾何形狀和材料可以是已知道或已測量的。因而，卡西米爾力的結(jié)構(gòu)依賴的效應(yīng)可以包括在計算中(包括在卡西米爾剛度的計算中)，以提供卡西米爾力(fcasest(z))和/或剛度(kcasest(z))的更精確的預(yù)估。

圖10示意性地圖示了相對于目標(biāo)表面定位sil的示意性的控制回路和補償卡西米爾力對sil的影響的控制機構(gòu)。如圖10所示，控制系統(tǒng)210根據(jù)設(shè)定點值1200致動(例如)sil塊和支柱1240，以期望地獲得或保持特定的間隙z1220。對于間隙z，實際的/真實的卡西米爾效應(yīng)1230被應(yīng)用于sil。因此，在一個實施例中，通過線性化如圖10所示的反饋來應(yīng)用補償預(yù)估的卡西米爾效應(yīng)1250。即，反饋有效地線性化了控制回路，其中不然控制回路經(jīng)受非線性化。在一個實施例中，預(yù)估的卡西米爾效應(yīng)1250可以為使用例如方程(2)或考慮實際材料、幾何形狀因素等的方程(2)的修改版本確定的計算的預(yù)估的卡西米爾剛度(kcasest(z))。間隙z可以用間隙誤差信號測量或?qū)С?。在理想情況下，使用方程(2)(或方程(2)的修改版本)計算的卡西米爾剛度等于實際的卡西米爾剛度(即，實際的/真實的卡西米爾效應(yīng)1230)，由此消除了卡西米爾力的影響。因此，在理想情況下，所公開的反饋線性化(即，通過給控制回路增加預(yù)估的卡西米爾剛度)可以導(dǎo)致獲得控制系統(tǒng)的原始動力學(xué)(例如，沒有卡西米爾剛度)。但是，實際上，在建模真實系統(tǒng)的卡西米爾剛度中可能有誤差。然而，有利地，控制回路的線性化減小了控制回路對實際的卡西米爾剛度與其理想值的偏差的敏感度。因此，在一個實施例中，本文描述的技術(shù)可以在選自約10-50nm的范圍的sil和目標(biāo)表面之間的間隙時改善低頻擾動的抑制約10倍。

對于部件相對于表面的定位的有效控制，期望的是部件和表面之間的間隙被精確地知道。在真實系統(tǒng)中，這可能是困難的，因為測量信號可能不是精確的，關(guān)于系統(tǒng)的假設(shè)(例如部件尺寸)可能不總是有效的等等。例如，部件(例如sil)和目標(biāo)表面之間的間隙可以由間隙誤差信號(ges)表示。如果控制是基于ges，那么可能需要校準(zhǔn)以幫助確保部件和目標(biāo)表面之間的間隙是某一個預(yù)期的間隙(例如，以避免抵觸和達到期望的測量條件)。例如，在上述控制方案中，當(dāng)使用測量的間隙距離(這里測量的間隙距離是指直接測量的間隙距離或從測量導(dǎo)出的間隙距離)計算而沒有合適的校準(zhǔn)時，卡西米爾剛度的預(yù)估(如使用例如本文描述的公式計算的)可能易受誤差的影響。

附加地，間隙的測量可能強烈地依賴于在目標(biāo)表面上(例如，蝕刻在目標(biāo)表面上)的結(jié)構(gòu)。即，ges可能強烈地依賴于在目標(biāo)表面上的結(jié)構(gòu)。例如，如果將ges控制在對應(yīng)于例如用于給定結(jié)構(gòu)的20或50nm的值，那么可將該結(jié)構(gòu)控制為接近于所期望的20或50nm。然而，在該ges處的另一個結(jié)構(gòu)可能已經(jīng)觸碰sil。因此，例如由于錯誤的用戶輸入，結(jié)構(gòu)的偏差可以使ges與期望值明顯不同。該偏差可導(dǎo)致例如sil撞擊目標(biāo)表面，因而使得設(shè)備和目標(biāo)表面易受不可接受的損害風(fēng)險影響。

因此，提供了一種校準(zhǔn)ges、測量的間隙距離和/或設(shè)定點值的方法。附加地，提供了一種確定部件(例如，sil)和目標(biāo)表面之間的閾值接近的方法。

在圖11中圖示的是用于部件相對于表面的位置控制的方法的流程圖。所述方法可以包括：在框1400中，由控制回路中的一個或更多個其它可測量信號、或由一個或更多個可測量的信號(例如，控制誤差信號，該控制誤差信號為部件和表面之間的測量的間隙距離與部件和表面之間的期望的間隙距離的差值的量度)導(dǎo)出的一個或更多個信號產(chǎn)生觸發(fā)信號；和在框1410中，評價觸發(fā)信號是否穿過閾值以確定部件和表面的接近程度。在一個實施例中，控制誤差信號為ges或基于ges，例如間隙距離的設(shè)定點值和基于ges的測量的間隙距離之間的差值。

在小間隙(即，＜λ/4nm)時的ges的斜率針對不同結(jié)構(gòu)保持近似恒定。故，ges因此為用于逐漸減小部件和表面之間的間隙的合適的控制信號。進一步地，當(dāng)逐漸減小sil和目標(biāo)表面之間的間隙時，ges的誤差(即控制誤差)在其遇到不穩(wěn)定性時突然開始非線性地增加。該不穩(wěn)定性可歸因于如本文其它地方討論的卡西米爾剛度或卡西米爾剛度和靜電剛度的組合。該不穩(wěn)定性和/或非線性可被用于及時地確定部件相對于表面的閾值接近。因此，控制信號可被用于感測部件相對于目標(biāo)表面的接近程度，其例如可以觸發(fā)安全機構(gòu)，所述安全機構(gòu)例如收縮該部件或中斷其移動。在一個實施例中，取決于例如反應(yīng)時間和/或收縮范圍，該收縮和/或移動的中斷可以分布在雙臺布置中的物鏡和sil臺上。替代控制誤差或者除了控制誤差之外，在控制回路中的一個或更多個其它的可測量信號、或由一個或更多個可測量信號導(dǎo)出的一個或更多個信號可被用作觸發(fā)信號。

在一個實施例中，相對于其遠場強度而言，ges信號可以為標(biāo)準(zhǔn)化的信號。因此，用于控制的標(biāo)準(zhǔn)化的ges信號值可以介于0和1之間，基本上獨立于照射的屬性。

在一個實施例中，觸發(fā)信號在不穩(wěn)定性來臨時相對突然地增加或減小。該突然的改變由通過方程(2)和(4)分別給定的卡西米爾剛度和/或靜電剛度的相對非常非線性的特征引起。合適的閾值可以應(yīng)用于該信號以確定不穩(wěn)定性發(fā)生的點或恰好在不穩(wěn)定性發(fā)生之前的點。

在一個實施例中，觸發(fā)信號可以為針對某一個移動時間窗口(例如，像移動平均值)的信號(例如，控制誤差)的最大絕對值。在一個實施例中，觸發(fā)信號可以為信號的大小的基于范數(shù)的量化，例如針對該信號的移動時間窗口的信號(例如，控制誤差)的最大絕對值。觸發(fā)信號的其它示例包括針對該信號的移動窗口的信號(例如，控制誤差)的均方根(rms)值，和/或針對該信號的移動窗口的表示控制回路的不穩(wěn)定性的一個或更多個特定頻率的信號(例如，控制誤差)的能量含量(例如，rms)。在一個實施例中，移動窗口在1-100ms的范圍內(nèi)，例如0-20ms，例如1ms、2ms或10ms。應(yīng)用的窗口大小可以取決于sil相對于表面的接近速度以及sil和表面之間的相對振動的頻率含量。在一些實施例中，觸發(fā)信號可以被標(biāo)準(zhǔn)化。通過基于控制誤差的相對改變生成觸發(fā)信號，振動(例如，襯底或檢查設(shè)備的)對控制誤差的影響可以被消除。

圖12圖示了示出間隙距離(圖12(a))、控制誤差(圖12(b))和兩個標(biāo)準(zhǔn)化的觸發(fā)信號(圖12(c))的圖形模擬結(jié)果。在該示例中，如圖12(a)所見，間隙慢慢地從約18nm減小到約14nm。在圖12(c)中，可以看出當(dāng)觸發(fā)信號在約420ms處已經(jīng)穿過為1的閾值時，觸發(fā)信號能夠在控制誤差信號中檢測到約440ms的控制不穩(wěn)定性。在該實施例中，對應(yīng)的間隙距離為約14nm。如本文中其它地方討論的，由于卡西米爾力、靜電力或它們的組合而遇到控制不穩(wěn)定性。在許多情況下，靜電力為未知的，因為sil和襯底之間的電壓差是未知的。但是，靜電力在存在時為卡西米爾力的額外分量。因此，僅基于卡西米爾力的閾值作為例如安全觸發(fā)是有效的，即使存在靜電力的話。

遇到不穩(wěn)定性為部件(例如，sil)太接近目標(biāo)表面的指示，并且因此部件處于碰撞目標(biāo)表面的風(fēng)險下。因此，在使用sil的光學(xué)系統(tǒng)中，增加sil與目標(biāo)表面之間的間隙可以為在遇到控制回路的不穩(wěn)定性時采取的動作。然而，在一些實施例中，可以執(zhí)行諸如停止sil的移動和/或分析與sil相互作用的目標(biāo)表面上的結(jié)構(gòu)的其它動作。

理想地，測量的間隙距離和實際的間隙距離是相同的。然而，事實上，由于種種原因測量的間隙距離可以與實際的間隙距離不同。在這種情況下，測量的間隙距離、間隙誤差信號和/或設(shè)定點值可能需要使用校準(zhǔn)或修正因子修正。這樣，本文公開了一種用于校準(zhǔn)測量的間隙距離、間隙誤差信號和/或設(shè)定點值的方法。

如上所述，認識到當(dāng)部件緊密地接近表面時使控制回路中的不穩(wěn)定性(其顯示在ges中)發(fā)生并且該不穩(wěn)定性由在如此小距離的游隙處的微觀力引起，該不穩(wěn)定性可以被用作校準(zhǔn)間隙誤差信號、測量的間隙誤差和/或設(shè)定點值的手段。

實際上，理想地，如果結(jié)構(gòu)是已知的，那么ges是已知的。因此，可能不存在對基于卡西米爾力的校準(zhǔn)的任何需要。但是，如果不完全已知結(jié)構(gòu)，則ges可能具有(明顯的)誤差。但是，由于卡西米爾剛度對間隙的強烈依賴性以及對結(jié)構(gòu)的相對弱的依賴性，預(yù)期卡西米爾剛度具有小誤差。因此，卡西米爾剛度可為在例如不完全已知結(jié)構(gòu)的情況下校準(zhǔn)例如ges的方式。

因此，在一個實施例中，對于已知表面面積的部件，通過方程(2)和(4)分別給定的卡西米爾剛度和/或靜電剛度僅依賴于部件和表面之間的間隙。因此，部件和表面之間的絕對間隙的預(yù)估值(即，預(yù)估的間隙距離)可以使用方程(2)和/或方程(4)根據(jù)使用于定位部件的控制回路不穩(wěn)定的剛度的值計算。如上所述，計算的值可由常數(shù)或參數(shù)更改以考慮部件和/或表面的一個或更多個特性，和/或所述一個或更多個特性的變化?？赏ㄟ^模擬和/或校準(zhǔn)導(dǎo)出常數(shù)或參數(shù)。

進一步地，表示部件和表面之間的間隙距離的間隙信號可以被評價以識別控制環(huán)路中的不穩(wěn)定性，所述不穩(wěn)定性顯示在間隙信號中。該不穩(wěn)定性由于微觀力而發(fā)生。間隙信號中的不穩(wěn)定性所在的間隙距離可被稱作參考間隙距離，例如，在圖12中被識別的約14nm的間隙距離。在一個實施例中，間隙信號例如可以為ges、或來自用于使部件相對于表面定位的控制回路的控制誤差信號或其它的從如上所討論的控制回路測量或?qū)С龅男盘?。在一些實施例中，間隙信號可以進一步地從控制誤差信號(例如，上面討論的觸發(fā)信號)導(dǎo)出。例如，間隙信號可以為針對該信號的移動窗口的測量或?qū)С龅男盘柕拇笮〉幕诜稊?shù)的量化，例如針對該信號的移動窗口的測量或?qū)С龅男盘?例如，控制誤差)的最大絕對值、針對該信號的移動窗口的測量或?qū)С龅男盘?例如，控制誤差)的均方根值、和/或針對該信號的移動窗口的表示控制回路不穩(wěn)定性的特定頻率的測量或?qū)С龅男盘柕哪芰亢俊?/p>

然后，參考間隙距離和預(yù)估的間隙距離被相對于彼此評價。在理想的系統(tǒng)中，參考間隙距離等于基于卡西米爾和/或靜電剛度公式計算的預(yù)估的間隙距離。因此，如果它們相等，那么系統(tǒng)已經(jīng)被校準(zhǔn)。然而，由于系統(tǒng)可能偏離理想行為，因此參考間隙距離可能與預(yù)估的間隙距離不同。因此，修正或校準(zhǔn)因子因而可以在參考間隙距離和預(yù)估的間隙距離不同的情況下被確定。例如，修正或校準(zhǔn)因子可以用參考間隙距離與預(yù)估的間隙距離之間的差值被確定，并且可以被應(yīng)用于ges信號、測量的間隙距離、和/或控制回路的設(shè)定點值。作為另一個示例，對應(yīng)的ges值可以被設(shè)定為用于襯底上的給定結(jié)構(gòu)的較低的設(shè)定點(即，閾值)，并且因此可被用于例如觸發(fā)安全機構(gòu)以避免部件與表面的碰撞。

取決于目標(biāo)/襯底/批次之間的預(yù)期的結(jié)構(gòu)變化，修正或校準(zhǔn)因子可針對每個量測/檢查目標(biāo)、每個襯底、或每個批次的襯底被確定一次。

在一個實施例中，可能期望將卡西米爾力孤立地為作為導(dǎo)致部件的ges中的不穩(wěn)定性的唯一顯著力，并且可以僅需要針對卡西米爾效應(yīng)計算參考距離。為此，在一個實施例中，可消除部件和表面之間的電壓差，由此消除可歸因于部件和表面之間的電壓差的靜電剛度?？梢酝ㄟ^諸如將導(dǎo)電涂層提供到部件的表面上和/或目標(biāo)表面上并且將兩個表面均接地的任何已知的方法消除電壓差。

在一個實施例中，不是消除部件與表面之間的電壓差，可提供已知的電壓差或可確定電壓差。在該實施例中，如果已知與目標(biāo)表面相互作用的部件的表面面積，那么全部剛度(即，靜電剛度和卡西米爾剛度的組合)仍取決于部件與表面之間的間隙。因而，對于已知的或測量的電壓差，可以仍基于使間隙信號不穩(wěn)定的剛度的值計算參考距離。因為靜電剛度的非線性低于卡西米爾剛度的非線性(-3的冪相對于-5的冪)，使用靜電剛度和卡西米爾剛度的組合計算間隙距離可不與僅使用卡西米爾剛度一樣穩(wěn)固。已知的電壓差應(yīng)足夠低以避免部件和表面之間的電壓擊穿。

圖13圖示了用以校準(zhǔn)測量的間隙距離、間隙誤差信號和/或設(shè)定點值的過程的示例性的流程圖。該方法包括：在框1600中，針對使用于相對于表面定位部件的控制信號不穩(wěn)定的剛度的值，基于部件與表面之間的卡西米爾和/或靜電剛度計算部件與表面之間的預(yù)估的間隙距離。在框1610中，評價與部件和表面之間的間隙距離有關(guān)的間隙信號以識別間隙信號中的不穩(wěn)定性，在不穩(wěn)定性下的間隙距離為參考間隙距離。在框1620中，相對于預(yù)估的間隙距離評價參考間隙距離以得到用于部件相對于表面的定位的修正因子。

雖然本文中的各個實施例主要描述了sil相對于襯底/目標(biāo)表面的位置控制，但是所公開的方法和設(shè)備可以被用于控制諸如微懸臂的任何部件相對于任何表面的位置。

如上所示，在一個實施例中，提供了各種技術(shù)以通過基于一個或更多個具體的測量信號的技術(shù)控制間隙。所述技術(shù)在諸如散射儀、對準(zhǔn)傳感器(其確定對準(zhǔn)標(biāo)記之間的對準(zhǔn))、編碼器或干涉儀(其能進行位置測量)和/或高度或水平傳感器(其能測量表面的位置)的光學(xué)量測或檢查設(shè)備中具有特定的適用性，但是可以應(yīng)用于sil的其它應(yīng)用中或應(yīng)用于物體被非?？拷硪粋€物體定位和/或保持(例如，在低于400nm的范圍內(nèi))的其它應(yīng)用中。該技術(shù)不必排他地被應(yīng)用，而是可以與一個或更多個其它技術(shù)(包括在所引用的文獻中討論的一個或更多個技術(shù))組合地被應(yīng)用。

本文中所描述的任何控制器或控制系統(tǒng)可以在一個或更多個計算機程序被位于光刻設(shè)備的至少一個部件內(nèi)的一個或更多個計算機處理器讀取時各自地或組合地操作?？刂破骰蚩刂葡到y(tǒng)可以各自地或組合地具有用于接收、處理和發(fā)送信號的任何合適的配置。一個或更多個處理器被配置為與控制器或控制系統(tǒng)的至少一個通信。例如，每一個控制器或控制系統(tǒng)可以包括用于執(zhí)行包括用于上述方法的計算機可讀指令的計算機程序的一個或更多個處理器?？刂破骰蚩刂葡到y(tǒng)可以包括用于存儲該計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)和/或接收該介質(zhì)的硬件。因此，控制器(多個控制器)或控制系統(tǒng)(多個控制系統(tǒng))可以根據(jù)一個或更多個計算機程序的機器可讀指令工作。

雖然在用于檢查或測量與例如光學(xué)光刻術(shù)相關(guān)物品的量測或檢查設(shè)備的上下文中，在本文中具體參考了本發(fā)明的實施例的使用，但是應(yīng)該理解到這里所述的方法和設(shè)備可以用于其他的應(yīng)用中，例如壓印光刻術(shù)、集成光學(xué)系統(tǒng)的使用或制造、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案的使用或制造、平板顯示器的使用或制造、液晶顯示器(lcd)的使用或制造、薄膜磁頭的使用或制造等。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢查工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層ic，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。

在下面編號的方面中描述進一步的實施例：

1.一種部件相對于表面的位置控制的方法，所述方法包括：

計算作用在所述部件和所述表面之間的接近力的或由作用在所述部件和所述表面之間的接近力導(dǎo)出的估計效應(yīng)；和

使用所述估計效應(yīng)補償所述部件相對于所述表面的定位。

2.如方面1所述的方法，其中計算估計效應(yīng)包括計算由所述部件和所述表面之間的卡西米爾力和/或電磁力導(dǎo)出的估計效應(yīng)。

3.如方面2所述的方法，其中計算由所述部件和所述表面之間的卡西米爾力和/或電磁力導(dǎo)出的估計效應(yīng)包括計算所述部件和所述表面之間的接近剛度。

4.如方面1-3中任一方面所述的方法，其中補償包括基于間隙的測量的反饋以線性化用于所述部件和所述表面之間的相對移動的控制回路。

5.如方面1-4中任一方面所述的方法，其中計算估計效應(yīng)包括使用公式計算估計效應(yīng)，其中所述估計效應(yīng)與1/z³、1/z⁴或1/z⁵成比例。

6.如方面1-5中任一方面所述的方法，其中計算估計效應(yīng)包括基于所述部件和所述表面之間的測量的間隙距離計算估計效應(yīng)。

7.如方面6所述的方法，其中測量的間隙距離為由測量的間隙誤差信號導(dǎo)出的間隙距離。

8.一種方法，包括：

對于使用于相對于表面定位部件的控制信號不穩(wěn)定的接近力或剛度的值，基于所述部件和所述表面之間的接近力或剛度計算所述部件和所述表面之間的預(yù)估的間隙距離；

評價與所述部件和所述表面之間的間隙距離有關(guān)的間隙信號以識別間隙信號的不穩(wěn)定性，處于不穩(wěn)定性下的間隙距離為參考間隙距離；和

相對于預(yù)估的間隙距離評價參考間隙距離，以獲得用于所述部件相對于所述表面的定位的修正因子。

9.如方面8所述的方法，其中所述間隙信號包括由在所述部件的控制回路中的測量的信號或者由在控制回路中的測量的信號導(dǎo)出的信號產(chǎn)生的觸發(fā)信號。

10.如方面9所述的方法，其中由控制誤差信號生成所述觸發(fā)信號，所述控制誤差信號為所述部件和所述表面之間的測量的間隙與所述部件和所述表面之間的期望的間隙的差值的量度。

11.如方面9或10所述的方法，其中所述觸發(fā)信號包括用于測量的或?qū)С龅男盘柕囊苿哟翱诘闹怠?/p>

12.如方面11所述的方法，其中用于移動窗口的值包括測量的或?qū)С龅男盘柕淖畲蠼^對值、測量的或?qū)С龅男盘柕木礁?、用于表示控制回路的不穩(wěn)定性的特定頻率的測量的或?qū)С龅男盘柕哪芰亢亢?或測量的或?qū)С龅男盘柕拇笮〉钠渌幕诜稊?shù)的量化。

13.如方面8-12中任一方面所述的方法，其中修正因子包括對間隙信號、間隙的測量的距離和/或用于所述部件和所述表面之間的相對移動的控制回路的設(shè)定點值的修正。

這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括：紫外輻射(uv)(例如具有小于約400nm并且大于約20nm的波長，或約365、355、248、193、157或126nm的波長)和極紫外(euv)輻射(例如具有在5-20nm范圍內(nèi)的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。

在允許的情況下，術(shù)語“透鏡”可以表示不同類型的光學(xué)部件中的任何一種或其組合，包括折射式的、反射式的、磁性的、電磁的以及靜電的光學(xué)部件。

盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，但應(yīng)該認識到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來實現(xiàn)。例如，本發(fā)明的實施例可以采用包含用于描述一種如本文公開的方法的一個或更多個機器可讀指令序列的計算機程序的形式，或非易失性數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤等等)的形式，或在其中具有該計算機程序的易失性介質(zhì)。進一步地，機器可讀指令可以內(nèi)嵌在兩個或更多個計算機程序中。兩個或更多個計算機程序可以存儲在一個或更多個不同的存儲器和/或數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)上。

上面的描述是為了說明而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認識到，在不背離下面給出的權(quán)利要求的范圍的情況下可以對所描述的本發(fā)明做出修改。