本發(fā)明涉及顯示裝置的制作領(lǐng)域，具體涉及一種承載裝置和涂膠設(shè)備。

背景技術(shù)：

陣列基板的制作過程中，需要涂覆光刻膠以進(jìn)行光刻構(gòu)圖工藝。圖1是現(xiàn)有的承載裝置的示意圖，承載臺(tái)10內(nèi)設(shè)置有多個(gè)通孔11。涂覆光刻膠之前，當(dāng)基板20位置發(fā)生偏移時(shí)，吹氣裝置向通孔吹入氮?dú)?N₂)，使得基板稍稍吹離承載臺(tái)，然后利用對(duì)位件30對(duì)基板進(jìn)行對(duì)位。在涂覆光刻膠時(shí)，抽真空裝置與通孔11相連通，以將基板20吸附在承載臺(tái)10上。進(jìn)行對(duì)位時(shí)，基板20與承載臺(tái)10表面存在一定的摩擦，長時(shí)間使用后會(huì)導(dǎo)致承載臺(tái)10的表面產(chǎn)生鏡面化，這種鏡面化會(huì)使基板20與承載臺(tái)10表面之間存在較大的粘合力，導(dǎo)致基板20不容易被通道中的氣流頂起，也不容易被對(duì)位件30推動(dòng)，從而造成對(duì)位失敗率增大，需要人工現(xiàn)場處理，且存在破片的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種承載裝置和涂膠設(shè)備，以提高對(duì)位成功率。

為了解決上述技術(shù)問題之一，本發(fā)明提供一種承載裝置，包括用于承載基板的承載臺(tái)，所述承載臺(tái)內(nèi)設(shè)置有多個(gè)貫穿所述承載臺(tái)的氣體通道；至少一部分所述氣體通道內(nèi)設(shè)置有滾珠，所述承載裝置還包括驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于驅(qū)動(dòng)所述滾珠朝向所述氣體通道的頂部移動(dòng)，以將所述承載臺(tái)上的基板撐起，且撐起所述基板的滾珠能夠在所述氣體通道的頂部任意轉(zhuǎn)動(dòng)。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括升降桿，所述滾珠可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置在所述升降桿的頂部，所述升降桿用于控制所述滾珠在所述氣體通道內(nèi)升降。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括吹氣結(jié)構(gòu)，所述吹氣結(jié)構(gòu)包括與所述氣體通道連通的氣孔，所述吹氣結(jié)構(gòu)用于通過其氣孔向所述氣體通道吹氣，以通過氣流將所述滾珠頂起。

優(yōu)選地，所述氣體通道包括同軸設(shè)置的第一通道部和第二通道部，所述第一通道部的底端與所述第二通道部的頂端相連，所述滾珠位于第一通道部內(nèi)，所述第二通道部的頂端直徑小于所述滾珠的直徑。

優(yōu)選地，所述第一通道部的頂端直徑小于所述滾珠的直徑，且所述滾珠的一部分能夠從所述第一通道部的頂端開口露出。

優(yōu)選地，所述第一通道部的內(nèi)徑由所述第一通道部的頂端至預(yù)定位置處逐漸增大，所述預(yù)定位置處的內(nèi)徑大于所述滾珠的直徑，所述預(yù)定位置位于所述第一通道部頂端與所述第一通道部底端之間；

所述承載臺(tái)的表面還形成有凹槽，所述凹槽用于將每相鄰兩個(gè)氣體通道的第一通道部連通。

優(yōu)選地，所述承載臺(tái)包括第一本體和與所述第一本體可拆卸地連接的多個(gè)第二本體，所述第二本體與所述氣體通道一一對(duì)應(yīng)，所述第一通道部從其頂端至所述預(yù)定位置的部分貫穿所述第二本體，所述第一通道部的其余部分和所述第二通道部貫穿所述第一本體。

優(yōu)選地，所述吹氣結(jié)構(gòu)包括離子風(fēng)機(jī)。

優(yōu)選地，每個(gè)所述氣體通道內(nèi)均設(shè)置有所述滾珠。

優(yōu)選地，所述承載裝置還包括設(shè)置在所述承載臺(tái)上的位置檢測器件和對(duì)位組件，所述位置檢測器件用于檢測基板的邊緣位置；所述對(duì)位組件用于根據(jù)所述基板的邊緣位置移動(dòng)所述基板，以使所述基板位于預(yù)定區(qū)域內(nèi)。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種涂膠設(shè)備，包括上述承載裝置。

本發(fā)明對(duì)承載臺(tái)上的基板進(jìn)行對(duì)位時(shí)，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)滾珠將基板頂起，之后然后移動(dòng)基板，基板在移動(dòng)過程中與滾珠相接觸，而不再與承載臺(tái)接觸。因此，本發(fā)明可以防止承載臺(tái)的表面因長時(shí)間摩擦而導(dǎo)致的鏡面化，基板與承載臺(tái)之間的粘合力小，更容易將基板頂起；并且，基板在移動(dòng)時(shí)與滾珠之間的滾動(dòng)摩擦較小，從而便于基板的移動(dòng)，進(jìn)而提高對(duì)位成功率。另外，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)可以包括離子風(fēng)機(jī)，離子風(fēng)機(jī)吹出的離子風(fēng)一方面將滾珠頂起，另一方面流入承載臺(tái)表面的凹槽，從而可以中和基板表面的靜電，減少靜電對(duì)基板表面圖形的損傷。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)承載臺(tái)上的基板進(jìn)行對(duì)位時(shí)的示意圖；

圖2是本發(fā)明中第一種結(jié)構(gòu)的承載裝置對(duì)基板進(jìn)行對(duì)位時(shí)的示意圖；

圖3是本發(fā)明中第二種結(jié)構(gòu)的承載裝置的承載臺(tái)的示意圖；

圖4是圖3中的承載裝置對(duì)所承載的基板進(jìn)行對(duì)位時(shí)的示意圖；

圖5是本發(fā)明中的承載裝置的承載臺(tái)的俯視圖；

圖6是其中一個(gè)氣體通道內(nèi)的滾珠位于其他通道頂部時(shí)的俯視圖；

圖7是圖6沿AA線的剖視圖；

圖8是本發(fā)明中承載有基板的承載裝置的俯視圖。

其中，附圖標(biāo)記為：

10、承載臺(tái)；10a、第一本體；10b、第二本體；11、通孔；12、氣體通道；121、第一通道部；122、第二通道部；13、滾珠；14、凹槽；141、第一凹槽部；142、第二凹槽部；20、基板；30、對(duì)位件；40、升降桿；50、位置檢測器件。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

作為本發(fā)明的一方面，提供一種承載裝置，如圖2所示，包括用于承載基板20的承載臺(tái)10，承載臺(tái)10內(nèi)設(shè)置有多個(gè)貫穿承載臺(tái)10的氣體通道12。至少一部分氣體通道12內(nèi)設(shè)置有滾珠13，所述承載裝置還包括驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于驅(qū)動(dòng)滾珠13朝向氣體通道12的頂部移動(dòng)，以將承載臺(tái)10上的基板20撐起(如圖2和4所示)，且撐起基板20的滾珠13能夠在氣體通道12的頂部任意轉(zhuǎn)動(dòng)。本發(fā)明中的“頂部”是指靠近基板20的部分，“頂端”是指靠近基板20的一端，“底端”是指遠(yuǎn)離基板20的一端。

本發(fā)明中，在對(duì)基板20進(jìn)行對(duì)位時(shí)，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)滾珠13將基板20撐起，然后移動(dòng)基板20，基板20在移動(dòng)過程中與滾珠13相接觸，而不再與承載臺(tái)10接觸，如圖2和圖3所示。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可以防止承載臺(tái)10的表面因長時(shí)間摩擦而導(dǎo)致的鏡面化，基板20與承載臺(tái)10之間的粘合力小，更容易將基板20頂起；并且，基板20在移動(dòng)時(shí)與滾珠13之間的滾動(dòng)摩擦較小，從而便于基板20的移動(dòng)，進(jìn)而提高對(duì)位成功率。

所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)可以采用不同的結(jié)構(gòu)和方式驅(qū)動(dòng)滾珠13朝向基板20移動(dòng)，作為本發(fā)明的一種具體實(shí)施方式，如圖2所示，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括升降桿40，滾珠20可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置在升降桿40的頂部，升降桿40用于控制滾珠13在氣體通道12內(nèi)升降。具體地，升降桿40頂部可以設(shè)置有凹槽，滾珠13設(shè)置在該凹槽內(nèi)，以保持穩(wěn)定；并且滾珠13的頂端從凹槽中露出，以能夠與基板20接觸。

作為本發(fā)明的另一種具體實(shí)施方式，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括吹氣結(jié)構(gòu)，所述吹氣結(jié)構(gòu)包括與氣體通道12連通的氣孔，所述吹氣結(jié)構(gòu)用于向所述氣體通道吹氣，以通過氣流將滾珠13頂起。通過調(diào)節(jié)吹氣結(jié)構(gòu)吹出氣流的壓力大小，可以使得滾珠被氣流吹起，從而將基板20頂起，如圖4所示。

在本發(fā)明中，每個(gè)氣體通道12內(nèi)均設(shè)置有滾珠13。氣體通道12可以作為吹氣通道，也可以作為吸附通道，這時(shí)，滾珠13與氣體通道12的內(nèi)壁之間可以形成少量的間隙，使得滾珠13既能夠被氣流頂起，又不會(huì)影響對(duì)基板20的吸附。當(dāng)然，也可以在一部分氣體通道12內(nèi)設(shè)置滾珠13，滾珠13與氣體通道12的內(nèi)壁貼合，從而在吹氣結(jié)構(gòu)吹出氣流時(shí)更容易被頂起；另一部分氣體通道12內(nèi)不設(shè)置滾珠13，這部分未設(shè)置滾珠13的氣體通道12可以作為用于吸附基板20的吸附通道。

如圖3和圖4所示，氣體通道12包括同軸設(shè)置的第一通道部121和第二通道部122，第一通道部121的底端與第二通道部122的頂端相連，滾珠13位于第一通道部121內(nèi)，第二通道部122的頂端直徑小于滾珠13的直徑。吹氣結(jié)構(gòu)未吹氣時(shí)，滾珠13支撐在第二通道部122的頂端位置(如圖3所示)；吹氣結(jié)構(gòu)吹氣時(shí)，滾珠13僅在第一通道部121內(nèi)移動(dòng)，更利于被氣流頂起。

進(jìn)一步具體地，為了防止?jié)L珠13在吹氣結(jié)構(gòu)吹氣時(shí)脫離承載臺(tái)10，第一通道部121的頂端直徑小于滾珠13的直徑，且滾珠13的一部分能夠從第一通道部121的頂端開口露出。

如圖3和圖4所示，第一通道部121的內(nèi)徑由第一通道部121的頂端至預(yù)定位置處逐漸增大，所述預(yù)定位置處的內(nèi)徑大于滾珠13的直徑，所述預(yù)定位置位于第一通道部121頂端與第一通道部121底端之間，例如，位于第一通道部121頂端與底端之間的中心位置。如圖5所示，承載臺(tái)10的表面還形成有凹槽14，凹槽14用于將每相鄰兩個(gè)氣體通道12的第一通道部121連通。當(dāng)吹氣結(jié)構(gòu)向氣體通道12吹氣時(shí)，滾珠13被氣流頂起，而由于滾珠13與第一通道部121之間的間隙，使得一部分氣體流入凹槽14，從而進(jìn)一步減少基板20與承載臺(tái)10之間的貼合力，更容易將基板20頂起。并且，在吸附基板20時(shí)，凹槽14將不同的氣體通道12連通，從而使得基板20在承載臺(tái)10上貼合地更平整。

圖5為承載臺(tái)的俯視圖；圖6為其中一個(gè)氣體通道內(nèi)的滾珠移動(dòng)至氣體通道頂部時(shí)的俯視圖；圖7為圖6的A-A剖視圖。其中，為了更清楚地看到滾珠13在氣體通道12頂部時(shí)的狀態(tài)，圖7只示意出了第一通道部121，未示出第二通道部122。結(jié)合圖5至圖7所示，凹槽14具體包括第一凹槽部141和第二凹槽部142，第一凹槽部141與氣體通道12直接連通。吹氣結(jié)構(gòu)吹氣使得滾珠13上升過程中，一部分氣體會(huì)流入第一凹槽部141和第二凹槽部142中；并且，滾珠13移動(dòng)至氣體通道12頂端的開口處時(shí)，如圖6和圖7所示，第一凹槽部141的遠(yuǎn)離氣體通道的邊緣并不會(huì)與滾珠13接觸，因此會(huì)有一部分氣體從氣體通道12流入第一凹槽部141和第二凹槽部142中。其中，第二凹槽部142的寬度具體可以為第一通道部121的預(yù)定位置處內(nèi)徑的1/15～1/10，以使得凹槽14可以被快速充滿氣體。

當(dāng)?shù)谝煌ǖ啦?21的頂端開口較小時(shí)，為了便于更換滾珠13，優(yōu)選地，承載臺(tái)10包括第一本體10a和與第一本體10a可拆卸地連接的多個(gè)第二本體10b(例如，第一本體10a和第二本體10b通過螺釘相連)，如圖3和圖4所示，第二本體10b與氣體通道12一一對(duì)應(yīng)，第一通道部121的從其頂端至所述預(yù)定位置的部分貫穿第二本體10b，第一通道部121的其余部分和第二通道部122貫穿第一本體10a。

為了減少基板20在移動(dòng)過程中產(chǎn)生的靜電，優(yōu)選地，所述吹氣結(jié)構(gòu)包括離子風(fēng)機(jī)，以吹出包括大量正、負(fù)電荷的離子風(fēng)，從而中和基板20表面的正、負(fù)電荷，減少基板20上靜電，進(jìn)而減少靜電對(duì)基板20表面圖形的損傷。

如圖8所示，為了實(shí)現(xiàn)對(duì)基板20的自動(dòng)對(duì)位，所述承載裝置還包括設(shè)置在承載臺(tái)10上的位置檢測器件50和對(duì)位組件，位置檢測器件50用于檢測基板20的邊緣位置；所述對(duì)位組件用于根據(jù)基板20的邊緣位置，移動(dòng)基板20，以使基板20位于預(yù)定區(qū)域。所述位置檢測可以包括與基板20的位置對(duì)應(yīng)的位置傳感器，所述對(duì)位組件可以包括多個(gè)與基板20邊緣的對(duì)位件30，以推動(dòng)基板20的邊緣。

承載臺(tái)10內(nèi)還可以設(shè)置有多個(gè)安裝孔(未示出)，所述承載裝置還可以包括多個(gè)支撐銷，所述支撐銷穿過安裝孔。當(dāng)涂膠完成后，支撐銷在所述安裝孔內(nèi)上升，以將基板10頂起，之后，機(jī)械手將基板取走。

可以看出，本發(fā)明對(duì)承載臺(tái)10上的基板20進(jìn)行對(duì)位時(shí)，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)滾珠13將基板20頂起，之后然后移動(dòng)基板20，基板20在移動(dòng)過程中與滾珠13相接觸，而不再與承載臺(tái)10接觸。因此，本發(fā)明可以防止承載臺(tái)10的表面因長時(shí)間摩擦而導(dǎo)致的鏡面化，基板20與承載臺(tái)10之間的粘合力小，更容易將基板20頂起；并且，基板20在移動(dòng)時(shí)與滾珠13之間的滾動(dòng)摩擦較小，從而便于基板20的移動(dòng)，進(jìn)而提高對(duì)位成功率。另外，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)可以包括離子風(fēng)機(jī)，離子風(fēng)機(jī)吹出的離子風(fēng)一方面將滾珠頂起，另一方面流入承載臺(tái)10表面的凹槽14，從而可以中和基板20表面的靜電，減少靜電對(duì)基板20表面圖形的損傷。

作為本發(fā)明的另一方面，提供一種涂膠設(shè)備，包括上述所述的承載裝置。

由于上述承載裝置能夠便于基板的移動(dòng)，提高基板對(duì)位成功率，因此，利用所述涂膠設(shè)備對(duì)基板進(jìn)行涂膠時(shí)，能夠改善涂膠效果。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。