本發(fā)明涉及平板顯示制造領(lǐng)域，特別涉及一種掩膜板及其制造方法。

背景技術(shù)：

在平板顯示器件的制造過程中，光刻工藝是最重要的工藝步驟之一。光刻工藝是將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到玻璃基板或柔性基板上的過程。其中，掩膜板(也稱為光罩)是一種對(duì)于曝光光線具有透光性的透光基板，其上具有對(duì)于曝光光線具有遮光性的至少一個(gè)圖形(即掩膜圖形)。

在實(shí)際生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)，掩膜板由于自身重量會(huì)產(chǎn)生彎曲，導(dǎo)致曝光出的圖形尺寸的均一度較差。請(qǐng)參考圖1，其為采用現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板進(jìn)行曝光的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有的掩膜板100包括一掩膜面10a及與所述掩膜面10a相對(duì)的非掩膜面10b，所述掩膜面10a和非掩膜面10b均是平面，在所述掩膜面10a上具有掩膜圖形12，所述掩膜板100安裝在曝光設(shè)備上其掩膜面10a朝向基板101，由于自重發(fā)生彎曲使得所述掩膜板100與基板101的曝光間距不一致，例如所述掩膜板100的中心區(qū)域與基板101之間的曝光間距G2小于所述掩膜板100的邊緣區(qū)域與基板101之間的曝光間距G1。

通常的，曝光出的圖形尺寸(CD)隨著曝光間距的增大而增大。在曝光量相同的情況下，若中心區(qū)域的曝光間距小，邊緣區(qū)域的曝光間距大，會(huì)造成中心區(qū)域曝光出的圖形的尺寸較小，邊緣區(qū)域曝光出的圖形尺寸較大，即曝光出的圖形尺寸大小不均一(例如CD2＜CD1)。也就是說，使用現(xiàn)有的掩膜板100曝光出的圖形尺寸的均一性較差。

基此，如何解決現(xiàn)有的掩膜板由于彎曲導(dǎo)致曝光間距不一致，致使曝光后的圖形尺寸的均一性較差的問題已經(jīng)成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個(gè)技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜板及其制造方法，以解決現(xiàn)有的掩膜板由于彎曲導(dǎo)致曝光間距不一致，致使曝光后的圖形尺寸的均一度較差的問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種掩膜板的制造方法，所述掩膜板的制造方法包括：

提供一襯底；

將所述襯底的一個(gè)表面加工成凹面；以及

在所述凹面上制作掩膜圖形。

可選的，在所述的掩膜板的制造方法中，將所述襯底的一個(gè)表面加工成凹面的過程包括：

測(cè)量所述襯底的外形尺寸和重量；

根據(jù)所述襯底的外形尺寸和重量對(duì)掩膜板進(jìn)行形變模擬；以及

根據(jù)形變模擬結(jié)果對(duì)所述襯底的一個(gè)表面進(jìn)行加工，以形成凹面。

可選的，在所述的掩膜板的制造方法中，所述襯底為透明襯底。

可選的，在所述的掩膜板的制造方法中，所述透明襯底采用的材料為石英。

可選的，在所述的掩膜板的制造方法中，所述掩膜圖形采用遮光材料制作。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種采用如上所述的掩膜板的制造方法制作的掩膜板，所述掩膜板包括：襯底以及形成于所述襯底上的掩膜圖形，所述襯底上具有掩膜圖形的一個(gè)表面為掩膜面，所述掩膜面為凹面。

可選的，在所述的掩膜板中，所述凹面是根據(jù)所述掩膜板的形變模擬結(jié)果加工而成的。

可選的，在所述的掩膜板中，所述襯底為透明襯底。

可選的，在所述的掩膜板中，所述透明襯底采用的材料為石英。

可選的，在所述的掩膜板中，還包括：非掩膜面，所述非掩膜面為平面，且與所述掩膜面位置相對(duì)。

在本發(fā)明提供的掩膜板及其制造方法中，通過將掩膜板的掩膜面加工成凹面，使得所述掩膜板因自重彎曲時(shí)其掩膜面接近于平面，由此確保曝光間距的一致性，進(jìn)而保證曝光后的圖形尺寸的均一性。

附圖說明

圖1是采用現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板進(jìn)行曝光的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例的掩膜板制造方法的流程圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例的掩膜板制造方法中步驟一對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例的掩膜板制造方法中步驟二對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例的掩膜板的形變曲線模擬圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例的掩膜板的形變量分布模擬圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例的掩膜板制造方法中步驟三對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是采用本發(fā)明實(shí)施例的掩膜板進(jìn)行曝光的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的提出一種掩膜板及其制造方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

請(qǐng)參考圖2，其為本發(fā)明實(shí)施例的掩膜板制造方法的流程圖。如圖2所示，所述掩膜板制造方法包括以下步驟：

步驟一：提供一襯底；

步驟二：將所述襯底的一側(cè)加工成凹面；

步驟三：在所述凹面上制作掩膜圖形。

下面結(jié)合圖3至圖7，更詳細(xì)的介紹本發(fā)明實(shí)施例的掩膜板制造方法。

首先，如圖3所示，提供一襯底20。所述襯底20例如為透明襯底，所述透明襯底采用的材料例如為石英。實(shí)際應(yīng)用中，亦可根據(jù)需要采用其它的材料制成所述襯底20。所述襯底20為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，其橫截面為長(zhǎng)方形或者正方形。

接著，如圖4所示，將所述襯底20的一側(cè)加工成凹面(即由四周向中心逐漸凹陷的曲面)。其中，將所述襯底的一側(cè)加工成凹面的具體過程包括：首先，測(cè)量所述襯底20的外形尺寸和重量；接著，根據(jù)所述襯底20的外形尺寸和重量對(duì)掩膜板進(jìn)行形變模擬；然后，根據(jù)形變模擬結(jié)果對(duì)所述襯底20的一個(gè)表面進(jìn)行加工，以形成凹面。

本實(shí)施例中，所述形變模擬結(jié)果通過有限元分析軟件(ANSYS)獲得的，所述有限元分析軟件(ANSYS)根據(jù)所述襯底20的外形尺寸(包括長(zhǎng)度、寬度和厚度)、重量以及彈性模量，能夠計(jì)算形變量并模擬出掩膜板因自重而彎曲時(shí)的形變曲線(圖5)和形變量分布(圖6)。如圖5和圖6所示，掩膜板的形變量與其位置相關(guān)，邊緣位置的形變量最小，中心點(diǎn)位置的形變量h最大。

本實(shí)施例中，所述襯底20的厚度為毫米數(shù)量級(jí)，所述凹面的凹陷深度為微米數(shù)量級(jí)。

本實(shí)施例中，所述凹面的形狀是根據(jù)形變模擬結(jié)果加工的。加工完成后，所述凹面的形狀與所述形變模擬曲線一致。例如，中心點(diǎn)位置的形變量h為5微米的話，則所述凹面的凹陷深度h’也為5微米。將所述凹面朝下放置時(shí)，所述襯底20因自重變形，使其凹面趨于一個(gè)平面。在其他實(shí)施例中，所述凹面的形狀可以參照所述形變模擬曲線以一定的比例進(jìn)行加工，只要所述凹面在朝下放置時(shí)也能夠趨于一個(gè)平面即可。

然后，如圖7所示，采用遮光材料在所述凹面上制作掩膜圖形22，所述掩膜圖形22對(duì)于曝光光線具有遮光性。

至此，完成所述掩膜板200的制作，所述掩膜板200具有掩膜圖形22的一側(cè)為掩膜面20a，與所述掩膜面20a相對(duì)的一側(cè)為非掩膜面20b，所述掩膜面20a為凹面，所述凹面的具體形狀取決于掩膜板的形變量。

在本實(shí)施例提供的掩膜板制造方法中，通過將襯底的一側(cè)制成凹面，預(yù)先對(duì)掩膜板的形變量進(jìn)行了補(bǔ)償。在所述掩膜板200因重力作用變形時(shí)，所述掩膜板200的掩膜面20a趨于一個(gè)平面，因此所述掩膜板200的曝光距離保持一致。

相應(yīng)的，本實(shí)施例還提供了一種掩膜板。請(qǐng)繼續(xù)參考圖7，所述掩膜板200包括：襯底20以及形成于所述襯底20上的掩膜圖形22，所述襯底20上具有掩膜圖形22的一側(cè)為掩膜面20a，所述掩膜面20a為凹面，所述凹面的具體形狀取決于掩膜板的形變量。

具體的，所述掩膜板200包括一掩膜面及與所述掩膜面相對(duì)的非掩膜面，所述掩膜面上形成有掩膜圖形，且所述掩膜面為由四周至中心向內(nèi)凹陷的曲面(即凹面)，越向中心，所述掩膜板200越薄，越向四周，所述掩膜板200越厚。

請(qǐng)參考圖8，其為采用本發(fā)明實(shí)施例的掩膜板進(jìn)行曝光的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖8所示，所述掩膜板200安裝于光刻設(shè)備中，其掩膜面20a朝下面對(duì)基板201，由于重力作用向下變形時(shí)，所述掩膜板200的非掩膜面20b由平面變?yōu)榍?，所述掩膜?00的掩膜面20a趨于一個(gè)平面。

采用所述掩膜板200進(jìn)行曝光時(shí)，由于所述掩膜板200預(yù)先對(duì)其形變量進(jìn)行了補(bǔ)償，整個(gè)掩膜面20a趨于一個(gè)平面，所述掩膜板200與基板201的曝光距離保持一致，因此能夠保證曝光出的圖形尺寸的均一性。

綜上，本發(fā)明提供的掩膜板及其制造方法中，通過將掩膜板的掩膜面加工成凹面，使得所述掩膜板因自重彎曲時(shí)其掩膜面接近于平面，由此確保曝光間距的一致性，進(jìn)而保證曝光后的圖形尺寸的均一性。

上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。