本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置主要由陣列基板、彩膜基板和液晶組成，由于液晶顯示裝置具有體積小、功耗低、無(wú)輻射以及制作成本相對(duì)較低等特點(diǎn)，已被廣泛地應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域中。在實(shí)際應(yīng)用中，液晶顯示裝置有時(shí)需要在低溫環(huán)境下使用，例如高海拔、高緯度地區(qū)的低溫環(huán)境。然而在低溫環(huán)境下，液晶顯示裝置中的液晶的粘滯系數(shù)會(huì)增大，使得液晶的旋轉(zhuǎn)速度變慢，進(jìn)而使得液晶顯示裝置的響應(yīng)時(shí)間變長(zhǎng)，響應(yīng)速度變慢，影響顯示效果。因此在低溫環(huán)境下，需要對(duì)液晶顯示裝置進(jìn)行加熱，以保證液晶有足夠的響應(yīng)速度，從而液晶顯示裝置能夠正常顯示。

目前，通過(guò)加熱板對(duì)液晶顯示裝置進(jìn)行加熱，該加熱板緊密固定在液晶顯示裝置的背面。由于加熱板為一個(gè)單獨(dú)的加熱元件，會(huì)增加液晶顯示裝置的厚度和重量，不利于液晶顯示裝置的輕量化與薄型化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種顯示基板及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置，用于解決加熱板造成的顯示裝置厚度增加的問(wèn)題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明實(shí)施例的一方面提供了一種顯示基板，該顯示基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。顯示基板還包括設(shè)置于所述顯示區(qū)域的觸發(fā)電極和熱源層；所述觸發(fā)電極與所述熱源層相接觸，所述觸發(fā)電極用于接收熱脈沖信號(hào)，并對(duì)所述熱源層進(jìn)行熱觸發(fā)；所述熱源層用于吸收光能，并在所述觸發(fā)電極的熱觸發(fā)作用下進(jìn)行光熱轉(zhuǎn)換，將存儲(chǔ)的光能轉(zhuǎn)換為熱能進(jìn)行釋放。

可選的，所述熱源層的圖案與所述顯示區(qū)域的形狀一致。

可選的，該顯示基板還包括多個(gè)呈矩陣形式排列的亞像素；所述熱源層與所述亞像素的透光區(qū)域的位置相對(duì)應(yīng)，且所述熱源層的圖案與所述透光區(qū)域的形狀一致。

進(jìn)一步的，該顯示基板還包括公共電極，所述觸發(fā)電極與所述公共電極共用；或者，所述顯示基板還包括像素電極，所述觸發(fā)電極與所述像素電極共用。

可選的，該顯示基板還包括像素電極、公共電極以及位于所述像素電極和所述公共電極之間的第二絕緣層；所述熱源層與所述第二絕緣層共用。

可選的，構(gòu)成所述熱源層的材料為4-羥基偶氮苯聚合物材料；其中，構(gòu)成所述4-羥基偶氮苯聚合物材料的單體至少包括4-羥基偶氮苯單體。

可選的，還包括控制開關(guān)以及與所述控制開關(guān)相連接的脈沖信號(hào)源；所述觸發(fā)電極與所述控制開關(guān)相連接，所述控制開關(guān)在開啟狀態(tài)下，將所述脈沖信號(hào)源提供的熱脈沖信號(hào)輸出至所述觸發(fā)電極。

本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種顯示基板。

本發(fā)明實(shí)施例的又一方面，提供一種用于驅(qū)動(dòng)如上所述的任意一種顯示基板的方法，所述方法包括：觸發(fā)電極接收熱脈沖信號(hào)，并對(duì)熱源層進(jìn)行熱觸發(fā)；熱源層吸收光能，并在所述觸發(fā)電極的熱觸發(fā)作用下進(jìn)行光熱轉(zhuǎn)換，將存儲(chǔ)的光能轉(zhuǎn)換為熱能進(jìn)行釋放。

進(jìn)一步的，相鄰兩圖像幀之間具有消隱時(shí)間，且所述觸發(fā)電極與公共電極共用；所述觸發(fā)電極接收熱脈沖信號(hào)包括，所述觸發(fā)電極在所述消隱時(shí)間接收所述熱脈沖信號(hào)。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置，該顯示基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，在顯示區(qū)域設(shè)置有觸發(fā)電極和熱源層。其中，觸發(fā)電極與熱源層相連接，觸發(fā)電極用于接收熱脈沖信號(hào)，并對(duì)熱源層進(jìn)行熱觸發(fā)。熱源層用于吸收光能，并在觸發(fā)電極的熱觸發(fā)作用下進(jìn)行光熱轉(zhuǎn)換，將存儲(chǔ)的光能轉(zhuǎn)換為熱能進(jìn)行釋放。

基于此，將上述顯示基板應(yīng)用于液晶顯示裝置，當(dāng)需要對(duì)液晶顯示裝置中的液晶進(jìn)行加熱時(shí)，觸發(fā)電極接收熱脈沖信號(hào)，該熱脈沖信號(hào)對(duì)熱源層進(jìn)行熱觸發(fā)；在熱脈沖信號(hào)的熱觸發(fā)作用下，熱源層進(jìn)行光熱轉(zhuǎn)換，將存儲(chǔ)的光能轉(zhuǎn)為熱能進(jìn)行釋放。這樣一來(lái)，由于該熱源層設(shè)置在顯示區(qū)域，熱源層釋放的熱能可以對(duì)位于顯示區(qū)域中的液晶進(jìn)行加熱，避免出現(xiàn)液晶凍結(jié)的現(xiàn)象。同時(shí)由于該熱源層集成于顯示基板內(nèi)，從而能夠避免在液晶顯示裝置上增加額外的加熱部件導(dǎo)致液晶顯示裝置的厚度和重量增加的問(wèn)題，有利于液晶顯示裝置的輕量化與薄型化。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板的示意圖；

圖2為公共電極信號(hào)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板的制備方法的流程示意圖；

圖4a為本發(fā)明實(shí)施列提供的一種在襯底基板上形成柵極、第一絕緣層、有源層和像素電極的示意圖；

圖4b-4c為形成圖4a中的像素電極的過(guò)程示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施列提供的一種在圖4a所示的襯底基板上形成源漏電極的示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施列提供的一種在圖5所示的襯底基板上形成第二絕緣層和公共電極的示意圖；

圖7a-7c為本發(fā)明實(shí)施列提供的一種在圖6所示的襯底基板上形成熱源層的過(guò)程示意圖；

圖8a為本發(fā)明實(shí)施列提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8b為形成圖8a所示的陣列基板中的熱源層的過(guò)程示意圖；

圖9a為一種框膠掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9b為采用如圖9a所示的框膠掩膜板對(duì)封框膠進(jìn)行曝光的示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種驅(qū)動(dòng)顯示基板的方法流程示意圖。

附圖標(biāo)記：

01-顯示基板；02-像素電極掩膜板；04-框膠掩膜板；10-顯示區(qū)域；20-非顯示區(qū)域；11-觸發(fā)電極；12-熱源層；13-導(dǎo)電薄膜；14-光刻膠；15-熱源層薄膜；16-封框膠；101-襯底基板；102-柵極；103-第一絕緣層；104-有源層；105-像素電極；106-源漏電極；1061-源極；1062-漏極；107-第二絕緣層；108-公共電極。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種如圖1所示的顯示基板01，該顯示基板01包括顯示區(qū)域10與非顯示區(qū)域20。其中，在顯示區(qū)域10內(nèi)設(shè)置有觸發(fā)電極11和熱源層12。其中，觸發(fā)電極11與熱源層12相接觸，觸發(fā)電極11用于接收熱脈沖信號(hào)，并對(duì)該熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)。熱源層12用于吸收光能，并在上述觸發(fā)電極11的熱觸發(fā)作用下進(jìn)行光熱轉(zhuǎn)換，將存儲(chǔ)的光能轉(zhuǎn)換為熱能進(jìn)行釋放。

需要說(shuō)明的是，第一，熱源層12是一種能夠吸收和存儲(chǔ)光能的材料，且該材料在熱觸發(fā)作用下會(huì)發(fā)生光熱轉(zhuǎn)換，將存儲(chǔ)的光能轉(zhuǎn)換為熱能進(jìn)行釋放。優(yōu)選的，構(gòu)成上述熱源層12的材料可以為4-羥基偶氮苯聚合物材料，4-羥基偶氮苯聚合物材料由4-羥基偶氮苯單體聚合而成，該材料在熱觸發(fā)后釋放的熱量可以比周圍溫度高10℃以上，在使用熱源層12對(duì)顯示區(qū)域10的液晶進(jìn)行加熱時(shí)，該溫度可以對(duì)液晶進(jìn)行加熱，避免液晶凍結(jié)。具體的，4-羥基偶氮苯聚合物材料的制備過(guò)程為：以4-羥基偶氮苯為原料，加入2-甲基丙烯酰氯和四氫呋喃，在室溫下反應(yīng)48小時(shí)形成4-羥基偶氮苯聚合物材料的單體，然后在上述單體中加入偶氮二異丁腈和四氫呋喃，在60°環(huán)境下反應(yīng)3小時(shí)形成4-羥基偶氮苯聚合物材料。

第二，觸發(fā)電極11為電阻材料，該觸發(fā)電極11可以接收熱脈沖信號(hào)以對(duì)上述熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)。具體的，熱脈沖信號(hào)為一短時(shí)間內(nèi)具有較大振幅的電壓信號(hào)，該電壓信號(hào)至少大于10V。當(dāng)接收到上述電壓信號(hào)后，由于觸發(fā)電極11為電阻材料，根據(jù)焦耳定律W＝U²t/R，觸發(fā)電極11會(huì)產(chǎn)生一定的熱量，該熱量可以對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)。為了提高觸發(fā)電極11對(duì)熱源層12的熱觸發(fā)作用，優(yōu)選的，上述觸發(fā)電極11為純電阻電極。在接收到熱脈沖信號(hào)后，觸發(fā)電極11能夠產(chǎn)生較大的熱量以對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)。

基于此，將上述顯示基板01應(yīng)用于液晶顯示裝置，當(dāng)需要對(duì)液晶顯示裝置中的液晶進(jìn)行加熱時(shí)，觸發(fā)電極11接收熱脈沖信號(hào)，該熱脈沖信號(hào)對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)；在熱脈沖信號(hào)的熱觸發(fā)作用下，熱源層12進(jìn)行光熱轉(zhuǎn)換，將存儲(chǔ)的光能轉(zhuǎn)為熱能進(jìn)行釋放。這樣一來(lái)，由于該熱源層12設(shè)置在顯示區(qū)域10，熱源層12可以對(duì)位于顯示區(qū)域10中的液晶進(jìn)行加熱，避免出現(xiàn)液晶凍結(jié)的現(xiàn)象。同時(shí)由于該熱源層12集成于顯示基板01內(nèi)，從而能夠避免在液晶顯示裝置上增加額外的加熱部件導(dǎo)致液晶顯示裝置的厚度和重量增加的問(wèn)題，有利于液晶顯示裝置的輕量化與薄型化。

在此基礎(chǔ)上，可以采用單獨(dú)的構(gòu)圖工藝在上述顯示基板01上制作觸發(fā)電極11?；蛘撸瑸榱撕?jiǎn)化制作工藝，優(yōu)選的，該觸發(fā)電極11還可以與顯示基板01上已有的電極進(jìn)行共用，從而可以避免單獨(dú)制作上述觸發(fā)電極11，導(dǎo)致制作顯示基板01的構(gòu)圖工藝步驟增加的問(wèn)題。

以下，對(duì)觸發(fā)電極11與顯示基板01上已有的電極進(jìn)行共用進(jìn)行詳細(xì)的舉例說(shuō)明。

例如：當(dāng)顯示基板01包括公共電極時(shí)，該觸發(fā)電極11可以與公共電極進(jìn)行共用。

基于此，當(dāng)該顯示基板01為彩膜基板時(shí)，由于公共電極制作于彩膜基板上，而像素電極制作于陣列基板上。因此上述彩膜基板和陣列基板對(duì)盒后可以構(gòu)成TN(Twist Nematic，扭曲向列)型液晶顯示裝置?；蛘?，當(dāng)該顯示基板01為陣列基板時(shí)，由于公共電極和像素電極均制作于該陣列基板上，因此該陣列基板可以構(gòu)成AD-SDS(Advanced-Super Dimensional Switching，簡(jiǎn)稱為ADS，高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān))型液晶顯示裝置。

在此基礎(chǔ)上，無(wú)論顯示基板01為陣列基板還是彩膜基板，在觸控電極11與公共電極共用的情況下，由于在如圖2所示的一圖像幀(Frame)內(nèi)為了實(shí)現(xiàn)正常顯示，公共電極需要向每一個(gè)亞像素提供恒定的公共電壓(Vcom)，因此當(dāng)公共電極與觸控電極11共用時(shí)，為了避免公共電極接收到熱脈沖信號(hào)對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)時(shí)，導(dǎo)致向亞像素提供的公共電壓發(fā)生變化而影響正常顯示。優(yōu)選的，可以在如圖2所示的相鄰兩圖像幀的消隱時(shí)間T內(nèi)向公共電極輸入熱脈沖信號(hào)，以使得該公共電極能夠作為觸發(fā)電極11對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)，而在每個(gè)圖像幀內(nèi)向公共電極輸入公共電壓(Vcom)，以實(shí)現(xiàn)正常顯示。

需要說(shuō)明的是，在一圖像幀內(nèi)，柵極驅(qū)動(dòng)電路會(huì)對(duì)各行柵線逐行掃描，例如從上到下逐行掃描。當(dāng)掃描結(jié)束后，柵極驅(qū)動(dòng)電路從最后一行回到第一行，以在下一圖像幀開始時(shí)，重新從上到下逐行對(duì)柵線進(jìn)行掃描。因此，柵線在上述相鄰兩圖像幀之間具有一定的反應(yīng)時(shí)間，以使得柵極驅(qū)動(dòng)模塊從最后一行回到第一行，該反應(yīng)時(shí)間稱為消隱時(shí)間T。消隱時(shí)間T內(nèi)亞像素不進(jìn)行顯示，因此此時(shí)驅(qū)動(dòng)IC提供給公共電極一個(gè)具有較大振幅的脈沖信號(hào)來(lái)觸發(fā)熱源層12，不會(huì)對(duì)正常顯示造成影響。

或者又例如，當(dāng)該顯示基板01為陣列基板時(shí)，上述觸發(fā)電極11可以與像素電極進(jìn)行共用。當(dāng)需要觸發(fā)熱源層12時(shí)，在短時(shí)間內(nèi)向原有的像素電極的信號(hào)中輸入一具有較大振幅的電壓信號(hào)，即上述熱脈沖信號(hào)，來(lái)觸發(fā)熱源層12。

由于向像素電極輸入上述熱脈沖信號(hào)時(shí)，會(huì)對(duì)亞像素的原有透過(guò)率造成影響，使得實(shí)際顯示的灰階值與預(yù)設(shè)灰階值之間產(chǎn)生較大的差異而對(duì)顯示效果造成影響，因此，為了減少熱脈沖信號(hào)對(duì)顯示效果的影響，優(yōu)選的，觸發(fā)電極11與公共電極共用，且在消隱時(shí)間T內(nèi)，驅(qū)動(dòng)IC提供給公共電極一具有較大振幅的脈沖信號(hào)，即熱脈沖信號(hào)，公共電極接收該熱脈沖信號(hào)以對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)。這樣一來(lái)，在觸發(fā)電極11與公共電極共用時(shí)，公共電極在消隱時(shí)間T內(nèi)接收熱脈沖信號(hào)以對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)，由于在消隱時(shí)間T內(nèi)，不進(jìn)行畫面顯示，因此不影響顯示效果。

以下以顯示基板01為陣列基板為例，當(dāng)觸發(fā)電極11與如圖6所示的位于陣列基板上的公共電極108共用時(shí)，對(duì)上述與觸發(fā)電極11相接觸的熱源層12的設(shè)置方式以及該陣列基板的制備方法進(jìn)行詳細(xì)的舉例說(shuō)明。

實(shí)施例一，本實(shí)施例中，陣列基板包括多個(gè)呈矩陣形式排列的亞像素。在此情況下，上述熱源層12與亞像素的透光區(qū)域的位置相對(duì)應(yīng)，且熱源層12的圖案與透光區(qū)域的形狀一致。以下為該陣列基板的制備方法，如圖3所示包括：

步驟S10、如圖4a所示，在襯底基板101上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成柵極102。

具體的，可先在襯底基板101上制備一層金屬薄膜。然后通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成柵極102。其中，柵極102由金屬材料制成，金屬材料通?？梢圆捎勉f、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。

需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例提供的制備方法中，所述構(gòu)圖工藝可以是任意對(duì)膜層(由一層或多層薄膜)進(jìn)行處理以形成具有特定圖案的工藝，典型的構(gòu)圖工藝是應(yīng)用一次掩膜板，通過(guò)光刻膠曝光、顯影、刻蝕、去除光刻膠的工藝。

步驟S11、如圖4a所示，在形成有柵極102的襯底基板101上形成第一絕緣層103。

具體的，可在形成有柵極102的襯底基板101上沉積絕緣薄膜，形成第一絕緣層103。第一絕緣層103的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。

步驟S12、如圖4a所示，在形成有第一絕緣層103的襯底基板101上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成有源層104。

具體的，在形成有第一絕緣層103的襯底基板101上沉積有源薄膜，然后，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成有源層104。

步驟S13、如圖4a所示，在形成有有源層104的襯底基板101上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成像素電極105。

具體的，如圖4b所示，在形成有有源層104的襯底基板101上沉積導(dǎo)電薄膜13，導(dǎo)電薄膜13的材料可以采用ITO(Indium Tin Oxides，銦錫氧化物)或IZO(Indium Zinc Oxide，銦鋅氧化物)等，并形成光刻膠14。

需要說(shuō)明的是，上述光刻膠14優(yōu)選采用曝光精準(zhǔn)性更高的正性光刻膠，即所述光刻膠14在曝光前不溶解于顯影液，經(jīng)過(guò)紫外線曝光后，曝光區(qū)域的所述光刻膠14轉(zhuǎn)變?yōu)槟軌蛉芙庥陲@影液中的物質(zhì)。

然后，采用像素電極掩膜板02對(duì)光刻膠14進(jìn)行曝光。其中，像素電極掩膜板02同時(shí)具有光線透過(guò)區(qū)域A和遮光區(qū)域B。曝光后，光線透過(guò)區(qū)域A的光刻膠14轉(zhuǎn)化為易溶解于顯影液的物質(zhì)，遮光區(qū)域B的光刻膠14未被照射。顯影后，如圖4c所示，光線透過(guò)區(qū)域A的光刻膠14溶解于顯影液，遮光區(qū)域B的光刻膠14不溶解于顯影液保留。接下來(lái)，采用刻蝕工藝進(jìn)行刻蝕，最后將光刻膠14去除形成如圖4a所示的像素電極105。

步驟S14、如圖5所示，在形成有像素電極105的襯底基板101上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成源漏電極106。

具體的，在形成有像素電極105的襯底基板101上沉積金屬薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成源漏電極106，并形成溝道區(qū)，所述溝道區(qū)使源漏電極106形成源極1061和漏極1062。其中，漏極1062與像素電極105相連。

步驟S15、如圖6所示，在形成有源漏電極106的襯底基板101上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成第二絕緣層107。

具體的，可以在形成有源漏電極106的襯底基板101上沉積絕緣薄膜，然后通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成第二絕緣層107。

步驟S16、如圖6所示，在形成有第二絕緣層107的襯底基板101上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成如圖6所示的公共電極108。

具體的，在形成有第二絕緣層107的襯底基板101上沉積透明導(dǎo)電薄膜，該透明導(dǎo)電薄膜的材料與導(dǎo)電薄膜13的材料相同。然后通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理形成公共電極108。

步驟S17、在形成有公共電極108的襯底基板101上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理，如圖7a所示，在襯底基板101對(duì)應(yīng)像素電極105的位置形成熱源層12。

具體的，如圖7b所示，在形成有公共電極108的襯底基板101上沉積熱源層薄膜15，并形成光刻膠14。然后采用一次構(gòu)圖工藝處理形成如圖7a所示的熱源層12。

在此基礎(chǔ)下，顯示基板01的多個(gè)亞像素的透光區(qū)域與像素電極105的位置相對(duì)應(yīng)。為了避免購(gòu)買新的掩膜板對(duì)熱源層12進(jìn)行曝光，增加制作成本，優(yōu)選的，如圖7b所示，采用上述像素電極掩膜板02對(duì)熱源層12進(jìn)行曝光。具體的，光線透過(guò)區(qū)域A的熱源層薄膜15轉(zhuǎn)化為易溶解于顯影液的物質(zhì)，遮光區(qū)域B的熱源層薄膜15未被照射。顯影后，如圖7c所示，光線透過(guò)區(qū)域A的光刻膠14溶解于顯影液，遮光區(qū)域B的光刻膠14不溶解于顯影液保留。接下來(lái)采用刻蝕工藝進(jìn)行刻蝕，最后將光刻膠14去除形成如圖7a所示的熱源層12。這樣一來(lái)，熱源層12與亞像素的透光區(qū)域的位置相對(duì)應(yīng)，且熱源層12的圖案與該透光區(qū)域的形狀一致，無(wú)需購(gòu)買新的掩膜板，只需要多一次曝光顯影的工藝就能完成熱源層12的設(shè)計(jì)，降低了顯示基板01的制作成本。

實(shí)施例二、本實(shí)施例中，當(dāng)顯示基板01為陣列基板時(shí)，熱源層12的圖案與顯示基板01的顯示區(qū)域10的形狀一致。以下為該陣列基板的制備方法，包括：

如圖8a所示，依次在襯底基板101形成柵極102、第一絕緣層103、有源層104、像素電極105、源漏電極106、第二絕緣層107、公共電極108的制備方法與上述步驟S10-步驟S16相同，此處不再贅述。不同的是：在形成有公共電極108的襯底基板101上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成如圖8a所示的熱源層12。

在本實(shí)施例中，熱源層12位于顯示區(qū)域10且與顯示區(qū)域10的形狀一致。由于封框膠位于顯示區(qū)域10的四周，因此可以采用制作封框膠的掩膜板制作熱源層12。具體的，可以采用如圖9a所示的框膠掩膜板04對(duì)熱源層薄膜15進(jìn)行曝光，該框膠掩膜板04同時(shí)具有光線透過(guò)區(qū)域C和遮光區(qū)域D?？蚰z掩膜板04用于對(duì)顯示基板01對(duì)盒形成的對(duì)盒基板上的如圖9b所示的封框膠16進(jìn)行曝光，以保護(hù)在對(duì)盒基板中的液晶在曝光時(shí)不被紫外光照射而受到損害。如圖9b所示，在采用框膠掩膜板04對(duì)對(duì)盒基板的封框膠16進(jìn)行紫外光曝光時(shí)，遮光區(qū)域D對(duì)對(duì)盒基板內(nèi)位于顯示區(qū)域10內(nèi)的液晶進(jìn)行遮擋，進(jìn)而不被紫外光照射；紫外光透過(guò)光線透過(guò)區(qū)域C對(duì)封框膠16進(jìn)行照射，以使得該區(qū)域的封框膠16固化。

在此基礎(chǔ)上，采用框膠掩膜板04對(duì)上述熱源層薄膜15進(jìn)行曝光時(shí)，如圖8b所示，框膠掩膜板04的遮光區(qū)域D對(duì)光刻膠14進(jìn)行遮擋，使得該區(qū)域的光刻膠14不被紫外光照射；光線透過(guò)區(qū)域C的光刻膠14被紫外光曝光后，轉(zhuǎn)換為易溶解于顯影液的物質(zhì)。顯影后，遮光區(qū)域D的光刻膠14保留。然后采用刻蝕工藝進(jìn)行刻蝕，并將光刻膠14去除形成如圖8a所示的熱源層12。這樣一來(lái)，采用上述框膠掩膜板04對(duì)熱源層12進(jìn)行曝光，形成的熱源層12的圖案與顯示基板01的顯示區(qū)域10的形狀一致，無(wú)需購(gòu)買新的掩膜板，只需要多一次曝光顯影的工藝就能完成熱源層12的設(shè)計(jì)，降低了顯示基板01的制作成本。

在上述實(shí)施例一和二中，公共電極108設(shè)置在像素電極105上方，當(dāng)然根據(jù)陣列基板結(jié)構(gòu)的不同，也可以為像素電極105設(shè)置在公共電極108上方。只要保證熱源層12與作為觸發(fā)電極11的公共電極108相接觸即可。

其中，“上”和“下”等方位術(shù)語(yǔ)是相對(duì)于附圖中的像素電極105和公共電極108相對(duì)于襯底基板101的示意放置的方位來(lái)定義的，應(yīng)當(dāng)理解到，這些方向性術(shù)語(yǔ)是相對(duì)的概念，它們用于相對(duì)于的描述和澄清。

進(jìn)一步的，為了減少顯示基板01的制作工藝，上述熱源層12與位于該像素電極105和公共電極108之間的第二絕緣層107共用。這樣一來(lái)，在制作顯示基板01時(shí)，無(wú)需制作第二絕緣層107，減少一次構(gòu)圖工藝。

在此基礎(chǔ)上，考慮到在正常溫度環(huán)境下，液晶顯示裝置不會(huì)出現(xiàn)液晶凍結(jié)的現(xiàn)象，即不需要觸發(fā)上述熱源層12釋放熱能對(duì)液晶進(jìn)行加熱。因此為了使得觸發(fā)電極11在常溫下不會(huì)觸發(fā)熱源層12，以增加熱源層12的使用壽命，優(yōu)選的，上述顯示基板01還包括控制開關(guān)以及與控制開關(guān)相連接的熱脈沖信號(hào)源，其中，上述觸發(fā)電極11與控制開關(guān)相連接。

基于此，當(dāng)液晶顯示裝置處于常溫環(huán)境下工作時(shí)，液晶顯示裝置中的背光開啟，熱源層12吸收和存儲(chǔ)背光的光能；當(dāng)液晶顯示裝置處于常溫環(huán)境下不工作時(shí)，上述背光熄滅，外部環(huán)境光可以通過(guò)顯示基板01，此時(shí)熱源層12可以吸收和存儲(chǔ)外部環(huán)境光的光能。這樣一來(lái)，該熱源層12可以利用背光和外部環(huán)境光進(jìn)行光熱轉(zhuǎn)換，無(wú)需專門增加光源以提供光線，因此該液晶顯示裝置具有良好的能量收集和節(jié)約能源的效果。

在此基礎(chǔ)上，在常溫環(huán)境下，上述控制開關(guān)未開啟，因此，觸發(fā)電極11不會(huì)對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)來(lái)釋放熱能。當(dāng)液晶顯示裝置處于低溫環(huán)境下時(shí)，上述控制開關(guān)開啟，脈沖信號(hào)源發(fā)出熱脈沖信號(hào)輸出至觸發(fā)電極11，觸發(fā)電極11接收熱脈沖信號(hào)，對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)；在熱觸發(fā)作用下，熱源層12進(jìn)行光熱轉(zhuǎn)換，將存儲(chǔ)的光能轉(zhuǎn)換為熱能進(jìn)行釋放，以對(duì)液晶進(jìn)行加熱。這樣一來(lái)，避免了在非低溫情況下熱源層12被熱觸發(fā)釋放熱量，減少熱源層12的使用壽命。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種顯示基板01，具有與前述實(shí)施例提供的顯示基板01相同的結(jié)構(gòu)和有益效果，由于前述實(shí)施例已經(jīng)對(duì)該顯示基板01的結(jié)構(gòu)和有益效果進(jìn)行了詳細(xì)的描述，此處不再贅述。

需要說(shuō)明的是，上述顯示裝置可以為液晶面板、液晶電視、液晶電腦等顯示裝置。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于驅(qū)動(dòng)如上所述的任意一種顯示基板01的方法，如圖10所示，包括：

步驟S20、觸發(fā)電極11接收熱脈沖信號(hào)，并對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)。

步驟S21、熱源層12吸收光能，并在觸發(fā)電極11的熱觸發(fā)作用下進(jìn)行光熱轉(zhuǎn)換，將存儲(chǔ)的光能轉(zhuǎn)換為熱能進(jìn)行釋放。

需要說(shuō)明的是，為了減少顯示基板01的制作工藝，優(yōu)選的，當(dāng)顯示基板01包括公共電極時(shí)，觸發(fā)電極11與公共電極共用；或者，當(dāng)顯示基板01包括像素電極時(shí)，觸發(fā)電極11與像素電極共用。

基于此，當(dāng)需要對(duì)液晶顯示裝置中的液晶進(jìn)行加熱時(shí)，觸發(fā)電極11接收到熱脈沖信號(hào)，該熱脈沖信號(hào)對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)；在熱脈沖信號(hào)的熱觸發(fā)作用下，熱源層12進(jìn)行光熱轉(zhuǎn)換，將存儲(chǔ)的光能轉(zhuǎn)為熱能進(jìn)行釋放。這樣一來(lái)，由于該熱源層12設(shè)置在顯示區(qū)域10，熱源層12可以對(duì)位于顯示區(qū)域10中的液晶進(jìn)行加熱，避免出現(xiàn)液晶凍結(jié)的現(xiàn)象。

在此基礎(chǔ)上，在觸控電極11與公共電極共用的情況下，由于在如圖2所示的一圖像幀(Frame)內(nèi)為了實(shí)現(xiàn)正常顯示，公共電極需要向每一個(gè)亞像素提供恒定的公共電壓(Vcom)，因此當(dāng)公共電極與觸控電極11共用時(shí)，為了避免公共電極接收熱脈沖信號(hào)，對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)時(shí)，導(dǎo)致向亞像素提供的公共電壓發(fā)生變化而影響正常顯示。優(yōu)選的，可以在如圖2所示的相鄰兩圖像幀的消隱時(shí)間T內(nèi)向公共電極輸入熱脈沖信號(hào)，以使得該公共電極能夠作為觸發(fā)電極11對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)，而在每個(gè)圖像幀內(nèi)向公共電極輸入公共電壓(Vcom)，以實(shí)現(xiàn)正常顯示。

這樣一來(lái)，在觸發(fā)電極11與公共電極共用時(shí)，公共電極在消隱時(shí)間T內(nèi)接收熱脈沖信號(hào)以對(duì)熱源層12進(jìn)行熱觸發(fā)，由于消隱時(shí)間T不進(jìn)行畫面顯示，因此不影響顯示效果。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。