本發(fā)明涉及一種基于多層二氧化釩的可調(diào)控二維熱隱身斗篷的實(shí)現(xiàn)方法和裝置，可應(yīng)用于熱流控制領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

2006年，文獻(xiàn)1：“j.b.pendryetal,science,2006(312):1780”首次提出利用異向介質(zhì)能夠操控光波的傳播方向，實(shí)現(xiàn)光學(xué)隱身衣概念，引起了人們的廣泛關(guān)注，成為光學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。與此同時，作為光學(xué)隱身衣應(yīng)用的一個拓展領(lǐng)域，即通過人工結(jié)構(gòu)操控?zé)崃鞣较?，?shí)現(xiàn)熱學(xué)隱身也快速成為熱力學(xué)領(lǐng)域的一個熱點(diǎn)問題。2013年，文獻(xiàn)2：“r.schittnyetal,phys.rev.lett.2013(110):195901”采用銅和聚二甲硅氧烷制作了二維圓形熱斗篷,實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了隱身效果。2013年，文獻(xiàn)3：“t.z.yangetal,j.phys.d:appl.phys.2013(46):305102”推導(dǎo)出具有共形任意橫截面形狀的熱斗篷變換媒質(zhì)熱導(dǎo)率表達(dá)式,并仿真分析了其熱傳導(dǎo)特性。2014年，文獻(xiàn)4：“f.c.maoetal,actaphys.sin.2014(63):014401”對任意橫截面柱形熱斗篷進(jìn)行了研究和分析,導(dǎo)出了二維非共形任意形狀熱斗篷的熱導(dǎo)率表達(dá)式。但是，目前二維熱學(xué)隱身結(jié)構(gòu)的設(shè)計，還不具備可調(diào)諧的功能(即熱隱身的開/關(guān)功能)，換句話說熱學(xué)隱身斗篷的結(jié)構(gòu)一旦確定以后其隱身性能將會一直存在是不能改變的，其主要原因是缺乏熱導(dǎo)率可以被主動實(shí)時調(diào)控的天然材料，這直接制約著熱學(xué)隱身技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。因此需要設(shè)計一種簡單實(shí)用的方法對熱學(xué)隱身斗篷的熱隱身功能進(jìn)行調(diào)諧，他將對熱學(xué)隱身斗篷的實(shí)際應(yīng)用具有非常重要的意義，大大推進(jìn)其實(shí)用化進(jìn)程。

二氧化釩是目前研究得最多、最為成熟的相變材料，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于高速存儲器中。二氧化釩具有單斜結(jié)構(gòu)的絕緣體態(tài)和四方結(jié)構(gòu)的金屬態(tài)兩種狀態(tài)，在外界光、熱、電、磁或者應(yīng)力的作用下，二氧化釩可以在絕緣體態(tài)和金屬態(tài)兩種狀態(tài)間改變，而伴隨著二氧化釩的狀態(tài)(晶格結(jié)構(gòu))改變，其熱導(dǎo)率系數(shù)也會發(fā)生可逆性改變。

本發(fā)明提供一種基于多層二氧化釩的二維可調(diào)控?zé)犭[身斗篷。該二維可調(diào)控?zé)犭[身斗篷是將二氧化釩環(huán)層以x-y水平面中心為軸，在x、y軸線方向逐層延拓形成，通過控制不同環(huán)層中二氧化釩的晶格結(jié)構(gòu)，可以使每層對應(yīng)不同的熱導(dǎo)率系數(shù)，獲得熱隱身所需的二維熱導(dǎo)率分布，進(jìn)而使熱流繞過斗篷區(qū)域后，溫度場和等溫線恢復(fù)原來的分布，實(shí)現(xiàn)熱隱身功能，為處在熱隱身斗篷中心的物體屏蔽掉外界熱流干擾，同時不影響外界熱流分布。同時，通過循環(huán)控制每個環(huán)層中二氧化釩的單斜結(jié)構(gòu)的絕緣體態(tài)-四方結(jié)構(gòu)的金屬態(tài)的變化過程，實(shí)現(xiàn)熱隱身斗篷的實(shí)時開/關(guān)性能，從而克服了二維熱隱身斗篷不能開關(guān)的缺點(diǎn)。本發(fā)明基于二氧化釩晶格結(jié)構(gòu)可控原理，可以有效節(jié)省能量，延長偽裝時間；在實(shí)現(xiàn)上，采用電、光控開關(guān)等廣泛使用的器件，顯著降低了熱隱身斗篷的復(fù)雜度和成本，實(shí)際應(yīng)用潛力大。使用本發(fā)明技術(shù)，可以使熱學(xué)隱身斗篷在大多數(shù)時間內(nèi)處于關(guān)閉狀態(tài)(即不隱身)，使對方探測到一些無效熱學(xué)信息，而在需要的時候開啟熱隱身功能讓對方探測不到其熱學(xué)信號，有效隱藏各種重要信息，麻痹敵方，使我方行動具有突然性。該技術(shù)會使計算機(jī)芯片高效散熱，從而提高計算機(jī)性能；實(shí)現(xiàn)熱幻想，迷惑紅外檢測器；同時在航天器返回艙、衛(wèi)星等設(shè)備中具有巨大應(yīng)用價值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：克服現(xiàn)有二維熱學(xué)隱身斗篷的熱隱身功能不具備可調(diào)諧性(即不能開/關(guān)熱隱身功能)的缺點(diǎn)，利用二氧化釩這一常見材料，提供一種實(shí)現(xiàn)可調(diào)控(可開/關(guān))二維熱學(xué)隱身斗篷的新技術(shù)，使得系統(tǒng)具備結(jié)構(gòu)簡單、速度快、便于操作、能耗小、實(shí)時性強(qiáng)和實(shí)現(xiàn)成本低等優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明的技術(shù)方案：

一種基于多層二氧化釩的可調(diào)控二維熱隱身斗篷，包括襯底層、絕熱間隔環(huán)層、二氧化釩環(huán)層、附于二氧化釩環(huán)層底層的金屬薄層貼片、控制單元和供能單元；

該可調(diào)控二維熱隱身斗篷將二氧化釩環(huán)層以x-y水平面中心為軸，在x、y軸線方向逐層延拓形成，每層二氧化釩環(huán)層底部均貼有金屬薄層貼片，每兩層二氧化釩環(huán)層之間均有絕熱間隔環(huán)層隔離；

襯底層處于二維多層二氧化釩環(huán)層下方，用于承載二維多層二氧化釩環(huán)層，被隱藏的目標(biāo)放置于二維多層二氧化釩環(huán)層的中心位置；

襯底層與金屬薄層貼片接觸，同時襯底層對應(yīng)于每個金屬薄層貼片處都鉆有小孔，小孔孔徑為1μm～1cm、深度為1cm～100cm；小孔內(nèi)安裝導(dǎo)線，導(dǎo)線一端連接在金屬薄層貼片上，另一端依次經(jīng)過控制單元和供能單元接地，通過操控控制單元，調(diào)控供能單元對每層二氧化釩環(huán)層的加熱時間，進(jìn)而控制不同二氧化釩環(huán)層中二氧化釩的晶格結(jié)構(gòu)，即二氧化釩在單斜結(jié)構(gòu)的絕緣體態(tài)和四方結(jié)構(gòu)的金屬態(tài)之間轉(zhuǎn)換，使每層二氧化釩環(huán)層對應(yīng)不同的熱導(dǎo)率系數(shù)，實(shí)現(xiàn)熱隱身所需的二維熱導(dǎo)率分布，進(jìn)而使熱流繞過二維斗篷區(qū)域后，溫度場和等溫線恢復(fù)原來分布，實(shí)現(xiàn)熱隱身功能。

所述的二氧化釩環(huán)層的形狀為圓環(huán)、橢圓環(huán)、正方環(huán)、矩形環(huán)或六邊環(huán)，每層二氧化釩環(huán)層獨(dú)立控制和工作，其寬度為1μm～10cm、厚度為20nm～10cm。

所述的金屬薄層貼片為al片、ag片、au片、cu片或ni片，其寬度為1μm～10cm、厚度為20nm～10cm。

所述的絕熱間隔環(huán)層的材質(zhì)為硅酸鈣、多元醇/多異氰酸酯、硬質(zhì)聚氨酯泡沫塑料、聚苯乙烯泡沫塑料、泡沫玻璃、in2o3、sno2或ito，其寬度為1nm～10cm、厚度為1nm～10cm。

所述的襯底層是聚亞胺、塑料、bk7光學(xué)玻璃，sio2、si3n4或al2o3；

所述的控制單元是電控、光控、聲控或磁控開關(guān)；所述的供能單元是電能、熱能、光能、壓強(qiáng)或核能；

所述的多層二氧化釩環(huán)層通過材料生長工藝實(shí)現(xiàn)，包括電子束蒸發(fā)、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀、氣相外延生長和分子束外延方法。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明基于二氧化釩晶格結(jié)構(gòu)可變原理，可以有效節(jié)省能量，延長偽裝時間；在實(shí)現(xiàn)上，采用電、光控開關(guān)等廣泛使用的器件，顯著降低了熱隱身斗篷的復(fù)雜度和成本，實(shí)際應(yīng)用潛力大。該技術(shù)會使計算機(jī)芯片高效散熱，從而提高計算機(jī)性能；實(shí)現(xiàn)熱幻想，迷惑紅外檢測器；同時在航天器返回艙、衛(wèi)星等設(shè)備中具有巨大應(yīng)用價值。

本發(fā)明提供一種基于多層二氧化釩的可調(diào)控二維熱隱身斗篷，可以通過外加電、熱、光或磁場對改變二氧化釩這一常見材料的熱導(dǎo)率分布，提供一種實(shí)現(xiàn)可調(diào)控(可開/關(guān))二維熱學(xué)隱身斗篷的新技術(shù)，使得系統(tǒng)具備結(jié)構(gòu)簡單、速度快、便于操作、能耗小、實(shí)時性強(qiáng)和實(shí)現(xiàn)成本低等優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1(a)為本發(fā)明提供的一種基于n層(n≥1)二氧化釩的二維可調(diào)控?zé)犭[身斗篷切面圖。

圖1(b)為本發(fā)明提供的一種基于n層(n≥1)二氧化釩的二維可調(diào)控?zé)犭[身斗篷俯視圖。

圖2(a)為二維多層二氧化釩環(huán)層示意圖。

圖2(b)為二維可調(diào)控?zé)犭[身斗篷示意圖。

圖3(a)為本發(fā)明提供的一種基于n層(n≥1)二氧化釩的二維可調(diào)控?zé)犭[身斗篷在熱隱身功能開設(shè)狀態(tài)下的熱流分布情況。

圖3(b)為本發(fā)明提供的一種基于n層(n≥1)二氧化釩的二維可調(diào)控?zé)犭[身斗篷在熱隱身功能關(guān)閉狀態(tài)下的熱流分布情況。

圖中：1襯底層；2n層(n≥1)二氧化釩環(huán)層；3二氧化釩環(huán)層；

4間隔層二維可調(diào)控?zé)犭[身斗篷；5小孔；6導(dǎo)線；7控制單元；8供能單元；

9地線；10金屬層；11等溫線。

具體實(shí)施方式

為使得本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容更加清晰，以下結(jié)合技術(shù)方案和附圖詳細(xì)敘述本發(fā)明的具體實(shí)施方式。其中的材料生長技術(shù)包括：電子束蒸發(fā)，金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀，氣相外延生長，和分子束外延技術(shù)等常用技術(shù)。其中的掩模工藝包括電子束曝光和聚焦離子束曝光等常用技術(shù)。其中的刻蝕工藝包括濕法刻蝕和干法刻蝕,如酸法刻蝕、電子束刻蝕、聚焦離子束刻蝕和反應(yīng)離子束刻蝕等常用工藝。

實(shí)施例1

首先，通過材料生長工藝和掩模工藝，將設(shè)計好的二維二氧化釩環(huán)層制備在襯底1的上表面，即以x-y水平面中心為軸由內(nèi)至外在x、y軸線方向逐層延拓形成，實(shí)現(xiàn)n層(n≥1)二維二氧化釩環(huán)層，如附圖2(a)所示。

其中，二維二氧化釩環(huán)層的設(shè)計可以采用有限時域差分法、有限元法等算法。金屬薄層貼片10通過鍍膜工藝被加工在n層(n≥1)二維二氧化釩環(huán)層2的底部和襯底1的上部之間。

襯底對應(yīng)于每個金屬薄層貼片10處，都鉆有小孔5。小孔內(nèi)安裝導(dǎo)線6，導(dǎo)線一端連接在金屬薄層貼片10上，另一端經(jīng)過控制單元7和供能單元8接地線9，通過操控控制單元7，可以調(diào)控供能單元8對每層二氧化釩環(huán)層的加熱時間，進(jìn)而控制不同環(huán)層中二氧化釩的晶格變化，可以使每層二氧化釩環(huán)層對應(yīng)不同的熱導(dǎo)率系數(shù)，實(shí)現(xiàn)熱隱身所需的二維熱導(dǎo)率分布，進(jìn)而使熱流繞過斗篷區(qū)域后，溫度場和等溫線恢復(fù)原來的分布，實(shí)現(xiàn)熱隱身功能。

如圖3所示，當(dāng)一種基于多層二氧化釩的可調(diào)控二維熱隱身斗篷中的二氧化釩發(fā)生狀態(tài)變化，其熱導(dǎo)率系數(shù)分布也會發(fā)生改變，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)熱流方向的調(diào)控，包括開啟熱隱身功能：即為處在熱隱身斗篷中心的物體屏蔽掉外界熱流干擾，同時不影響外界熱流分布，不被外界所探測，即熱流通過該熱隱身斗篷后不改變其熱流線(如圖3(a)所示)；關(guān)閉熱隱身功能：即熱流通過該熱隱身斗篷后其熱流線發(fā)生改變，導(dǎo)致熱隱身斗篷中心處所放的物體可以被外界所探測(如圖3(b)所示)。

以上所述是本發(fā)明應(yīng)用的技術(shù)原理和具體實(shí)例，依據(jù)本發(fā)明的構(gòu)想所做的等效變換，只要其所運(yùn)用的方案仍未超出說明書和附圖所涵蓋的精神時，均應(yīng)在本發(fā)明的范圍內(nèi)，特此說明。