相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2016年3月1日在日本提交的專(zhuān)利申請(qǐng)no.2016-039266的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，上述日本專(zhuān)利申請(qǐng)的全文通過(guò)引用并入本文。

本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

在采用薄膜晶體管(tft)驅(qū)動(dòng)方法的液晶顯示裝置中，提出了兩種代表性的操作模式，例如，垂直排列(va)模式和平面轉(zhuǎn)換(ips)模式。另外，作為改善了透射率的ips模式，提出了邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)(ffs)模式。這種類(lèi)型的液晶顯示裝置在日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)no.2011－81385號(hào)公報(bào)及美國(guó)專(zhuān)利no.7623191中被公開(kāi)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在ips液晶顯示裝置中，公知在施加用于驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)時(shí)產(chǎn)生一些液晶分子沿著與液晶分子的正旋轉(zhuǎn)方向相反的方向旋轉(zhuǎn)的區(qū)域(以下，稱(chēng)作“反向旋轉(zhuǎn)疇”)。這種反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生使圖像質(zhì)量下降。

本發(fā)明的一個(gè)方面的目的在于提供避免圖像質(zhì)量下降的液晶顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種液晶顯示裝置，包括：第一平面電極；層疊于所述第一平面電極的上表面上的第一絕緣體；層疊于所述第一絕緣體的上表面上的平面狀的像素電極；層疊于所述像素電極的上表面上的第二絕緣體；覆蓋所述像素電極并層疊于所述第二絕緣體的上表面上的第二平面電極；以及配置于所述第二平面電極的上表面上的液晶層，其中，所述第二平面電極包括開(kāi)口部，所述開(kāi)口部包括第一區(qū)域以及與第一區(qū)域成為一體的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與所述第一平面電極及所述像素電極重疊，所述第二區(qū)域與所述第一平面電極重疊，但不與所述像素電極重疊，所述第一區(qū)域的第一邊與將所述開(kāi)口部劃分為所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的第一虛擬線之間的第一角度小于或等于90度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，能夠減小圖像質(zhì)量下降。

上面和進(jìn)一步的目的和特征通過(guò)下面結(jié)合附圖的詳細(xì)說(shuō)明將變得更清楚。

可以理解的是，上面的概述和下面的詳述是示例性和說(shuō)明性的，不旨在限制本發(fā)明。

附圖說(shuō)明

圖1是示出液晶顯示裝置的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)示例的平面圖；

圖2是沿圖1的線ii－ii截取的剖視圖；

圖3是示出上層電極和像素電極重疊的狀態(tài)的說(shuō)明圖；

圖4是圖1的局部放大圖；

圖5是沿圖4的線v－v截取的剖視圖；

圖6是第二區(qū)域的放大圖；

圖7a是說(shuō)明比較例的說(shuō)明圖；

圖7b是說(shuō)明比較例的說(shuō)明圖；

圖8a示出比較例中可減小反向旋轉(zhuǎn)疇的發(fā)生的結(jié)構(gòu)；

圖8b示出比較例中可減小反向旋轉(zhuǎn)疇的發(fā)生的結(jié)構(gòu)；

圖9a是圖8a的局部放大圖；

圖9b是圖8b的局部放大圖；

圖10示出邊緣電場(chǎng)的方向；

圖11是沿圖10的線xi－xi截取的剖視圖；

圖12是示出液晶顯示裝置的一個(gè)像素的另一結(jié)構(gòu)示例的平面圖；

圖13是第二區(qū)域的局部放大圖；

圖14a示出像素電極與設(shè)于上層電極的開(kāi)口部重疊的狀態(tài)；

圖14b示出像素電極與設(shè)于上層電極的開(kāi)口部重疊的狀態(tài)；

圖15是示出沿液晶顯示裝置的源極線的配線方向相鄰的兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)示例的平面圖；

圖16是示出沿液晶顯示裝置的源極線的配線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的另一示例的平面圖；

圖17是示出沿液晶顯示裝置的源極線的配線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的另一示例的平面圖；

圖18是示出沿液晶顯示裝置的源極線的配線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的另一示例的平面圖；

圖19是示出沿液晶顯示裝置的源極線的配線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的另一示例的平面圖；

圖20是示出沿液晶顯示裝置的源極線的配線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的另一示例的平面圖；以及

圖21示出液晶顯示裝置中的驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示例。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明顯示裝置的實(shí)施方式。

實(shí)施方式1

圖1是示出液晶顯示裝置的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)示例的平面圖。應(yīng)當(dāng)注意，整個(gè)液晶顯示裝置在圖21中示作液晶顯示裝置1000。在說(shuō)明根據(jù)本實(shí)施方式的液晶顯示裝置1000的像素的結(jié)構(gòu)示例的下圖中，將省略附圖標(biāo)記1000。

圖2是沿圖1的線ii－ii截取的剖視圖。應(yīng)當(dāng)注意，圖1和圖2中所示的附圖標(biāo)記a、b、c、d、e、f表示由點(diǎn)劃線表示的剖面線上的位置。

如圖1及圖2所示，透明基板b1(參照?qǐng)D2)設(shè)有多個(gè)柵極線5和多個(gè)源極線42。將由兩根相鄰的柵極線5和兩根相鄰的源極線42限定的區(qū)域設(shè)為像素。各像素形成有由下層公共電極3(以下，稱(chēng)作下層電極3)、像素電極2、以及上層公共電極1(以下，稱(chēng)作上層電極1)。下層電極3覆蓋柵極線5和源極線42。像素電極2是細(xì)長(zhǎng)矩形。對(duì)各像素，設(shè)置像素電極2。上層電極1覆蓋像素電極2的大部分。在像素電極2的長(zhǎng)邊方向的一端部，在像素電極2的下方形成源極電極41。源極電極41和源極線42通過(guò)多晶硅(p－si)圖案6進(jìn)行電連接。上層電極1設(shè)有開(kāi)口部11。

如圖2所示，在透明基板b1上依次層疊有p－si圖案6、柵極線5、源極電極41、源極線42、下層電極3、像素電極2以及上層電極1。在各層之間夾置有絕緣層i1至i5。上層電極1全體被配向膜7覆蓋。配向膜7上設(shè)有液晶層8。另外，圖1所示的輪廓箭頭表示液晶分子的摩擦方向(也稱(chēng)作初始配向方向)。根據(jù)本實(shí)施方式，摩擦方向是像素電極2的長(zhǎng)邊方向。即，摩擦方向相對(duì)于源極線42的配線方向平行或向右傾斜。

源極線42和p－si圖案6通過(guò)接觸孔ch1連接。p－si圖案6和源極電極41通過(guò)接觸孔ch2連接。另外，源極電極41和像素電極2通過(guò)接觸孔ch3連接。

圖3是示出上層電極1和像素電極2重疊的狀態(tài)的說(shuō)明圖。上層電極1設(shè)有開(kāi)口部11。開(kāi)口部11是六角形狀。具體而言，開(kāi)口部11具有中央部111和兩個(gè)三角形彎曲部112。中央部111是平行四邊形。兩個(gè)三角形彎曲部112是三角形。將中央部111的短邊設(shè)為底邊而形成各三角形。中央部111將與像素電極2的長(zhǎng)邊方向平行的兩個(gè)邊作為長(zhǎng)邊，并具有第一短邊和第二短邊。中央部111整體與像素電極2重疊。兩個(gè)三角形彎曲部112為大致相同的形狀。兩個(gè)三角形彎曲部112相對(duì)于開(kāi)口部11內(nèi)的預(yù)定的點(diǎn)對(duì)稱(chēng)配置。

與兩個(gè)三角形彎曲部112的上述底邊相對(duì)的各頂點(diǎn)位于超出像素電極2的不同的長(zhǎng)邊的位置(像素電極不重疊的位置)。將兩個(gè)三角形彎曲部112中的包括頂點(diǎn)p1的一個(gè)三角形彎曲部稱(chēng)作第一三角形彎曲部112。第一三角形彎曲部112包括第一短邊和與該第一短邊相對(duì)的第一頂點(diǎn)p1。第一頂點(diǎn)p1不與像素電極2重疊。將兩個(gè)三角形彎曲部112中的包括頂點(diǎn)p2的另一三角形彎曲部112稱(chēng)作第二三角形彎曲部112。第二三角形彎曲部112包括第二短邊以及與該第二短邊相對(duì)的第二頂點(diǎn)p2。第二頂點(diǎn)p2不與像素電極2重疊。兩個(gè)三角形彎曲部112分別包括重疊部113和非重疊部114。重疊部113是四邊形。非重疊部114是三角形。三角形的頂點(diǎn)是p1、p11、p12及p2、p21、p22。第二區(qū)域114是一條邊為第一區(qū)域的第一虛擬線(線段p11p12及線段p21p22)并且與第一或第二三角形彎曲部112共用另一邊的三角形。

接下來(lái)，對(duì)重疊部113與像素電極2之間及非重疊部114與像素電極2之間的重疊關(guān)系進(jìn)行說(shuō)明。圖4是圖1的局部放大圖。圖4示出圖1中由附圖標(biāo)記4a表示的區(qū)域。圖5是沿圖4的線v－v截取的剖視圖。為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，以剖面圖示出上層電極1、絕緣層i5、像素電極2、絕緣層i4、下層電極3。

圖4和圖5中所示的a1、a2、a3、a4、a5是表示由點(diǎn)劃線表示的剖面線上的位置的附圖標(biāo)記。如圖4及圖5所示，重疊部113與像素電極2重疊。另外，非重疊部114與像素電極2不重疊。另外，重疊部113及非重疊部114是與下層電極3重疊的區(qū)域。由圖3可知，中央部111與重疊部113同樣地，是與下層電極3及像素電極2重疊的區(qū)域。

在此，如圖3所示，將中央部111和重疊部113合并的區(qū)域稱(chēng)作第一區(qū)域115。非重疊部114也稱(chēng)作第二區(qū)域114。第一區(qū)域115及第二區(qū)域114與下層電極3及像素電極2之間的重疊關(guān)系也可如下表現(xiàn)。第一區(qū)域115是與下層電極3及像素電極2相對(duì)(對(duì)置)的區(qū)域。

第二區(qū)域114是與下層電極3相對(duì)但不與像素電極2相對(duì)的區(qū)域。在非重疊部114中，將非重疊部114與重疊部113之間的邊界視作底邊(線段p11p12及線段p21p22)的情況下的三角形的頂角(p1和p2)由于微加工的限制，不形成為角。與頂角對(duì)應(yīng)的部分被倒角。

圖6是第二區(qū)域114的放大圖。圖6是與圖4同樣地由圖1及圖3中的附圖標(biāo)記4a表示的區(qū)域。圖1及圖3中由附圖標(biāo)記4b表示的區(qū)域也以同樣的方式示出，表示區(qū)域4b的圖相當(dāng)于圖6旋轉(zhuǎn)180度時(shí)的圖。如圖1及圖3所示，兩個(gè)第二區(qū)域114相對(duì)于中央部111的預(yù)定點(diǎn)對(duì)稱(chēng)設(shè)置。在圖6中，將重疊部113和非重疊部114之間的邊界線(線段p11p12及線段p21p22)稱(chēng)作第一虛擬線11a。第一邊11b是形成重疊部113的邊。第一邊11b是與第一虛擬線11a在點(diǎn)p11相交的邊。換言之，第一邊11b是重疊部113的邊，在一端具有點(diǎn)p11。將第一邊11b和第一虛擬線11a形成的角度(第一角度)設(shè)為θ1。與第一虛擬線11a相交的下側(cè)的邊、即，與像素電極2的長(zhǎng)邊方向的設(shè)有接觸孔ch3的一端鄰近的第一區(qū)域的邊(包括點(diǎn)p12的線段或包括點(diǎn)p22的線段)是第二邊11c。第二邊11c和第一虛擬線11a形成的角度(第二角度)設(shè)為θ2。其中，θ1為銳角，θ2為鈍角。

結(jié)合圖6和圖3可知，第一虛擬線11a也可稱(chēng)作第一區(qū)域115和第二區(qū)域114之間的邊界。另外，第一邊11b也是形成第一區(qū)域115的邊。

關(guān)于在本實(shí)施方式中將開(kāi)口部11形成為這種形狀的技術(shù)理由，將參照?qǐng)D7a至圖9b進(jìn)行說(shuō)明。

圖7a至圖7b是說(shuō)明比較例的說(shuō)明圖。圖7a是示出根據(jù)比較例的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)示例的平面圖。在圖7a及圖7b中，電極等以與圖2相同的順序?qū)盈B。透明基板(未圖示)設(shè)有多個(gè)柵極線500和多個(gè)源極線400。相鄰的兩個(gè)柵極線500和相鄰的兩個(gè)源極線400限定的區(qū)域是像素。各像素形成有下層公共電極300、像素電極200以及上層公共電極100。下層公共電極300覆蓋柵極線500和源極線400。像素電極200是細(xì)長(zhǎng)矩形。針對(duì)各像素，設(shè)置像素電極200。上層公共電極100設(shè)有矩形開(kāi)口部101。上層公共電極100除開(kāi)口部101以外，覆蓋像素電極200。

圖7b是示出在圖7a中被點(diǎn)劃線包圍的區(qū)域的平面圖。圖7b中所示的實(shí)線雙向箭頭表示平面圖中的邊緣電場(chǎng)的方向。圖7b所示的雙點(diǎn)劃線的雙向箭頭表示源極線400的配線方向。輪廓雙向箭頭表示摩擦方向。源極線400的配線方向和摩擦方向所形成的角度為θ。

在此對(duì)設(shè)置角度θ的意義進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)像素電極200與上層公共電極100之間以及像素電極200與下層公共電極300之間施加電位差。如此，在圖7b所示的雙向箭頭所示的方向上產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)。在圖7b中，跨越開(kāi)口部101的周緣的雙向箭頭f11至f14表示在平面圖中看到的邊緣電場(chǎng)的方向。邊緣電場(chǎng)的各方向是與圖中的開(kāi)口部101的周緣垂直的方向。

在此，液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向由液晶分子的初始配向方向與電場(chǎng)的方向之間的關(guān)系限定。換言之，產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)使液晶分子根據(jù)電場(chǎng)與初始配向方向(液晶分子的摩擦方向)之間的關(guān)系，通過(guò)旋轉(zhuǎn)銳角，改變其朝向以接近電場(chǎng)的取向。在圖7b中，在大部分的位置上，液晶分子順時(shí)針旋轉(zhuǎn)。將液晶分子在大部分的位置上旋轉(zhuǎn)的方向設(shè)為正旋轉(zhuǎn)方向。將液晶分子沿正方向的旋轉(zhuǎn)稱(chēng)作正向旋轉(zhuǎn)。將液晶分子在與正向旋轉(zhuǎn)相反的方向上的旋轉(zhuǎn)稱(chēng)作反向旋轉(zhuǎn)。

在圖7b中，通過(guò)源極線400的配線方向和摩擦方向形成的角度θ比0度大。因此，由雙向箭頭f11、f12表示的邊緣電場(chǎng)以使液晶分子沿正方向旋轉(zhuǎn)的方式起作用。在θ為0度、即、源極線42的配線方向與摩擦方向相互平行的情況下，有可能邊緣電場(chǎng)以使液晶分子沿反方向旋轉(zhuǎn)的方式起作用。在圖7b中，在角度θ為0度的情況下，如果液晶分子以接近雙向箭頭f11所示的水平方向上產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)的方向的方式旋轉(zhuǎn)，則即使在正向旋轉(zhuǎn)以及反向旋轉(zhuǎn)的情況下，旋轉(zhuǎn)角度為約90度。由此，有可能使其反向旋轉(zhuǎn)。相對(duì)于此，在角度θ比0度大的情況下，液晶分子的旋轉(zhuǎn)角度比正向旋轉(zhuǎn)時(shí)的旋轉(zhuǎn)角度小，由此限制反向旋轉(zhuǎn)的產(chǎn)生。

然而，在圖7b中，箭頭f14表示的邊緣電場(chǎng)的方向是以源極線400的配線方向?yàn)榛鶞?zhǔn)與摩擦方向相反的方向。在圖7b的例子中，箭頭f14所示的邊緣電場(chǎng)的方向是以源極線400的配線方向?yàn)榛鶞?zhǔn)的逆時(shí)針?lè)较?。因此，邊緣電?chǎng)(參照箭頭f14)所作用于的液晶分子可能沿反方向旋轉(zhuǎn)。即，箭頭f14所示的區(qū)域及其周?chē)赡苁且壕Х肿友胤捶较蛐D(zhuǎn)的反向旋轉(zhuǎn)疇。然而，該邊緣電場(chǎng)產(chǎn)生的區(qū)域由于其直角的結(jié)構(gòu)，是一個(gè)點(diǎn)并具有狹窄面積。

但是，如圖8a至圖8b所說(shuō)明，當(dāng)角部倒角時(shí)，反向旋轉(zhuǎn)疇擴(kuò)展。因此，通過(guò)改變開(kāi)口部101的形狀，減少反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生。

圖8a至圖8b示出比較例中可減小反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)。圖9a是圖8a的局部放大圖。圖9b是圖8b的局部放大圖。如圖8a所示，開(kāi)口部101的端部向外側(cè)彎曲。通過(guò)使端部彎曲，開(kāi)口部101的角部形成為具有銳角。圖8a中的角部是虛線包圍的部分。

然而，由于形成狹槽的加工精度，反向旋轉(zhuǎn)疇可能擴(kuò)展。以下對(duì)理由進(jìn)行說(shuō)明。在電極上形成狹槽是通過(guò)微加工進(jìn)行的。然后，狹槽通過(guò)使用抗蝕劑的光刻法形成(圖案化)。因此，比曝光工序中發(fā)出的曝光的波長(zhǎng)更微細(xì)的加工是困難的。因此，即使狹縫的端部設(shè)計(jì)為形成為銳角，完成的狹縫的端部實(shí)際上被倒角。即，即使角部如圖8a和圖9a所示形成為銳角，如圖8b和圖9b所示，角部的尖端被倒角。

應(yīng)當(dāng)注意到，當(dāng)角部設(shè)計(jì)為形成為直角時(shí)，也產(chǎn)生角部的尖端的倒角形狀。

當(dāng)角部被倒角時(shí)，反向旋轉(zhuǎn)疇擴(kuò)展。具體進(jìn)行說(shuō)明。在如圖9a所示角部具有銳角的情況下，具有引起液晶分子的反向旋轉(zhuǎn)的朝向的邊緣電場(chǎng)僅產(chǎn)生在由x表示的區(qū)域。在其余部分上產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)的方向如f11至f16所示。這些朝向的邊緣電場(chǎng)使液晶分子向正方向旋轉(zhuǎn)。由x表示的區(qū)域是非常狹窄的區(qū)域。在其相鄰的區(qū)域上產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)是使液晶分子沿正方向旋轉(zhuǎn)的方向。液晶分子在旋轉(zhuǎn)時(shí)，傾向于沿與相鄰的分子相同的方向旋轉(zhuǎn)。因此，與如圖9b所示狹縫的端部被倒角的情況下的區(qū)域相比，圖9a中由x表示的區(qū)域中的液晶分子的反向旋轉(zhuǎn)更小頻率地發(fā)生。

同時(shí)，在如圖9b所示角部被倒角的情況下，具有引起液晶分子的反向旋轉(zhuǎn)的朝向的邊緣電場(chǎng)對(duì)應(yīng)于由虛線表示的區(qū)域。即，在其他區(qū)域中產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)由雙向箭頭f11、f21至f27、f31至f34所示。這些朝向的邊緣電場(chǎng)使液晶分子沿正方向旋轉(zhuǎn)。但是，與圖9a所示的具有理想形狀的角部相比，如圖9b所示的圓角產(chǎn)生比引起液晶分子的反向旋轉(zhuǎn)方向的邊緣電場(chǎng)發(fā)生的區(qū)域更廣的區(qū)域。即，反向旋轉(zhuǎn)疇擴(kuò)展。因此，在虛線表示的區(qū)域中產(chǎn)生反向旋轉(zhuǎn)疇的可能性大。

如上所述，即使狹縫的端部設(shè)計(jì)為形成為銳角，狹縫的端部實(shí)際上精修為倒角。因此，在倒角部分中極有可能產(chǎn)生反向旋轉(zhuǎn)疇，導(dǎo)致圖像質(zhì)量降低。因此，在本實(shí)施方式中，成為反向旋轉(zhuǎn)疇的原因的倒角與像素電極的端部分隔預(yù)定距離。該預(yù)定距離是在端部中不會(huì)引起液晶分子旋轉(zhuǎn)的距離。更具體來(lái)說(shuō)，該距離是第一距離或第二距離。第一距離是不會(huì)在該端部與像素電極之間產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)的距離。第二距離是即使產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)，通過(guò)該邊緣電場(chǎng)也能夠在端部避免液晶分子反向旋轉(zhuǎn)的距離。

更具體來(lái)說(shuō)，不與像素電極2重疊的第二區(qū)域114設(shè)置于開(kāi)口部11。

即，設(shè)置第二區(qū)域114，使得在圖1、圖3、圖4、圖6所示的平面視圖中開(kāi)口部11和像素電極2重疊的部分所形成的圖形的角部小于或等于90度(參照?qǐng)D6的角度θ1)。

圖6所示的開(kāi)口部11的第一邊11b是直線。而且，像素電極2(參照?qǐng)D1、圖3、圖5)的邊部是直線。開(kāi)口部11的直線部分的加工精度比狹縫的端部的加工精度高，因此能夠形成高精度的直線。

通過(guò)以高精度形成的直線的第一邊11b和像素電極2的邊，形成在平面圖中看到的開(kāi)口部11和像素電極2重疊的區(qū)域的角部(圖6的角度θ1)。該角度由直線形成，因此能夠減小角部被倒角的可能性。因此，能夠減小反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生。

特別地，如圖3所示，重疊部113設(shè)置于開(kāi)口部11的左上側(cè)和右下側(cè)，因此能夠整體上減小開(kāi)口部11的反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生。

圖10示出邊緣電場(chǎng)的方向。圖11是沿圖10的線xi－xi截取的剖視圖。應(yīng)當(dāng)注意，圖10和圖11中的附圖標(biāo)記a1至a5表示由點(diǎn)劃線表示的剖面線上的位置。

圖11中的剖面結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于圖5中的剖面結(jié)構(gòu)。圖11中所示的雙向箭頭表示像素電極2和上層電極1之間產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)、以及像素電極2和下層電極3之間產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)。

圖11中所示的虛線箭頭f3表示比實(shí)線箭頭f1和f2弱的電場(chǎng)。如圖11所示，在上層電極1的第一部分與像素電極2之間產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)(f1)。在此，上層電極1的第一部分例如是由附圖標(biāo)記a4表示的與像素電極2重疊的部分。如圖10所示，電場(chǎng)的方向是使液晶分子沿正方向旋轉(zhuǎn)的方向。

另外，在像素電極2的第一部分與下層電極3之間產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)f2。在此，像素電極2的第一部分例如是由附圖標(biāo)記a3表示的不與上層電極1重疊的像素電極2的一部分及其周?chē)Ｔ撨吘夒妶?chǎng)是在像素電極2與下層電極3之間產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)。在圖10中，該邊緣電場(chǎng)f2由像素電極2的端部的、相對(duì)于附圖水平的箭頭指示。水平方向是與圖10中表示豎直方向的雙點(diǎn)劃線箭頭垂直的方向。

在本實(shí)施方式中，即使是這種方向的邊緣電場(chǎng)f2，也可使液晶分子沿正方向旋轉(zhuǎn)，由此提高透射率。

另外，在上層電極1的第二部分與像素電極2之間產(chǎn)生電場(chǎng)f3。在此，上層電極1的第二部分例如是由附圖標(biāo)記a2表示的不與像素電極2重疊的部分。該第二部分與像素電極2分隔。因此，即使產(chǎn)生電場(chǎng)，所產(chǎn)生的電場(chǎng)f3也較弱。因此，電場(chǎng)f3幾乎不使液晶分子旋轉(zhuǎn)。

如上所述的像素的結(jié)構(gòu)適用于液晶顯示裝置1000的所有的像素。如上所述，液晶顯示裝置1000設(shè)有第一平面電極。第一平面電極例如是下層電極3。在下層電極3的上表面層疊有第一絕緣體。第一絕緣體例如是絕緣層i4。在絕緣層i4的平坦上表面上層疊有像素電極2。

在像素電極2的上表面上還層疊有第二絕緣體。第二絕緣體是絕緣層i5。液晶顯示裝置1000設(shè)有在絕緣層i5的上表面上覆蓋像素電極2的第二平面電極。第二平面電極例如是上層電極1。進(jìn)一步，液晶顯示裝置1000具有設(shè)置在上層電極1的上表面上的液晶層8。上層電極1包括開(kāi)口部11，開(kāi)口部11包括第一區(qū)域115以及與第一區(qū)域115成為一體的第二區(qū)域114。第一區(qū)域115是與下層電極3及像素電極2重疊的區(qū)域。第二區(qū)域114是與下層電極3重疊但不與像素電極2重疊的區(qū)域。第一區(qū)域115的第一邊11b與將開(kāi)口部11劃分為第一區(qū)域115和第二區(qū)域114的第一虛擬線11a所形成的第一角度是θ1。角度θ1小于或等于90度。應(yīng)當(dāng)注意，第二區(qū)域114朝向從第一區(qū)域115朝向像素電極2的短邊方向延伸的尖端逐漸縮小。

根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)以高精度形成的直線的第一邊11b和像素電極2的邊，形成在平面圖中觀察到的開(kāi)口部11和像素電極2重疊的區(qū)域的角部(參照?qǐng)D6的角度θ1)。因此，能夠減小反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生。換言之，以銳角形成第二區(qū)域114的角部，由此減小促進(jìn)反向旋轉(zhuǎn)疇產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)的發(fā)生。

(實(shí)施方式2)

圖12是示出液晶顯示裝置1000的一個(gè)像素的另一結(jié)構(gòu)示例的平面圖。本實(shí)施方式除設(shè)置于上層電極1的開(kāi)口部11的形狀以外，與實(shí)施方式1相似，因此以下主要對(duì)與實(shí)施方式1的不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。

設(shè)置于上層電極1的開(kāi)口部11是平行四邊形。開(kāi)口部11的短邊平行于像素電極2的短邊方向。包括開(kāi)口部11的銳角的兩個(gè)角部不與像素電極2重疊。角部是第二區(qū)域114。角部以外的區(qū)域是第一區(qū)域115。應(yīng)當(dāng)注意，記載了開(kāi)口部11的“包括銳角的兩個(gè)角部”，但是嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，由于如上所述的微細(xì)加工的限制，角部被倒角。

圖13是第二區(qū)域114的局部放大圖。圖13示出了圖12中的由附圖標(biāo)記13a表示的區(qū)域。圖12中由附圖標(biāo)記13b表示的區(qū)域以同樣的方式示出，表示由13b表示的區(qū)域的圖對(duì)應(yīng)于圖13旋轉(zhuǎn)180度時(shí)的圖。這兩個(gè)第二區(qū)域114相對(duì)于平行四邊形的重心點(diǎn)對(duì)稱(chēng)設(shè)置。在圖13中，第一區(qū)域115和第二區(qū)域114之間的邊界線(線段p11p12)是第一虛擬線11a。與第一虛擬線11a相交的上側(cè)的邊、即、與像素電極2的長(zhǎng)邊方向上的不存在接觸孔ch3的一端鄰近的第一區(qū)域115的邊(線段p11p3)是第一邊11b。將由第一邊11b和第一虛擬線11a形成的角度設(shè)為θ1。與第一虛擬線11a相交的下側(cè)的邊、即、與像素電極2的長(zhǎng)邊方向平行的第一區(qū)域115的邊(在一端具有點(diǎn)p12的線段)是第二邊11c。將第二邊11c和第一虛擬線11a形成的角度設(shè)為θ2。θ1是直角(90度)，θ2是鈍角。

參照?qǐng)D12，下面對(duì)根據(jù)本實(shí)施方式的邊緣電場(chǎng)進(jìn)行說(shuō)明。在開(kāi)口部11的長(zhǎng)邊產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)對(duì)應(yīng)于在平面圖中看到的由雙向箭頭f41表示的方向。圖12中的輪廓雙向箭頭表示摩擦方向。因此，通過(guò)雙向箭頭f41表示的邊緣電場(chǎng)，逆時(shí)針?lè)较蚴窃谄矫鎴D中看到的液晶分子的正旋轉(zhuǎn)方向。另外，在開(kāi)口部11的左上角部和右下角部產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)是雙向箭頭f42表示的方向。該方向的邊緣電場(chǎng)也使液晶分子相對(duì)于摩擦方向沿正方向旋轉(zhuǎn)。圖13中所示的第一邊11b所對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部11的短邊上產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)是雙向箭頭f43表示的方向。在圖13所示的第一虛擬線11a處產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)具有由圖12所示的雙向箭頭f44表示的方向。

在分別由開(kāi)口部11的邊和像素電極2的邊形成的包括右上角和左下角的直角部處產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)可使直角部上的液晶分子如圖7b所示(參照?qǐng)D7b的箭頭f14)沿反方向旋轉(zhuǎn)。但是，該直角部與參照?qǐng)D8b所說(shuō)明的例子不同，未被倒角，由此防止反向旋轉(zhuǎn)疇產(chǎn)生。右上角的直角部形成由圖13中的附圖標(biāo)記θ1表示的角度。

實(shí)施方式2具有以下的效果。呈平行四邊形的開(kāi)口部11的右上角部和左下角部朝向像素電極2的短邊方向延伸。因此，即使該角部由于微細(xì)加工的限制而被倒角，由第一區(qū)域115的第一邊11b和將開(kāi)口部11劃分為第一區(qū)域115及第二區(qū)域114的第一虛擬線11a所形成的角度θ1可形成為直角。確實(shí)，在直角部上產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)可促進(jìn)反向旋轉(zhuǎn)。但是，該直角部與參照?qǐng)D8b說(shuō)明的例子不同，未被倒角，由此防止反向旋轉(zhuǎn)疇產(chǎn)生。因此，能夠減小反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生。

(實(shí)施方式3)

圖14a至圖14b示出設(shè)置于上層電極1的開(kāi)口部11與像素電極2重疊的狀態(tài)。本實(shí)施方式除了設(shè)置于上層電極1的開(kāi)口部11的形狀和像素電極2的形狀以外，與實(shí)施方式1相同，因此以下主要對(duì)與實(shí)施方式1的不同之處進(jìn)行說(shuō)明。

實(shí)施方式3是將像素和像素電極2傾斜的結(jié)構(gòu)。各像素和像素電極2的長(zhǎng)邊方向是從輪廓箭頭所示的摩擦方向(圖的豎直方向)傾斜預(yù)定角度以后的方向。設(shè)置于上層電極1的開(kāi)口部11是平行四邊形。圖14a至圖14b示出開(kāi)口部11的形狀和尺寸不同的兩個(gè)例子。圖14a示出不與像素電極2重疊的開(kāi)口部11的第二區(qū)域114為三角形狀(p1、p11、p12或p2、p21、p22)的情況。圖14b示出像素電極2和開(kāi)口部11的第二區(qū)域114為四邊形(p1、p11、p12、p4或p2、p21、p22、p3)的情況。應(yīng)當(dāng)注意，開(kāi)口部11的角部p1、p2嚴(yán)格來(lái)說(shuō)由于微細(xì)加工的限制而被倒角。

在圖14a的例子中，開(kāi)口部11的短邊(線段p1p3及線段p2p4)平行于像素電極2的短邊方向，或者相對(duì)于像素電極2的短邊方向更陡峭傾斜。開(kāi)口部11的長(zhǎng)邊(線段p1p4及線段p2p3)相對(duì)于像素電極2的長(zhǎng)邊方向較緩和地傾斜。開(kāi)口部11的短邊分別在一個(gè)位置與像素電極2的長(zhǎng)邊相交。交點(diǎn)由交點(diǎn)p11和p21表示。開(kāi)口部11的長(zhǎng)邊分別在一個(gè)位置與像素電極2的長(zhǎng)邊相交。交點(diǎn)由p12和p22表示。通過(guò)這種相交關(guān)系，開(kāi)口部11形成有與像素電極2重疊的第一區(qū)域115、以及不與像素電極2重疊的兩個(gè)第二區(qū)域114。第一區(qū)域115是六邊形(p11、p12、p4、p21、p22、p3)。第二區(qū)域114是三角形(p1、p11、p12及p2、p21、p22)。

開(kāi)口部11的短邊的一部分、即、包括交點(diǎn)p11或p12并與像素電極2重疊的部分(線段p11p3及線段p21p4)是第一區(qū)域115的第一邊11b。像素電極2的與第一邊11b相交的邊的一部分(線段p11p12及p21p22)是將開(kāi)口部11劃分為第一區(qū)域115和第二區(qū)域114的第一虛擬線11a。開(kāi)口部11的長(zhǎng)邊的包括交點(diǎn)p12或p22并與像素電極2重疊的部分(線段p12p4及線段p22p3)為第一區(qū)域115的第二邊11c。將由第一邊11b和第一虛擬線11a形成的角度設(shè)為θ1。將第二邊11c和第一虛擬線11a形成的角度設(shè)為θ2。在此，θ1是銳角，而θ2是鈍角。

在圖14b所示的例子中，開(kāi)口部11的短邊(線段p1p3及線段p2p4)平行于像素電極2的短邊方向，或者相對(duì)于像素電極2的短邊方向更陡峭。開(kāi)口部11的長(zhǎng)邊(線段p1p4及線段p2p3)平行于像素電極2的長(zhǎng)邊方向，或相對(duì)于像素電極2的長(zhǎng)邊方向不太陡峭。開(kāi)口部11的短邊比像素電極2的短邊方向長(zhǎng)很多。因此，開(kāi)口部11的各短邊與像素電極2的長(zhǎng)邊在兩個(gè)點(diǎn)上相交。將交點(diǎn)設(shè)為交點(diǎn)p11和p22以及p12和p21。另外，開(kāi)口部11的各長(zhǎng)邊不與像素電極2的長(zhǎng)邊相交。通過(guò)這種相交關(guān)系，開(kāi)口部11形成有與像素電極2重疊的第一區(qū)域115、以及不與像素電極2重疊的兩個(gè)第二區(qū)域114。第一區(qū)域115為四邊形(p11、p12、p21、p22)。第二區(qū)域114是四邊形(p1、p11、p12、p4及p2、p21、p22、p3)。兩個(gè)第二區(qū)域114相對(duì)于平行四邊形的重心點(diǎn)對(duì)稱(chēng)設(shè)置。

開(kāi)口部11的短邊的包括交點(diǎn)p11或p21并與像素電極2重疊的部分(線段p11p22及線段p21p12)是第一區(qū)域115的第一邊11b。與第一邊11b相交的像素電極2的長(zhǎng)邊(線段p11p12及p21p22)是將開(kāi)口部劃分為第一區(qū)域115和第二區(qū)域114的第一虛擬線11a。設(shè)由第一邊11b和第一虛擬線11a形成的角度為θ1，θ1為銳角。應(yīng)當(dāng)注意，在圖14b所示的例子中，不具有第二邊11c。

在本實(shí)施方式中，在圖14a及圖14b所示的方向上產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)。如圖14a和圖14b所示，邊緣電場(chǎng)的大部分使液晶分子沿逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)(正旋轉(zhuǎn))。在第一邊11b產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)與摩擦方向平行，因此不能促進(jìn)液晶分子的正向旋轉(zhuǎn)或反向旋轉(zhuǎn)。另一方面，在第一區(qū)域115的右上角p11和左下角p21產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)可促進(jìn)液晶分子的反向旋轉(zhuǎn)。但是，由于右上角p11和左下角p21形成為銳角，僅在角的頂點(diǎn)部分產(chǎn)生促進(jìn)液晶分子的反向旋轉(zhuǎn)的邊緣電場(chǎng)。該邊緣電場(chǎng)不太促進(jìn)液晶分子的旋轉(zhuǎn)。因此，在頂點(diǎn)部分，液晶分子的反向旋轉(zhuǎn)減少。

實(shí)施方式3具有如下效果。設(shè)置于上層電極1的開(kāi)口部11具有與像素電極2重疊的第一區(qū)域115以及不與像素電極2重疊的第二區(qū)域114。第二區(qū)域114從第一區(qū)域115沿像素電極2的短邊方向延伸。因此，即使第二區(qū)域114的角部p1、p2由于微細(xì)加工的限制而被倒角，由第一區(qū)域115的第一邊11b和將開(kāi)口部11劃分為第一區(qū)域115和第二區(qū)域114的第一虛擬線11a形成的角度(θ1)也能夠形成為銳角。在該角部產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)可促進(jìn)液晶分子的反向旋轉(zhuǎn)，但僅在角的頂點(diǎn)部分。因此，可避免在頂點(diǎn)部分上反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生。

(實(shí)施方式4)

圖15是示出沿液晶顯示裝置1000的源極線42的配線方向相鄰的兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)示例的平面圖。本實(shí)施方式示出具有所謂的多域結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置1000。即，本實(shí)施方式配置為包括液晶分子不沿一致的方向旋轉(zhuǎn)而向相反的方向旋轉(zhuǎn)的兩個(gè)像素。圖15中所示的兩個(gè)像素配置為使液晶分子沿不同方向旋轉(zhuǎn)。圖15中所示的輪廓雙向箭頭表示摩擦方向。圖15中所示的下側(cè)的像素的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的像素的結(jié)構(gòu)相同。在下側(cè)像素中，液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向是如在平面圖中看到的順時(shí)針?lè)较?。圖15所示的上側(cè)像素的結(jié)構(gòu)除了設(shè)置于上層電極1的開(kāi)口部11a的形狀以外，與實(shí)施方式1的像素的結(jié)構(gòu)相同。開(kāi)口部11a的形狀和開(kāi)口部11的形狀相對(duì)于與柵極線5的配線方向平行的線而線對(duì)稱(chēng)設(shè)置。可替選地，在沿柵極線5的方向(圖的橫向)上彼此相鄰的兩個(gè)開(kāi)口部可相對(duì)于與源極線42的配線方向平行的線而線對(duì)稱(chēng)設(shè)置。在圖15所示的上側(cè)的像素中，液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向是在平面圖中看到的逆時(shí)針?lè)较?。上?cè)像素和下側(cè)像素是液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向不同的獨(dú)立的域。在多域結(jié)構(gòu)中，由于沿柵極線5及源極線42的配線方向彼此相鄰的像素的液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向不同，因此設(shè)置于上層電極1的開(kāi)口部11、11a對(duì)稱(chēng)設(shè)置。

圖15中下側(cè)的像素的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1的像素的結(jié)構(gòu)相同，因此對(duì)與實(shí)施方式1相同的部分標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記并不再進(jìn)行說(shuō)明。在上側(cè)像素中，開(kāi)口部11a與開(kāi)口部11對(duì)稱(chēng)設(shè)置，因此與實(shí)施方式1相同的結(jié)構(gòu)由帶“a”的附圖標(biāo)記表示并簡(jiǎn)要說(shuō)明。在開(kāi)口部11a中，11aa表示第一虛擬線，11ba表示第一邊，11ca表示第二邊。由第一邊11ba和第一虛擬線11aa形成的角度是θ1a。由第二邊11ca和第一虛擬線11aa形成的角度是θ2a。θ1a是銳角，θ2a是鈍角。本實(shí)施方式相當(dāng)于具有多域結(jié)構(gòu)的實(shí)施方式1。因此，本實(shí)施方式的效果與實(shí)施方式1的效果相同。

即，設(shè)置于上層電極1的開(kāi)口部11及11a具有與像素電極2重疊的第一區(qū)域115、115a以及不與像素電極2重疊的第二區(qū)域114、114a。第二區(qū)域114、114a從第一區(qū)域115、115a向像素電極2的短邊方向延伸。第二區(qū)域114、114a朝向其尖端部逐漸縮小。因此，即使第二區(qū)域114、114a的尖端部由于微細(xì)加工的限制而被倒角，由第一區(qū)域115、115a的第一邊11b、11ba和將開(kāi)口部11、11a劃分為第一區(qū)域115、115a及第二區(qū)域114、114a的第一虛擬線11a、11aa形成的角度(θ1及θ1a)也可為銳角。即，通過(guò)以高精度形成的直的第一邊11b(11ba)和像素電極2的邊，形成在平面圖中看到的開(kāi)口部11(11a)和像素電極2重疊的區(qū)域的角部。因此，能夠減小反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生。換言之，第二區(qū)域114的角部的銳角可減小促進(jìn)反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)的產(chǎn)生。

應(yīng)當(dāng)注意，與實(shí)施方式4相同，實(shí)施方式2及實(shí)施方式3的結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于具有多域結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置1000。

(實(shí)施方式5)

本實(shí)施方式涉及將實(shí)施方式2的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于具有多域結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置1000的情況。圖16是示出沿液晶顯示裝置1000的源極線42的配線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的另一示例的平面圖。圖16中所示的下側(cè)像素的結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式2中的像素的結(jié)構(gòu)相似。圖16中所示的上側(cè)像素的結(jié)構(gòu)除開(kāi)口部11a以外與下側(cè)像素相同。上側(cè)像素的開(kāi)口部11a與下側(cè)像素的開(kāi)口部11形狀對(duì)稱(chēng)。

上側(cè)像素的開(kāi)口部11a包括第一區(qū)域115a和第二區(qū)域114a。第二區(qū)域114a不與像素電極2重疊。與第二區(qū)域114或114a相鄰的第一區(qū)域115或115a的角部具有直角。如實(shí)施方式2所述，在直角部上產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)也可促進(jìn)反向旋轉(zhuǎn)。但是，該直角部與參照?qǐng)D8b說(shuō)明的例子不同，未被倒角，由此能夠減少反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生。

(實(shí)施方式6)

圖17是示出沿液晶顯示裝置1000的源極線的配線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的另一例的平面圖。本實(shí)施方式除像素電極2的形狀以外與實(shí)施方式5相似。在本實(shí)施方式中，像素電極2的長(zhǎng)邊方向不與源極線42的配線方向平行，而相對(duì)于源極線42的配線方向傾斜。本實(shí)施方式相當(dāng)于將實(shí)施方式3的圖14a所示的實(shí)施例應(yīng)用于多域結(jié)構(gòu)的情況。

在本實(shí)施方式中，下側(cè)像素的開(kāi)口部11包括第一區(qū)域115和第二區(qū)域114。第二區(qū)域114不與像素電極2重疊。上側(cè)像素的開(kāi)口部11a包括第一區(qū)域115a和第二區(qū)域114a。第二區(qū)域114a不與像素電極2重疊。根據(jù)本實(shí)施方式，與實(shí)施方式3相同，能夠減少反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生。

(實(shí)施方式7)

圖18是示出沿液晶顯示裝置1000的源極線的配線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的另一示例的平面圖。本實(shí)施方式相當(dāng)于將實(shí)施方式3的圖14b所示的實(shí)施例應(yīng)用于多域結(jié)構(gòu)的情況。

在本實(shí)施方式中，下側(cè)像素的開(kāi)口部11包括第一區(qū)域115和第二區(qū)域114。第二區(qū)域114不與像素電極2重疊。上側(cè)像素的開(kāi)口部11a包括第一區(qū)域115a和第二區(qū)域114a。第二區(qū)域114a不與像素電極2重疊。根據(jù)本實(shí)施方式，與實(shí)施方式3相同，能夠減少反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生。

(實(shí)施方式8)

圖19是示出沿液晶顯示裝置1000的源極線的配線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的另一示例的平面圖。本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)除源極線42的形狀以外與實(shí)施方式6相同。在本實(shí)施方式中，源極線42不是直線，而是彎曲線。源極線42配置為與像素電極2的長(zhǎng)邊平行。

在本實(shí)施方式中，下側(cè)像素的開(kāi)口部11也包括第一區(qū)域115和第二區(qū)域114。第二區(qū)域114不與像素電極2重疊。上側(cè)像素的開(kāi)口部11a包括第一區(qū)域115a和第二區(qū)域114a。第二區(qū)域114a不與像素電極2重疊。在本實(shí)施方式中，在第一區(qū)域115、115a的周緣上產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)也具有在平面圖中看到的如圖19所示的朝向。與實(shí)施方式3(圖14a)相同，在下側(cè)的第一區(qū)域115的大部分上產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)促進(jìn)使液晶分子沿正方向(逆時(shí)針)旋轉(zhuǎn)。在形成為銳角的右上角和左下角，可產(chǎn)生促進(jìn)液晶分子的反向旋轉(zhuǎn)的邊緣電場(chǎng)。但是，僅在角的頂點(diǎn)部分產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)。因此，與實(shí)施方式2相同，可減少反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生。

(實(shí)施方式9)

圖20是示出沿液晶顯示裝置1000的源極線的配線方向相鄰的兩個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的另一示例的平面圖。本實(shí)施方式除源極線42的形狀以外，與實(shí)施方式6相似。在本實(shí)施方式中，源極線42不是直線，而是折線。源極線42配置為與像素電極2的長(zhǎng)邊平行。

在本實(shí)施方式中，下側(cè)像素的開(kāi)口部11包括第一區(qū)域115和第二區(qū)域114。第二區(qū)域114不與像素電極2重疊。上側(cè)像素的開(kāi)口部11a包括第一區(qū)域115a和第二區(qū)域114a。第二區(qū)域114a不與像素電極2重疊。在本實(shí)施方式中，在第一區(qū)域115、115a的周緣產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)為在平面圖中看到的圖19所示的朝向。與實(shí)施方式3(圖14b)相同，在第一區(qū)域115的大部分上產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)促進(jìn)使液晶分子沿正方向(逆時(shí)針?lè)较?旋轉(zhuǎn)。在形成為銳角的右上角和左下角，可產(chǎn)生促進(jìn)液晶分子的反向旋轉(zhuǎn)的邊緣電場(chǎng)。但是，僅在角的頂點(diǎn)部分產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)。因此，如實(shí)施方式2所述，可減少反向旋轉(zhuǎn)疇的產(chǎn)生。

接下來(lái)，對(duì)液晶顯示裝置1000中的驅(qū)動(dòng)電路9進(jìn)行說(shuō)明。圖21示出液晶顯示裝置中的驅(qū)動(dòng)電路9的結(jié)構(gòu)示例。驅(qū)動(dòng)電路9包括上層電極1、像素電極2、下層電極3、源極線42、柵極線5、源極驅(qū)動(dòng)器91、柵極驅(qū)動(dòng)器92、原圖像信號(hào)源93、以及定時(shí)控制器94。

在液晶顯示裝置1000中，在通過(guò)多個(gè)柵極線5和多個(gè)源極線42形成的矩陣中布置像素。對(duì)各像素，設(shè)置像素電極2(參照?qǐng)D1)。因此，這些像素電極2設(shè)置為矩陣。

定時(shí)控制器94以驅(qū)動(dòng)源極驅(qū)動(dòng)器91和柵極驅(qū)動(dòng)器92的方式，處理從原圖像信號(hào)源93獲得的圖像數(shù)據(jù)和定時(shí)信號(hào)，并向源極驅(qū)動(dòng)器91和柵極驅(qū)動(dòng)器92發(fā)送數(shù)據(jù)和控制信號(hào)。源極驅(qū)動(dòng)器91轉(zhuǎn)換從定時(shí)控制器94輸入的數(shù)據(jù)，并將對(duì)像素進(jìn)行驅(qū)動(dòng)所需的圖像數(shù)據(jù)電壓施加于源極線42。柵極驅(qū)動(dòng)器92將用于構(gòu)成像素的tft(未圖示)的接通/斷開(kāi)的控制電壓施加于柵極線5。通過(guò)柵極線5選擇單行的像素，通過(guò)源極線42進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入。根據(jù)由源極線42寫(xiě)入的數(shù)據(jù)，在像素電極2和上層電極1之間以及像素電極2和下層電極3之間產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)，通過(guò)產(chǎn)生的邊緣電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)液晶分子。

各示例性實(shí)施方式中記載的技術(shù)特征(構(gòu)成要件)可相互組合，這些組合可形成新的技術(shù)特征。

應(yīng)當(dāng)理解，在此公開(kāi)的實(shí)施方式在各方面都是示例性的，而非限制性的。由于本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定，而非其之前的說(shuō)明書(shū)限定，因此落在權(quán)利要求的邊界和界限內(nèi)或者落在這些邊界和界限的等同物內(nèi)的所有的變更都旨在被權(quán)利要求涵蓋。