本發(fā)明涉及一種修補結(jié)構(gòu)及其顯示面板，且特別涉及一種能達到良好修補效果的修補結(jié)構(gòu)及其顯示面板。

背景技術(shù)：

顯示裝置包括陣列基板、對向基板以及填充于兩基板之間的顯示介電層。其中，陣列基板上設(shè)置有大量的信號線(例如掃描線和數(shù)據(jù)線)。但是在生產(chǎn)過程中，大量設(shè)置的信號線會有斷線的問題，這時斷線上的信號就不能得到正常信號傳輸，從而形成顯示面板的顯示缺陷，因此需要一些信號線的修補方法，以降低生產(chǎn)成本。

現(xiàn)今常使用的方式為激光焊接(laserwelding)或/及激光切割(lasercutting)的方式來進行。然而激光線的能量如控制太小，有修補不完全的問題；激光線的能量如控制太大，則可能將周圍導(dǎo)線破壞的問題存在。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種修補結(jié)構(gòu)及其顯示面板，其可以避免修補結(jié)構(gòu)及其顯示面板的信號線修補過程造成的金屬屑飛濺。更甚而，本發(fā)明的修補結(jié)構(gòu)可在不大幅增加制程步驟與成本的前提下制作出，而可有效降低生產(chǎn)成本。

本發(fā)明提供一種修補結(jié)構(gòu)，包括修補線、信號線、絕緣層、輔助層以及阻擋層。修補線，設(shè)置于基板上。信號線，設(shè)置于基板上，且信號線與修補線交叉設(shè)置。絕緣層，設(shè)置于修補線與信號線之間。輔助層，設(shè)置于絕緣層上，且輔助層具有孔洞，孔洞垂直投影設(shè)置于修補線與信號線重疊的上方。阻擋層，設(shè)置于基板上，且阻擋層覆蓋輔助層一部分，且填入孔洞中，其中，輔助層與阻擋層是由非導(dǎo)體材料所構(gòu)成。

本發(fā)明另提供一種顯示面板，包括如上述的修補結(jié)構(gòu)、對向基板以及顯示介電層。其中，顯示介電層設(shè)置于上述的基板與對向基板之間。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一些實施例，并配合說明書附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的顯示面板信號線與修補線的配置示意圖；

圖2為本發(fā)明的修補結(jié)構(gòu)的圖1局部的放大上視圖；

圖3為本發(fā)明的修補結(jié)構(gòu)的圖2的a-a’剖面線的第一實施例的剖面示意圖；

圖4為本發(fā)明的修補結(jié)構(gòu)的第一實施例的另一變化實施例的剖面示意圖；

圖5為本發(fā)明的修補結(jié)構(gòu)的圖2的a-a’剖面線的第二實施例的剖面示意圖；

圖6為本發(fā)明的修補結(jié)構(gòu)的圖2的a-a’剖面線的第三實施例的剖面示意圖；

圖7為本發(fā)明的顯示面板的對照實施例的修補后的剖面示意圖；

圖8為本發(fā)明的顯示面板的修補后的剖面示意圖。

附圖標記說明：

100、100’基板ic驅(qū)動芯片

31周邊區(qū)33周邊區(qū)

124a、124b預(yù)修補點d斷點

a區(qū)域41、41’絕緣層

11、11’信號線21、21’修補線

43、43’輔助層th、th’孔洞

a1重疊范圍a2面積

11a、43a上表面11b下表面

11c、431a側(cè)面43b內(nèi)側(cè)壁

h厚度45、53阻擋層

pv2、pv2’第二保護層pv1、pv1’第一保護層

b1、b2底面431有機層

51中介保護層o凹槽

100a、100a’內(nèi)表面61’電極層

l激光100b、100b’外表面

p、p’修補結(jié)構(gòu)3焊接導(dǎo)體

具體實施方式

以下將以附圖公開本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實務(wù)上的細節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務(wù)上的細節(jié)是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些現(xiàn)有慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡單示意的方式為之。

在以下詳細說明中，參考了作為詳細說明的一部分的附圖。在附圖中，類似符號通常表示類似部件，除非上下文另行指明。具體實施方式部分、附圖和權(quán)利要求書中記載的示例性實施例并不是限制性的。在不脫離在此所呈現(xiàn)主題的構(gòu)思或范圍的情況下，可以利用其他實施例，且可以進行其他改變。應(yīng)當理解，在此一般性記載以及附圖中圖示的本公開的各方案可以按照在此明確和隱含公開的多種不同配置來設(shè)置、替換、組合、分割和設(shè)計。

至于文中的用語僅為描述特定實施例的目的，且并非意欲限制本發(fā)明。如本文中所使用的，除非本文另外有明確指示，否則單數(shù)形式“一”以及“所述”也代表包括多的形式或至少一個的形式。而文中使用“第一”、“第二”等來描述各種元件、區(qū)、層等，但是這樣的用語僅用以將一元件、區(qū)或?qū)訁^(qū)別于另一元件、區(qū)或?qū)?。因此，可在不偏離本公開所示的情況下，將以下討論的第一元件、零件、區(qū)域、層和/或部分稱為第二元件、零件、區(qū)域、層和/或部分。

此外，本文中可使用諸如“于...下”、“于...上”、“下”、“上”及其類似的空間相對用語，來描述附圖中的一元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。應(yīng)了解，空間相對用語可涵蓋使用中的元件除了附圖所描繪的方位以外的不同方位。舉例而言，若將圖中的元件翻轉(zhuǎn)，則被描述為位于其他元件或特征“下方”或“之下”的元件接著將定向成位于其他元件或特征“上方”。因此，空間相對用語“于......下”可包括上方以及下方的兩方位。

如在本文中所使用的用語“大約”、“約”、“近乎”或“實質(zhì)上”應(yīng)大體上意指在給定值或范圍的百分之二十以內(nèi)，優(yōu)選為在百分之十以內(nèi)，優(yōu)選為在百分之五以內(nèi)。在此所提供的數(shù)量為近似，意指若無特別陳述，可以用語“大約”、“約”、“近乎”或“實質(zhì)上”加以表示。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應(yīng)當理解，當諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反地，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電連接。

圖1示出一種顯示面板信號線的配置示意圖。請參照圖1，對照實施例與多個實施例的顯示面板10、10’具有顯示區(qū)31與周邊區(qū)33?；?00、100’具有一條以上的修補線21、21’設(shè)置于周邊區(qū)33，信號線11、11’設(shè)置于顯示區(qū)31，且修補線21、21’與信號線11、11’交錯，以形成預(yù)修補點124a及124b。當信號線11、11’具有斷點d而產(chǎn)生斷線時，使用激光焊接(laserwelding)可將此受損的信號線11、11’的兩端分別經(jīng)由預(yù)修補點124a及124b，而與修補線21、21’熔接，使受損的信號線11、11’經(jīng)由修補線21、21’維持電性連接(電導(dǎo)通的狀態(tài))，并使顯示區(qū)31正常運行。

于其中一個實施例中，信號線電性連接于驅(qū)動芯片ic，其中信號線可以為數(shù)據(jù)線或柵極線(或稱為掃描線)，以下說明將以信號線為數(shù)據(jù)線為范例，但不限于此。信號線11、11’設(shè)置于顯示區(qū)31且延伸至周邊區(qū)33，且當信號線21、21’不具有斷點d時修補線21、21’是浮置電極線(floatingline)，當信號線11、11’具有斷點d時修補線21、21’則與信號線11、11’維持電性連接。以下將針對圖1區(qū)域a的放大圖與剖面圖做詳細的說明。

請參照圖2，圖2為本發(fā)明的圖1局部的放大上視圖(或稱為俯視圖)。修補結(jié)構(gòu)p包括修補線21、信號線11、絕緣層(上視圖未畫出)、輔助層43、43’、阻擋層45與孔洞th、th’。本實施例中，信號線21(例如：數(shù)據(jù)線)與修補線21之間配置有絕緣層(上視圖未畫出)。舉例而言，信號線21(例如：數(shù)據(jù)線)可配置于修補線21上方且兩者之間配置有絕緣層(上視圖未畫出)，但不限于此。于其它實施例中，修補線21可配置于信號線21上方且兩者之間配置有絕緣層(上視圖未畫出)，且修補線21可選擇性的為掃描線或數(shù)據(jù)線其中一者。信號線21上方配置有輔助層43、43’，且輔助層43、43’具有孔洞th、th’?？锥磘h、th’垂直投影設(shè)置于修補線21與信號線11重疊的正上方，即修補線21與信號線11的重疊范圍a1垂直投影于基板100上與孔洞th、th’的垂直投影于基板100上的面積a2互相重疊。優(yōu)選的，孔洞th、th’的面積a2大于或?qū)嵸|(zhì)上等于修補線21與信號線11的重疊范圍a1。換言之，當孔洞th、th’的面積a2大于修補線21與信號線11的重疊范圍a1時，孔洞th、th’可與修補線21以及信號線11的重疊范圍a1至少一部分重疊。阻擋層45，設(shè)置于輔助層43、43’上，且阻擋層45填入孔洞th、th’中，其中輔助層43、43’與阻擋層45是由非導(dǎo)體材料所構(gòu)成。

請參照圖3，圖3為本發(fā)明的修補結(jié)構(gòu)的圖2的第一實施例的a-a’剖面線的剖面示意圖。修補信號線21設(shè)置于基板100的內(nèi)表面，然基板100的內(nèi)表面可選擇性的設(shè)置其他層別例如緩沖層(圖未示)可增加可撓性或粘附力其中至少一者的效果等，本發(fā)明并不以此為限。修補線21，設(shè)置于基板100上。信號線11設(shè)置于基板100上，絕緣層41設(shè)置于修補線21與信號線11之間。舉例而言，信號線21(例如：數(shù)據(jù)線)可配置于修補線21上方且兩者之間配置有絕緣層(上視圖未畫出)，但不限于此。于其它實施例中，修補線21可配置于信號線21上方且兩者之間配置有絕緣層(上視圖未畫出)，且修補線21可選擇性的為掃描線或數(shù)據(jù)線其中一者。輔助層43，設(shè)置于絕緣層41上，且輔助層43具有孔洞th，孔洞th垂直投影設(shè)置于修補線21與信號線11重疊的上方。孔洞th，是由輔助層43所定義出，故孔洞th沒有其他保護層或輔助層43來形成孔洞th底面，即孔洞th本身沒有底面與頂面視為穿孔。阻擋層45，設(shè)置于基板100上，且阻擋層45覆蓋輔助層43至少一部分，且填入孔洞th中，其中，輔助層43與阻擋層45是由非導(dǎo)體材料所構(gòu)成。本實施例中，孔洞th是由輔助層43所形成，輔助層43的內(nèi)側(cè)壁43b與信號線11上表面11a定義出孔洞th。阻擋層45填入孔洞th中，其中阻擋層45接觸內(nèi)側(cè)壁43b與信號線11上表面11a。阻擋層45可部分填滿孔洞th。然為達到優(yōu)選的保護效果，阻擋層45覆蓋輔助層43的至少一部分的上表面43a，即阻擋層45接觸輔助層43的至少部分的上表面43a，且阻擋層45填滿孔洞th，然本發(fā)明容許制程上的對位誤差。

進一步而言，輔助層43的孔洞th可以提供阻擋層45于垂直基板100方向上的厚度h，以利之后修補制程的保護功能。其中，阻擋層45的厚度h舉例而言優(yōu)選為大于或等于約2.15微米(um)且小于或等于3微米(um)。本實施例中，輔助層43可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可選自于有機材料，舉例而言為例如光致抗蝕劑(photoresist)、光間隙物(photospacer)、黑色遮光層(blackmatrix)或彩色濾光層(colorfilter)或其它合適的材料。阻擋層45材料可以選自于有機材料，例如光致抗蝕劑(photoresist)、光間隙物(photospacer)、黑色遮光層(blackmatrix)或彩色濾光層(colorfilter)。于一變化實施例，輔助層43可以為紅色彩色濾光層、綠色彩色濾光層或藍色彩色濾光層。

請參考圖4為本發(fā)明的修補結(jié)構(gòu)的第一實施例的另一變化實施例的剖面示意圖。圖4與圖3所示的第一實施例的差別在于輔助層43材料選自于無機材料，舉例而言為氧化物、氮化物、氮氧化合物、氧化鋁、或其它合適的材料。輔助層43為無機材料可以增加后續(xù)阻擋層45設(shè)置時增加接口附著力。本變化實施例中，輔助層43包括第一保護層pv1與第二保護層pv2，且第一保護層pv1與第二保護層pv2的材料可以為不同或?qū)嵸|(zhì)上相同，當保護層pv1、pv2為單層時第一保護層pv1相當于輔助層43。第一保護層pv1與第二保護層pv2材料選自于無機材料，舉例而言為氧化物、氮化物、氮氧化合物、氧化鋁、或其它合適的材料?？锥磘h，是由輔助層43所定義出，故孔洞th沒有其他保護層pv1、pv2或輔助層43來形成孔洞th底面，即孔洞th本身沒有底面與頂面視為穿孔(throughhole)或稱為貫穿孔，即貫通輔助層43的上表面與下表面。

阻擋層45可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料可以選自于有機材料，例如光致抗蝕劑(photoresist)、光間隙物(photospacer)、黑色遮光層(blackmatrix)或彩色濾光層(colorfilter)、或其它合適的材料。于形成阻擋層45時，因阻擋層45具有材料流動性質(zhì)，因此涂布時不易形成垂直基板100方向上厚度。因此預(yù)先形成孔洞th，可以提高阻擋層45垂直基板100方向上厚度。因此本實施例優(yōu)選為阻擋層45與輔助層43為直接接觸，當阻擋層45為有機材料，如直接設(shè)置于信號線11上，可能會有剝離的問題，因此可選用無機材料的輔助層43可當作粘附層，使阻擋層45填入孔洞th中不易剝離。然為達到優(yōu)選的保護效果，阻擋層45覆蓋輔助層43的至少一部分的上表面43a，即阻擋層45接觸輔助層43的至少部分的上表面43a，且阻擋層45填滿孔洞th，然本發(fā)明容許制程上的對位誤差。

阻擋層45可以為透光或不透光，優(yōu)選為選用不透光材料，例如黑色遮光層(blackmatrix)，因為搭配顯示區(qū)31制程步驟，黑色遮光層(blackmatrix)往往是最后一道制程，如此顯示區(qū)31與周邊區(qū)33可以一起做，因此不會增加額外的制程步驟。于其它實施例中，若阻擋層45選用不透光材料，也可由多個不同色的彩色光致抗蝕劑堆迭而成，但不限于此。

請參照圖5，圖5為本發(fā)明的修補結(jié)構(gòu)的圖2的a-a’剖面線的第二實施例的剖面示意圖。修補線21設(shè)置于基板100的內(nèi)表面，然基板100的內(nèi)表面可設(shè)置其他層別例如緩沖層增加可撓性，本發(fā)明并不以此為限。修補線21，設(shè)置于基板100上。絕緣層41設(shè)置于修補線21上。信號線11設(shè)置于絕緣層41上方。換句話說，絕緣層41設(shè)置于修補線21與信號線11之間。其中信號線11也可設(shè)置于修補線21下方，本發(fā)明并不以此為限。

如圖5所示，圖5與圖4第一實施例的又一變化實施不同之處在于第二實施例的輔助層43’還包括有機層431，有機層431設(shè)置于第一保護層pv1’與第二保護層pv2’之間，且第二保護層pv2’于孔洞th中接觸第一保護層pv1’。舉例而言，第二保護層pv2’延有機層431的側(cè)面431a延伸。有機層431可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料，舉例而言為例如光致抗蝕劑(photoresist)、光間隙物(photospacer)、黑色遮光層(blackmatrix)或彩色濾光層(colorfilter)或其它合適的材料。于本實施例中，第一保護層pv1’覆蓋絕緣層41的部分上表面與信號線11的部分上表面11a。于優(yōu)選實施例中，第一保護層pv1’接觸絕緣層41(例如：絕緣層41上表面)且覆蓋信號線11的側(cè)面11c與部分上表面11a，其中信號線11的下表面11b接觸絕緣層41頂面(或稱為上表面)，信號線11的上表面11a通過孔洞th暴露出，信號線11的側(cè)面11c連接信號線11的上表面11a與信號線11的下表面11b。孔洞th暴露出信號線11的上表面11a，即對應(yīng)輔助層43’未覆蓋信號線11的上表面11a之處。第二保護層pv2’設(shè)置于有機層431的頂面上，且第二保護層pv2’延有機層431的側(cè)面431a延伸形成孔洞th的內(nèi)側(cè)壁43b，且第二保護層pv2’優(yōu)選延伸至孔洞th內(nèi)與第一保護層pv1’接觸?？锥磘h，是由輔助層43’所定義出，故孔洞th沒有其他保護層pv1’、pv2’、有機層431或輔助層43’來形成孔洞th底面(或填入孔洞th中)，即孔洞th本身沒有底面與頂面視為穿孔(throughhole)，換句話說阻擋層45通過孔洞th與設(shè)置于輔助層43’下的層別(或表面)接觸，舉例而言與信號線11的部分上表面11a接觸。

請參照圖6，圖6為本發(fā)明的圖2的a-a’剖面線的第三實施例的剖面示意圖。圖6與圖5所述的第二實施例不同之處在于還包含凹槽o。優(yōu)選地，凹槽o具有底面b1、b2，底面b1、b2分別由第一保護層pv1”與第二保護層pv2”所形成，且底面b1、b2設(shè)置于孔洞th’中，如此阻擋層45不與設(shè)置于輔助層43’下的層別(或表面)接觸。換句話說阻擋層45是與輔助層43’中的其中一層(或表面)接觸，其中輔助層43’還包括有機層431，有機層431設(shè)置于第一保護層pv1”與第二保護層pv2”之間。第一保護層pv1”與第二保護層pv2”材料選自于無機材料，舉例而言為氧化物、氮化物、氮氧化合物、氧化鋁、或其它合適的材料，其中第一保護層pv1”與第二保護層pv2”材料可為相同或不同。本實施例的凹槽o由有機層431、第一保護層pv1”與第二保護層pv2”共同形成?？锥磘h’由有機層431形成，孔洞th’沒有其他保護層pv1”、pv2”、有機層431或輔助層43’形成孔洞th底面(或填入孔洞th中)，即孔洞th本身沒有底面與頂面視為穿孔(throughhole)，即設(shè)置于有機層431上與下的膜層可通過孔洞th而直接接觸，舉例而言第一保護層pv1”與第二保護層pv2”是通過孔洞th而直接接觸。底面b1、b2分別由第一保護層pv1”與第二保護層pv2”所形成。換言之，凹槽o的底面b2可為第二保護層pv2”的頂面(或稱為上表面)，凹槽o的底面b1可為第一保護層pv1”的頂面(或稱為上表面)，即底面b1與底面b1位于不同的水平面。于其它實施例中，凹槽只具有一個底面，舉例而言，第一保護層pv1”延伸到孔洞th’內(nèi)，第一保護層pv1”覆蓋至少部分信號線11上表面11a形成底面b1，并搭配第二保護層pv2”只覆蓋孔洞th’的內(nèi)側(cè)壁43b而不覆蓋底面b1，借此定義出凹槽o。于另一變化實施例中，第二保護層pv2”延伸覆蓋孔洞th，第二保護層pv2”延有機層431的地形表面起伏，第一保護層pv1”不延伸到孔洞th’內(nèi)，第二保護層pv2”覆蓋部分信號線11上表面形成底面b2。

請參照圖1、圖7與圖8，圖7為本發(fā)明的顯示面板的對照實施例的修補后的剖面示意圖，圖8為本發(fā)明的顯示面板的修補后的剖面示意圖。圖8，為第一實施例、第二實施例、第三實施例與上述變化例中任一修補結(jié)構(gòu)所形成顯示面板10，然圖示以第二實施例為范例。圖7與圖8的顯示面板10、10’具有基板100、100’與對向基板200、200’與顯示介電層(圖未示)，其中顯示介質(zhì)層(圖未示)設(shè)置于基板100、100’與對向基板200、200’之間。修補結(jié)構(gòu)p、p’設(shè)置于基板100、100’的內(nèi)表面，且位于圖1所示的周邊區(qū)33?；?00、100’、200、200’可為硬質(zhì)基板或可撓式基板，其材料可包括例如玻璃、石英、塑膠、藍寶石或其它適合的無機或有機透明材料，且基板100、100’與對向基板200、200’材料可以為相同或不同。顯示介質(zhì)層(圖未示)可包括高分子分散型液晶(pdlc)層、高分子網(wǎng)絡(luò)型液晶(pnlc)層、膽固醇液晶層、電致變化層、其它可通過垂直電場或水平電場加以驅(qū)動的顯示介質(zhì)層或電激發(fā)光層或其它合適的顯示介質(zhì)層，然而顯示介質(zhì)層的材料與顯示面板的驅(qū)動模式，本領(lǐng)域人員可視需求作適當選擇。對照實施例的修補結(jié)構(gòu)p’包括基板100’、修補線21’、絕緣層41’、信號線11’以及阻擋層53。其中對照實施例也可以還包括中介保護層51，用以提供阻擋層53于后續(xù)的粘附力，避免阻擋層53剝落。第二實施例的顯示面板10的修補結(jié)構(gòu)p包括基板100、修補線21、絕緣層41、信號線11、輔助層43’、孔洞th以及阻擋層45。

修補制程通常是經(jīng)由基板100、100’外表面100b、100b’進行，以激光l等方式熔接修補線21、21’與信號線11、11’，以形成焊接導(dǎo)體3。對照實施例的顯示面板10’相較于第一實施例、第二實施例或第三實施例所形成的顯示面板10，對照實施例不具有輔助層，因此于修補線21’與信號線11’垂直投影于基板100’重疊之處不具有孔洞th、th’或凹槽o。對照實施例的顯示面板10’進行修補制程時經(jīng)熔融的信號線11’或修補線21’的金屬殘屑可能會穿過阻擋層53，造成金屬殘屑可能會飛濺到對向基板200’或周圍信號線造成信號短路。或者，當對照實施例的顯示面板因觸碰或測試等原因被按壓且對向基板200’上也具有電極層61’時，有可能會與穿過阻擋層53’上的金屬殘屑接觸，進而導(dǎo)致信號線11’與電極層61’發(fā)生短路，使得對照實施例的顯示面板的顯示品質(zhì)變差。其中，電極層61’可為透明電極且可以為提供共通電壓(com)。

上述實施例中所形成的顯示面板因具有孔洞或凹槽，進行修補制程時輔助層可以提供阻擋層于垂直基板方向上形成較對照實施例厚的厚度，因此可以避免修補制程時經(jīng)熔融的信號線或修補線的金屬殘屑貫穿阻擋層，使阻擋層達到良好的保護作用，進而提供優(yōu)選顯示品質(zhì)。此外可在不大幅增加制程步驟與成本的前提下制作出，而可有效降低生產(chǎn)成本。

雖然已經(jīng)結(jié)合目前被認為是實用的示例性實施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當理解，本發(fā)明不限于所公開的實施例，而是相反地，旨在適用于各種修改和等同布置包括在權(quán)利要求的構(gòu)思和范圍內(nèi)。