本發(fā)明是關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

于各式消費性電子產(chǎn)品之中，應(yīng)用薄膜晶體管(thinfilmtransistor；tft)的液晶顯示器已經(jīng)被廣泛地使用。液晶顯示器主要是由薄膜晶體管陣列基板、彩色濾光陣列基板和液晶層所構(gòu)成，薄膜晶體管陣列基板包含多個像素結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管陣列基板上設(shè)置有多個以陣列排列的薄膜晶體管，以及與每一個薄膜晶體管對應(yīng)配置的像素電極。此外，薄膜晶體管陣列基板上也會設(shè)置金屬層，以做為數(shù)據(jù)線或掃描線。

然而，若寄生電容產(chǎn)生于像素結(jié)構(gòu)中，像素結(jié)構(gòu)的效能可能會受到此寄生電容的影響。再者，當(dāng)像素結(jié)構(gòu)內(nèi)的元件因制程變異而與原設(shè)計間產(chǎn)生差異時，所產(chǎn)生的寄生電容的影響效果可能將更大，并進而影響液晶顯示器的顯示品質(zhì)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一實施方式提供一種像素結(jié)構(gòu)，包含數(shù)據(jù)線、第一輔助電極、第二輔助電極及像素電極，其中數(shù)據(jù)線、第一輔助電極及第二輔助電極可通過同一道制程形成。第一輔助電極及第二輔助電極分別位于數(shù)據(jù)線的左右兩側(cè)。于像素結(jié)構(gòu)運作時，第一輔助電極及第二輔助電極可分別與數(shù)據(jù)線產(chǎn)生耦合電容，且此耦合電容的量值大于像素電極與數(shù)據(jù)線產(chǎn)生的耦合電容的量值。因此，通過第一輔助電極及第二輔助電極與數(shù)據(jù)線所產(chǎn)生的耦合電容，即使像素電極的形成位置產(chǎn)生偏移并造成其與數(shù)據(jù)線的耦合電容量值產(chǎn)生變化時，數(shù)據(jù)線與其兩側(cè)的帶電層體結(jié)構(gòu)的耦合電容差異值仍落在可允許的范圍之內(nèi)，從而防止液晶顯示器產(chǎn)生亮暗線的現(xiàn)象。

本發(fā)明的一實施方式提供一種像素結(jié)構(gòu)，包含數(shù)據(jù)線、第一主動元件、第二主動元件、第一輔助電極及第二輔助電極。第一主動元件及第二主動元件分別包含第一漏極及第二漏極。第一輔助電極及第二輔助電極分別與第一漏極及第二漏極直接連接，其中數(shù)據(jù)線位于第一輔助電極與第二輔助電極之間。

于部分實施方式中，數(shù)據(jù)線與第一輔助電極之間的水平距離約等于數(shù)據(jù)線與第二輔助電極之間的水平距離。

于部分實施方式中，像素結(jié)構(gòu)更包含第一像素電極及第二像素電極。第一像素電極位于第一輔助電極之上。第二像素電極位于第二輔助電極之上，且第一像素電極與第二像素電極分別位于數(shù)據(jù)線的相對兩側(cè)。第一輔助電極與第二輔助電極之間的最小水平距離小于第一像素電極與第二像素電極之間的最小水平距離，其中第一像素電極與數(shù)據(jù)線之間的最小水平距離異于第二像素電極與數(shù)據(jù)線之間的最小水平距離。

于部分實施方式中，像素結(jié)構(gòu)更包含第一遮光層及第二遮光層。第一輔助電極至少位于第一遮光層上方。第二輔助電極至少位于第二遮光層上方，且第一遮光層與第二遮光層之間的水平距離小于第一輔助電極與第二輔助電極之間的水平距離。

于部分實施方式中，像素結(jié)構(gòu)更包含第三主動元件。第三主動元件包含第三漏極，其中數(shù)據(jù)線與第二主動元件及第三主動元件電性連接，且第二主動元件的第二漏極與第三主動元件的第三漏極分別位于數(shù)據(jù)線的相對兩側(cè)。

于部分實施方式中，數(shù)據(jù)線沿第一方向延伸，且第二主動元件與第三主動元件沿第一方向連續(xù)排列。

于部分實施方式中，像素結(jié)構(gòu)更包含第一絕緣層及第二絕緣層。數(shù)據(jù)線、第一輔助電極及第二輔助電極位于第一絕緣層上。第二絕緣層位于數(shù)據(jù)線、第一輔助電極、第二輔助電極及第一絕緣層之上。

于部分實施方式中，像素結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板上，且第一像素電極于基板的垂直投影與第一輔助電極于基板的垂直投影至少部分重疊，且第二像素電極于基板的垂直投影與第二輔助電極于基板的垂直投影至少部分重疊。

附圖說明

圖1a為依據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的第一實施方式所繪示像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。

圖1b繪示圖1a的區(qū)域b的放大圖。

圖1c為沿圖1b的線段c-c’的剖面示意圖。

圖2a繪示當(dāng)?shù)谝粚嵤┓绞降南袼亟Y(jié)構(gòu)的像素電極發(fā)生偏移時的上視示意圖，其中圖2a所繪的區(qū)域范圍同于圖1b。

圖2b為沿圖2a的線段d-d’的剖面示意圖。

圖3a為依據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的第二實施方式所繪的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。

圖3b繪示圖3a的區(qū)域e的放大圖。

圖3c為沿圖3b的線段f-f’的剖面示意圖。

圖4a繪示當(dāng)?shù)诙嵤┓绞降南袼亟Y(jié)構(gòu)的像素電極發(fā)生偏移時的上視示意圖，其中圖4a所繪的區(qū)域范圍同于圖3b。

圖4b為沿圖4a的線段g-g’的剖面示意圖。

其中，附圖標記：

100a、100b像素結(jié)構(gòu)130第一像素電極

102基板132第二像素電極

104第一掃描線134第三像素電極

105第二掃描線140第一絕緣層

106第一數(shù)據(jù)線142第二絕緣層

107第二數(shù)據(jù)線150第一遮光層

110第一主動元件152第二遮光層

112第一源極a-a’、c-c’、d-d’、f-f’、g-g’線段

114第一漏極b、e區(qū)域

116第二主動元件d1第一方向

118第二源極d2第二方向

120第二漏極l1、l2、l3、l4、l5、l6、l7、l8距離

122第三主動元件

124第三源極

126第三漏極

128第一輔助電極

129第二輔助電極

具體實施方式

以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實務(wù)上的細節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務(wù)上的細節(jié)為非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些現(xiàn)有慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

在本文中，使用第一、第二與第三等等的詞匯，是用于描述各種元件、組件、區(qū)域、層是可以被理解的。但是這些元件、組件、區(qū)域、層不應(yīng)該被這些術(shù)語所限制。這些詞匯只限于用來辨別單一元件、組件、區(qū)域、層。因此，在下文中的一第一元件、組件、區(qū)域、層也可被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層，而不脫離本發(fā)明的本意。

請參照圖1a，其中圖1a為依據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的第一實施方式所繪示像素結(jié)構(gòu)100a的上視示意圖。像素結(jié)構(gòu)100a設(shè)置于基板102上，并包含第一掃描線104、第二掃描線105、第一數(shù)據(jù)線106、第二數(shù)據(jù)線107、第一主動元件110、第二主動元件116、第三主動元件122、第一輔助電極128、第二輔助電極129、第一像素電極130、第二像素電極132及第三像素電極134。

第一掃描線104及第二掃描線105依序沿第一方向d1排列于基板102，并沿第二方向d2延伸，其中第一方向d1與第二方向d2不同，例如第一方向d1與第二方向d2可呈正交關(guān)系。第一數(shù)據(jù)線106及第二數(shù)據(jù)線107沿第二方向d2依序排列于基板102，并沿第一方向d1延伸。掃描線104、105與數(shù)據(jù)線106、107互相交錯，從而于基板102上定義出第一像素區(qū)域(未標示)、第二像素區(qū)域(未標示)及第三像素區(qū)域(未標示)，其中第一像素區(qū)域可由第一掃描線104、第二掃描線105、第一數(shù)據(jù)線106與第二數(shù)據(jù)線107定義。第一像素區(qū)域及第二像素區(qū)域為基板102上沿第二方向d2的連續(xù)排列的兩個像素區(qū)域，而第一像素區(qū)域及第三像素區(qū)域為基板102上沿第一方向d1的連續(xù)排列的兩個像素區(qū)域。

第一主動元件110、第二主動元件116及第三主動元件122例如為薄膜晶體管(thinfilmtransistor；tft)。第一主動元件110包含第一柵極(未標示)、第一源極112及第一漏極114，其中第一主動元件110的第一柵極及第一源極112分別與第一掃描線104及第一數(shù)據(jù)線106電性連接。第二主動元件116包含第二柵極(未標示)、第二源極118及第二漏極120，其中第二主動元件116的第二柵極及第二源極118分別與第一掃描線104及第二數(shù)據(jù)線107電性連接。此外，第一主動元件110及第二主動元件116例如為沿第二方向d2連續(xù)排列的兩個主動元件。第三主動元件122包含第三柵極(未標示)、第三源極124及第三漏極126，其中第三主動元件122的第三柵極及第三源極124分別與第二掃描線105及第二數(shù)據(jù)線107電性連接。此外，第二主動元件116的第二漏極120與第三主動元件122的第三漏極126可分別位于第二數(shù)據(jù)線107的相對兩側(cè)(即左右兩側(cè))，且第二主動元件116及第三主動元件122可為第二數(shù)據(jù)線107于第一方向d1上的連續(xù)排列的兩個主動元件。此外，第一像素電極130、第二像素電極132及第三像素電極134分別設(shè)置于第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域及第三像素區(qū)域之中，并分別由第一主動元件110、第二主動元件116及第三主動元件122控制。為方便觀察，本發(fā)明中的主動元件未繪出通道層，但不用以限制本發(fā)明。

通過上述配置，像素結(jié)構(gòu)100a中對應(yīng)同一條數(shù)據(jù)線的像素電極可以呈現(xiàn)鋸齒型(zig-zag)配置。于鋸齒型配置下，當(dāng)像素結(jié)構(gòu)100a運作時，單一數(shù)據(jù)線的左右兩側(cè)的像素電極可具有極性相反的電位。例如，同一行中位于第二數(shù)據(jù)線107左側(cè)的第一像素電極130及位于其右側(cè)的第二像素電極132可被驅(qū)動為具有極性相反的電位。通過鋸齒型配置，可降低純色畫面下，數(shù)據(jù)線電位電平切換極性次數(shù)，可有效降低功耗。

第一輔助電極128及第二輔助電極129分別設(shè)置于第一像素區(qū)域及第二像素區(qū)域之中，且第一輔助電極128及第二輔助電極129分別與第一漏極114及第二漏極120直接連接，例如，第一輔助電極128及第一漏極114可由同一金屬層形成。第二數(shù)據(jù)線107位于第一輔助電極128與第二輔助電極129之間，其中第二數(shù)據(jù)線107、第一輔助電極128及第二輔助電極129也可以由同一金屬層形成，即第二數(shù)據(jù)線107、第一輔助電極128、第二輔助電極129、第一漏極114及第二漏極120可由同一金屬層形成。此外，第一像素電極130于基板102的垂直投影與第一輔助電極128于基板102的垂直投影至少部分重疊，且第二像素電極132于基板102的垂直投影也與第二輔助電極129于基板102的垂直投影至少部分重疊，如圖1a所示。

請再看到圖1b及圖1c，其中圖1b繪示圖1a的區(qū)域b的放大圖，而圖1c為沿圖1b的線段c-c’的剖面示意圖。如圖1c所示，像素結(jié)構(gòu)100a可更包含第一絕緣層140及第二絕緣層142，其中第二數(shù)據(jù)線107、第一輔助電極128及第二輔助電極129位于第一絕緣層140上，且第二絕緣層142位于第二數(shù)據(jù)線107、第一輔助電極128、第二輔助電極129及第一絕緣層140之上。第一像素電極130及第二像素電極132位于第二絕緣層142上，并分別位于第一輔助電極128及第二輔助電極129之上。

第二數(shù)據(jù)線107與第一輔助電極128之間的水平距離約等于第二數(shù)據(jù)線107與第二輔助電極129之間的水平距離。例如，第二數(shù)據(jù)線107與第一輔助電極128之間的最小水平距離可如圖1b及圖1c所標記的距離l1，而第二數(shù)據(jù)線107與第二輔助電極129之間的最小水平距離可如圖1b及圖1c所標記的距離l2，且距離l1約等于距離l2。此外，由于第二數(shù)據(jù)線107、第一輔助電極128及第二輔助電極129可由同一金屬層形成，故距離l1及距離l2之間的關(guān)系不易受到制程變異的影響。

第一輔助電極128與第二輔助電極129之間的水平距離小于第一像素電極130與第二像素電極132之間的水平距離。例如，第一輔助電極128與第二輔助電極129之間的最小水平距離可如圖1b及圖1c所標記的距離l3，而第一像素電極130與第二像素電極132之間的最小水平距離可如圖1b及圖1c所標記的距離l4，且距離l3小于距離l4。

于此配置下，當(dāng)?shù)谝幌袼仉姌O130與第二像素電極132分別由第一主動元件110(請見圖1a)及第二主動元件116(請見圖1a)驅(qū)動且施加電位時，第一輔助電極128及第二輔助電極139與第二數(shù)據(jù)線107分別產(chǎn)生耦合電容，且第一像素電極128及第二像素電極129也會與第二數(shù)據(jù)線107分別產(chǎn)生耦合電容。其中，當(dāng)?shù)谝幌袼仉姌O130與第二數(shù)據(jù)線107之間的距離約等于第二像素電極132與第二數(shù)據(jù)線107之間的距離時，其與第二數(shù)據(jù)線107所分別產(chǎn)生的耦合電容量值可呈大致相同或為差異15％之內(nèi)。

另一方面，由于第一輔助電極128(或第二輔助電極129)與第二數(shù)據(jù)線107的距離小于第一像素電極130(或第二像素電極132)與第二數(shù)據(jù)線107的距離，故第一輔助電極128(或第二輔助電極129)與第二數(shù)據(jù)線107的耦合電容量值會大于第一像素電極130(或第二像素電極132)與第二數(shù)據(jù)線107的耦合電容量值。也就是說，于第二數(shù)據(jù)線107與其兩側(cè)的帶電層體結(jié)構(gòu)的耦合電容之中，第一輔助電極128及第二輔助電極129與第二數(shù)據(jù)線107所產(chǎn)生的耦合電容可做為主要因子，而第一像素電極130或第二像素電極132與第二數(shù)據(jù)線107所產(chǎn)生的耦合電容則為次要因子。此外，由于第一輔助電極128及第二輔助電極129分別與第一漏極114及第二漏極120直接連接，故第一輔助電極128及第二輔助電極129具有電位，而非處于浮動狀態(tài)(floating)，使得作為主要因子的耦合電容量值實質(zhì)上不會浮動。

因此，當(dāng)?shù)谝幌袼仉姌O130及第二像素電極132的制程產(chǎn)生變異，例如第一像素電極130及第二像素電極132的形成位置發(fā)生偏移時，由于做為耦合電容主要因子的第一輔助電極128及第二輔助電極129相對不易與第二數(shù)據(jù)線107的形成位置發(fā)生偏移，故可防止第二數(shù)據(jù)線107與其兩側(cè)的帶電層體結(jié)構(gòu)的耦合電容差異值過大，進而防止亮暗線的產(chǎn)生。

以下將舉例說明像素電極發(fā)生偏移時的狀況，請看到圖2a及圖2b。圖2a繪示當(dāng)?shù)谝粚嵤┓绞降南袼亟Y(jié)構(gòu)100a的像素電極發(fā)生偏移時的上視示意圖，其中圖2a所繪的區(qū)域范圍同于圖1b。圖2b為沿圖2a的線段d-d’的剖面示意圖。相較于圖1b及圖1c所繪的第一像素電極130及第二像素電極132，圖2a及圖2b所繪的第一像素電極130及第二像素電極132為稍微向右偏移。具體而言，圖2a及圖2b之中，第一像素電極130與第二數(shù)據(jù)線107之間的水平距離會異于第二像素電極132與第二數(shù)據(jù)線107之間的水平距離，例如，第一像素電極130與第二數(shù)據(jù)線107之間的最小水平距離可如圖2a及圖2b所標記的距離l5，而第二像素電極132與第二數(shù)據(jù)線107之間的最小水平距離可如圖2a及圖2b所標記的距離l6，且距離l5小于距離l6。

圖2a及圖2b中，當(dāng)?shù)谝幌袼仉姌O130及第二像素電極132向右偏移時，第一像素電極130與第二數(shù)據(jù)線107會因其之間的水平距離縮短而導(dǎo)致其間之耦合電容量值上升，而第二像素電極132與第二數(shù)據(jù)線107則會因其之間的水平距離增加而導(dǎo)致其間的耦合電容量值下降。然而，同前所述，因第一輔助電極128(或第二輔助電極129)與第二數(shù)據(jù)線107所產(chǎn)生的耦合電容量值大于第一像素電極130(或第二像素電極132)與第二數(shù)據(jù)線107所產(chǎn)生的耦合電容量值，雖第一像素電極130及第二像素電極132與第二數(shù)據(jù)線107所產(chǎn)生的耦合電容量值發(fā)生差異，但第二數(shù)據(jù)線107與其兩側(cè)的帶電層體結(jié)構(gòu)的耦合電容差異值仍可落在可允許的范圍內(nèi)。

舉例而言，請看到表一，其中表一為比較例與實驗例的耦合電容差異值模擬結(jié)果，比較例為未使用第一輔助電極及第二輔助電極的像素結(jié)構(gòu)，而實驗例為使用第一輔助電極及第二輔助電極的像素結(jié)構(gòu)，其中實驗例之中的像素電極偏移量為0微米的結(jié)構(gòu)可雷同圖1a至圖1c所繪，而實驗例之中的像素電極偏移量為2微米的結(jié)構(gòu)可雷同圖2a及圖2b所繪。此外，關(guān)于表一中的各參數(shù)：“像素電極偏移量”表示像素電極的預(yù)設(shè)位置與所形成的像素電極的實際位置的差異量；“左側(cè)耦合電容量值”及“右側(cè)耦合電容量值”分別表示數(shù)據(jù)線與其左右兩側(cè)的帶電層體結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的耦合電容值；“耦合電容差異值”表示“左側(cè)耦合電容量值”及“右側(cè)耦合電容量值”之中的較大一者減去較小一者的數(shù)值；“耦合電容差異倍數(shù)”表示偏移量為2微米時的耦合電容差異值與偏移量為0微米時的耦合電容差異值的倍數(shù)關(guān)系。

表一比較例與實驗例的耦合電容差異值模擬結(jié)果

由表一的結(jié)果可知，于比較例之中，數(shù)據(jù)線與像素電極所產(chǎn)生的耦合電容差異倍數(shù)為15.78倍。于實驗例之中，數(shù)據(jù)線與左右兩側(cè)的帶電層體結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的耦合電容差異倍數(shù)為4.09倍。也就是說，當(dāng)像素電極產(chǎn)生偏移時，通過輔助電極，可降低數(shù)據(jù)線與其兩側(cè)的帶電層體結(jié)構(gòu)的耦合電容差異值，以使耦合電容差異值仍落在可允許的范圍內(nèi)，進而防止像素結(jié)構(gòu)有亮暗線的產(chǎn)生。

此外，雖圖1a至圖1c及圖2a至圖2b是以對應(yīng)相同條數(shù)據(jù)線的鋸齒型的像素電極排列配置，然而，上述配置僅為例示，其為說明輔助電極于像素結(jié)構(gòu)中所可發(fā)揮的功效，換言之，輔助電極也可設(shè)置于其他形式的像素電極配置，并于像素電極產(chǎn)生偏移時，提供降低耦合電容差異值的功效。

請再看到圖3a、圖3b及圖3c，其中圖3a為依據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的第二實施方式所繪示像素結(jié)構(gòu)100b的上視示意圖，圖3b繪示圖3a的區(qū)域e的放大圖，而圖3c為沿圖3b的線段f-f’的剖面示意圖。本實施方式與第一實施方式的至少一個差異點為，像素結(jié)構(gòu)100b更包含第一遮光層150及第二遮光層152，其中第一遮光層150及第二遮光層152分別位于第一像素區(qū)域及第二像素區(qū)域之中，并由第一絕緣層140覆蓋。與第一實施方式雷同，第一像素區(qū)域為位于第一數(shù)據(jù)線106與第二數(shù)據(jù)線107之間，而第一像素區(qū)域及第二像素區(qū)域為沿水平方向的連續(xù)排列的兩個像素區(qū)域。

如圖3c所示，第一輔助電極128及第一像素電極130位于第一遮光層150上方。第二輔助電極129及第二像素電極132位于第二遮光層152上方，且第一遮光層150與第二遮光層152之間的水平距離小于第一輔助電極128與第二輔助電極129之間的水平距離。例如，第一遮光層150與第二遮光層152之間的最小水平距離可如圖3b及圖3c所標記的距離l7，而第一輔助電極128與第二輔助電極129之間的最小水平距離可如圖3b及圖3c所標記的距離l8，且距離l7小于距離l8。

此外，第一掃描線104、第二掃描線105、第一遮光層128及第二遮光層129可由同一膜材圖案化制成，例如可以是由同一金屬層制成。藉由設(shè)置第一遮光層150與第二遮光層152，可在防止第二數(shù)據(jù)線107與其兩側(cè)的帶電層體結(jié)構(gòu)的耦合電容差異值過大的狀況下，進一步提供第一像素電極130及第二像素電極132于邊緣處的遮光效果，從而提高像素結(jié)構(gòu)100b的顯示品質(zhì)。

請接著再看到圖4a及圖4b。圖4a繪示當(dāng)?shù)诙嵤┓绞降南袼亟Y(jié)構(gòu)100b的像素電極發(fā)生偏移時的上視示意圖，其中圖4a所繪的區(qū)域范圍同于圖3b，而圖4b為沿圖4a的線段g-g’的剖面示意圖。相較于圖3b及圖3c所繪的第一像素電極130及第二像素電極132，圖4a及圖4b所繪的第一像素電極130及第二像素電極132為向右偏移，使得圖4a及圖4b的第一像素電極130與第二數(shù)據(jù)線107會因其之間的距離縮短而使所產(chǎn)生的耦合電容量值上升，而第二像素電極132與第二數(shù)據(jù)線107則會因其之間的距離增加而使所產(chǎn)生的耦合電容量值下降。同前所述，通過第一輔助電極128及第二輔助電極129，第二數(shù)據(jù)線107與其兩側(cè)的帶電層體結(jié)構(gòu)的耦合電容差異值仍會落在可允許的范圍內(nèi)。

舉例而言，請看到表二，其中表二為比較例與實驗例的耦合電容差異值模擬結(jié)果。表二中，比較例為同于表一的比較例，即未使用第一輔助電極及第二輔助電極的像素結(jié)構(gòu)，而實驗例為使用第一輔助電極及第二輔助電極的像素結(jié)構(gòu)，其中實驗例之中的像素電極偏移量為0微米的結(jié)構(gòu)可雷同圖3a至圖3c所繪，而實驗例之中的像素電極偏移量為2微米的結(jié)構(gòu)可雷同圖4a及圖4b所繪。此外，表二中的各參數(shù)的定義可同于表一，在此不再贅述。

表二比較例與實驗例的耦合電容差異值模擬結(jié)果

由表二的結(jié)果可知，于比較例之中，像素電極與數(shù)據(jù)線所產(chǎn)生的耦合電容差異倍數(shù)為15.78倍。于實驗例之中，數(shù)據(jù)線與其兩側(cè)的帶電層體結(jié)構(gòu)的耦合電容差異倍數(shù)為4.5倍。換言之，在有設(shè)置第一遮光層與第二遮光層的條件下，通過輔助電極，仍可防止因像素電極偏移而使數(shù)據(jù)線與其兩側(cè)的帶電層體結(jié)構(gòu)的耦合電容差異值過大的狀況發(fā)生。也就是說，即使遮光層與輔助電極同時設(shè)置于同一像素結(jié)構(gòu)之中，輔數(shù)電極仍可發(fā)揮其穩(wěn)定電容差異值的效果。

綜上所述，本發(fā)明內(nèi)容的像素結(jié)構(gòu)包含數(shù)據(jù)線、第一輔助電極、第二輔助電極及像素電極，其中數(shù)據(jù)線、第一輔助電極及第二輔助電極可通過同一道制程形成。第一輔助電極及第二輔助電極分別位于數(shù)據(jù)線的左右兩側(cè)。于像素結(jié)構(gòu)運作時，第一輔助電極及第二輔助電極可分別與數(shù)據(jù)線產(chǎn)生耦合電容，且此耦合電容的量值大于像素電極與數(shù)據(jù)線產(chǎn)生的耦合電容的量值。因此，通過第一輔助電極及第二輔助電極與數(shù)據(jù)線所產(chǎn)生的耦合電容，即使像素電極的形成位置產(chǎn)生偏移并造成其與數(shù)據(jù)線的耦合電容量值產(chǎn)生變化時，數(shù)據(jù)線與其兩側(cè)的帶電層體結(jié)構(gòu)的耦合電容差異值仍可落在可允許的范圍之內(nèi)，從而防止像素結(jié)構(gòu)產(chǎn)生亮暗線的現(xiàn)象。另一方面，設(shè)置有輔助電極的像素結(jié)構(gòu)可進一步搭配遮光層，以提供第一像素電極及第二像素電極于其邊緣處的遮光效果，從而提高像素結(jié)構(gòu)的顯示品質(zhì)。

雖然本發(fā)明已以多種實施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準。