相關(guān)申請的引證

本申請要求于2016年4月4日提交的韓國專利申請第10-2016-0041108號的優(yōu)先權(quán)以及由此產(chǎn)生的所有權(quán)益，通過引證將其全部內(nèi)容結(jié)合于此。

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及一種液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

顯示裝置的重要性隨著多媒體的發(fā)展而增加。因此，已經(jīng)使用各種類型的顯示裝置，諸如液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置、有機(jī)發(fā)光顯示(“oled”)裝置等。

在各種類型的顯示裝置之中，最廣泛使用的平板顯示裝置之一的lcd裝置，包括兩個基板，該基板設(shè)置有場生成電極，諸如像素電極和共用電極，以及布置在兩個基板之間的液晶層。lcd裝置具有將電壓施加至場生成電極以生成液晶層中的電場的結(jié)構(gòu)，并且因此確定液晶層中的液晶分子的方向并確定入射光的偏振，從而顯示圖像。

在各種類型的液晶裝置之中，已經(jīng)開發(fā)了垂直配向的lcd裝置，其中液晶分子的主軸線布置在垂直于顯示面板的方向上。垂直配向的lcd裝置已被開發(fā)為具有各種結(jié)構(gòu)，包括將一個像素分成兩個子像素以確保足夠的側(cè)面可視性的結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供一種液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置，該裝置減少用于電壓分配的信號的紋波。

本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施方式提供一種lcd裝置，該裝置解決了電流-電阻(“ir”)降現(xiàn)象。

本發(fā)明的又一個示例性實(shí)施方式提供一種lcd裝置，該裝置減少水平交叉扭矩。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，減少用于電壓分配的信號的紋波，并且因此改善了ir降現(xiàn)象。

此外，減少水平交叉扭矩。

然而，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于本文中所闡述的實(shí)施方式。通過參照以下給出的本發(fā)明的詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其他示例性實(shí)施方式對于本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將變得更加顯而易見。

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式公開了一種lcd裝置，包括：基板；第一柵極線，布置在基板上；數(shù)據(jù)線，布置在第一柵極線上；第一子像素單元，包括第一開關(guān)元件，該第一開關(guān)元件包括：與第一柵極線連接的控制電極和與數(shù)據(jù)線連接的第一電極，以及第一子像素電極，與第一開關(guān)元件的第二電極連接；第二子像素單元，包括第二開關(guān)元件，該第二開關(guān)元件包括：與第一柵極線連接的控制電極和與數(shù)據(jù)線連接的第一電極，第二子像素電極，與第二開關(guān)元件的第二電極連接，以及第三開關(guān)元件，包括與第一柵極線連接的控制電極；以及存儲配線，包括第一存儲線，其至少一部分與第一子像素電極重疊，以及第二存儲線，其至少一部分與第二子像素電極重疊。第三開關(guān)元件的第一電極可以布置在與第一存儲線和第二存儲線布置在其上的層不同的層上，并與第一存儲線和第二存儲線兩者連接，并且第三開關(guān)元件的第二電極可以與第二子像素電極連接。

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式還公開了一種lcd裝置，包括：基板；柵極線，布置在基板上；數(shù)據(jù)線，布置在柵極線上；存儲配線，包括第一存儲線和第二存儲線，布置在與柵極線布置在其上的層相同的層上，以及第三存儲線，布置在與數(shù)據(jù)線布置在其上的層相同的層上，并且與第一存儲線和第二存儲線兩者連接；第一子像素單元，包括：第一開關(guān)元件，與柵極線和數(shù)據(jù)線連接，以及第一子像素電極，其至少一部分與第一存儲線重疊，并且與第一開關(guān)元件連接；以及第二子像素單元，包括：第二開關(guān)元件，與柵極線和數(shù)據(jù)線連接，第二子像素電極，其至少一部分與第二存儲線重疊，并且與第二開關(guān)元件連接，以及第三開關(guān)元件，與第二子像素電極和第三存儲線連接。

一種lcd裝置包括：基板；第一柵極線，布置在基板上；第一數(shù)據(jù)線，布置在第一柵極線上；存儲配線，包括第一存儲線和第二存儲線，布置在與柵極線布置在其上的層相同的層上，以及第三存儲線，布置在與第一數(shù)據(jù)線布置在其上的層相同的層上，并且與第一存儲線和第二存儲線中的一個連接；第一子像素單元，包括第一開關(guān)元件，與第一柵極線和第一數(shù)據(jù)線連接，以及第一子像素電極，其至少一部分與第一存儲線重疊，并且與第一開關(guān)元件連接；以及第二子像素單元，包括第二開關(guān)元件，與第一柵極線和第一數(shù)據(jù)線連接，第二子像素電極，其至少一部分與第二存儲線重疊，并且與第二開關(guān)元件連接，以及第三開關(guān)元件，與第二子像素電極連接，其中第三存儲線與第一子像素電極和第二子像素電極兩者重疊。

附圖說明

通過參考附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，本發(fā)明的以上及其它示例性實(shí)施方式以及特征將變得更加顯而易見，其中：

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置的配置的第一像素單元的示例性實(shí)施方式的等效電路圖；

圖2是明確示出了在圖1中示出的第一像素單元的平面圖；

圖3是沿圖2的線i-i’截取的截面圖；

圖4為沿圖2的線ii-ii’截取的橫截面圖；

圖5是沿圖2的線iii-iii’和iv-iv’截取的截面圖；

圖6是示出了在圖2中示出的lcd裝置的第一柵極線、第一存儲線和第二存儲線的示意圖；

圖7是示出了在圖2中示出的lcd裝置的數(shù)據(jù)導(dǎo)體的示意圖；

圖8是示出了在圖1中示出的第一像素單元以及與之連接的第二像素單元的等效電路圖；

圖9是明確示出了在圖8中示出的第一像素單元和第二像素單元的平面圖；

圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的lcd裝置的配置的第一像素單元、第三像素單元和第四像素單元的另一個示例性實(shí)施方式的等效電路圖；

圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的lcd裝置的配置的存儲配線的示例性實(shí)施方式的示意圖；

圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的lcd裝置的配置中的反饋電路單元的示例性實(shí)施方式的示意圖；

圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明的lcd裝置的配置中的第一像素單元的另一個示例性實(shí)施方式的等效電路圖；

圖14是明確示出了在圖13中示出的第一像素單元的平面圖；

圖15是沿圖14的線v-v’截取的截面圖；

圖16是沿圖14的線vi-vi’截取的截面圖；

圖17是示出了在圖13中示出的第一像素單元和與第一像素單元相鄰的第二像素單元的等效電路圖；

圖18是明確示出了在圖17中示出的第一像素單元和第二像素單元的平面圖；以及

圖19是用于說明根據(jù)本發(fā)明的lcd裝置的效果的示例性實(shí)施方式的圖表。

具體實(shí)施方式

在以下描述中，出于說明的目的，闡述了多個具體細(xì)節(jié)，以提供對各種示例性實(shí)施方式的全面理解。然而，顯而易見的是，可在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下或者利用一個或多個等同布置，實(shí)踐各種示例性實(shí)施方式。在其他實(shí)例中，以框圖形式示出了眾所周知的結(jié)構(gòu)和裝置，以避免不必要地使各種示例性實(shí)施方式晦澀難懂。

在附圖中，層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對尺寸可以為了清晰和描述的目的而進(jìn)行放大。此外，相同參考標(biāo)號表示相同元件。

當(dāng)元件或?qū)颖环Q之為在另一個元件或?qū)印爸稀?、“連接至”或“耦接至”另一個元件或?qū)訒r，其可直接位于另一個元件或?qū)由?、連接至、或者耦接至另一個元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g元件或?qū)?。然而，?dāng)元件或?qū)颖环Q之為“直接在另一個元件或?qū)又稀?、“直接連接至”、或者“直接耦接至”另一個元件或?qū)訒r，則不存在任何中間元件或?qū)?。出于本公開的目的，“x、y以及z中的至少一個”和“選自于由x、y以及z組成的組中的至少一個”可被解釋為僅x、僅y、僅z或x、y以及z中的兩個或更多個的任意組合，諸如，例如，xyz、xyy、yz以及zz。在全文中，相同參考標(biāo)號指代相同的元件。如在本文中所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)列舉項(xiàng)的任意和所有組合。

盡管在本文中可使用術(shù)語第一、第二等來描述各個元件、部件、區(qū)域、層、和/或部分，然而，這些元件、部件、區(qū)域、層、和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語用于將一個元件、部件、區(qū)域、層、和/或部分與另一個元件、部件、區(qū)域、層、和/或部分相區(qū)分。因此，在不背離本公開的教導(dǎo)的情況下，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層、和/或部分可被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層、和/或部分。

出于描述目的，本文中可以使用諸如“在...之下(beneath)”、“在……下面(below)”、“下部(lower)”、“在……上面(above)”和“上部(upper)”等空間相對術(shù)語，以由此描述附圖中所示的一個元件或特征與其他元件或特征的關(guān)系。空間相對術(shù)語旨在包括除了附圖中所描述的定向之外在使用、操作、和/或制造中裝置的不同定向。例如，如果將圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其他元件或特征“下面”或“之下”的元件則被定向?yàn)樵谄渌蛱卣鞯摹吧厦妗?。因此，示例性術(shù)語“在…下面”可包括上面和下面兩個定向。而且，可將裝置以其他方式定向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或處于其他定向)，并且由此相應(yīng)地解釋本文中所使用的空間相對描述符。

本文中使用的術(shù)語是出于描述特定的實(shí)施方式的目的而并非旨在限制。除非上下文另有明確說明，否則如本文所使用的，單數(shù)形式“一(a)”、“一(an)”和“該(the)”旨在還包括復(fù)數(shù)形式。而且，當(dāng)術(shù)語“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”和/或“包含(including)”用于本說明書時，這些術(shù)語指示所述的特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組的存在，但并不排除一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組的存在或添加。

考慮到討論中的測量以及與特定量(即，測量系統(tǒng)的限制)的測量相關(guān)的誤差，如本文使用的“約”或“近似”包括所述值，并且表示在如由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員確定的特定值的偏差的可接受范圍內(nèi)。在示例性實(shí)施方式中，“約”可以表示在一個或多個標(biāo)準(zhǔn)偏差之內(nèi)，或者在所述值的±30％、20％、10％、5％之內(nèi)。

本文參照作為理想化的示例性實(shí)施方式和/或中間結(jié)構(gòu)的示意圖的截面圖示來對各個示例性實(shí)施方式進(jìn)行描述。因此，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或容差所產(chǎn)生的圖示的形狀上的變化。因此，本文所公開的示例性實(shí)施方式不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于具體示出的區(qū)域形狀，而是包括因諸如制造工藝等產(chǎn)生的形狀偏差。例如，被示出為矩形的注入?yún)^(qū)域通常具有圓形或者曲線特征、和/或在其邊緣有注入濃度(implantconcentration)的梯度而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣，通過注入形成的掩埋區(qū)域(buriedregion)可導(dǎo)致在掩埋區(qū)域與從中進(jìn)行注入的表面之間的區(qū)域中的某些注入。因此，附圖中示出的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，并且這些區(qū)域的形狀并不旨在示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，且不旨在對本發(fā)明進(jìn)行限制。

除非另有限定，否則，本文所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本公開是其一部分的領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。諸如通常使用的詞典中所定義的那些術(shù)語應(yīng)被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域的上下文中的含義一致的含義，并且不會以理想化或過度形式化的意義進(jìn)行解釋，除非本文中明確地如此限定。

在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。

圖1是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置的配置的第一像素單元的等效電路圖。首先，將參考圖1描述第一像素單元px1。

參照圖1，第一像素單元px1可以包括第一子像素單元spx1和第二子像素單元spx2。

第一像素單元px1可以與第一柵極線gl1和第一數(shù)據(jù)線dl1連接。第一柵極線gl1可以在第一方向d1上延伸。第一柵極線gl1可以從柵極驅(qū)動單元接收第一柵極信號g1。第一數(shù)據(jù)線dl1可以在與第一方向d1不同的第二方向d2上延伸。第一數(shù)據(jù)線dl1可以從數(shù)據(jù)驅(qū)動單元接收第一數(shù)據(jù)信號d1。第一方向d1可以與第二方向d2垂直相交。在圖1中，第一方向d1被舉例說明為行方向，并且第二方向d2被舉例說明為列方向。

第一子像素單元spx1可以包括第一開關(guān)元件tr1和第一子像素電極pe1。在一個示例性實(shí)施方式中，第一開關(guān)元件tr1可以是三端元件，諸如薄膜晶體管(“tft”)。第一開關(guān)元件tr1的控制電極可以與第一柵極線gl1連接，并且第一開關(guān)元件tr1的第一電極可以與第一數(shù)據(jù)線dl1連接。此外，第一開關(guān)元件tr1的第二電極可以與第一子像素電極pe1連接。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，第一開關(guān)元件tr1的控制電極可以是柵電極，并且第一開關(guān)元件tr1的第一電極可以是源電極。在示例性實(shí)施方式中，第一開關(guān)元件tr1的第二電極可以是漏電極。

第一開關(guān)元件tr1根據(jù)從第一柵極線gl1接收的第一柵極信號g1導(dǎo)通以便將從第一數(shù)據(jù)線dl1接收的第一數(shù)據(jù)信號d1提供至第一子像素電極pe1。

第一子像素單元spx1可以進(jìn)一步包括布置在第一子像素電極pe1和共用電極ce之間的第一液晶電容器clc1。第一液晶電容器clc1充入提供至第一子像素電極pe1的電壓和提供至共用電極ce的電壓之間的電壓差。

第二子像素單元spx2可以包括第二開關(guān)元件tr2、第三開關(guān)元件tr3和第二子像素電極pe2。在一個示例性實(shí)施方式中，第二開關(guān)元件tr2和第三開關(guān)元件tr3中的每個可以是三端元件，諸如tft。

第二開關(guān)元件tr2的控制電極可以與第一柵極線gl1連接，并且第二開關(guān)元件tr2的第一電極可以與第一數(shù)據(jù)線dl1連接。此外，第二開關(guān)元件tr2的第二電極可以與第二子像素電極pe2連接。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，第二開關(guān)元件tr2的控制電極可以是柵電極，并且第二開關(guān)元件tr2的第一電極可以是源電極。在示例性實(shí)施方式中，例如，第二開關(guān)元件tr2的第二電極可以是漏電極。

第二開關(guān)元件tr2根據(jù)從第一柵極線gl1接收的第一柵極信號g1導(dǎo)通以便將從第一數(shù)據(jù)線dl1接收的第一數(shù)據(jù)信號d1施加至第二子像素電極pe2。

第三開關(guān)元件tr3的控制電極可以與第一柵極線gl1連接，并且第三開關(guān)元件tr3的第一電極可以與第一節(jié)點(diǎn)n1連接。此外，第三開關(guān)元件tr3的第二電極可以與第二子像素電極pe2連接。在一個示例性實(shí)施方式中，第三開關(guān)元件tr3的控制電極可以是柵電極，并且第三開關(guān)元件tr3的第一電極可以是源電極。在示例性實(shí)施方式中，第三開關(guān)元件tr3的第二電極可以是漏電極。第三開關(guān)元件tr3可以通過第一節(jié)點(diǎn)n1與隨后將描述的第三存儲線rl3連接。

第三開關(guān)元件tr3根據(jù)從第一柵極線gl1接收的第一柵極信號g1導(dǎo)通以便將從第三存儲線rl3接收的存儲信號s施加至第二子像素電極pe2。第二子像素單元spx2可以進(jìn)一步包括布置在第二子像素電極pe2和共用電極ce之間的第二液晶電容器clc2。當(dāng)存儲信號s施加于第二子像素電極pe2時，施加至第二子像素電極pe2的與第一數(shù)據(jù)信號d1相對應(yīng)的電壓的部分被劃分。因此，充入第二液晶電容器clc2中的電壓的水平低于充入第一液晶電容器clc1中的電壓的水平。

因?yàn)槌淙氲谝灰壕щ娙萜鱟lc1中的電壓的水平與充入第二液晶電容器clc2中的電壓的水平不同，所以第一子像素單元spx1的液晶分子的傾角與第二子像素單元spx2的液晶分子的傾角不同。因此，第一子像素單元spx1可以與第二子像素單元spx2在亮度上不同。就是說，通過適當(dāng)調(diào)整充入第一液晶電容器clc1的電壓和充入第二液晶電容器clc2的電壓可以使從側(cè)面觀察的圖像盡可能接近從前側(cè)觀察的圖像。通過這樣，可以改善根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的lcd裝置的側(cè)面可視性。

存儲配線rd(參照圖11)可以包括第一存儲線rl1至第三存儲線rl3。第一存儲線rl1可以與第一子像素電極pe1的至少一部分重疊。第二存儲線rl2可以與第二子像素電極pe2的至少一部分重疊。在一個示例性實(shí)施方式中，直流型存儲信號s可以提供至第一存儲線rl1和第二存儲線rl2中的每個。存儲信號s的電壓水平不受特別限制，只要充入第二液晶電容器clc2中的電壓水平低于充入第一液晶電容器clc1中的電壓水平即可。

第一子像素單元spx1可以進(jìn)一步包括通過使第一子像素電極pe1和第一存儲線rl1重疊而設(shè)置的第一存儲電容器cst1。就是說，第一存儲電容器cst1的第一電極可以與第一子像素電極pe1連接，并且第一存儲電容器cst1的第二電極可以與第一存儲線rl1連接。

第二子像素單元spx2可以進(jìn)一步包括通過使第二子像素電極pe2和第二存儲線rl2重疊而設(shè)置的第二存儲電容器cst2。就是說，第二存儲電容器cst2的第一電極可以與第二子像素電極pe2連接，并且第二存儲電容器cst2的第二電極可以與第二存儲線rl2連接。

第三存儲線rl3可以通過第一節(jié)點(diǎn)n1與第三開關(guān)元件tr3的第一電極連接。此外，第三存儲線rl3可以與第一存儲線rl1和第二存儲線rl2兩者連接。因此，第三存儲線rl3可以從第一存儲線rl1和第二存儲線rl2中的每個接收存儲信號s。將參考圖2對這個配置進(jìn)行詳細(xì)地描述。

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的lcd裝置的配置的第一像素單元的等效電路圖。圖2是明確示出了在圖1中示出的第一像素單元的平面圖。圖3是沿圖2的線i-i’截取的截面圖。圖4是沿圖2的線ii-ii’截取的截面圖。圖5是沿圖2的線iii-iii’和iv-iv’截取的截面圖。圖6是示出了在圖2中示出的lcd裝置的第一柵極線、第一存儲線和第二存儲線的示意圖。圖7是示出了在圖2中示出的lcd裝置的數(shù)據(jù)導(dǎo)體的示意圖。

參照圖2至圖7，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的lcd裝置可以包括下顯示面板10、上顯示面板20和設(shè)置在兩者之間的液晶層30。下顯示面板10被布置為面向上顯示面板20。在一個示例性實(shí)施方式中，下顯示面板10可以通過密封附接至上顯示面板20。

為了便于說明，第一開關(guān)元件tr1的第一電極和第二電極分別由第一源電極se1和第一漏電極de1表示。第二開關(guān)元件tr2的第一電極和第二電極分別由第二源電極se2和第二漏電極de2表示。第三開關(guān)元件tr3的第一電極和第二電極分別由第三源電極se3和第三漏電極de3表示。

首先，將描述下顯示面板10。

第一柵極線gl1、第一柵電極ge1至第三柵電極ge3、第一存儲線rl1以及第二存儲線rl2布置在下基板110上。在一個示例性實(shí)施方式中，下基板110可以是透明玻璃基板、透明塑料基板等。

第一柵極線gl1可以被布置為在第一方向d1上延伸。第一柵電極ge1至第三柵電極ge3可以與第一柵極線gl1連接。

在一個示例性實(shí)施方式中，第一柵極線gl1和第一柵電極ge1至第三柵電極ge3中的每個可以包括單層薄膜、雙層薄膜或三層薄膜，該薄膜包括一種、兩種或三種導(dǎo)電金屬，該導(dǎo)電金屬包括鋁(al)、銅(cu)、鉬(mo)、鉻(cr)、鈦(ti)、鎢(w)、鉬-鎢(mow)、鉬-鈦(moti)和銅/鉬-鈦(cu/moti)中的至少一種。

參照圖6，第一存儲線rl1和第二存儲線rl2可以布置在下基板110上(參照圖3至圖5)。就是說，第一存儲線rl1和第二存儲線rl2可以布置在與第一柵極線gl1和第一柵電極ge1至第三柵電極ge3布置在其上的層相同的層上，并且可以與第一柵極線gl1和第一柵電極ge1至第三柵電極ge3絕緣。在一個示例性實(shí)施方式中，第一存儲線rl1和第二存儲線rl2可以包括與第一柵極線gl1和第一柵電極ge1至第三柵電極ge3的材料相同的材料。此外，在一個示例性實(shí)施方式中，第一存儲線rl1和第二存儲線rl2可以通過相同的掩模處理與第一柵極線gl1和第一柵電極ge1至第三柵電極ge3一起同時設(shè)置。

基于圖2，第一存儲線rl1可以布置在第一柵極線gl1上面。就是說，第一存儲線rl1的至少一部分可以被布置為與隨后描述的第一子像素電極pe1重疊。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，第一存儲線rl1可具有圍繞第一子像素電極pe1的方形環(huán)形狀。然而，第一存儲線rl1的形狀和尺寸不限于在圖2中示出的形狀和尺寸。

基于圖2，第二存儲線rl2可以布置在第一柵極線gl1下面。第二存儲線rl2可以包括在第一方向d1上延伸的水平部分rl2a和在第二方向d2上延伸的垂直部分rl2b。第二存儲線rl2的水平部分rl2a可以與位于與第一像素單元px1相鄰的另一個像素單元的區(qū)域中的存儲線連接。第二存儲線rl2的垂直部分rl2b的至少一部分可以被布置為與第二子像素電極pe2重疊。

在一個示例性實(shí)施方式中，第二存儲線rl2的垂直部分rl2b可以被布置為橫穿第二子像素電極pe2的中心。更具體地，第二存儲線rl2的垂直部分rl2b可以在第二方向d2上延伸以便與隨后描述的第二子像素電極pe2的第二主干部分pe2b重疊。然而，第二存儲線rl2的形狀和尺寸不限于在圖2中示出的形狀和尺寸。

柵極絕緣膜120可以布置在第一柵極線gl1、第一柵電極ge1至第三柵電極ge3、第一存儲線rl1以及第二存儲線rl2上。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，柵極絕緣膜120可以包括氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)中的至少一個。柵極絕緣膜120可具有多個薄膜結(jié)構(gòu)，該薄膜結(jié)構(gòu)包括物理性能彼此不同的至少兩個絕緣層。

半導(dǎo)體層130可以布置在柵極絕緣膜120上。半導(dǎo)體層130可以包括第一開關(guān)元件tr1至第三開關(guān)元件tr3的溝道區(qū)域。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，半導(dǎo)體層130可以包括氧化物半導(dǎo)體。就是說，半導(dǎo)體層130可以包括選自igzo(in-ga-鋅-氧化物)、zno、zno2、cdo、sro、sro2、cao、cao2、mgo、mgo2、ino、in2o2、gao、ga2o、ga2o3、sno、sno2、geo、geo2、pbo、pb2o3、pb3o4、tio、tio2、ti2o3和ti3o5的一種氧化物半導(dǎo)體。在另一個示例性實(shí)施方式中，例如，半導(dǎo)體層130可以包括非晶硅或多晶硅。

電阻接觸層140可以布置在半導(dǎo)體層130上。在一個示例性實(shí)施方式中，電阻接觸層140可以包括摻雜有高濃度的n型雜質(zhì)(諸如磷)的n+氫化非晶硅或者可以包括硅化物。在另一個示例性實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體層130包括氧化物半導(dǎo)體時，電阻接觸層140可以省去。在說明書中，將描述電阻接觸層140布置在半導(dǎo)體層130上的實(shí)例。

參照圖7，數(shù)據(jù)導(dǎo)體dw可以布置在柵極絕緣膜120(參照圖3至圖5)和電阻接觸層140(參照圖3至圖5)上。在一個示例性實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)導(dǎo)體dw可以包括單層薄膜、雙層薄膜或三層薄膜，該薄膜包括一種、兩種或三種導(dǎo)電金屬，該導(dǎo)電金屬包括鋁(al)、銅(cu)、鉬(mo)、鉻(cr)、鈦(ti)、鎢(w)、鉬-鎢(mow)、鉬-鈦(moti)和銅/鉬-鈦(cu/moti)中的至少一種。然而，本發(fā)明不限于此，并且數(shù)據(jù)導(dǎo)體dw可以包括各種金屬或?qū)w。

在一個示例性實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)導(dǎo)體dw可以通過相同的掩模處理與半導(dǎo)體層130和電阻接觸層140一起同時設(shè)置。在這種情況下，數(shù)據(jù)導(dǎo)體dw可具有與半導(dǎo)體層130的形狀大致相同的形狀，除第一開關(guān)元件tr1至第三開關(guān)元件tr3在半導(dǎo)體層130中的溝道區(qū)域之外。隨后將描述第一開關(guān)元件tr1至第三開關(guān)元件tr3的溝道區(qū)域。

數(shù)據(jù)導(dǎo)體dw可以包括第一數(shù)據(jù)線dl1、第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1、第一漏電極de1、第二源電極se2、第二漏電極de2、第三源電極se3和第三漏電極de3。

第一源電極se1、第一漏電極de1和第一柵電極ge1提供第一開關(guān)元件tr1。第一開關(guān)元件tr1的第一源電極se1可以與第一數(shù)據(jù)線dl1連接。第一開關(guān)元件tr1的第一漏電極de1可以通過第一接觸孔cnt1與第一子像素電極pe1連接。第一開關(guān)元件tr1的第一源電極se1可以被布置為在相同的層上與第一開關(guān)元件tr1的第一漏電極de1間隔開預(yù)定距離。第一開關(guān)元件tr1的溝道區(qū)域可以根據(jù)通過第一柵電極ge1提供的第一柵極信號g1限定在第一源電極se1和第一漏電極de1之間。

第二源電極se2、第二漏電極de2和第二柵電極ge2提供第二開關(guān)元件tr2。第二開關(guān)元件tr2的第二源電極se2可以與第一數(shù)據(jù)線dl1連接。第二開關(guān)元件tr2的第二漏電極de2可以通過第二接觸孔cnt2與第二子像素電極pe2連接。第二開關(guān)元件tr2的第二源電極se2可以被布置為在相同的層上與第二開關(guān)元件tr2的第二漏電極de2間隔開預(yù)定距離。第二開關(guān)元件tr2的溝道區(qū)域可以根據(jù)通過第二柵電極ge2提供的第一柵極信號g1限定在第二源電極se2和第二漏電極de2之間。

第二開關(guān)元件tr2可以進(jìn)一步包括從第二漏電極de2延伸并且與第二存儲線rl2的水平部分rl2a重疊的漏電極延長部dep1。漏電極延長部dep1與第二存儲線rl2的水平部分rl2a重疊，從而增加了第二存儲電容器cst2的電容分量。此外，跳變電壓可以通過第二開關(guān)元件tr2中的第二柵電極ge2和第二漏電極de2之間的寄生分量減少。

第三源電極se3、第三漏電極de3和第三柵電極ge3提供第三開關(guān)元件tr3。第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3可以與第一存儲線rl1和第二存儲線rl2兩者連接。就是說，第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3可具有與上述第三存儲線rl3的配置相同的配置。因此，第三存儲線rl3布置在與第一存儲線rl1和第二存儲線rl2布置在其上的層不同的層上。在下文中，在一些情況下，第三存儲線rl3和第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3將彼此可互換地使用。

更具體地，第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3可以通過第三接觸孔cnt3與第一存儲線rl1連接。此外，第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3可以通過第四接觸孔cnt4與第二存儲線rl2連接。因此，第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3可以與所有的第一存儲線rl1、第二存儲線rl2和第一柵極線gl1重疊。

第三開關(guān)元件tr3的第三漏電極de3可以與第二子像素電極pe2連接。就是說，第三開關(guān)元件tr3將從第一存儲線rl1和第二存儲線rl2接收的存儲信號s提供至第二子像素電極pe2，從而劃分充入第二液晶電容器clc2中的電壓。

因此，第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3可以分別通過第三接觸孔cnt3和第四接觸孔cnt4與第一存儲線rl1和第二存儲線rl2兩者連接。因此，完全布置在第一方向d1上的所有的第一存儲線rl1和第二存儲線rl2的水平部分rl2a，以及完全布置在第二方向d2上的第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3和第二存儲線rl2的垂直部分rl2b在第一子像素單元px1的區(qū)域中以網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)連接。通過這樣，可以減少提供存儲信號的第一存儲線rl1至第三存儲線rl3的電阻分量，并且，因此，可以防止提供至第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3的存儲信號s的電流-電阻(“ir”)降現(xiàn)象。

第一存儲線rl1和第二存儲線rl2與隨后描述的阻擋電極180絕緣。因此，第一存儲線rl1和第二存儲線rl2可以獨(dú)立于阻擋電極180進(jìn)行電壓驅(qū)動。此外，所有的第一存儲線rl1、第二存儲線rl2和第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3均包括金屬，從而減少電阻分量。此外，所有的第一存儲線rl1、第二存儲線rl2和第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3被連接形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而減少存儲信號s的紋波分量。

第三開關(guān)元件tr3可以進(jìn)一步包括布置在第三源電極se3和第三漏電極de3之間的浮置電極fe。就是說，在一個示例性實(shí)施方式中，例如，第三開關(guān)元件tr3可以是場弛豫晶體管。

第一鈍化膜150可以布置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體dw和柵極絕緣膜120上。在一個示例性實(shí)施方式中，第一鈍化膜150可包括諸如氮化硅或氧化硅的無機(jī)絕緣材料。第一鈍化膜150可以防止隨后描述的有機(jī)絕緣膜160的顏料流動至半導(dǎo)體層130的暴露部分中。

有機(jī)絕緣膜160可以布置在第一鈍化膜150上。有機(jī)絕緣膜160具有優(yōu)異的平面化特性，并且可以包括具有光敏性的有機(jī)材料。在另一個示例性實(shí)施方式中，有機(jī)絕緣膜160還可以被省略。

盡管在附圖中未示出，但濾色器可以布置在第一鈍化膜150上。就是說，濾色器可以布置在第一鈍化膜150和有機(jī)絕緣膜160之間。在一個示例性實(shí)施方式中，濾色器可以顯示三原色之一，諸如紅色r、綠色g和藍(lán)色b，但本發(fā)明不限于此。濾色器可以包括顯示每個相鄰的像素的不同的顏色的材料。濾色器還可以布置在隨后描述的上顯示面板20之上。

第二鈍化膜170可以布置在有機(jī)絕緣膜160上。在一個示例性實(shí)施方式中，第二鈍化膜170可包括諸如氮化硅或氧化硅的無機(jī)絕緣材料。第二鈍化膜170可以防止有機(jī)絕緣膜160的上部部分向上抬起，并且可以防止由于從有機(jī)絕緣膜160流入的有機(jī)材料(諸如溶劑)而導(dǎo)致的液晶層30的污染，以便防止在驅(qū)動屏幕的時候可能引起的殘留余像的故障。

第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2可以布置在第二鈍化膜170上。第一子像素電極pe1可以與第一開關(guān)電極tr1的第一漏電極de1連接，第一漏電極de1通過第一接觸孔cnt1暴露。第二子像素電極pe2可以與第二開關(guān)電極tr2的第二漏電極de2連接，第二漏電極de2通過第二接觸孔cnt2暴露。在一個示例性實(shí)施方式中，第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2可以包括透明導(dǎo)電材料，諸如氧化銦錫(“ito”)或氧化銦鋅(“izo”)，或者可以包括反射金屬，諸如鋁、銀、鉻或它們的合金。

第一子像素電極pe1可以包括在第一方向d1上延伸的第一主干部分pe1a、在第二方向d2上延伸的第二主干部分pe1b、以及分別從第一主干部分pe1a和第二主干部分pe1b延伸的多個分支部分pe1c。此外，多個第一狹縫slt1可以在多個分支部分pe1c之間限定在第一子像素電極pe1中。第二子像素電極pe2可以包括在第一方向d1上延伸的第一主干部分pe2a、在第二方向d2上延伸的第二主干部分pe2b、以及分別從第一主干部分pe2a和第二主干部分pe2b延伸的多個分支部分pe2c。此外，多個第二狹縫slt2可以在多個分支部分pe2c之間限定在第二子像素電極pe2中。

例如，在一個示例性實(shí)施方式中，將描述第一子像素電極pe1的情況。第一子像素電極pe1的多個第一狹縫slt1生成隨后描述的共用電極ce和第一子像素電極pe1之間的邊緣場，以允許多個液晶分子31在預(yù)定方向上旋轉(zhuǎn)。阻擋電極180可以布置在第二鈍化膜170上。阻擋電極180以及第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2可以布置在相同的層上。阻擋電極180可以被布置為與包括第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2的多個數(shù)據(jù)線重疊。因此，阻擋電極180可以防止由于多個數(shù)據(jù)線與鄰近于每個數(shù)據(jù)線的多個子像素電極的耦合所引起的光漏現(xiàn)象。

在一個示例性實(shí)施方式中，阻擋電極180可包括透明導(dǎo)電材料，諸如ito或izo，或者可以包括反射金屬，諸如鋁、銀、鉻或它們的合金。在一個示例性實(shí)施方式中，阻擋電極180可以與第一像素單元px1外面的共用電極ce連接以接收共用電壓。

第一浮置電極180a和第二浮置電極180b可以布置在第二鈍化膜170上，以布置在與阻擋電極180布置在其上的層相同的層上。第一浮置電極180a可以被設(shè)置為覆蓋第三接觸孔cnt3。第二浮置電極180b可以被設(shè)置為覆蓋第四接觸孔cnt4。

更具體地，第一浮置電極180a可以將第一存儲線rl1與第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3連接。此外，第二浮置電極180b可以將第二存儲線rl2與第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3連接。就是說，第一浮置電極180a用作第一存儲線rl1和第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3之間的橋電極。此外，第二浮置電極180b用作第二存儲線rl2和第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3之間的橋電極。

第一浮置電極180a和第二浮置電極180b可以分別與布置在相同的層上的阻擋電極180以及第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2絕緣。

第一浮置電極180a可以通過第三接觸孔cnt3將第一存儲線rl1與第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3連接。第二浮置電極180b可以通過第四接觸孔cnt4將第二存儲線rl2與第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3連接。在一個示例性實(shí)施方式中，第一浮置電極180a和第二浮置電極180b可以包括透明導(dǎo)電材料，諸如ito或izo，或者可以包括反射金屬，諸如鋁、銀、鉻或它們的合金。

盡管在附圖中未示出，但第一配向膜可以布置在第一子像素電極pe1、第二子像素電極pe2、阻擋電極180以及第一浮置電極180a和第二浮置電極180b上。在一個示例性實(shí)施方式中，第一配向膜可以包括聚酰亞胺。

接著，將描述上顯示面板20。

上顯示面板20可以被布置為面向下顯示面板10。上顯示面板20可以包括透明玻璃或透明塑料。在一個示例性實(shí)施方式中，上顯示面板20可以包括與下顯示面板10的材料相同的材料。

用于阻擋光透射至除像素區(qū)域以外的區(qū)域的黑矩陣bm可以布置在上基板190上。在一個示例性實(shí)施方式中，黑矩陣bm可以包括包含有機(jī)物或鉻的金屬材料。

保護(hù)層200可以布置在上基板190和黑矩陣bm上。保護(hù)層200可以包括絕緣材料。在一些情況下可以省去保護(hù)層200。

共用電極ce可布置在保護(hù)層200上。共用電極ce的至少一部分可以被布置為與第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2重疊。共用電極ce可以連同第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2中的每個一起生成電場。多個液晶分子31可以根據(jù)生成的電場配向。

然而，如上所述，因?yàn)槌淙氲诙壕щ娙萜鱟lc2的電壓的水平低于充入第一液晶電容器clc1的電壓的水平，所以位于第二子像素電極pe2和共用電極ce之間的多個液晶分子的配向狀態(tài)與位于第一子像素電極pe1和共用電極ce之間的多個液晶分子的配向狀態(tài)不同。

盡管在附圖中未示出，但第二配向膜(未示出)可以布置在共用電極ce上。第二配向膜可以包括聚酰亞胺。

圖8是示出了在圖1中示出的第一像素單元以及與之連接的第二像素單元的等效電路圖。然而，將不會重復(fù)已經(jīng)在第一像素單元px1中描述的重復(fù)的內(nèi)容。

參照圖8，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的lcd裝置可以進(jìn)一步包括鄰近于第一像素單元px1的第二像素單元px2。第二像素單元px2可以包括第三子像素單元spx3和第四子像素單元spx4。

第三子像素單元spx3可以包括連接至第二柵極線gl2和第一數(shù)據(jù)線dl1的第四開關(guān)元件tr4，以及與第四開關(guān)元件tr4連接的第三子像素電極pe3。第三子像素電極pe3的至少一部分可以與第四存儲線rl4重疊。

第四子像素單元spx4可以包括連接至第二柵極線gl2和第一數(shù)據(jù)線dl1的第五開關(guān)元件tr5，以及與第五開關(guān)元件tr5連接的第四子像素電極pe4。第四子像素單元spx4可以進(jìn)一步包括與第二柵極線、第四子像素電極pe4和第六存儲線rl6連接的第六開關(guān)元件tr6。第五開關(guān)元件tr5可以經(jīng)由第二節(jié)點(diǎn)n2連接至第四存儲線rl4。

第四子像素電極pe4的至少一部分可以與第五存儲線rl5重疊。此外，第六存儲線rl6可以與第四存儲線rl4和第五存儲線rl5兩者連接。此外，第四存儲線rl4可以與第二存儲線rl2的垂直部分rl2b連接。

就是說，第二像素單元px2可以鄰近于第一像素單元px1布置。在說明書中，表述“彼此相鄰布置的兩個配置”意味著與這兩個配置相同的配置不布置在這兩個配置之間。在下文中，將參照圖9更詳細(xì)地描述這個配置。

圖9是明確示出了在圖8中示出的第一像素單元和第二像素單元的平面圖。然而，將不會重復(fù)已經(jīng)在第一像素單元px1中描述的重復(fù)的內(nèi)容。在下文中，將詳細(xì)描述第四存儲線rl4、第五存儲線rl5、第六存儲線rl6和第六開關(guān)元件tr6。

第四存儲線rl4可具有圍繞第三子像素電極pe3的方形環(huán)形狀。第三子像素電極pe3可以包括在第一方向d1上延伸的第一主干部分pe3a、在第二方向d2上延伸的第二主干部分pe3b、以及分別從第一主干部分pe3a和第二主干部分pe3b延伸的多個分支部分pe3c。第三子像素電極pe3可以通過第五接觸孔cnt5連接至第四開關(guān)元件tr4。第四存儲線rl4可以與第二存儲線rl2的垂直部分rl2b連接。第五存儲線rl5可以包括在第一方向d1上延伸的水平部分rl5a和在第二方向d2上延伸的垂直部分rl5b。第五存儲線rl5的垂直部分rl5b可以被布置為與第四子像素電極pe4重疊，并且，在一個示例性實(shí)施方式中，可以被布置為橫穿第四子像素電極pe4的中心。第四存儲線rl4和第五存儲線rl5可以布置在與第一存儲線rl1、第二存儲線rl2和第一柵極線gl1相同的層上。

第六存儲線rl6可具有與第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6相同的配置。因?yàn)榈诹_關(guān)元件tr6的第六源電極se6布置在與第一數(shù)據(jù)線dl1相同的層上，所以第六存儲線rl6布置在與第四存儲線rl4和第五存儲線rl5布置在其上的層不同的層上。在下文中，在一些情況下，第六存儲線rl6和第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6將彼此可互換地使用。

第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6可以通過第七接觸孔cnt7與第五存儲線rl5連接。此外，第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6可以通過第八接觸孔cnt8與第五存儲線rl5連接。因此，第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6可以與所有的第四存儲線rl4、第五存儲線rl5和第二柵極線gl2重疊。

第六開關(guān)元件tr6的第六漏電極de6可以與第四子像素電極pe4連接。就是說，第六開關(guān)元件tr6將從第四存儲線rl4和第五存儲線rl5接收的存儲信號s提供至第四子像素電極pe4，從而劃分充入第四液晶電容器clc4中的電壓。第六開關(guān)元件tr6可以進(jìn)一步包括從第六漏電極de6延伸的漏電極延長部dep2。

因此，第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6可以分別通過第七接觸孔cnt7和第八接觸孔cnt8與第四存儲線rl4和第五存儲線rl5兩者連接。第三浮置電極180c和第四浮置電極180d可以分別覆蓋第七接觸孔cnt7和第八接觸孔cnt8。

因?yàn)榈诙鎯€rl2的垂直部分rl2b與第四存儲線rl4連接，所以位于第一像素單元px1和第二像素單元px2的區(qū)域中的所有的第一存儲線rl1至第六存儲線rl6彼此連接。就是說，例如，第一存儲線rl1至第六存儲線rl6在形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的同時彼此連接。通過這樣，可以減少提供存儲信號s的第一存儲線rl1至第六存儲線rl6的電阻分量，并且，因此，可以防止提供至第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3的存儲信號s的ir降現(xiàn)象。

第五開關(guān)元件tr5可以通過第六接觸孔cnt6連接至第四子像素電極pe4。

第六開關(guān)元件tr6可以進(jìn)一步包括布置在第六源電極se6和第六漏電極de6之間的浮置電極fea。就是說，例如，在一個示例性實(shí)施方式中，第六開關(guān)元件tr6可以是場弛豫晶體管。

圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施方式的lcd裝置的配置的第一像素單元、第三像素單元和第四像素單元的等效電路圖。然而，將不會重復(fù)已經(jīng)參照圖1至圖9描述的重復(fù)的內(nèi)容。此外，在圖10中，將不會使用第二像素單元px2以避免與圖9中已經(jīng)描述的第二像素單元px2混淆。

參照圖10，根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施方式的lcd裝置可以包括第一像素單元px1、第三像素單元px3和第四像素單元px4。將不會重復(fù)已經(jīng)參照圖1至圖9在第一像素單元px1中描述的重復(fù)的內(nèi)容。

在一個示例性實(shí)施方式中，例如，第一像素單元px1可以顯示藍(lán)顏色。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，第三像素單元px3和第四像素單元px4可以顯示紅顏色和綠顏色中的一種顏色。在下文中，例如，將描述第三像素單元px3顯示紅顏色并且第四像素單元px4顯示綠顏色。

第三像素單元px3可以包括具有第九開關(guān)元件tr9的第六子像素單元spx6。第九開關(guān)元件tr9可以與第一柵極線gl1、第六子像素電極pe6和第二存儲線rl2連接。第四像素單元px4可以包括具有第十二開關(guān)元件tr12的第八子像素單元spx8。第十二開關(guān)元件tr12可以與第一柵極線gl1、第八子像素電極pe8和第二存儲線rl2連接。在下文中，將代表性地描述第九開關(guān)元件tr9。

第九開關(guān)元件tr9可以與第一存儲線rl1和第二存儲線rl2中的僅一個連接。在說明書中，例如，將描述第九開關(guān)元件tr9與第二存儲線rl2連接。就是說，第九開關(guān)元件tr9不與第一存儲線rl1連接。

因此，僅顯示藍(lán)顏色的第一像素單元px1的第三開關(guān)元件tr3與第一存儲線rl1和第二存儲線rl2兩者連接，并且顯示與由第一像素單元px1顯示的顏色不同的顏色的第三像素單元px3和第四像素單元px4的第九開關(guān)元件tr9和第十二開關(guān)元件tr12不與第一存儲線rl1連接。

在一個示例性實(shí)施方式中，第五子像素單元spx5包括第七開關(guān)元件tr7、第五液晶電容器clc5、第五存儲電容器cst5和第五像素電極pe5，子像素單元spx6包括第八開關(guān)元件tr8、液晶電容器clc6和存儲電容器cst6，子像素單元spx7可以包括tr10、第七像素電極pe7、第七液晶電容器clc7和第七存儲電容器cst7，并且子像素單元spx8可以包括第十一開關(guān)元件tr11、第八液晶電容器clc8和第八存儲電容器cst8。

圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的lcd裝置的配置的存儲配線的示意圖。

如上所述的存儲配線rd被設(shè)置為在顯示區(qū)域100中具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。存儲配線rd可以通過布置在外部區(qū)域410中的多個數(shù)據(jù)集成電路(“ic”)300接收存儲信號s。在圖11中示出數(shù)據(jù)集成電路300的數(shù)量是四。然而，本發(fā)明并不限于此。

就是說，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的lcd裝置中，因?yàn)榇鎯ε渚€rd具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，所以可以減少電阻分量，以防止存儲信號s的電壓降。

第一存儲信號施加線rdl1和第二存儲信號施加線rdl2可以在圖11中的第二方向d2上延伸，并且可以布置在第一方向d1的兩端以便與存儲配線rd連接。在此，第一存儲信號施加線rdl1和第二存儲信號施加線rdl2中的每個的厚度大于存儲配線rd的厚度。

圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的lcd裝置的配置中的反饋電路單元的示意圖。

參照圖12，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的lcd裝置可以進(jìn)一步包括第三存儲信號施加線rdl3a和rdl3b。

在一個示例性實(shí)施方式中，第三存儲信號施加線rdl3a和rdl3b在第一方向d1上延伸以便與存儲配線rd中的位于顯示區(qū)域100的中心處的配線連接。在圖12中示出設(shè)置兩個第三存儲信號施加線rdl3a和rdl3b，但本發(fā)明不限于此。就是說，可以設(shè)置一個第三存儲信號施加線，并且也可以設(shè)置多個第三存儲信號施加線。在下文中，例如，將描述設(shè)置兩個第三存儲信號施加線rdl3a和rdl3b。

兩個第三存儲信號施加線rdl3a和rdl3b可以分別與兩個反饋電路單元300a和300b連接。更具體地，反饋電路單元300a檢測來自第三存儲信號施加線rdl3a的一端的存儲信號s，上述其一端是在其兩端中接近顯示區(qū)域100的中心的一端，并且補(bǔ)償檢測到的存儲信號s的紋波。然后，反饋電路單元300a將經(jīng)補(bǔ)償?shù)拇鎯π盘杝提供至第三存儲信號施加線rdl3a的第二端。

與此相似地，反饋電路單元300b檢測來自第三存儲信號施加線rdl3b的一端的存儲信號s，上述其一端是在其兩端中接近顯示區(qū)域100的中心的一端，并且補(bǔ)償檢測到的存儲信號s的紋波。然后，反饋電路單元300b將經(jīng)補(bǔ)償?shù)拇鎯π盘杝提供至第三存儲信號施加線rdl3b的第二端。

因此，被移去紋波分量的存儲信號s可以通過補(bǔ)償存儲信號s的紋波分量被提供至與存儲配線rd連接的像素單元。

反饋電路單元的數(shù)量可以根據(jù)形成第三存儲信號施加線rdl3a和rdl3b的方法而改變。此外，反饋電路單元300a和300b的具體電路配置不受特定限制，只要可以移去輸入信號的紋波分量即可。

圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施方式的lcd裝置的配置的第一像素單元的等效電路圖。圖14是明確示出了在圖13中示出的第一像素單元的平面圖。圖15是沿圖14的線v-v’截取的截面圖。圖16是沿圖14的線vi-vi’截取的截面圖。為了便于說明，在圖1至圖9中已經(jīng)使用的參考標(biāo)號將以同樣方式使用，并且不會重復(fù)已經(jīng)參照圖1至圖9描述的重復(fù)的內(nèi)容。

參照圖13至圖16，根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施方式的lcd裝置可以包括第一像素單元px1和第二像素單元px2(參照圖8)。

第一像素單元px1可以包括第一子像素單元spx1和第二子像素單元spx2。

第一子像素單元spx1可以包括第一開關(guān)元件tr1、第一液晶電容器clc1、第一存儲電容器cst1和第一子像素電極pe1。第一開關(guān)元件tr1根據(jù)從第一柵極線gl1接收的第一柵極信號g1導(dǎo)通以便將從第一數(shù)據(jù)線dl1接收的第一數(shù)據(jù)信號d1提供至第一子像素電極pe1。第一液晶電容器clc1充入提供至第一子像素電極pe1的電壓和提供至共用電極ce的電壓之間的電壓差。

第二子像素單元spx2可以包括第二開關(guān)元件tr2、第三開關(guān)元件tr3、第二液晶電容器clc2、第二存儲電容器cst2和第二子像素電極pe2。

第二開關(guān)元件tr2根據(jù)從第一柵極線gl1接收的第一柵極信號g1導(dǎo)通以便將從第一數(shù)據(jù)線dl1接收的第一數(shù)據(jù)信號d1施加至第二子像素電極pe2。

第三開關(guān)元件tr3可以與第一柵極線gl1、第三存儲線rl3和第二子像素電極pe2連接。第三開關(guān)元件tr3根據(jù)從第一柵極線gl1接收的第一柵極信號g1導(dǎo)通以便將從第三存儲線rl3接收的存儲信號s施加至第二子像素電極pe2。

因此，第二液晶電容器clc2充入提供至第二子像素電極pe2的電壓和提供至共用電極ce的電壓之間的電壓差，但是充入的電壓在第三開關(guān)元件tr3導(dǎo)通時被劃分。因此，充入第二液晶電容器clc2中的電壓的水平低于充入第一液晶電容器clc1中的電壓的水平。

就是說，在第一像素單元px1中，因?yàn)槌淙氲谝灰壕щ娙萜鱟lc1中的電壓的水平與充入第二液晶電容器clc2中的電壓的水平不同，所以第一子像素單元spx1的液晶分子的傾角與第二子像素單元spx2的液晶分子的傾角不同。因此，第一子像素單元spx1可以與第二子像素單元spx2在亮度上不同。

存儲配線rd(參照圖11)可以包括第一存儲線rl1至第三存儲線rl3。第一存儲線rl1的至少一部分可以與第一子像素電極pe1重疊。第二存儲線rl2的至少一部分可以與第二子像素電極pe2重疊。第二存儲線rl2可以包括在第一方向d1上延伸的水平部分rl2a和在第二方向d2上延伸的垂直部分rl2b。

第三存儲線rl3可以通過第一節(jié)點(diǎn)n1與第三開關(guān)元件tr3的第一電極連接。此外，第三存儲線rl3與第一存儲線rl1和第二存儲線rl2中的一個連接。因此，第三存儲線rl3與第一存儲線rl1和第二存儲線rl2中的剩余的一個絕緣。在一個示例性實(shí)施方式中，在第三存儲線rl3與第二存儲線rl2連接時，第三存儲線rl3與第一存儲線rl1絕緣。在說明書中，舉例說明第三存儲線rl3與第二存儲線rl2連接，并且與第一存儲線rl1絕緣。

第三存儲線rl3可以布置在與第一存儲線rl1和第二存儲線rl2中的每個不同的層上。參照圖15和圖16，第一存儲線rl1和第二存儲線rl2中的每個可以布置在與第一柵極線gl1布置在其上的層相同的層上。此外，第三存儲線rl3可以布置在與第一數(shù)據(jù)線dl1布置在其上的層相同的層上。

第三存儲線rl3可具有與第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3相同的配置。在下文中，在一些情況下，第三存儲線rl3和第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3將彼此可互換地使用。

將更詳細(xì)地描述第三開關(guān)元件tr3。第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3可以通過第三接觸孔cnt3與第二存儲線rl2連接。更具體地，第一浮置電極180a被設(shè)置為覆蓋第三接觸孔cnt3，以便將第二存儲線rl2與第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3連接。

此外，第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3可以與第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2兩者重疊。在一個示例性實(shí)施方式中，第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3可以在第二方向d2上延伸以便橫穿第一子像素電極pe1的中心和第二子像素電極pe2的中心中的每個。第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3在第二方向d2上延伸以便與位于與鄰近于第一柵極線gl1的第二柵極線gl2連接的像素單元區(qū)域中的開關(guān)元件的源電極連接。隨后將描述這個配置。

就是說，在根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施方式的lcd裝置中，第三存儲線，即，第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3本身延伸為與第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2中的每個重疊。此外，第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3可以與第一存儲線rl1和第二存儲線rl2中的任意一個連接。在一個示例性實(shí)施方式中，第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3可以延伸為與第一子像素電極pe1的第二主干部分pe1b和第二子像素電極pe2的第二主干部分pe2b中的每個重疊。因此，在第一方向d1上延伸的第一存儲線rl1和第二存儲線rl2與在第二方向d2上延伸的第三存儲線rl3連接以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。因此，第一存儲線rl1至第三存儲線rl3的電阻分量減少，以防止提供至第三開關(guān)元件tr3的存儲信號s的ir降現(xiàn)象。將參照圖17和圖18描述相鄰的像素單元之間的關(guān)系。

圖17是示出了在圖13中示出的第一像素單元和與第一像素單元相鄰的第二像素單元的等效電路圖。圖18是明確示出了在圖17中示出的第一像素單元和第二像素單元的平面圖。然而，將不會重復(fù)已經(jīng)參照圖1至圖10和圖13至圖16描述的重復(fù)的內(nèi)容。

根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施方式的lcd裝置可以包括第一像素單元px1和與之相鄰的第二像素單元px2。第二像素單元px2可以包括第三子像素單元spx3和第四子像素單元spx4。

第三子像素單元spx3可以包括第四開關(guān)元件tr4、第三液晶電容器clc3、第三存儲電容器cst3和第三子像素電極pe3。

第四開關(guān)元件tr4的第四源電極se4可以與第二數(shù)據(jù)線dl2連接，并且第四開關(guān)元件tr4的第四漏電極de4可以與第三子像素電極pe3連接。此外，第四開關(guān)元件tr4的第四柵電極ge4可以與第二柵極線gl2連接。因此，第四開關(guān)元件tr4根據(jù)從第二柵極線gl2接收的第二柵極信號g2導(dǎo)通以將從第二數(shù)據(jù)線dl2接收的第二數(shù)據(jù)信號d2施加至第三子像素電極pe3。

第三液晶電容器clc3充入提供至第三子像素電極pe3的電壓和提供至共用電極ce的電壓之間的電壓差。此外，第三子像素電極pe3的至少一部分可以與第四存儲線rl4重疊。因此，第三子像素單元spx3可以包括布置在第三子像素電極pe3和第四存儲線rl4之間的第三存儲電容器。

在一個示例性實(shí)施方式中，第四存儲線rl4可以被設(shè)置為圍繞第三子像素電極pe3的外周。此外，第四存儲線rl4可以與第二存儲線rl2的垂直部分rl2b連接。

第四子像素單元spx4可以包括第五開關(guān)元件tr5、第六開關(guān)元件tr6、第四液晶電容器clc4、第四存儲電容器cst4和第四子像素電極pe4。

第五開關(guān)元件tr5的第五源電極se5可以與第二數(shù)據(jù)線dl2連接，并且第五開關(guān)元件tr5的第五漏電極de5可以與第四子像素電極pe4連接。此外，第五開關(guān)元件tr5的第五柵電極ge5可以與第二柵極線gl2連接。因此，第五開關(guān)元件tr5根據(jù)從第二柵極線gl2接收的第二柵極信號g2導(dǎo)通以將從第二數(shù)據(jù)線dl2接收的第二數(shù)據(jù)信號d2施加至第四子像素電極pe4。

第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6可以與第六存儲線rl6連接，并且第六開關(guān)元件tr6的第六漏電極de6可以與第四子像素電極pe4連接。此外，第六開關(guān)元件tr6的第六柵電極ge6可以與第二柵極線gl2連接。因此，第六開關(guān)元件tr6根據(jù)從第二柵極線gl2接收的第二柵極信號g2導(dǎo)通以將從第六存儲線rl6接收的存儲信號s施加至第四子像素電極pe4。

因此，第四液晶電容器clc4充入提供至第四子像素電極pe4的電壓和充入共用電極ce的電壓之間的電壓差，但是充入第四液晶電容器clc4中的電壓在第六開關(guān)元件tr6導(dǎo)通時被劃分。因此，充入第四液晶電容器clc4中的電壓的水平低于充入第三液晶電容器clc3中的電壓的水平。

第五存儲線rl5可以包括在第一方向d1上延伸的水平部分rl5a和在第二方向d2上延伸的垂直部分rl5b。第五存儲線rl5的垂直部分rl5b可以被布置為與第四子像素電極pe4重疊。第四存儲線rl4和第五存儲線rl5可以布置在與第一存儲線rl1、第二存儲線rl2和第一柵極線gl1布置在其上的層相同的層上。

在一個示例性實(shí)施方式中，第六存儲線rl6可以被設(shè)置為基于第二方向d2與第三存儲線rl3對稱的。

第六存儲線rl6可具有與第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6相同的配置。第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6布置在與第一數(shù)據(jù)線dl1和第二數(shù)據(jù)線dl2布置在其上的層相同的層上，并且因此第六存儲線rl6可以布置在與第四存儲線rl4和第五存儲線rl5布置在其上的層不同的層上。在下文中，在一些情況下，第六存儲線rl6和第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6將彼此可互換地使用。

將更詳細(xì)地描述第六開關(guān)元件tr6。第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6可以通過第六接觸孔cnt6與第五存儲線rl5連接。更具體地，第二浮置電極180b被設(shè)置為覆蓋第六接觸孔cnt6，以便將第五存儲線rl5與第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6連接。

此外，第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6可以與第三子像素電極pe3和第四子像素電極pe4兩者重疊。在一個示例性實(shí)施方式中，第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6可以在第二方向d2上延伸以便橫穿第三子像素電極pe3的中心和第四子像素電極pe4的中心中的每個。

就是說，在根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實(shí)施方式的lcd裝置中，第三存儲線，即，第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3本身延伸為與第一像素單元px1的區(qū)域中的第一子像素電極pe1和第二子像素電極pe2中的每個重疊。此外，第六存儲線，即，第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6本身延伸為與第二像素單元px2的區(qū)域中的第三子像素電極pe3和第四子像素電極pe4中的每個重疊。

此外，第三開關(guān)元件tr3的第三源電極se3可以與第一存儲線rl1和第二存儲線rl2中的任意一個連接，并且第六開關(guān)元件tr6的第六源電極se6可以與第三存儲線rl3和第四存儲線rl4中的任意一個連接。

因此，在第一方向d1上延伸的第一存儲線rl1、第二存儲線rl2、第四存儲線rl4和第五存儲線rl5與在第二方向d2上延伸的第三存儲線rl3和第六存儲線rl6連接以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。因此，第一存儲線rl1至第六存儲線rl6的電阻分量減少，以防止提供至第三開關(guān)元件tr3和第六開關(guān)元件tr6的存儲信號s的ir降現(xiàn)象。

例如，盡管附圖中未示出，但第一像素單元px1和第二像素單元px2顯示藍(lán)顏色。

圖19是用于說明根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的lcd裝置的效果的圖表。在圖19中示出的圖表的水平軸示出由百分比表示的存儲信號的ir降比例。在圖表的垂直軸中，(a)示出傳統(tǒng)的lcd裝置，(b)示出具有根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的第一像素單元px1(參照圖2)的lcd裝置，并且(c)示出具有根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的顯示藍(lán)顏色的第一像素單元px1(參照圖2)的lcd裝置。

參照圖19，在傳統(tǒng)lcd裝置的存儲信號的ir降比例被設(shè)定為100時，在(c)的情況下，可以看出其存儲信號的ir降比例減少至傳統(tǒng)lcd裝置的存儲信號的ir降比例的約一半，并且在(b)的情況下，可以看出其存儲信號的ir降比例減少大約傳統(tǒng)lcd裝置的存儲信號的ir降比例的67％。

將參照下面的表描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的lcd裝置的改善平面水平串?dāng)_的效果。

參照表，可以看出具有根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的第一像素單元px1(參照圖2)的lcd裝置的平面水平串?dāng)_(-0.5％)，與傳統(tǒng)lcd裝置的平面水平串?dāng)_(-2.96％)相比，減少了大約83％。

[表]

在詳細(xì)說明的結(jié)尾，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解可以在基本上沒有背離本發(fā)明的原理的情況下對優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行許多變化和修改。因此，本發(fā)明公開的優(yōu)選實(shí)施方式僅用于一般性的和描述性的意義，而不是為了限制的目的。