本發(fā)明屬于顯示控制技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，尤其涉及一種GOA驅(qū)動(dòng)面板。

背景技術(shù)：

液晶顯示面板作為目前的主流顯示面板，被廣泛應(yīng)用于日常的電子產(chǎn)品中，其顯示品質(zhì)(如畫面延遲、畫面閃爍)等問(wèn)題也受到了人們密切關(guān)注。

為減小屏幕邊框，GOA(Gate On Array，集成在陣列基板上的掃描技術(shù))被廣泛應(yīng)用于窄邊框屏幕。GOA技術(shù)既可以節(jié)約面板成本，又可以縮減面板邊框尺寸。

但是，在掃描信號(hào)傳輸?shù)倪^(guò)程中，面板內(nèi)的電阻以及電容的RC延遲會(huì)造成掃描信號(hào)延遲，進(jìn)而引起面板顯示不均，造成畫面閃爍。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決以上問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種GOA驅(qū)動(dòng)面板，用于減小面板不同區(qū)域像素的饋通電壓差異，減小面板畫面閃爍，提升面板顯示品質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種GOA驅(qū)動(dòng)面板，包括：顯示區(qū)域及設(shè)置于所述顯示區(qū)域相對(duì)兩側(cè)的非顯示區(qū)域，

所述非顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)有多個(gè)GOA驅(qū)動(dòng)單元，每一所述GOA驅(qū)動(dòng)單元與所述顯示區(qū)域內(nèi)的一條掃描線連接，用以向?qū)?yīng)掃描線輸出掃描信號(hào)，

在所述非顯示區(qū)域內(nèi)還設(shè)有多個(gè)信號(hào)波形延遲單元，在每個(gè)所述GOA驅(qū)動(dòng)單元及對(duì)應(yīng)的掃描線之間各設(shè)置有一個(gè)所述信號(hào)波形延遲單元，用于減小面板不同區(qū)域像素的饋通電壓差異。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述信號(hào)波形延遲單元包括一電阻，所述電阻與所述GOA驅(qū)動(dòng)單元及對(duì)應(yīng)的掃描線串聯(lián)，并且各個(gè)所述信號(hào)波形延遲單元內(nèi)的電阻的阻值相等。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述電阻的阻值范圍為10～10000歐姆。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述電阻由金屬材料制成。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述電阻由多晶硅材料制成。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述電阻由氧化銦錫材料制成。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述信號(hào)波形延遲單元還包括：

緩沖層，設(shè)置于基底上；

第一金屬層，設(shè)置于所述緩沖層上，包括用作所述電阻的金屬繞線。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述信號(hào)波形延遲單元還包括：

緩沖層，設(shè)置于基底上；

第一金屬層，設(shè)置于所述緩沖層上；

第一絕緣層，設(shè)置于所述第一金屬層上；

第二金屬層，設(shè)置于所述第一絕緣層上，包括用作所述電阻的金屬繞線。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述信號(hào)波形延遲單元還包括：

緩沖層，設(shè)置于基底上；

多晶硅島層，設(shè)置于所述緩沖層上，包括用作所述電阻的多晶硅島。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述信號(hào)波形延遲單元還包括：

緩沖層，設(shè)置于基底上；

第一金屬層，設(shè)置于所述緩沖層上；

第一絕緣層，設(shè)置于所述第一金屬層上；

第二金屬層，設(shè)置于所述第一絕緣層上；

第二絕緣層，設(shè)置于所述第二金屬層上；

氧化銦錫薄膜層，設(shè)置于所述第二絕緣層上，包括用作所述電阻的氧化銦錫薄膜。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明通過(guò)在每個(gè)GOA驅(qū)動(dòng)單元及對(duì)應(yīng)的掃描線之間各設(shè)置有一個(gè)信號(hào)波形延遲單元，可以減小面板不同區(qū)域像素饋通電壓差異，減小面板畫面閃爍，提升面板顯示品質(zhì)。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書中變得顯而易見，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中引起面板閃爍顯示不均的原理示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中一種液晶顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的GOA驅(qū)動(dòng)單元與對(duì)應(yīng)掃描線、電阻的連接示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的GOA輸出的掃描信號(hào)波形示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中引起面板閃爍、顯示不均的原理示意圖，其對(duì)應(yīng)的現(xiàn)有顯示面板結(jié)構(gòu)如圖2所示。如圖2所示，GOA電路12設(shè)置于顯示區(qū)域11的相對(duì)兩側(cè)，用于輸出GOA信號(hào)(掃描信號(hào))。GOA信號(hào)經(jīng)由掃描線13到達(dá)對(duì)應(yīng)的像素。

如圖1所示，像素A、像素B和像素C沿行方向依次排列，上一行表示各像素對(duì)應(yīng)的像素電壓，下一行表示各像素對(duì)應(yīng)的饋通電壓。設(shè)GOA電路12設(shè)置在像素A的左側(cè)，最靠近像素A，與像素B和像素C的距離依次增大。在GOA電路12輸出掃描信號(hào)時(shí)，該掃描信號(hào)在到達(dá)像素A時(shí)的波形接近理想波形，其脈沖的幅度為Vgh，上升和下降時(shí)均沒有延遲現(xiàn)象。在GOA電路12停止輸出掃描信號(hào)時(shí)，掃描線上的電壓由Vgh迅速下降為零(此處設(shè)定掃描線上無(wú)掃描信號(hào)時(shí)的電壓為零，本發(fā)明不限于此)，此時(shí)像素A的饋通電壓為ΔVa。

與像素A相比，像素B與GOA驅(qū)動(dòng)電路12的距離遠(yuǎn)，掃描信號(hào)到達(dá)像素B時(shí)發(fā)生了RC延遲。該RC延遲會(huì)導(dǎo)致掃描信號(hào)的波形發(fā)生變形，如圖1中上一行中的像素B對(duì)應(yīng)的脈沖波形。由于與掃描線連接的開關(guān)TFT是在低于Vgh的某一電壓值時(shí)關(guān)閉(如圖1中上一行的像素B標(biāo)注所示)，此時(shí)掃描線上的電壓為小于Vgh的某一電壓值，而掃描線無(wú)掃描信號(hào)時(shí)的電壓為零，由此導(dǎo)致像素B的饋通電壓為ΔVb，并且ΔVb小于ΔVa。同理，掃描信號(hào)到達(dá)像素B時(shí)也會(huì)發(fā)生RC延遲，由此導(dǎo)致像素B的饋通電壓為ΔVc，并且ΔVc小于ΔVa，ΔVb≈ΔVc。各像素饋通電壓不同會(huì)造成面板邊緣像素與公共電極的電壓差和中心點(diǎn)像素與公共電極的電壓差不同，進(jìn)而引起面板畫面閃爍及顯示不均。

為解決以上問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種GOA驅(qū)動(dòng)面板，在每個(gè)GOA驅(qū)動(dòng)單元與對(duì)應(yīng)的掃描線之間設(shè)置有信號(hào)波形延遲單元，該信號(hào)波形延遲單元設(shè)置于面板的非顯示區(qū)域內(nèi)，可以減小由于延遲效應(yīng)導(dǎo)致的面板不同區(qū)域掃描信號(hào)波形差異，進(jìn)而減小面板不同區(qū)域掃描信號(hào)波形差異造成的像素饋通電壓差異，從而減少面板的畫面閃爍，提升面板顯示品質(zhì)。

如圖3所示，該GOA驅(qū)動(dòng)面板包括顯示區(qū)域21及設(shè)置于顯示區(qū)域相對(duì)兩側(cè)的非顯示區(qū)域24，非顯示區(qū)域24內(nèi)設(shè)有多個(gè)GOA驅(qū)動(dòng)單元22，每一GOA驅(qū)動(dòng)單元22與顯示區(qū)域21內(nèi)的一條掃描線23連接，用以向?qū)?yīng)掃描線輸出掃描信號(hào)。在非顯示區(qū)域24內(nèi)還設(shè)有多個(gè)信號(hào)波形延遲單元25，在每個(gè)GOA驅(qū)動(dòng)單元25及對(duì)應(yīng)的掃描線之間各設(shè)置有一個(gè)信號(hào)波形延遲單元25，用于減小面板不同區(qū)域像素的饋通電壓差異。

在本發(fā)明中，信號(hào)波形延遲單元25可以將GOA驅(qū)動(dòng)單元22輸出的掃描信號(hào)進(jìn)行波形延遲處理后輸出，這就使得掃描信號(hào)在輸入至顯示面板上各掃描信號(hào)之前就發(fā)生了波形延遲。該發(fā)生了波形延遲的掃描信號(hào)的下降沿經(jīng)過(guò)具有一定時(shí)延的緩慢變化過(guò)程從Vgh下降到零值。該緩慢變化過(guò)程中，存在某一時(shí)刻使得掃描線上電壓的為開關(guān)TFT的關(guān)閉電壓。在掃描線上的電壓下降為開關(guān)TFT的關(guān)閉電壓時(shí)，開關(guān)TFT關(guān)閉。最終，掃描線上的電壓下降為零。由于開關(guān)TFT關(guān)閉時(shí)，各像素上對(duì)應(yīng)的掃描線上的電壓相同，掃描線上無(wú)掃描信號(hào)時(shí)的電壓相同，這就使得各像素的饋通電壓基本相等，從而可以消除面板的閃爍現(xiàn)象。

如圖5所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的顯示面板各部位輸入波形及對(duì)應(yīng)的像素饋通電壓波形圖，上一行表示各像素對(duì)應(yīng)的像素電壓，下一行表示各像素對(duì)應(yīng)的饋通電壓。由圖5可知，GOA驅(qū)動(dòng)單元22輸出的掃描信號(hào)為理想脈沖波形。該理想脈沖波形經(jīng)信號(hào)波形延遲單元25之后依次到達(dá)面板前部的像素A、面板中間的像素B和面板尾部的像素C。并且，到達(dá)像素A、像素B和像素C的信號(hào)波形均發(fā)生了延遲，如圖中實(shí)線表示。對(duì)應(yīng)像素A，掃描信號(hào)的下降沿延遲輸出，使得像素A在TFT關(guān)閉前后的電壓差減小，進(jìn)而使得像素A的饋通電壓減小。通過(guò)合理設(shè)置信號(hào)波形延遲單元的延遲參數(shù)，可以使得像素A、像素B和像素C的饋通電壓保持大致相等，進(jìn)而消除顯示面板的畫面閃爍問(wèn)題，提升面板顯示品質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該信號(hào)波形延遲單元包括一電阻R，該電阻R與GOA驅(qū)動(dòng)單元22及對(duì)應(yīng)的掃描線23串聯(lián)，并且各個(gè)信號(hào)波形延遲單元25內(nèi)的電阻R的阻值相等，如圖4所示。也就是說(shuō)，在信號(hào)波形延遲單元25內(nèi)部設(shè)置有電阻R，該電阻R設(shè)置在GOA驅(qū)動(dòng)單元22和對(duì)應(yīng)的掃描線23之間。通過(guò)該電阻R可以實(shí)現(xiàn)掃描信號(hào)波形延遲。當(dāng)然，也可以采用其他電感等器件來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)波形延遲，信號(hào)波形延遲單元內(nèi)的電阻數(shù)量也不限定為一個(gè)，本發(fā)明不限于此。

對(duì)于某一確定尺寸的面板，其掃描線的長(zhǎng)度也確定并且各掃描線的長(zhǎng)度一般相同，所以可將各信號(hào)波形延遲單元25內(nèi)的電阻設(shè)置為阻值相等?；谕ǔ５娘@示面板尺寸，可以將電阻R的阻值設(shè)置在10～10000歐姆之間，具體取值根據(jù)面板尺寸確定。

參考顯示面板的制作工藝及各工藝制程內(nèi)采用的材料，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，該電阻R可以由金屬材料制成。在制作面板顯示區(qū)域內(nèi)某一金屬層的同時(shí)制作金屬走線，將該金屬走線作為電阻R。通過(guò)調(diào)節(jié)金屬走線的長(zhǎng)度可以獲取所需的電阻R的阻值。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，該電阻R還可以由多晶硅材料制成。具體的，可以在制作面板顯示區(qū)域內(nèi)的多晶硅島的同時(shí)制作多晶硅材料的電阻。多晶硅材料的電阻的阻值可以通過(guò)調(diào)節(jié)多晶硅島摻雜離子的濃度實(shí)現(xiàn)。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，該電阻R還可以有ITO(Indium tin oxide，氧化銦錫)材料制成。具體的，可以在制作面板顯示區(qū)域中的像素電極的同時(shí)制作ITO材料的電阻。ITO材料的電阻的阻值可以通過(guò)調(diào)節(jié)ITO薄膜的面積實(shí)現(xiàn)。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，該信號(hào)波形延遲單元還包括緩沖層和第一金屬層。其中，該緩沖層設(shè)置于基底上。第一金屬層設(shè)置于緩沖層上，包括用作電阻R的金屬繞線。結(jié)合液晶顯示面板的制作工藝，在形成該第一金屬層時(shí)，可以同時(shí)形成薄膜晶體管的柵極(或源漏極和數(shù)據(jù)線)和電阻R，然后在第一金屬層上形成其后的各層。這樣，就可以在形成薄膜晶體管的柵極，或者源漏極和數(shù)據(jù)線的同時(shí)，形成金屬材料的電阻R。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，該信號(hào)波形延遲單元還包括緩沖層、第一金屬層、第一絕緣層和第二金屬層。其中，緩沖層設(shè)置于基底上。第一金屬層設(shè)置于緩沖層上，對(duì)應(yīng)薄膜晶體管的柵極，或者源漏極和數(shù)據(jù)線。第一絕緣層設(shè)置于第一金屬層上；第二金屬層設(shè)置于第一絕緣層上，包括用作電阻R的金屬繞線。另外，該第二金屬層一般還包括對(duì)應(yīng)第一金屬層的柵極的源漏極和數(shù)據(jù)線，或?qū)?yīng)第一金屬層的源漏極和數(shù)據(jù)線的柵極。這樣，就可以在形成薄膜晶體管的柵極，或者源漏極和數(shù)據(jù)線的同時(shí)，形成金屬材料的電阻R。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該信號(hào)波形延遲單元還包括緩沖層和多晶硅島層。其中，緩沖層設(shè)置于基底上；多晶硅島層設(shè)置于緩沖層上，包括用作電阻R的多晶硅島。另外，該多晶硅層還島包括位于顯示區(qū)域、用作薄膜晶體管的溝道的多晶硅島。非顯示區(qū)域的用作電阻R的多晶硅島，其對(duì)應(yīng)的阻值可以通過(guò)摻雜離子的濃度進(jìn)行調(diào)節(jié)。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，該信號(hào)波形延遲單元還包括緩沖層、第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第二絕緣層和ITO薄膜層。其中，緩沖層設(shè)置于基底上；第一金屬層設(shè)置于緩沖層上，一般對(duì)應(yīng)薄膜晶體管的柵極，或者源漏極和數(shù)據(jù)線；第一絕緣層設(shè)置于第一金屬層上；第二金屬層設(shè)置于第一絕緣層上，對(duì)應(yīng)第一金屬層的柵極的源漏極和數(shù)據(jù)線，或者對(duì)應(yīng)第一金屬層的源漏極和數(shù)據(jù)線的柵極；第二絕緣層設(shè)置于第二金屬層上；ITO薄膜層設(shè)置于第二絕緣層上，包括用作電阻R的ITO薄膜。另外，該ITO薄膜層一般還包括位于顯示區(qū)域、用作像素電極的ITO薄膜。通過(guò)控制用作電阻R的ITO薄膜的面積，或者長(zhǎng)度和寬度，可以調(diào)節(jié)該ITO薄膜材料的電阻R的阻值。

雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。