本發(fā)明涉及顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基板減薄方法及顯示面板減薄方法。
背景技術(shù):
薄膜晶體管顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)技術(shù)經(jīng)過最近幾十年的發(fā)展,技術(shù)和工藝日趨成熟,已經(jīng)取代冷陰二極管(Cold Cathode Fluorescent Lamp,CCFL)顯示器,成為顯示領(lǐng)域的主流產(chǎn)品。
在顯示面板的生產(chǎn)過程中,為了使液晶分子能夠正常取向,需要在陣列基板和彩膜基板的表面涂上一層聚酰亞胺膜,然后在PI膜上進(jìn)行摩擦工藝,以實(shí)現(xiàn)液晶分子的取向。目前,液晶屏成盒工藝的具體步驟為:首先,在一張玻璃基板的四周使用封框膠涂布裝置涂覆封框膠;然后,在另一張玻璃基板中央采用滴下注入法滴加液晶;之后,真空貼合兩張玻璃基板,即進(jìn)行對(duì)合工藝;然后,進(jìn)行封框膠的固化,先放入到UV固化室中固化封框膠中的光敏成分,通過紫外光的短時(shí)間照射,使封框膠部分固化;最后,在高溫爐中將未固化的封框膠完全固化,從而完成成盒工藝。
對(duì)盒后的顯示面板由于厚度較厚,需要進(jìn)行減薄工藝(Slimming),但由于玻璃基板在減薄之前表面有凹點(diǎn),在減薄過程中,凹點(diǎn)的位置接觸減薄蝕刻液的面積較大,其腐蝕的速率較快,會(huì)導(dǎo)致的凹點(diǎn)的位置越來越大,進(jìn)而在完成減薄后,玻璃基板的表面有明顯的凹點(diǎn)不良,導(dǎo)致產(chǎn)品良率降低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種基板減薄方法及顯示面板減薄方法,能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中基板在減薄過程中表面凹點(diǎn)部分會(huì)形成更為嚴(yán)重的凹點(diǎn)不良損失的技術(shù)問題,提升良率。
本發(fā)明所提供的技術(shù)方案如下:
一種基板減薄方法,所述方法包括:
提供待減薄基板;
將所述待減薄基板的待減薄面上的凹點(diǎn)進(jìn)行保護(hù)處理;
對(duì)所述待減薄基板的待減薄面進(jìn)行減薄。
進(jìn)一步的,在所述方法中,將所述待減薄基板的待減薄面上的凹點(diǎn)進(jìn)行保護(hù)處理,具體包括:
在所述待減薄基板的待減薄面上的凹點(diǎn)內(nèi)形成保護(hù)層。
進(jìn)一步的,在所述方法中,對(duì)所述待減薄基板的待減薄面進(jìn)行減薄,具體包括:采用蝕刻液對(duì)所述待減薄基板的待減薄面進(jìn)行化學(xué)減薄。
進(jìn)一步的,所述保護(hù)層由在所述待減薄基板的待減薄面上的凹點(diǎn)內(nèi)填補(bǔ)能夠耐受所述蝕刻液腐蝕的保護(hù)膠形成。
進(jìn)一步的,在所述方法中,所述保護(hù)膠將所述待減薄基板的凹點(diǎn)內(nèi)表面全部覆蓋住。
進(jìn)一步的,在所述方法中,通過點(diǎn)膠的方式在所述凹點(diǎn)內(nèi)填補(bǔ)所述保護(hù)膠,以形成所述保護(hù)層。
進(jìn)一步的,所述蝕刻液包括氫氟酸;所述保護(hù)層采用耐氫氟酸腐蝕的保護(hù)膠形成。
進(jìn)一步的,所述方法還包括:在對(duì)所述待減薄基板的待減薄面進(jìn)行減薄之后,對(duì)厚度減薄后的基板進(jìn)行沖洗,過濾蝕刻液。進(jìn)一步的,所述方法還包括:在對(duì)所述待減薄基板的待減薄面進(jìn)行減薄之前,對(duì)所述待減薄基板的四周進(jìn)行封膠保護(hù)。
一種顯示面板減薄方法,所述顯示面板包括對(duì)盒的兩塊襯底基板,采用如上所述的方法對(duì)所述顯示面板中的每一襯底基板進(jìn)行減薄,其中,每一襯底基板的待減薄面為背向另一襯底基板的表面。
本發(fā)明所帶來的有益效果如下:
本發(fā)明所提供的基板減薄方法,其通過在對(duì)待減薄基板的待減薄面進(jìn)行減薄處理之前,對(duì)待減薄基板的待減薄面上的凹點(diǎn)先進(jìn)行保護(hù),以防止在減薄處理時(shí)凹點(diǎn)形成更為嚴(yán)重的凹點(diǎn)不良,提升產(chǎn)品良率。
附圖說明
圖1表示本發(fā)明實(shí)施例中所提供的基板減薄方法中在待減薄基板的凹點(diǎn)內(nèi)填補(bǔ)保護(hù)膠的過程示意圖;
圖2表示本發(fā)明實(shí)施例中所提供的基板減薄方法中在待減薄基板的凹點(diǎn)內(nèi)填補(bǔ)保護(hù)膠完成后的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3表示本發(fā)明實(shí)施例中所提供的基板減薄方法中待減薄基板進(jìn)行化學(xué)減薄時(shí)的示意圖;
圖4表示本發(fā)明實(shí)施例中所提供的基板減薄方法中在對(duì)待減薄基板減薄完成后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述,所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明,并非用于限定本發(fā)明的范圍。
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中基板待減薄面上有凹點(diǎn)時(shí),會(huì)在減薄過程中導(dǎo)致凹點(diǎn)形成更為嚴(yán)重的凹點(diǎn)不良的問題,本發(fā)明提供了一種基板減薄方法,其能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中基板在減薄過程中表面凹點(diǎn)部分會(huì)形成更為嚴(yán)重的凹點(diǎn)不良損失的技術(shù)問題,提升產(chǎn)品良率。
本發(fā)明所提供的基板減薄方法,所述方法包括:
提供待減薄基板;
將所述待減薄基板的待減薄面上的凹點(diǎn)進(jìn)行保護(hù)處理;
對(duì)所述待減薄基板的待減薄面進(jìn)行減薄。
本發(fā)明所提供的基板減薄方法,其通過在對(duì)待減薄基板的待減薄面進(jìn)行減薄處理之前,對(duì)待減薄基板的待減薄面上的凹點(diǎn)先進(jìn)行保護(hù),以防止在減薄處理時(shí)凹點(diǎn)形成更為嚴(yán)重的凹點(diǎn)不良,提升產(chǎn)品良率。
其中,在所述方法中,將所述待減薄基板的待減薄面上的凹點(diǎn)進(jìn)行保護(hù)處理,具體包括:在所述待減薄基板的待減薄面上的凹點(diǎn)內(nèi)形成保護(hù)層。
采用上述方案,在本發(fā)明所提供的基板減薄方法中,是通過在待減薄基板的待減薄面的凹點(diǎn)內(nèi)形成保護(hù)層的方式,來對(duì)凹點(diǎn)進(jìn)行保護(hù)處理,這種方式,工藝簡(jiǎn)單。
需要說明的是,在實(shí)際應(yīng)用中,對(duì)所述凹點(diǎn)進(jìn)行保護(hù)處理的方式不僅僅可以用在凹點(diǎn)內(nèi)形成保護(hù)層的方式,還可以采用其他保護(hù)處理方式,例如:可以在凹點(diǎn)處通過其他結(jié)構(gòu)等來對(duì)凹點(diǎn)進(jìn)行保護(hù)。
還需要說明的是,在本發(fā)明所提供的基板減薄方法中,對(duì)所述待減薄基板100的待減薄面進(jìn)行減薄時(shí),可以采用多種減薄工藝,例如:化學(xué)減薄、物理減薄(如:研磨所述待減薄基板的待減薄面)等減薄工藝。
其中,化學(xué)減薄是采用蝕刻液對(duì)所述待減薄基板的待減薄面,具體地,如圖3所示,使所述待減薄基板100的待減薄面與蝕刻液400接觸預(yù)定時(shí)間,蝕刻液400對(duì)待減薄基板100的待減薄面進(jìn)行蝕刻,而使得待減薄基板達(dá)到目標(biāo)厚度(如圖4所示為減薄后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖)。在該化學(xué)減薄工藝中,待減薄基板的待減薄面上的凹點(diǎn)內(nèi)部的表面也會(huì)與蝕刻液過分接觸,而使得在減薄處理之后形成更為嚴(yán)重的凹點(diǎn)。
以下就以本發(fā)明實(shí)施例中所提供的基板減薄方法,是在對(duì)凹點(diǎn)進(jìn)行保護(hù)處理之后,采用蝕刻液在所述待減薄基板的待減薄面進(jìn)行化學(xué)減薄的方式為例,來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更為詳細(xì)的說明。
在本發(fā)明所提供的實(shí)施例中,優(yōu)選的,如圖1和圖2所示,所述保護(hù)層300由在所述待減薄基板100的待減薄面上的凹點(diǎn)200內(nèi)填補(bǔ)能夠耐受所述蝕刻液腐蝕的保護(hù)膠300’形成。
采用上述方案,通過在所述凹點(diǎn)200內(nèi)定向補(bǔ)膠,以在凹點(diǎn)200內(nèi)形成保護(hù)層300,其中,所述保護(hù)膠300’能夠耐受化學(xué)減薄工藝中所采用的蝕刻液的腐蝕,從而在進(jìn)行化學(xué)減薄,待減薄基板100在接觸蝕刻液時(shí),由于已經(jīng)在凹點(diǎn)200位置補(bǔ)膠,可以使得凹點(diǎn)200的內(nèi)部表面不接觸蝕刻液,從而避免凹點(diǎn)200內(nèi)部表面與蝕刻液過分接觸而導(dǎo)致凹點(diǎn)200擴(kuò)大的現(xiàn)象產(chǎn)生,蝕刻液可以在待減薄基板100的待減薄面表面均勻反應(yīng),使得待減薄基板100的減薄均勻進(jìn)行,有效減少減薄過程的凹點(diǎn)200不良損失,提升良率。
需要說明的是,一般正常工藝導(dǎo)致的待減薄基板上的凹點(diǎn)的深度都在一預(yù)定深度以下,若凹點(diǎn)太深,很可能導(dǎo)致待減薄基板破碎,也就是說,凹點(diǎn)的深度在預(yù)定深度以下,待減薄基板才符合工藝要求;而待減薄基板的蝕刻厚度一般會(huì)大于凹點(diǎn)的深度,因此,待減薄基板在減薄完之后,凹點(diǎn)位置處保護(hù)膠會(huì)脫落,而不影響減薄后基板的表面平整度。例如:對(duì)于顯示基板來說,通常待減薄基板的厚度大約為0.5mm,減薄后的基板的厚度大約為0.2mm,蝕刻厚度則為0.2mm以上,而一般工藝下待減薄基板上的凹點(diǎn)深度在0.15mm,那么顯然,在蝕刻減薄完成后,凹點(diǎn)處的保護(hù)膠會(huì)脫落至蝕刻液中。
此外,在本發(fā)明所提供的方法中,在采用蝕刻液對(duì)待減薄基板進(jìn)行減薄完成之后,還可以對(duì)厚度減薄后的基板進(jìn)行沖洗,那么,保護(hù)膠會(huì)自然脫落進(jìn)入蝕刻液中,然后通過過濾蝕刻液,將蝕刻液中的保護(hù)膠過濾出去,由于保護(hù)膠耐刻蝕液腐蝕,因此,過濾出保護(hù)膠的蝕刻液,仍可保證其刻蝕效率,可以進(jìn)行循環(huán)利用。在本發(fā)明所提供的實(shí)施例中,優(yōu)選的,在所述方法中,通過點(diǎn)膠的方式在所述凹點(diǎn)200內(nèi)填補(bǔ)所述保護(hù)膠,以形成所述保護(hù)層300。
采用上述方案,通過在凹點(diǎn)內(nèi)點(diǎn)膠方式,實(shí)現(xiàn)凹點(diǎn)內(nèi)補(bǔ)膠,當(dāng)然可以理解的是,在實(shí)際應(yīng)用中,所述保護(hù)膠還可以是采用其他方式填補(bǔ)在凹點(diǎn)內(nèi),以形成所述保護(hù)層,對(duì)于所述保護(hù)膠的填補(bǔ)方式并不進(jìn)行限定。
此外,在本發(fā)明所提供的實(shí)施例中,優(yōu)選的,在所述方法中,如圖2所示,所述保護(hù)膠將所述待減薄基板100的凹點(diǎn)200的內(nèi)表面全部覆蓋住。采用上述方法,由于所述保護(hù)膠能夠?qū)⒋郎p薄基板的凹點(diǎn)內(nèi)表面全部覆蓋住,可以避免凹點(diǎn)200內(nèi)部表面與蝕刻液過分接觸而導(dǎo)致凹點(diǎn)200擴(kuò)大的現(xiàn)象產(chǎn)生。在本發(fā)明所提供的實(shí)施例中,所述蝕刻液選用能夠與待減薄基板100反應(yīng),腐蝕待減薄基板100,而起到減薄作用。其中,當(dāng)所述待減薄基板100為玻璃基板時(shí),所述蝕刻液400可以選用酸性蝕刻液,例如,所述蝕刻液選用包括氫氟酸的酸性蝕刻液,那么,所述保護(hù)層300則采用耐氫氟酸腐蝕的保護(hù)膠形成,其主要成分為含氟的樹脂,例如:所述保護(hù)膠可以選用含氟的丙烯酸樹脂類等。
當(dāng)然可以理解的是,在實(shí)際應(yīng)用中,對(duì)于所述蝕刻液的選用材料,可以根據(jù)待減薄基板100的材質(zhì)而定,相應(yīng)地,所述保護(hù)膠的選用材料可以結(jié)合所述蝕刻液及實(shí)際減薄要求等因素進(jìn)行合理選材,對(duì)此不進(jìn)行限定。
此外,在本發(fā)明所提供的實(shí)施例中,在所述方法中,對(duì)所述待減薄基板100進(jìn)行減薄之前,還可以對(duì)所述待減薄基板100的四周進(jìn)行封膠保護(hù)。例如:對(duì)于對(duì)盒后的顯示面板來說,在進(jìn)行減薄處理之前,可以在對(duì)盒的顯示基板的四周進(jìn)行封膠保護(hù)。采用上述方案,可以保證待減薄基板100的其他表面不會(huì)與蝕刻液進(jìn)行接觸。
此外,在本發(fā)明所提供的實(shí)施例中,在所述方法中,對(duì)厚度減薄后的基板進(jìn)行沖洗時(shí),可以將厚度減薄后的基板放入堿性溶液內(nèi)浸泡預(yù)設(shè)時(shí)間。采用上述方案,可以將待減薄基板100在減薄處理之后,采用堿性溶液中和厚度減薄后的基板的減薄面上殘存的蝕刻液,對(duì)待減薄基板100的減薄面表面進(jìn)行清洗。
此外,本發(fā)明實(shí)施例中還提供了一種顯示面板減薄方法,所述顯示面板包括對(duì)盒的兩塊襯底基板,采用如本發(fā)明實(shí)施例中所提供的方法對(duì)所述顯示面板中的每一襯底基板進(jìn)行減薄,其中,每一襯底基板的待減薄面為背向另一襯底基板的表面。
以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下,還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。