技術特征：

技術總結(jié)
本發(fā)明設計了降低剩余振幅調(diào)制的裝置。該裝置包括一個三晶串聯(lián)的電光調(diào)制裝置，所述三個晶體分別為第一立方晶體、中間晶體和第二立方晶體；所述中間晶體為電光調(diào)制晶體，所述的中間晶體與所述高頻信號源模塊相連，所述中間晶體規(guī)格為Xmm×Ymm×dmm；所述第一立方晶體和第二立方晶體串聯(lián)在中間晶體的X軸方向兩端，所述第一立方晶體和第二立方晶體的相對介電常數(shù)與中間晶體的相對介電常數(shù)相等，所述第一立方晶體和第二立方晶體規(guī)格為d/2mm×Ymm×dmm。

技術研發(fā)人員：鄭耀輝;孫小聰;王雅君;彭堃墀
受保護的技術使用者：山西大學
技術研發(fā)日：2017.03.22
技術公布日：2017.08.18