本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

陣列基板的柵極驅(qū)動(dòng)(gatedriveronarray，goa)電路技術(shù)是目前顯示技術(shù)領(lǐng)域常用的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)，柵極驅(qū)動(dòng)電路通過多個(gè)級(jí)聯(lián)的移位寄存器單元實(shí)現(xiàn)。該技術(shù)是將tft(thinfilmtransistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)柵極開關(guān)電路集成在上述周邊區(qū)域構(gòu)成goa電路，以實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)。其中，柵極驅(qū)動(dòng)電路中的一級(jí)移位寄存器單元用于對(duì)一行亞像素的柵線進(jìn)行掃描。

通常具有上述柵極驅(qū)動(dòng)電路的顯示面板進(jìn)行圖像顯示時(shí)，分辨率越高，顯示圖像的清晰度越高；刷新頻率越高，顯示圖像越穩(wěn)定。但是當(dāng)分辨率與刷新頻率越高時(shí)，顯示面板的功耗也越高。因此，為了降低顯示面板的功耗，一般對(duì)顯示面板進(jìn)行分區(qū)，不同分區(qū)通過不同的柵線連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路，從而可以分別對(duì)不同分區(qū)的柵線進(jìn)行控制，以將人眼關(guān)注的區(qū)域以較高的分辨率與刷新頻率進(jìn)行顯示，其他區(qū)域則降低分辨率與刷新頻率。

例如如圖1所示，將陣列基板劃分為靠近柵極驅(qū)動(dòng)電路10的邊緣區(qū)域b與遠(yuǎn)離柵極驅(qū)動(dòng)電路10的中間區(qū)域a，邊緣區(qū)域b中的第一柵線g1與柵極驅(qū)動(dòng)電路10相連，中間區(qū)域a中的第二柵線g2與柵極驅(qū)動(dòng)電路10相連。其中，第二柵線g2與柵極驅(qū)動(dòng)電路10相連時(shí)，需要穿過邊緣區(qū)域b，第二柵線g2會(huì)遮擋部分邊緣區(qū)域b中的亞像素出射的光線，因此降低了陣列基板中亞像素的開口率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用于將陣列基板分區(qū)后，降低位于中間區(qū)域的tft與goa電路連接時(shí)對(duì)陣列基板中亞像素的開口率的影響。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域以及設(shè)置于所述顯示區(qū)域周邊的柵極驅(qū)動(dòng)電路，所述顯示區(qū)域包括靠近所述柵極驅(qū)動(dòng)電路的第一子區(qū)，以及遠(yuǎn)離所述柵極驅(qū)動(dòng)電路的第二子區(qū)；所述第一子區(qū)設(shè)置有多條第一柵線，所述第一子區(qū)的每個(gè)亞像素中tft的柵極與所述第一柵線相連接；所述第一子區(qū)和第二子區(qū)設(shè)置有多條與所述第一柵線絕緣的金屬引線，所述金屬引線相對(duì)于所述tft的源、漏極，靠近所述tft的柵極；其中，在所述第一子區(qū)中，連接同一行亞像素的第一柵線和金屬引線的布線位置重疊；所述第二子區(qū)的每個(gè)亞像素中tft的柵極與所述金屬引線電連接。

可選的，陣列基板還包括覆蓋所述第一柵線以及所述tft柵極的第一絕緣層，在所述第二子區(qū)中，所述第一絕緣層在對(duì)應(yīng)每個(gè)亞像素中tft柵極的位置設(shè)置過孔，所述金屬引線通過所述過孔與所述tft的柵極相連接。

可選的，所述第二子區(qū)還設(shè)置有多條第二柵線，所述第二子區(qū)的每個(gè)亞像素中tft的柵極與所述第二柵線相連接；所述第一柵線與所述第二柵線同層同材料，且非電連接；在所述第二子區(qū)中，連接同一行亞像素的金屬引線與第二柵線的布線位置重疊；所述陣列基板包括覆蓋所述tft柵極、所述第一柵線和所述第二柵線的第一絕緣層，在所述第二子區(qū)中，所述第一絕緣層在每個(gè)亞像素中對(duì)應(yīng)所述第二柵線的位置設(shè)置過孔，所述金屬引線通過所述過孔與所述第二柵線相連接。

可選的，所述柵極驅(qū)動(dòng)電路包括分別設(shè)置于所述顯示區(qū)域兩側(cè)的第一驅(qū)動(dòng)子電路和第二驅(qū)動(dòng)子電路；所述顯示區(qū)域包括兩個(gè)所述第一子區(qū)以及m個(gè)所述第二子區(qū)；所述m個(gè)第二子區(qū)位于所述兩個(gè)第一子區(qū)之間；其中，m≥2，為偶數(shù)；其中，兩個(gè)所述第一子區(qū)的第一柵線分別與所述第一驅(qū)動(dòng)子電路和所述第二驅(qū)動(dòng)子電路相連接；靠近所述第一驅(qū)動(dòng)子電路的一部分第二子區(qū)中的金屬引線與所述第一驅(qū)動(dòng)子電路相連接；靠近所述第二驅(qū)動(dòng)子電路的另一部分第二子區(qū)中的金屬引線與所述第二驅(qū)動(dòng)子電路相連接。

可選的，所述陣列基板還包括像素電極和公共電極；所述像素電極和所述公共電極依次背離所述金屬引線。

可選的，構(gòu)成所述金屬引線的材料與構(gòu)成所述第一柵線，或tft的源、漏極的材料相同。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任一種陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括在顯示區(qū)域周邊形成柵極驅(qū)動(dòng)電路的方法，所述顯示區(qū)域包括靠近所述柵極驅(qū)動(dòng)電路的第一子區(qū)，以及遠(yuǎn)離所述柵極驅(qū)動(dòng)電路的第二子區(qū)；所述制作方法還包括：在襯底基板上通過一次構(gòu)圖工藝，形成每個(gè)亞像素中tft的柵極以及位于所述第一子區(qū)的多條第一柵線；所述第一子區(qū)的每個(gè)亞像素中tft的柵極與所述第一柵線相連接；在形成有所述第一柵線的襯底基板上形成第一絕緣層，并在所述第二子區(qū)中，在所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)每個(gè)亞像素的位置形成過孔；在形成有所述第一絕緣層的襯底基板上，通過一次構(gòu)圖工藝，形成位于所述第一子區(qū)和第二子區(qū)的多條金屬引線；其中，在所述第一子區(qū)中，連接同一行亞像素的第一柵線和金屬引線的布線位置重疊；在所述第二子區(qū)，所述金屬引線通過所述過孔與每個(gè)亞像素中tft的柵極電連接；在形成所述金屬引線的襯底基板上，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述tft的源、漏極。

可選的，所述在第二子區(qū)中，在所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)每個(gè)亞像素的位置形成過孔包括：在所述第二子區(qū)的每個(gè)亞像素中，通過構(gòu)圖工藝在所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)tft柵極的位置形成所述過孔；所述金屬引線通過所述過孔與每個(gè)亞像素中tft的柵極電連接包括：所述金屬引線通過所述過孔與每個(gè)亞像素中tft的柵極相連接。

可選的，在所述襯底基板上形成第一柵線的同時(shí)，所述制作方法還包括：通過所述一次構(gòu)圖工藝，在所述第二子區(qū)中形成多條第二柵線，所述第二子區(qū)的每個(gè)亞像素中tft的柵極與所述第二柵線相連接；在所述第二子區(qū)中，連接同一行亞像素的第二柵線和金屬引線的布線位置重疊；所述在第二子區(qū)中，在所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)每個(gè)亞像素的位置形成過孔包括：在所述第二子區(qū)的每一個(gè)亞像素中，通過構(gòu)圖工藝在所述第一絕緣層對(duì)應(yīng)第二柵線的位置形成所述過孔；所述金屬引線通過所述過孔與每個(gè)亞像素中tft的柵極電連接包括：所述金屬引線通過所述過孔與所述第二柵線相連接。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，該陣列基板包括顯示區(qū)域，以及設(shè)置于顯示區(qū)域周邊的柵極驅(qū)動(dòng)電路，上述顯示區(qū)域包括靠近柵極驅(qū)動(dòng)電路的第一子區(qū)，以及遠(yuǎn)離柵極驅(qū)動(dòng)電路的第二子區(qū)。其中，第一子區(qū)內(nèi)設(shè)置有多條第一柵線，第一子區(qū)的每個(gè)亞像素中tft的柵極與所述第一柵線相連接。第一子區(qū)和第二子區(qū)設(shè)置有多條與第一柵線絕緣的金屬引線，金屬引線相對(duì)于tft的源、漏極，靠近tft的柵極。在第一子區(qū)中，連接同一行亞像素的第一柵線和金屬引線的布線位置重疊；第二子區(qū)的每個(gè)亞像素中tft的柵極與金屬引線電連接。

基于此，第一子區(qū)的每個(gè)亞像素中tft的柵極與第一柵線相連接，第二子區(qū)的每個(gè)亞像素中tft的柵極與金屬引線電連接，則第二子區(qū)的每個(gè)亞像素中tft的柵極通過金屬引線與柵極驅(qū)動(dòng)電路相連接。一方面，由于在第一子區(qū)中，連接同一行亞像素的第一柵線和金屬引線的布線位置重疊，當(dāng)金屬引線穿過第一子區(qū)與柵極驅(qū)動(dòng)電路相連接時(shí)，減小了額外占用第一子區(qū)的透光區(qū)域的面積，從而能夠減小金屬引線對(duì)第一子區(qū)中亞像素的開口率的影響。

另一方面，由于上述陣列基板中，金屬引線相對(duì)于tft的源、漏極，靠近tft的柵極，當(dāng)在陣列基板遠(yuǎn)離金屬引線的一側(cè)或者彩膜基板上形成公共電極時(shí)，金屬引線與公共電極之間至少存在兩層絕緣層，這樣一來，可以使得金屬引線與公共電極之間的距離增大，從而減小金屬引線與公共電極之間的電容，進(jìn)而可以降低第一子區(qū)和第二子區(qū)的像素延遲差異。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)陣列基板的顯示區(qū)域進(jìn)行分區(qū)的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖2所示的陣列基板沿c-o-c’向的一種剖視示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖2所示的陣列基板沿c-o-c’向的另一種剖視示意圖；

圖6為圖2所示的陣列基板中的柵極驅(qū)動(dòng)電路包括第一驅(qū)動(dòng)子電路和第二驅(qū)動(dòng)子電路示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖；

圖8a-8g為根據(jù)圖7所示的制作方法制備陣列基板時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制作方法的流程示意圖；

圖10a-10c為根據(jù)圖9所示的制作方法制備陣列基板時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

01-陣列基板；10-柵極驅(qū)動(dòng)電路；11-數(shù)據(jù)線；20、201、202-金屬引線；21-第一子區(qū)；22-第二子區(qū)；100-襯底基板；1050-柵極；102-第一絕緣層；103-第二絕緣層；104-有源層；1051-源極；1052-漏極；106-第三絕緣層；107-像素電極；108-第四絕緣層；109-公共電極；120-樹脂層；1011-第一驅(qū)動(dòng)子電路；1012-第二驅(qū)動(dòng)子電路。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種如圖2所示的陣列基板01，包括顯示區(qū)域e以及設(shè)置于顯示區(qū)域e周邊的柵極驅(qū)動(dòng)電路10。顯示區(qū)域e包括靠近柵極驅(qū)動(dòng)電路10的第一子區(qū)21，以及遠(yuǎn)離柵極驅(qū)動(dòng)電路10的第二子區(qū)22。

在此基礎(chǔ)上，由于第一子區(qū)21通常位于陣列基板01的邊緣位置，而用戶在觀看時(shí)通常比較關(guān)注屏幕的中心位置即上述第二子區(qū)22，所以該第一子區(qū)21為人眼不太關(guān)注的區(qū)域，從而即使降低第一子區(qū)21的分辨率和刷新頻率，也不會(huì)影響用戶對(duì)顯示圖像的整體體驗(yàn)。因此，通常通過降低第一子區(qū)21的分辨率和刷新頻率，以達(dá)到降低顯示面板功耗的目的。

具體的，例如降低第一子區(qū)21的分辨率的原理是：根據(jù)分辨率＝亞像素的行數(shù)×列數(shù)，可以對(duì)第一子區(qū)21和第二子區(qū)22的顯示圖像的分辨率分別進(jìn)行控制。對(duì)顯示區(qū)域e進(jìn)行劃分時(shí)，可以使得第一子區(qū)21的分辨率低于第二子區(qū)22的分辨率。

又或者例如，降低第一子區(qū)21的刷新頻率的原理是：第一子區(qū)21和第二子區(qū)22分別接收柵極驅(qū)動(dòng)電路10輸出的不同的行掃描信號(hào)，例如當(dāng)該柵極驅(qū)動(dòng)電路10中每一級(jí)移位寄存器單元具有兩個(gè)輸出端時(shí)，以第一行亞像素為例，第一子區(qū)21中的柵線與該柵極驅(qū)動(dòng)電路10的第一級(jí)移位寄存器單元的一個(gè)輸出端相連接，第二子區(qū)22的柵線與另一個(gè)輸出端相連接。此時(shí)可以對(duì)第一子區(qū)21和第二子區(qū)22的顯示畫面的刷新頻率分別進(jìn)行控制，例如，第二子區(qū)22的刷新頻率可以為60hz，顯示圖像的穩(wěn)定性較高；第一子區(qū)21的刷新頻率可以低于60hz，顯示圖像的穩(wěn)定性相應(yīng)的降低，從而降低顯示面板的功耗。

在此基礎(chǔ)上，如圖2所示，第一子區(qū)21內(nèi)設(shè)置有多條第一柵線g1，第一子區(qū)21的每個(gè)亞像素中tft的柵極與第一柵線g1相連接。第一子區(qū)21和第二子區(qū)22設(shè)置有多條與第一柵線g1絕緣的金屬引線20。

在此基礎(chǔ)上，由圖3可知，金屬引線20相對(duì)于tft的源極1051、漏極1052，靠近tft的柵極1050，圖3為沿圖2中c-o-c’線切割所得的剖視圖。其中，在第一子區(qū)21中，連接同一行亞像素的第一柵線g1和金屬引線20的布線位置重疊；第二子區(qū)22的每個(gè)亞像素中tft的柵極1050與金屬引線20電連接。

需要說明的是，當(dāng)tft為頂柵型時(shí)，以ad-sds(advanced-superdimensionalswitching，簡(jiǎn)稱為ads，高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān))型顯示裝置中的陣列基板01為例，如圖3所示，陣列基板01中的tft包括：依次設(shè)置在襯底基板100上的柵極1050、有源層104、源極1051與漏極1052。此外，陣列基板01還包括與柵極1050電連接的金屬引線20，其中，金屬引線20可以與上述源極1051與漏極1052同層設(shè)置。為了避免購(gòu)買新的材料形成金屬引線20，增加陣列基板01的制作成本，優(yōu)選的，構(gòu)成金屬引線20的材料與構(gòu)成第一柵線g1，或tft的源極1051和漏極1052的材料相同。

或者當(dāng)tft為頂柵型時(shí)，陣列基板01中的tft包括：依次設(shè)置在襯底基板100上的有源層104、柵極1050、源極1051與漏極1052。陣列基板01中的其他結(jié)構(gòu)與底柵型tft的結(jié)構(gòu)相同，此處不再贅述。此外，在ad-sds型顯示裝置的陣列基板01中，公共電極與像素電極均設(shè)置在陣列基板01上，本發(fā)明對(duì)公共電極與像素電極的設(shè)置順序不做限定。

基于此，在頂柵型tft和底柵型tft的陣列基板01中，金屬引線20相對(duì)于tft的源極1051、漏極1052，均靠近tft的柵極1050。因此本發(fā)明對(duì)tft的結(jié)構(gòu)不做限定。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板01也適用于其他類型的顯示裝置，例如ips(inplaneswitch，橫向電場(chǎng)效應(yīng))型顯示裝置與tn(twistnematic，扭曲向列)型顯示裝置，對(duì)其陣列基板01的具體結(jié)構(gòu)本發(fā)明不再贅述。

在此基礎(chǔ)上，第一子區(qū)21的每個(gè)亞像素中tft的柵極1050與第一柵線g1相連接，如圖3所示，第二子區(qū)22的每個(gè)亞像素中tft的柵極1050與金屬引線20電連接，則第二子區(qū)22的每個(gè)亞像素中tft的柵極1050通過金屬引線20與柵極驅(qū)動(dòng)電路10相連接。這樣一來，一方面，由于在第一子區(qū)21中，連接同一行亞像素的第一柵線g1和金屬引線20的布線位置重疊，當(dāng)金屬引線20穿過第一子區(qū)21與柵極驅(qū)動(dòng)電路10連接時(shí)，減小了額外占用第一子區(qū)21的透光區(qū)域的面積，從而能夠減小金屬引線20對(duì)第一子區(qū)21中亞像素的開口率的影響。在此基礎(chǔ)上，優(yōu)選的，如圖3所示，金屬引線20的寬度h1小于或等于第一柵線g1的寬度w1，此時(shí)在第一子區(qū)21中，可以避免金屬引線20額外占用第一子區(qū)21的透光區(qū)域的面積，因此避免了金屬引線20對(duì)第一子區(qū)21中亞像素的開口率造成影響。

另一方面，如圖3所示，金屬引線20相對(duì)于tft的源極1051和漏極1052，靠近tft的柵極1050，當(dāng)在陣列基板01遠(yuǎn)離金屬引線20的一側(cè)形成公共電極109時(shí)，或者彩膜基板上形成公共電極109時(shí)，金屬引線20與公共電極109之間至少存在兩層絕緣層，這樣一來，可以使得金屬引線20與公共電極109之間的距離l增大，從而減小金屬引線20與公共電極109之間的電容，進(jìn)而可以降低第一子區(qū)21和第二子區(qū)22的像素延遲差異。

以下以ads型顯示裝置，且公共電極109位于像素電極107背離襯底基板100的一側(cè)為例，對(duì)通過增加金屬引線20與公共電極109之間的距離l，以達(dá)到減小金屬引線20與公共電極109之間的電容的具體過程進(jìn)行詳細(xì)的說明。

首先，第一子區(qū)21中，柵極驅(qū)動(dòng)電路10通過第一柵線g1將行掃描信號(hào)傳輸至柵極1050，柵極1050上的電容包括：cgs+cgd+cgc1+cg1g2+cgx1。

其中，cgs為tft中柵極1050與源極1051之間的電容；cgd為tft中柵極1050與漏極1052之間的電容；cgc1為第一柵線g1與公共電極109之間的電容；cgx1為第一柵線g1與數(shù)據(jù)線11之間的電容。由于第一子區(qū)21中連接同一行亞像素的第一柵線g1和金屬引線20的布線位置重疊，第一柵線g1和金屬引線20存在電容cg1g2。

其次，第二子區(qū)22中除了上述電容cgs、cgd、cg1g2以外，由于柵極驅(qū)動(dòng)電路10通過金屬引線20將行掃描信號(hào)傳輸至第二子區(qū)22的柵極1050，因此需要計(jì)算由于設(shè)置金屬引線20而增加的電容。具體的，第二子區(qū)22的電容還包括：cgdx+cgx2+cgc2+cgc3。

其中，cgdx為金屬引線20與第一子區(qū)21的數(shù)據(jù)線11之間的電容；cgx2為金屬引線20與與第二子區(qū)22的數(shù)據(jù)線之間的電容；cgc2為金屬引線20與第一子區(qū)21的公共電極109之間的電容；cgc3為金屬引線20與第二子區(qū)22中的公共電極109之間的電容。

綜上所述，將第一子區(qū)21和第二子區(qū)22的電容相比較，其電容差異為：第一子區(qū)21的電容cgc1+cgx1，第二子區(qū)22的電容cgdx+cgx2+cgc2+cgc3。由于第一柵線g1與金屬引線20材料相同且位置重疊，因此上述電容cgc1與cgc3近似相同，cgx1與cgx2近似相同。從而第一子區(qū)21和第二子區(qū)22的電容差異主要是cgdx+cgc2。

當(dāng)亞像素的電容不相同時(shí)，其電容充電時(shí)間不同。當(dāng)相鄰子區(qū)的亞像素的電容差異較大時(shí)，會(huì)導(dǎo)致不同子區(qū)的亞像素延時(shí)差異較大，從而使得柵極驅(qū)動(dòng)電路10將行掃描信號(hào)傳輸至第一子區(qū)21和第二子區(qū)22時(shí)，不同子區(qū)的同一行的亞像素的柵極1050的開啟時(shí)間不同。例如圖4所示，n1、n2分別代表第一、二行亞像素，g11、g12分別代表第一子區(qū)21中n1、n2行亞像素中的第一柵線，201、202分別代表第二子區(qū)22中的n1、n2行亞像素中的金屬引線。

具體的，柵極驅(qū)動(dòng)電路10將行掃描信號(hào)分別傳輸至n1行亞像素中的第一柵線g11和金屬引線201，以對(duì)n1行的亞像素進(jìn)行充電，此時(shí)第一子區(qū)21中的tft開啟，并接收數(shù)據(jù)線11輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行顯示。由于第二子區(qū)22的電容較大，亞像素的充電時(shí)間較長(zhǎng)，因此第二子區(qū)22中遠(yuǎn)離柵極驅(qū)動(dòng)電路10一側(cè)的亞像素的tft由于存在像素延時(shí)而未開啟，該時(shí)刻無法進(jìn)行顯示。

當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電路10將行掃描信號(hào)分別傳輸至n2行亞像素中的第一柵線g12和金屬引線202時(shí)，此時(shí)第二子區(qū)22的n1行亞像素中未進(jìn)行顯示的亞像素的tft開啟，并接收原本輸入至n2行亞像素的數(shù)據(jù)信號(hào)從而使得寫入亞像素的信號(hào)發(fā)生錯(cuò)亂，進(jìn)而顯示畫面易發(fā)生串色。

結(jié)合上述，為了降低顯示畫面易發(fā)生串色的幾率，需要減小第一子區(qū)21與第二子區(qū)22的電容的差異，以減少不同子區(qū)的像素延時(shí)差異，即需要盡可能的減小cgdx+cgc2。通常來說，金屬引線20與第一子區(qū)21的數(shù)據(jù)線11之間的電容較小，可以忽略不計(jì)。因此，通過減小金屬引線20與第一子區(qū)21的公共電極之間的cgc2來降低第一子區(qū)21與第二子區(qū)22的電容差異。

在此基礎(chǔ)上，如圖3所示，當(dāng)在陣列基板01遠(yuǎn)離金屬引線20的一側(cè)形成公共電極109時(shí)，金屬引線20與公共電極109之間至少存在第二絕緣層103與第三絕緣層106，因此可以使得金屬引線20與公共電極109之間的距離l增大。

根據(jù)電容計(jì)算公式c＝εs/4πkd，其中ε是一個(gè)常數(shù)，s為電容上、下極板的正對(duì)面積，d為電容極板的距離，k則是靜電力常量，電容的上、下極板分別為金屬引線20與公共電極109。由于金屬引線20與公共電極109之間的距離l增大，此時(shí)金屬引線20與第一子區(qū)21的公共電極109之間的電容cgc2減小，進(jìn)而可以降低第一子區(qū)21和第二子區(qū)22的像素延遲差異。

在此基礎(chǔ)上，為了進(jìn)一步減小金屬引線20與公共電極109之間的電容cgc2，當(dāng)陣列基板01包括像素電極107和公共電極109時(shí)，優(yōu)選的，如圖3所示，像素電極107和公共電極109依次背離金屬引線20，即在制作有柵極1050的襯底基板100上，先制作像素電極107，然后再制作公共電極109。這樣一來，公共電極109位于像素電極107背離柵極1050的一側(cè)，由于像素電極107和公共電極109之間具有第四絕緣層108，此時(shí)金屬引線20與公共電極109增加了一層絕緣層，從而進(jìn)一步增加金屬引線20與公共電極109之間的距離l。

在此基礎(chǔ)上，上述第二子區(qū)22的每個(gè)亞像素中tft的柵極1050與金屬引線20電連接的方式可以包括以下兩種方式：

方式一、如圖3所示，陣列基板01還包括覆蓋第一柵線g1以及tft柵極1050的第一絕緣層102，在第二子區(qū)22中，第一絕緣層102在對(duì)應(yīng)每個(gè)亞像素中tft的柵極1050的位置設(shè)置過孔d，金屬引線20通過過孔d與tft的柵極1050直接相連。當(dāng)陣列基板01中的tft為底柵型結(jié)構(gòu)時(shí)，上述第一絕緣層102為柵絕緣層。

這樣一來，第二子區(qū)22的每個(gè)亞像素中tft的柵極1050可以通過過孔d與金屬引線20直接相連，以將柵極驅(qū)動(dòng)電路10輸出的行掃描信號(hào)直接傳輸至第二子區(qū)22的柵極1050中。

方式二、如圖5所示，在第二子區(qū)22內(nèi)還設(shè)置有多條第二柵線g2，第二子區(qū)22的每個(gè)亞像素中tft的柵極1050與第二柵線g2相連接；第一柵線g1與第二柵線g2同層同材料，且非電連接。可選的，第一柵線g1與第二柵線g2相互絕緣。

在此基礎(chǔ)上，如圖5所示，在第二子區(qū)22中，連接同一行亞像素的金屬引線20與第二柵線g2的布線位置重疊。陣列基板01還包括覆蓋tft柵極1050、第一柵線g1和第二柵線g2的第一絕緣層102。當(dāng)陣列基板01中的tft為底柵型結(jié)構(gòu)時(shí)，上述第一絕緣層102為柵絕緣層。在第二子區(qū)22中，第一絕緣層102在每個(gè)亞像素中對(duì)應(yīng)第二柵線g2的位置設(shè)置過孔d，金屬引線20通過過孔d與第二柵線g2相連接。

這樣一來，第二子區(qū)22的每個(gè)亞像素中tft的金屬引線20通過過孔d與第二柵線g2相連接，以將柵極驅(qū)動(dòng)電路10輸出的行掃描信號(hào)傳輸至第二子區(qū)22的柵極1050中。此外，在第二子區(qū)22中，連接同一行亞像素的金屬引線20與第二柵線g2的布線位置重疊，可以減小額外占用第二子區(qū)22的透光區(qū)域的面積，從而能夠減小金屬引線20對(duì)第二子區(qū)22中亞像素開口率的影響。在此基礎(chǔ)上，優(yōu)選的，金屬引線20的寬度h2小于或等于第二柵線g2的寬度w2，有益效果與上述在第一子區(qū)21中設(shè)置金屬引線20的寬度h1的有益效果相同，此處不再贅述。

此外，為了減小柵極驅(qū)動(dòng)電路10的行掃描信號(hào)傳輸過程中的損耗，優(yōu)選的，如圖6所示，上述柵極驅(qū)動(dòng)電路10包括分別設(shè)置于顯示區(qū)域e兩側(cè)的第一驅(qū)動(dòng)子電路1011和第二驅(qū)動(dòng)子電路1012。

在此情況下，第一驅(qū)動(dòng)子電路1011與第二驅(qū)動(dòng)子電路1012分別用于驅(qū)動(dòng)與之相近的子區(qū)中的亞像素的柵極1050，因此，相較于只設(shè)置一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路10來驅(qū)動(dòng)顯示區(qū)域e內(nèi)的所有亞像素，柵極驅(qū)動(dòng)電路10的行掃描信號(hào)的傳輸路徑變短，因此減小了柵極驅(qū)動(dòng)電路10的行掃描信號(hào)傳輸過程中的損耗。

為了實(shí)現(xiàn)第一驅(qū)動(dòng)子電路1011與第二驅(qū)動(dòng)子電路1012分別用于驅(qū)動(dòng)與之相近的子區(qū)中的亞像素，上述驅(qū)動(dòng)子電路與顯示區(qū)域e的不同分區(qū)的柵線的連接方式如下：

具體的如圖6所示，顯示區(qū)域e包括兩個(gè)第一子區(qū)21以及m個(gè)第二子區(qū)22，m個(gè)第二子區(qū)22位于兩個(gè)第一子區(qū)21之間；其中，m≥2，為偶數(shù)。圖6以顯示區(qū)域e包括兩個(gè)第一子區(qū)21與兩個(gè)第二子區(qū)22進(jìn)行示意。

在此情況下，兩個(gè)第一子區(qū)21的第一柵線g1分別與第一驅(qū)動(dòng)子電路1011和第二驅(qū)動(dòng)子電路1012相連接；靠近第一驅(qū)動(dòng)子電路1011的一部分第二子區(qū)22中的金屬引線20與第一驅(qū)動(dòng)子電路1011相連接；靠近第二驅(qū)動(dòng)子電路1012的另一部分第二子區(qū)22中的金屬引線20與第二驅(qū)動(dòng)子電路1012相連接。

在此基礎(chǔ)上，為了提高陣列基板01應(yīng)用于顯示裝置時(shí)的顯示效果，將m個(gè)第二子區(qū)22進(jìn)行對(duì)稱劃分，靠近第一驅(qū)動(dòng)子電路1011的第二子區(qū)22中的金屬引線20與第一驅(qū)動(dòng)子電路1011相連接；靠近第二驅(qū)動(dòng)子電路1012的第二子區(qū)22中的金屬引線20與第二驅(qū)動(dòng)子電路1012相連接。這樣一來，第一驅(qū)動(dòng)子電路1011與第二驅(qū)動(dòng)子電路1012的傳輸路徑長(zhǎng)度一致，行掃描信號(hào)傳輸過程中的損耗近似相同，因此提高了陣列基板01應(yīng)用于顯示裝置時(shí)的顯示效果。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板01，具有與前述實(shí)施例提供的陣列基板01相同的結(jié)構(gòu)和有益效果，由于前述實(shí)施例已經(jīng)對(duì)該陣列基板01的結(jié)構(gòu)和有益效果進(jìn)行了詳細(xì)的描述，此處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板01的制作方法，包括在顯示區(qū)域e周邊形成柵極驅(qū)動(dòng)電路10的方法，顯示區(qū)域e包括靠近柵極驅(qū)動(dòng)電路10的第一子區(qū)21，以及遠(yuǎn)離柵極驅(qū)動(dòng)電路10的第二子區(qū)22。本實(shí)施例以tft為底柵型結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖7所示，上述制作方法還包括：

步驟s101、如圖8a所示，在襯底基板100上通過一次構(gòu)圖工藝，形成每個(gè)亞像素中tft的柵極1050以及位于第一子區(qū)21的多條第一柵線g1；第一子區(qū)21的每個(gè)亞像素中tft的柵極1050(圖8a中未示出)與第一柵線g1相連接。

其中，柵極1050和第一柵線g1由金屬材料制成，金屬材料通常可以采用鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的一次構(gòu)圖工藝，是以通過一次掩膜曝光工藝形成不同的曝光區(qū)域，然后對(duì)不同的曝光區(qū)域進(jìn)行多次刻蝕、灰化等去除工藝最終得到預(yù)期圖案為例進(jìn)行的說明。

步驟s102、如圖8b所示，在形成有第一柵線g1的襯底基板100上形成第一絕緣層102，并在第二子區(qū)22的每個(gè)亞像素中，通過構(gòu)圖工藝在第一絕緣層102對(duì)應(yīng)tft的柵極1050的位置形成過孔d。其中，第一絕緣層102為柵絕緣層。

需要說明的是，第一絕緣層102的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。

步驟s103、如圖8c所示，在形成有絕緣層102的襯底基板100上，通過一次構(gòu)圖工藝，形成位于第一子區(qū)21和第二子區(qū)22的多條金屬引線20。

其中，在第一子區(qū)21中，連接同一行亞像素的第一柵線g1和金屬引線20的布線位置重疊；在第二子區(qū)22，金屬引線20通過過孔d與每個(gè)亞像素中tft的柵極1050相連接。

需要說明的是，為了避免購(gòu)買新的材料形成金屬引線20，增加陣列基板01的制作成本，優(yōu)選的，構(gòu)成金屬引線20的材料與構(gòu)成第一柵線g1的材料相同。

此外，上述步驟s103還包括：如圖8c所示，在形成有金屬引線20的襯底基板100上，依次通過構(gòu)圖工藝形成第二絕緣層103以及有源層104。

步驟s104、如圖8d所示，在形成金屬引線20的襯底基板100上，通過一次構(gòu)圖工藝形成tft的源極1051、漏極1052。

其中，源極1051、漏極1052形成在上述有源層104遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)。

基于此，第二子區(qū)22的每個(gè)亞像素中tft的柵極1050通過過孔與金屬引線20直接相連接，進(jìn)而將柵極驅(qū)動(dòng)電路10的行掃描信號(hào)通過金屬引線20傳輸至第二子區(qū)22的柵極1050中。一方面，由于在第一子區(qū)21中，連接同一行亞像素的第一柵線g1和金屬引線20的布線位置重疊，當(dāng)金屬引線20穿過第一子區(qū)21與柵極驅(qū)動(dòng)電路10連接時(shí)，減小了額外占用第一子區(qū)21的透光區(qū)域的面積，從而能夠減小金屬引線20對(duì)第一子區(qū)21中亞像素的開口率的影響。

在此基礎(chǔ)上，上述陣列基板01的制作方法還包括：步驟s105、如圖8e所示，在形成有源極1051、漏極1052的襯底基板100上，通過構(gòu)圖工藝形成第三絕緣層106。

步驟s106、如圖8f所示，在形成第三絕緣層106的襯底基板100上，通過構(gòu)圖工藝形成多個(gè)條狀的像素電極107。其中，像素電極107通過過孔與漏極1052相連接。

步驟s107、如圖8g所示，在形成像素電極107的襯底基板100上，通過構(gòu)圖工藝形成第四絕緣層108以及塊狀的公共電極109。

當(dāng)然，根據(jù)陣列基板01結(jié)構(gòu)的不同，也可以先形成公共電極109，再形成像素電極107。

基于此，由于在上述陣列基板01中，金屬引線20相對(duì)于tft的源極1051和漏極1052，靠近tft的柵極1050。當(dāng)先形成公共電極109，再形成像素電極107時(shí)，金屬引線20與公共電極109之間存在第二絕緣層103、第三絕緣層106，可以使得金屬引線20與公共電極109之間的距離l增大，從而減小金屬引線20與公共電極109之間的電容cgc2，進(jìn)而可以降低第一子區(qū)21和第二子區(qū)22的像素延遲差異。

當(dāng)如圖8g所示，先形成像素電極107，再形成公共電極109時(shí)，金屬引線20與公共電極109之間存在第二絕緣層103、第三絕緣層106以及第四絕緣層108，可以進(jìn)一步增加金屬引線20與公共電極109之間的距離l。因此，優(yōu)選的，像素電極107與公共電極109依次背離金屬引線20。

在上述制作方法中，由于只需在上述第一絕緣層102上設(shè)置過孔d，第一絕緣層102的厚度一般較薄，通常在微米級(jí)別，因此過孔d的高度h較小，從而使得第一絕緣層102與柵極1050之間的段差較小。當(dāng)在第一絕緣層102背離襯底基板100的一側(cè)形成其他膜層時(shí)，易將過孔d造成的段差減小。

在此基礎(chǔ)上，在陣列基板01的表面上涂覆液晶時(shí)，上述過孔d造成的段差對(duì)液晶取向的影響較小。當(dāng)陣列基板01應(yīng)用于顯示面板進(jìn)行全黑畫面顯示時(shí)，可以對(duì)液晶取向進(jìn)行統(tǒng)一控制，降低了由于段差較大，導(dǎo)致無法對(duì)液晶取向統(tǒng)一控制，使得顯示面板出現(xiàn)漏光現(xiàn)象的幾率。進(jìn)一步的，由于顯示面板的漏光幾率降低，當(dāng)在彩膜基板的一側(cè)形成黑矩陣時(shí)，可以適當(dāng)減小黑矩陣的面積，從而當(dāng)陣列基板01與彩膜基板形成顯示面板時(shí)，可以降低對(duì)顯示面板的開口率的影響。

在此基礎(chǔ)上，為了進(jìn)一步降低上述電容cgc2以及減小上述段差，優(yōu)選的，如圖3所示，在上述第一絕緣層102的表面形成一層樹脂層120。本發(fā)明對(duì)構(gòu)成樹脂層120的材料不做限定，例如可以為光刻膠。

以5.46寸、分辨率為1920*1080的顯示器為例，當(dāng)金屬引線20與公共電極109之間存在第二絕緣層103、第三絕緣層106、樹脂層120以及第四絕緣層108時(shí)，經(jīng)試驗(yàn)測(cè)得，上述電容cdc2的電容為1.9602μf。此時(shí)第一子區(qū)21和第二子區(qū)22的像素延遲差異較小。

此外，由于樹脂層120通常制備的較厚，樹脂層120易將上述過孔d造成的段差完全消除，從而當(dāng)在陣列基板01的表面上涂覆液晶時(shí)，上述過孔d造成的段差不會(huì)對(duì)液晶取向的統(tǒng)一控制造成影響。

本發(fā)明實(shí)施例提供另一種陣列基板01的制作方法，包括在顯示區(qū)域e周邊形成柵極驅(qū)動(dòng)電路10的方法，顯示區(qū)域e包括靠近柵極驅(qū)動(dòng)電路10的第一子區(qū)21，以及遠(yuǎn)離柵極驅(qū)動(dòng)電路10的第二子區(qū)22，本實(shí)施例以tft為底柵型結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖9所示，上述制作方法還包括：

步驟s201、如圖10a所示，在襯底基板100上通過一次構(gòu)圖工藝，形成每個(gè)亞像素中tft的柵極1050、位于第一子區(qū)21的多條第一柵線g1以及位于第二子區(qū)22的多條第二柵線g2；第一子區(qū)21的每個(gè)亞像素中tft的柵極1050(圖10a中未示出)與第一柵線g1相連接；第二子區(qū)22的每個(gè)亞像素中tft的柵極1050與第二柵線g2相連接。

步驟s202、如圖10a所示，在形成有第一柵線g1的襯底基板100上形成第一絕緣層102，在第二子區(qū)22的每一個(gè)亞像素中，通過構(gòu)圖工藝在第一絕緣層102對(duì)應(yīng)第二柵線g2的位置形成過孔d。

步驟s203、如圖10b所示，在形成有絕緣層03的襯底基板100上，通過一次構(gòu)圖工藝，形成位于第一子區(qū)21和第二子區(qū)22的多條金屬引線20。

其中，在第一子區(qū)21中，連接同一行亞像素的第一柵線g1和金屬引線20的布線位置重疊；在第二子區(qū)22，連接同一行亞像素的第二柵線g2和金屬引線20的布線位置重疊，金屬引線20通過過孔d與每個(gè)亞像素中tft的柵極1050相連接。

此外，上述步驟s203還包括：在形成有金屬引線20的襯底基板100上，依次通過構(gòu)圖工藝形成第二絕緣層103以及有源層104。

步驟s204、如圖10c所示，在形成金屬引線20的襯底基板100上，通過一次構(gòu)圖工藝形成tft的源極1051、漏極1052。

基于此，第二子區(qū)22的每個(gè)亞像素中tft的金屬引線20通過過孔d與第二柵線g2相連接，進(jìn)而將柵極驅(qū)動(dòng)電路10的行掃描信號(hào)通過第二柵線g2傳輸至第二子區(qū)22的柵極1050中。一方面，由于在第一子區(qū)21中，連接同一行亞像素的第一柵線g1和金屬引線20的布線位置重疊，當(dāng)金屬引線20穿過第一子區(qū)21與柵極驅(qū)動(dòng)電路10連接時(shí)，減小了額外占用第一子區(qū)21的透光區(qū)域的面積，從而能夠減小金屬引線20對(duì)第一子區(qū)21中亞像素的開口率的影響。此外，在第二子區(qū)22中，連接同一行亞像素的金屬引線20與第二柵線g2的布線位置重疊，避免了金屬引線20與第二柵線g2相連接時(shí)，金屬引線20對(duì)第二子區(qū)22中亞像素的開口率產(chǎn)生影響。

在此基礎(chǔ)上，形成陣列基板01中的其他膜層的方法與上實(shí)施例中的步驟相同，此處不再贅述。

此外，上述實(shí)施例均以陣列基板01為底柵型結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明，當(dāng)陣列基板01為頂柵型時(shí)，陣列基板01的有益效果與上述底柵型結(jié)構(gòu)時(shí)相同，此處不再贅述。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。