本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

tft-lcd(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，薄膜晶體管液晶顯示器)具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用。

液晶顯示面板包括顯示基板和對盒基板，通常會(huì)在對盒基板上設(shè)置防靜電結(jié)構(gòu)，采用點(diǎn)銀膠工藝使防靜電結(jié)構(gòu)與顯示基板側(cè)的銀膠點(diǎn)連接，而該銀膠點(diǎn)與接地線電連接，從而達(dá)到防靜電的目的。

目前，如圖1所示，銀膠點(diǎn)10由兩層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，一層為金屬圖案層101，另一層為透明導(dǎo)電圖案層102，透明導(dǎo)電圖案層102設(shè)置于顯示基板的外表面，且透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101通過位于二者之間的鈍化層20上的過孔電連接。

然而，由于涂覆工藝中，銀膠30具有一定的流動(dòng)性，會(huì)出現(xiàn)銀膠30擴(kuò)散到其周邊走線區(qū)域的現(xiàn)象，同時(shí)由于在使用、運(yùn)輸和信賴性測試中，鈍化層20往往會(huì)出現(xiàn)破裂、穿孔等現(xiàn)象，因此就會(huì)出現(xiàn)銀膠30與其周邊的走線40的短路現(xiàn)象，引起顯示不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種顯示基板及其制備方法、顯示面板，可使銀膠不易擴(kuò)散到其周邊的走線區(qū)域，從而可有效避免銀膠與其周邊的走線短路的問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種顯示基板，包括襯底，設(shè)置于所述襯底上的銀膠點(diǎn)和走線，所述銀膠點(diǎn)的個(gè)數(shù)為至少一個(gè)；所述銀膠點(diǎn)和與其靠近的所述走線之間具有凸起結(jié)構(gòu)；以所述襯底的設(shè)置所述銀膠點(diǎn)和所述走線的表面為參考面，所述凸起結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述襯底的上表面與所述參考面之間的高度，大于所述銀膠點(diǎn)遠(yuǎn)離所述襯底的上表面與所述參考面之間的高度；所述凸起結(jié)構(gòu)用于阻擋銀膠擴(kuò)散至所述走線的區(qū)域。

優(yōu)選的，在所述銀膠點(diǎn)和所述凸起結(jié)構(gòu)之間，還具有凹陷結(jié)構(gòu)；以所述襯底的設(shè)置所述銀膠點(diǎn)和所述走線的表面為參考面，所述凹陷結(jié)構(gòu)靠近所述襯底的下表面與所述參考面之間的高度，小于所述銀膠點(diǎn)遠(yuǎn)離所述襯底的上表面與所述參考面之間的高度。

優(yōu)選的，所述顯示基板還包括設(shè)置于所述襯底上的薄膜晶體管和像素電極；所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極；所述凸起結(jié)構(gòu)包括多層圖案層，所述多層圖案層中的至少部分圖案層與所述柵極同層設(shè)置，和/或與所述有源層同層設(shè)置，和/或與所述源極和所述漏極設(shè)置，和/或與所述像素電極同層設(shè)置。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述顯示基板還包括公共電極和鈍化層；所述多層圖案層中的至少部分圖案層與所述柵極同層設(shè)置，和/或與所述有源層同層設(shè)置，和/或與所述源極和所述漏極設(shè)置，和/或與所述像素電極同層設(shè)置，和/或與所述公共電極同層設(shè)置。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述凸起結(jié)構(gòu)包括第一圖案層、所述柵絕緣層、第二圖案層、第三圖案層、第四圖案層、鈍化層、以及第五圖案層。

其中，所述第一圖案層與所述柵極同層；所述第二圖案層與所述有源層同層；所述第三圖案層與所述源極和所述漏極同層；第四圖案層與所述像素電極同層；所述第五圖案層與所述公共電極同層。

進(jìn)一步的，所述銀膠點(diǎn)包括金屬圖案層和透明導(dǎo)電圖案層；所述金屬圖案層與所述源極和所述漏極、柵極中的至少一者同層，所述透明導(dǎo)電圖案層與像素電極、公共電極中的中的至少一者一者同層。

優(yōu)選的，所述凹陷結(jié)構(gòu)的下表面與所述參考面處于同一平面。

第一方面提供的顯示基板，通過在銀膠點(diǎn)和其靠近的走線之間設(shè)置凸起結(jié)構(gòu)，可在點(diǎn)銀膠工藝后，銀膠被凸起結(jié)構(gòu)阻擋而不易跨越凸起結(jié)構(gòu)擴(kuò)散到走線的區(qū)域，從而可有效避免銀膠與其周邊的走線短路的問題。

第二方面，提供一種顯示基板，包括襯底，設(shè)置于所述襯底上的銀膠點(diǎn)和走線；所述銀膠點(diǎn)包括金屬圖案層和設(shè)置于所述金屬圖案層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的透明導(dǎo)電圖案層；所述金屬圖案層包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一條形鏤空結(jié)構(gòu)，所述第一條形鏤空結(jié)構(gòu)沿其靠近的所述走線的方向延伸。

優(yōu)選的，金屬圖案層和透明導(dǎo)電圖案層之間設(shè)置有絕緣層；所述絕緣層包括間隔設(shè)置的多個(gè)第二條形鏤空結(jié)構(gòu)，所述第二條形鏤空結(jié)構(gòu)與所述第一條形鏤空結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)，且所述第二條形鏤空結(jié)構(gòu)在襯底上的正投影與所述第一條形鏤空結(jié)構(gòu)在所述襯底上的正投影重疊。

優(yōu)選的，所述銀膠點(diǎn)和與其靠近的所述走線之間具有凸起結(jié)構(gòu)；以所述襯底的設(shè)置所述銀膠點(diǎn)和所述走線的表面為參考面，所述凸起結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述襯底的上表面與所述參考面之間的高度，大于所述銀膠點(diǎn)遠(yuǎn)離所述襯底的上表面與所述參考面之間的高度；所述凸起結(jié)構(gòu)用于阻擋銀膠擴(kuò)散至所述走線的區(qū)域。

進(jìn)一步優(yōu)選的，在所述銀膠點(diǎn)和所述凸起結(jié)構(gòu)之間，還具有凹陷結(jié)構(gòu)；以所述襯底的設(shè)置所述銀膠點(diǎn)和所述走線的表面為參考面，所述凹陷結(jié)構(gòu)靠近所述襯底的下表面與所述參考面之間的高度，小于所述銀膠點(diǎn)遠(yuǎn)離所述襯底的上表面與所述參考面之間的高度

優(yōu)選的，所述金屬圖案層與所述源極和所述漏極、柵極中的至少一種同層，所述透明導(dǎo)電圖案層與像素電極、公共電極中的至少一者同層。

第二方面提供的顯示基板，通過將金屬圖案層設(shè)置為包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一條形鏤空結(jié)構(gòu)，可使銀膠點(diǎn)具有沿第一條形鏤空結(jié)構(gòu)的延伸方向排布的多個(gè)凹坑，從而在點(diǎn)銀膠工藝后，銀膠可沿凹坑的延伸方向流動(dòng)，在此基礎(chǔ)上，當(dāng)將第一條形鏤空結(jié)構(gòu)的延伸方向與靠近的走線方向平行時(shí)，可使銀膠不易擴(kuò)散到其周邊的走線區(qū)域，從而可有效避免銀膠與周邊的走線短路的問題。

第三方面，提供一種顯示面板，包括第一方面或第二方面所述的顯示基板，還包括對盒基板，所述對盒基板上具有防靜電結(jié)構(gòu)；所述防靜電結(jié)構(gòu)通過銀膠與所述顯示基板上的銀膠點(diǎn)電連接。

優(yōu)選的，所述銀膠點(diǎn)的個(gè)數(shù)為兩個(gè)，分別設(shè)置在所述顯示基板的對角線的兩端。

優(yōu)選的，所述防靜電結(jié)構(gòu)為透明導(dǎo)電膜層，所述透明導(dǎo)電膜層設(shè)置于對盒基板的遠(yuǎn)離所述顯示基板一側(cè)。

第三方面提供的顯示面板，具有與第一方面或者第二方面提供的顯示基板具有相同的技術(shù)效果。

第四方面，提供一種顯示基板的制備方法，包括在襯底上形成銀膠點(diǎn)和走線，所述銀膠點(diǎn)的個(gè)數(shù)為至少一個(gè)；所述方法還包括在所述銀膠點(diǎn)和與其靠近的所述走線之間形成凸起結(jié)構(gòu)；所述凸起結(jié)構(gòu)包括多層圖案層，所述多層圖案層中的至少部分圖案層與薄膜晶體管的柵極通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與所述薄膜晶體管的有源層通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與所述薄膜晶體管的源極和漏極通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與像素電極通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

其中，以所述襯底的形成所述銀膠點(diǎn)和所述走線的表面為參考面，所述凸起結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述襯底的上表面與所述參考面之間的高度，大于所述銀膠點(diǎn)遠(yuǎn)離所述襯底的上表面與所述參考面之間的高度；所述凸起結(jié)構(gòu)用于阻擋所述銀膠擴(kuò)散至所述走線的區(qū)域。

優(yōu)選的，所述方法還包括形成公共電極和鈍化層；所述多層圖案層中的至少部分圖案層與所述柵極通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與所述有源層通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與所述源極和所述漏極通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與所述像素電極通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與所述公共電極通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述凸起結(jié)構(gòu)包括第一圖案層、柵絕緣層、第二圖案層、第三圖案層、第四圖案層、所述鈍化層、以及第五圖案層。

其中，所述第一圖案層與所述柵極通過同一次構(gòu)圖工藝形成；所述第二圖案層與所述有源層通過同一次構(gòu)圖工藝形成；所述第三圖案層與所述源極和所述漏極通過同一次構(gòu)圖工藝形成；所述第四圖案層與所述像素電極通過同一次構(gòu)圖工藝形成；所述第五圖案層與所述公共電極通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

基于上述，優(yōu)選的，所述方法還包括在所述銀膠點(diǎn)和所述凸起結(jié)構(gòu)之間形成凹陷結(jié)構(gòu)；以所述襯底的形成所述銀膠點(diǎn)和所述走線的表面為參考面，所述凹陷結(jié)構(gòu)的靠近所述襯底的下表面與所述參考面處于同一平面。

第四方面提供的顯示基板的制備方法，具有與第一方面提供的顯示基板具有相同的技術(shù)效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種顯示基板非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2b為點(diǎn)銀膠工藝后，圖2a中的鈍化層出現(xiàn)破裂、穿孔等現(xiàn)象時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖3b為點(diǎn)銀膠工藝后，圖3a中的鈍化層出現(xiàn)破裂、穿孔等現(xiàn)象時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖4b為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖5b為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖6a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖五；

圖6b為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖六；

圖7a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖七；

圖7b為點(diǎn)銀膠工藝后，圖7a中的鈍化層出現(xiàn)破裂、穿孔等現(xiàn)象時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種銀膠點(diǎn)中金屬圖案層的俯視示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖八；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖九；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板非顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖十；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的俯視示意圖。

附圖標(biāo)記：

01-顯示基板；02-對盒基板；10-銀膠點(diǎn)；101-金屬圖案層；102-透明導(dǎo)電圖案層；20-鈍化層；30-銀膠；40-走線；50-襯底；60-凸起結(jié)構(gòu)；70-凹陷結(jié)構(gòu)；80-薄膜晶體管；90-像素電極；100-層間絕緣層；120-絕緣層；110-公共電極；601-第一圖案層；602-第二圖案層；603-第三圖案層；604-第四圖案層；605-第五圖案層；801-柵極；802-柵絕緣層；803-有源層；804-源極；805-漏極；1011-第一條形鏤空結(jié)構(gòu)；1201-第二條形鏤空結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板01，如圖2a所示，包括襯底50，設(shè)置于襯底50上的銀膠點(diǎn)10和走線40，銀膠點(diǎn)10的個(gè)數(shù)為至少一個(gè)；銀膠點(diǎn)10和與其靠近的走線40之間具有凸起結(jié)構(gòu)60；以襯底50的設(shè)置銀膠點(diǎn)10和走線40的表面為參考面，凸起結(jié)構(gòu)60遠(yuǎn)離襯底50的上表面與參考面之間的高度，大于銀膠點(diǎn)10遠(yuǎn)離襯底50的上表面與參考面之間的高度，即凸起結(jié)構(gòu)60的高度高于銀膠點(diǎn)10的高度；凸起結(jié)構(gòu)60用于阻擋銀膠30擴(kuò)散至走線40的區(qū)域。

點(diǎn)銀膠工藝后，如圖2b所示，當(dāng)鈍化層20出現(xiàn)破裂、穿孔等現(xiàn)象時(shí)，由于凸起結(jié)構(gòu)60的阻擋作用，銀膠30很難跨越凸起結(jié)構(gòu)60而通過鈍化層20的破裂、穿孔等處與走線40電連接。

需要說明的是，第一，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，當(dāng)顯示基板01與對盒基板對盒后，才進(jìn)行點(diǎn)銀膠工藝，以使銀膠30與銀膠點(diǎn)10連接。其中，對于銀膠點(diǎn)10，需與顯示基板01上的接地線電連接。

第二，銀膠點(diǎn)10的個(gè)數(shù)可根據(jù)顯示基板01所應(yīng)用的顯示面板的尺寸而定，顯示面板較小時(shí)，可采用一個(gè)銀膠點(diǎn)10，顯示面板較大時(shí)，可采用兩個(gè)或兩個(gè)以上的銀膠點(diǎn)10，這樣可使對盒基板上的防靜電結(jié)構(gòu)充分接地。

其中，不管銀膠點(diǎn)10為幾個(gè)，其均設(shè)置于襯底50的非顯示區(qū)。當(dāng)然，上述提到的走線40也為設(shè)置于非顯示區(qū)的走線40。

第三，不對凸起結(jié)構(gòu)60的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行限定，只要能起到阻擋銀膠30擴(kuò)散至走線40的區(qū)域即可。

第四，圖2a和圖2b中以銀膠點(diǎn)10包括金屬圖案層101和透明導(dǎo)電圖案層102，且透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101通過位于二者之間的鈍化層20上的過孔電連接為例進(jìn)行示意。但本發(fā)明實(shí)施例并不限與此，具體可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)定。

例如：透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101之間除設(shè)置鈍化層20外，還可設(shè)置其他絕緣層(例如層間絕緣層或柵絕緣層等)，此時(shí)，透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101需通過位于鈍化層20和其他絕緣層上的過孔電連接?；蛘?，透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101之間設(shè)置柵絕緣層，此時(shí)，透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101需通過位于柵絕緣層上的過孔電連接?；蛘?，透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101之間設(shè)置層間絕緣層，此時(shí)，透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101需通過位于層間絕緣層上的過孔電連接。

此處需要特別說明的是，不管是鈍化層20，柵絕緣層，或是層間絕緣層，其實(shí)質(zhì)都是絕緣層，且都是平鋪于襯底50上形成，僅在需要時(shí)，在相應(yīng)層上形成相應(yīng)圖案例如過孔即可。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板01，通過在銀膠點(diǎn)10和其靠近的走線40之間設(shè)置凸起結(jié)構(gòu)60，可在點(diǎn)銀膠工藝后，銀膠30被凸起結(jié)構(gòu)60阻擋而不易跨越凸起結(jié)構(gòu)60擴(kuò)散到走線40的區(qū)域，從而可有效避免銀膠30與其周邊的走線40短路的問題。

優(yōu)選的，如圖3a所示，在銀膠點(diǎn)10和凸起結(jié)構(gòu)60之間，還具有凹陷結(jié)構(gòu)70；以襯底50的設(shè)置銀膠點(diǎn)10和走線40的表面為參考面，凹陷結(jié)構(gòu)70靠近襯底50的下表面與參考面之間的高度，小于銀膠點(diǎn)10遠(yuǎn)離襯底50的上表面與參考面之間的高度。

點(diǎn)銀膠工藝后，如圖3b所示，當(dāng)鈍化層20出現(xiàn)破裂、穿孔等現(xiàn)象時(shí)，由于凹陷結(jié)構(gòu)70和凸起結(jié)構(gòu)60所形成的較大段差的作用，銀膠30很難跨越凸起結(jié)構(gòu)60而通過鈍化層20的破裂、穿孔等處與走線40電連接。

需要說明的是，圖3a和圖3b中以銀膠點(diǎn)10包括金屬圖案層101和透明導(dǎo)電圖案層102，且透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101通過位于二者之間的鈍化層20上的過孔電連接為例進(jìn)行示意。但本發(fā)明實(shí)施例并不限與此，具體可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)定。

本發(fā)明實(shí)施例通過在銀膠點(diǎn)10和與其靠近的走線40之間設(shè)置凹陷結(jié)構(gòu)70和凸起結(jié)構(gòu)60，并使凹陷結(jié)構(gòu)70設(shè)置于銀膠點(diǎn)10和凸起結(jié)構(gòu)60之間，相當(dāng)于在銀膠點(diǎn)10和與其靠近的走線40之間形成了一個(gè)凹坑和一個(gè)凸起，而凹坑和凸起的段差較大，使阻擋銀膠30擴(kuò)散到走線40的區(qū)域的效果更好。

基于上述，如圖4a所示，顯示基板01還包括設(shè)置于襯底50上的薄膜晶體管80和像素電極90。薄膜晶體管80包括柵極801、柵絕緣層802、有源層803、源極804和漏極805?；诖?，優(yōu)選的，凸起結(jié)構(gòu)60包括多層圖案層，多層圖案層中的至少部分圖案層與柵極801同層設(shè)置，和/或與有源層803同層設(shè)置，和/或與源極804和漏極805設(shè)置，和/或與像素電極90同層設(shè)置。

即，在形成薄膜晶體管80和像素電極90的過程中，形成多層圖案層中的至少部分圖案層。這樣，可以簡化制備工藝。

其中，由于薄膜晶體管的柵絕緣層802是平鋪于襯底50上形成的，因此，在凸起結(jié)構(gòu)60位置處可保留柵絕緣層802，從而在凸起結(jié)構(gòu)60位置處，使柵絕緣層802作為凸起結(jié)構(gòu)60的其中一層圖案層。在此基礎(chǔ)上，凸起結(jié)構(gòu)60還可包括與柵極801同層的第一圖案層，和/或與有源層803同層的第二圖案層，和/或與源極804和漏極805同層的第三圖案層，和/或與像素電極90同層的第四圖案層。

此外，在形成薄膜晶體管80和像素電極90的過程中，還可以形成層間絕緣層，由于層間絕緣層也是平鋪于襯底50上形成的，因此，凸起結(jié)構(gòu)60中還可包括層間絕緣層。此處，不對層間絕緣層的設(shè)置位置進(jìn)行限定，可根據(jù)需要設(shè)置在需要隔離的兩層電極之間。

例如，如圖4a所示，顯示基板01還包括設(shè)置于襯底50上顯示區(qū)的薄膜晶體管80、像素電極90。薄膜晶體管80包括依次設(shè)置于襯底50上的柵極801、柵絕緣層802、有源層803、源極804和漏極805；漏極805通過設(shè)置于層間絕緣層100上的過孔與像素電極90電連接。其中，柵絕緣層802和層間絕緣層100平鋪于襯底50上。

基于此，如圖4b所示，凸起結(jié)構(gòu)60中除包括柵絕緣層802和層間絕緣層100外，還可包括與柵極801同層的第一圖案層601，與有源層803同層的第二圖案層602，與源極804和漏極805同層的第三圖案層603，以及與像素電極90同層的第四圖案層604。

其中，銀膠點(diǎn)10包括金屬圖案層101和透明導(dǎo)電圖案層102，金屬圖案層101可與源極804和漏極805同層設(shè)置，透明導(dǎo)電圖案層102可與像素電極90同層設(shè)置。走線40可與源極804和漏極805同層設(shè)置。

需要說明的是，不對薄膜晶體管80的類型進(jìn)行限定，可以是非晶硅薄膜晶體管、金屬氧化物薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管等。此外，薄膜晶體管80可以是底柵型，也可以是頂柵型，圖4a僅以底柵型薄膜晶體管為例進(jìn)行示意。

此外，上述的至少兩個(gè)圖案同層，即為該至少兩個(gè)圖案通過一次構(gòu)圖工藝形成。

進(jìn)一步的，如圖5a所示，顯示基板01還包括公共電極110和鈍化層20?；诖?，優(yōu)選的，凸起結(jié)構(gòu)60包括多層圖案層，多層圖案層中的至少部分圖案層與柵極801同層設(shè)置，和/或與有源層803同層設(shè)置，和/或與源極804和漏極805層設(shè)置，和/或與像素電極90同層設(shè)置，和/或與公共電極110同層設(shè)置。

即，在形成薄膜晶體管80、像素電極90、公共電極110和鈍化層20的過程中，形成多層圖案層中的至少部分圖案層。

其中，由于薄膜晶體管的柵絕緣層802、鈍化層20是平鋪于襯底50上形成的，因此，在凸起結(jié)構(gòu)60位置處可保留柵絕緣層802和鈍化層20，從而在凸起結(jié)構(gòu)60位置處，使柵絕緣層802和鈍化層20作為凸起結(jié)構(gòu)60的其中兩層圖案層。在此基礎(chǔ)上，凸起結(jié)構(gòu)60還可包括與柵極801同層的第一圖案層601，和/或與有源層803同層的第二圖案層602，和/或與源極804和漏極805同層的第三圖案層603，和/或與像素電極90同層的第四圖案層604，和/或與公共電極110同層的第五圖案層。

例如，如圖5a所示，顯示基板01還包括設(shè)置于襯底50上顯示區(qū)的薄膜晶體管80、像素電極90、鈍化層20和公共電極110。薄膜晶體管80包括依次設(shè)置于襯底50上的柵極801、柵絕緣層802、有源層803、源極804和漏極805；像素電極90設(shè)置于漏極805的靠近襯底50的一側(cè)，并與漏極805直接接觸；鈍化層20和公共電極110設(shè)置于源極804和漏極805的遠(yuǎn)離襯底50的一側(cè)。其中，柵絕緣層802和鈍化層20平鋪于襯底50上。

基于此，如圖5b所示，凸起結(jié)構(gòu)60中除包括柵絕緣層802和鈍化層20外，還可包括與柵極801同層的第一圖案層601、與有源層803同層的第二圖案層602、與源極804和漏極805同層的第三圖案層603、與像素電極90同層的第四圖案層604、以及與公共電極110同層的第五圖案層605。

其中，銀膠點(diǎn)10包括金屬圖案層101和透明導(dǎo)電圖案層102，金屬圖案層101可與源極804和漏極805同層設(shè)置，透明導(dǎo)電圖案層102可與公共電極110同層設(shè)置。走線40可與源極804和漏極805同層設(shè)置。

這樣，可避免構(gòu)圖工藝的增加，而且可使形成的凸起結(jié)構(gòu)60的高度更高(以某一款產(chǎn)品為例，當(dāng)凸起結(jié)構(gòu)60以上述方式形成時(shí)，可使凸起結(jié)構(gòu)60與銀膠點(diǎn)10的段差達(dá)到1.9μm及以上)。

基于上述，對于銀膠點(diǎn)10中的金屬圖案層101，其可以與源極804和漏極805同層設(shè)置，也可以與柵極801同層設(shè)置。當(dāng)然，金屬圖案層101也可以為兩層，其中一層與源極804和漏極805同層設(shè)置，另一層與柵極801同層設(shè)置。

對于銀膠點(diǎn)10中的透明導(dǎo)電圖案層102，其可以與公共電極110同層，也可以與像素電極90同層。當(dāng)然，透明導(dǎo)電圖案層102也可以為兩層，其中一層與像素電極90同層設(shè)置，另一層與公共電極110同層設(shè)置。

對于走線40，其可以與源極804和漏極805同層設(shè)置，也可以與柵極801同層設(shè)置。當(dāng)然，走線40也可以為兩層，其中一層與源極804和漏極805同層設(shè)置，另一層與柵極801同層設(shè)置。

優(yōu)選的，如圖6a和圖6b所示，凹陷結(jié)構(gòu)70的下表面與所述參考面處于同一平面。

即，在凹陷結(jié)構(gòu)70位置處，露出襯底50。其中，當(dāng)凹陷結(jié)構(gòu)70露出襯底50時(shí)，以上述產(chǎn)品為例，可使凹陷結(jié)構(gòu)70與銀膠點(diǎn)10之間形成0.8μm左右的段差。

這樣，可使凸起結(jié)構(gòu)60相對凹陷結(jié)構(gòu)70的段差更高，從而在點(diǎn)銀膠工藝后，使阻擋銀膠30擴(kuò)散到走線40的區(qū)域的效果更好。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板01，如圖7a所示，包括襯底50，設(shè)置于襯底50上的銀膠點(diǎn)10和走線40；銀膠點(diǎn)10包括金屬圖案層101和設(shè)置于金屬圖案層101遠(yuǎn)離襯底50一側(cè)的透明導(dǎo)電圖案層102；如圖7a和圖8所示，金屬圖案層101包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011，第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011沿其靠近的走線40的方向延伸。

其中，優(yōu)選的，第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011均勻分布。

點(diǎn)銀膠工藝后，如圖7b所示，當(dāng)鈍化層20出現(xiàn)破裂、穿孔等現(xiàn)象時(shí)，由于第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011可使銀膠30沿著第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011的延伸方向流動(dòng)，因而不易使銀膠30擴(kuò)散至銀膠點(diǎn)10周邊的走線區(qū)域。

需要說明的是，第一，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，當(dāng)顯示基板01與對盒基板對盒后，才進(jìn)行點(diǎn)銀膠工藝，以使銀膠30與銀膠點(diǎn)10連接。其中，對于銀膠點(diǎn)10，需與顯示基板01上的接地線電連接。

第二，銀膠點(diǎn)10的個(gè)數(shù)可根據(jù)顯示基板01所應(yīng)用的顯示面板的尺寸而定，顯示面板較小時(shí)，可采用一個(gè)銀膠點(diǎn)10，顯示面板較大時(shí)，可采用兩個(gè)或兩個(gè)以上的銀膠點(diǎn)10，這樣可使對盒基板上的防靜電結(jié)構(gòu)充分接地。

其中，不管銀膠點(diǎn)10為幾個(gè)，其均設(shè)置于襯底50的非顯示區(qū)。當(dāng)然，上述提到的走線40也為設(shè)置于非顯示區(qū)的走線40。

第三，不對第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011的尺寸及個(gè)數(shù)進(jìn)行限定，可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)定，只要能使銀膠30沿著第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011的延伸方向流動(dòng)，從而不易擴(kuò)散至銀膠點(diǎn)10周邊的走線區(qū)域即可。

第四，圖7a和圖7b中以銀膠點(diǎn)10包括金屬圖案層101和透明導(dǎo)電圖案層102，且透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101通過位于二者之間的鈍化層20上的過孔電連接為例進(jìn)行示意。但本發(fā)明實(shí)施例并不限與此，具體可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)定。

例如：透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101之間除設(shè)置鈍化層20外，還可設(shè)置其他絕緣層(例如層間絕緣層或柵絕緣層等)，此時(shí)，透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101需通過位于鈍化層20和其他絕緣層上的過孔電連接?；蛘?，透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101之間設(shè)置柵絕緣層，此時(shí)，透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101需通過位于柵絕緣層上的過孔電連接?；蛘撸该鲗?dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101之間設(shè)置層間絕緣層，此時(shí)，透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101需通過位于層間絕緣層上的過孔電連接。

其中，不管是鈍化層20，還是柵絕緣層、層間絕緣層等，其實(shí)質(zhì)都是絕緣層。因此，下述以透明導(dǎo)電圖案層102與金屬圖案層101之間設(shè)置絕緣層進(jìn)行描述。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板01，通過將金屬圖案層101設(shè)置為包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011，可使銀膠點(diǎn)10具有沿第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011的延伸方向排布的多個(gè)凹坑，從而在點(diǎn)銀膠工藝后，銀膠30可沿凹坑的延伸方向流動(dòng)，在此基礎(chǔ)上，當(dāng)將第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011的延伸方向與靠近的走線40方向平行時(shí)，可使銀膠30不易擴(kuò)散到其周邊的走線區(qū)域，從而可有效避免銀膠30與周邊的走線40短路的問題。

優(yōu)選的，如圖9所示，金屬圖案層101和透明導(dǎo)電圖案層102之間設(shè)置有絕緣層120，所述絕緣層120包括間隔設(shè)置的多個(gè)第二條形鏤空結(jié)構(gòu)1201，第二條形鏤空結(jié)構(gòu)1201與第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011一一對應(yīng)，且第二條形鏤空結(jié)構(gòu)1201在襯底50上的正投影與第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011在襯底50上的正投影重疊。

由于第二條形鏤空結(jié)構(gòu)1201在襯底50上的正投影與第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011在襯底50上的正投影重疊，因而，透明導(dǎo)電圖案層102便可通過重疊的第二條形鏤空結(jié)構(gòu)1201和第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011，與金屬圖案層101電連接。

此處，絕緣層120的具體類型(例如鈍化層、柵絕緣層等)，可根據(jù)實(shí)際工藝而定。

本發(fā)明實(shí)施例通過將銀膠點(diǎn)10處的絕緣層120也設(shè)置為包括間隔設(shè)置的多個(gè)第二條形鏤空結(jié)構(gòu)1201，且使第二條形鏤空結(jié)構(gòu)1201與第一條形鏤空結(jié)構(gòu)1011一一對應(yīng)其在襯底50上的正投影重疊，可使凹坑較深，進(jìn)一步保證銀膠30只沿凹坑的延伸方向流動(dòng)，從而進(jìn)一步避免銀膠30擴(kuò)散至其周邊的走線40區(qū)域。

基于上述，如圖10所示，優(yōu)選的，銀膠點(diǎn)10和與其靠近的走線40之間具有凸起結(jié)構(gòu)60；以襯底50的設(shè)置銀膠點(diǎn)10和走線40的表面為參考面，凸起結(jié)構(gòu)60遠(yuǎn)離襯底50的上表面與參考面之間的高度，大于銀膠點(diǎn)10遠(yuǎn)離襯底50的上表面與參考面之間的高度；凸起結(jié)構(gòu)60用于阻擋銀膠30擴(kuò)散至走線40的區(qū)域。

其中，對于凸起結(jié)構(gòu)60，且具體結(jié)構(gòu)可參見上述描述，在此不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例通過在銀膠點(diǎn)10和其靠近的走線40之間設(shè)置凸起結(jié)構(gòu)60，點(diǎn)銀膠工藝后，可進(jìn)一步避免銀膠30跨越凸起結(jié)構(gòu)60擴(kuò)散到走線40的區(qū)域，從而更有效避免銀膠30與其周邊的走線40短路的問題。

進(jìn)一步的，如圖11所示，在銀膠點(diǎn)10和凸起結(jié)構(gòu)60之間，還具有凹陷結(jié)構(gòu)70；以襯底50的設(shè)置銀膠點(diǎn)10和走線40的表面為參考面，凹陷結(jié)構(gòu)70靠近襯底50的下表面與參考面之間的高度，小于銀膠點(diǎn)10遠(yuǎn)離襯底50的上表面與參考面之間的高度。

進(jìn)一步優(yōu)選的，凹陷結(jié)構(gòu)70的下表面與參考面處于同一平面。

本發(fā)明實(shí)施例通過在銀膠點(diǎn)10和與其靠近的走線40之間設(shè)置凹陷結(jié)構(gòu)70和凸起結(jié)構(gòu)60，并使凹陷結(jié)構(gòu)70設(shè)置于銀膠點(diǎn)10和凸起結(jié)構(gòu)60之間，相當(dāng)于在銀膠點(diǎn)10和與其靠近的走線40之間形成了一個(gè)凹坑和一個(gè)凸起，而凹坑和凸起的段差較大，可完全避免銀膠30跨越凸起結(jié)構(gòu)60擴(kuò)散到走線40的區(qū)域。

需要說明的是，圖10和圖11以絕緣層120為鈍化層20進(jìn)行示意。

基于上述，優(yōu)選的，對于銀膠點(diǎn)10中的金屬圖案層101，可以與源極804和漏極805，柵極801中的至少一種同層。對于銀膠點(diǎn)10中的透明導(dǎo)電圖案層102，其可以與公共電極110、像素電極90中的至少一者同層。對于走線40，可以與源極804和漏極805，柵極801中的至少一種同層。

具體的，對于銀膠點(diǎn)10中的金屬圖案層101，其可以與源極804和漏極805同層設(shè)置，也可以與柵極801同層設(shè)置。當(dāng)然，金屬圖案層101也可以為兩層，其中一層與源極804和漏極805同層設(shè)置，另一層與柵極801同層設(shè)置。

對于銀膠點(diǎn)10中的透明導(dǎo)電圖案層102，其可以與公共電極110同層，也可以與像素電極90同層。當(dāng)然，透明導(dǎo)電圖案層102也可以為兩層，其中一層與像素電極90同層設(shè)置，另一層與公共電極110同層設(shè)置。

對于走線40，其可以與源極804和漏極805同層設(shè)置，也可以與柵極801同層設(shè)置。當(dāng)然，走線40也可以為兩層，其中一層與源極804和漏極805同層設(shè)置，另一層與柵極801同層設(shè)置。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，如圖12所示，包括上述的顯示基板01，還包括對盒基板02，對盒基板02上具有防靜電結(jié)構(gòu)(圖中未標(biāo)識(shí)出)；防靜電結(jié)構(gòu)通過銀膠30與顯示基板01上的銀膠點(diǎn)10電連接。

此處，考慮到車載顯示面板由于其應(yīng)用環(huán)境，發(fā)生銀膠點(diǎn)10中金屬圖案層101與透明導(dǎo)電圖案層102之間的絕緣層120(例如鈍化層20)破裂、穿孔等的可能性更大，因此，優(yōu)選，所述顯示面板為車載顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，其具有與前面顯示基板相同的有益效果，在此不再贅述。

優(yōu)選的，如圖12所示，銀膠點(diǎn)10的個(gè)數(shù)為兩個(gè)，分別設(shè)置在顯示基板01的對角線的兩端。

一方面，設(shè)置兩個(gè)銀膠點(diǎn)10，可使導(dǎo)靜電效率更高，且相對設(shè)置兩個(gè)以上的銀膠點(diǎn)10，不會(huì)增加顯示基板01的布線難度；另一方面，可在一個(gè)銀膠點(diǎn)10出現(xiàn)無法導(dǎo)靜電的問題時(shí)，另一個(gè)銀膠點(diǎn)10還可導(dǎo)靜電，因而可提高產(chǎn)品的信賴性。

優(yōu)選的，防靜電結(jié)構(gòu)為透明導(dǎo)電膜層，該透明導(dǎo)電膜層設(shè)置于對盒基板02的遠(yuǎn)離顯示基板01一側(cè)。

這樣，可無需改變現(xiàn)有對盒基板02的工藝，且制備透明導(dǎo)電薄膜的工藝更簡單。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板的制備方法，包括在襯底50上形成銀膠點(diǎn)10和走線40，銀膠點(diǎn)10的個(gè)數(shù)為至少一個(gè)；還包括在銀膠點(diǎn)10和與其靠近的走線40之間形成凸起結(jié)構(gòu)60；凸起結(jié)構(gòu)包括多層圖案層，多層圖案層中的至少部分圖案層與薄膜晶體管的柵極801通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與薄膜晶體管的有源層803通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與薄膜晶體管的源極804和漏極805通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與像素電極90通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

其中，以襯底50的設(shè)置銀膠點(diǎn)10和走線40的表面為參考面，凸起結(jié)構(gòu)60遠(yuǎn)離襯底50的上表面與參考面之間的高度，大于銀膠點(diǎn)10遠(yuǎn)離襯底50的上表面與參考面之間的高度；凸起結(jié)構(gòu)60用于阻擋銀膠30擴(kuò)散至走線40的區(qū)域。

示例的，如圖4a所示，薄膜晶體管80包括依次形成于襯底50上的柵極801、柵絕緣層802、有源層803、源極804和漏極805；漏極805通過形成于層間絕緣層100上的過孔與像素電極90電連接。其中，柵絕緣層802和層間絕緣層100平鋪于襯底50上。

基于此，如圖4b所示，凸起結(jié)構(gòu)60中除包括柵絕緣層802和層間絕緣層100外，還可包括與柵極801通過同一次構(gòu)圖工藝形成的第一圖案層601，與有源層803通過同一次構(gòu)圖工藝形成的第二圖案層602，與源極804和漏極805通過同一次構(gòu)圖工藝形成的第三圖案層603，以及與像素電極90通過同一次構(gòu)圖工藝形成的第四圖案層604。

其中，銀膠點(diǎn)10包括金屬圖案層101和透明導(dǎo)電圖案層102，金屬圖案層101可與源極804和漏極805通過同一次構(gòu)圖工藝形成，透明導(dǎo)電圖案層102可與像素電極90通過同一次構(gòu)圖工藝形成。走線40可與源極804和漏極805通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

需要說明的是，不對薄膜晶體管80的類型進(jìn)行限定，可以是非晶硅薄膜晶體管、金屬氧化物薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管等。此外，薄膜晶體管80可以是底柵型，也可以是頂柵型，圖4a僅以底柵型薄膜晶體管為例進(jìn)行示意。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板的制備方法，一方面，通過在銀膠點(diǎn)10和其靠近的走線40之間形成凸起結(jié)構(gòu)60，可在點(diǎn)銀膠工藝后，銀膠30被凸起結(jié)構(gòu)60阻擋而不易跨越凸起結(jié)構(gòu)60擴(kuò)散到走線40的區(qū)域，從而可有效避免銀膠30與其周邊的走線40短路的問題。另一方面，由于凸起結(jié)構(gòu)60可與薄膜晶體管80和像素電極90同步形成，因而，可避免增加構(gòu)圖工藝次數(shù)。

如圖5a所示，所述方法還包括形成公共電極110和鈍化層20；基于此，優(yōu)選的，凸起結(jié)構(gòu)60包括多層圖案層，多層圖案層中的至少部分圖案層與柵極801通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與有源層803通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與源極804和漏極805通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與像素電極90通過同一次構(gòu)圖工藝形成，和/或與公共電極110通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

其中，由于薄膜晶體管的柵絕緣層802、鈍化層20是平鋪于襯底50上形成的，因此，凸起結(jié)構(gòu)60中也可包括柵絕緣層802和鈍化層20。

即，在形成薄膜晶體管80、像素電極90、公共電極110和鈍化層20的過程中，形成多層圖案層中的至少部分圖案層。

進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖5b所示，凸起結(jié)構(gòu)60包括第一圖案層601、柵絕緣層802、第二圖案層602、第三圖案層603、第四圖案層604、鈍化層20、以及第五圖案層605。

其中，第一圖案層601與薄膜晶體管的柵極801通過同一次構(gòu)圖工藝形成；第二圖案層602與薄膜晶體管的有源層803通過同一次構(gòu)圖工藝形成；第三圖案層603與薄膜晶體管的源極804和漏極805通過同一次構(gòu)圖工藝形成；第四圖案層604與像素電極90通過同一次構(gòu)圖工藝形成；第五圖案層605與公共電極110通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

這樣，可避免構(gòu)圖工藝的增加，而且以某一款產(chǎn)品為例，當(dāng)凸起結(jié)構(gòu)60以上述方式形成時(shí)，可使凸起結(jié)構(gòu)60與銀膠點(diǎn)10的段差達(dá)到1.9μm及以上。

基于上述，如圖6a和圖6b所示，優(yōu)選的，所述方法還包括在銀膠點(diǎn)10和凸起結(jié)構(gòu)60之間形成凹陷結(jié)構(gòu)70；以襯底50的形成銀膠點(diǎn)10和走線40的表面為參考面，凹陷結(jié)構(gòu)70的靠近襯底50的下表面與參考面處于同一平面。

即，在凹陷結(jié)構(gòu)70位置處，露出襯底50。其中，當(dāng)凹陷結(jié)構(gòu)70露出襯底50時(shí)，以上述產(chǎn)品為例，可使凹陷結(jié)構(gòu)70與銀膠點(diǎn)10之間形成0.8μm左右的段差。

這樣，可使凸起結(jié)構(gòu)60相對凹陷結(jié)構(gòu)70的段差更高，從而在點(diǎn)銀膠工藝后，使阻擋銀膠30擴(kuò)散到走線40的區(qū)域的效果更好。

基于上述，優(yōu)選的，對于銀膠點(diǎn)10中的金屬圖案層101，其可以與源極804和漏極805通過同一次構(gòu)圖工藝形成，也可以與柵極801通過同一次構(gòu)圖工藝形成。當(dāng)然，金屬圖案層101也可以為兩層，其中一層與源極804和漏極805通過同一次構(gòu)圖工藝形成，另一層與柵極801通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

對于銀膠點(diǎn)10中的透明導(dǎo)電圖案層102，其可以與公共電極110通過同一次構(gòu)圖工藝形成，也可以與像素電極90通過同一次構(gòu)圖工藝形成。當(dāng)然，透明導(dǎo)電圖案層102也可以為兩層，其中一層與像素電極90通過同一次構(gòu)圖工藝形成，另一層與公共電極110通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

對于走線40，其可以與源極804和漏極805通過同一次構(gòu)圖工藝形成，也可以與柵極801通過同一次構(gòu)圖工藝形成。當(dāng)然，走線40也可以為兩層，其中一層與源極804和漏極805通過同一次構(gòu)圖工藝形成，另一層與柵極801通過同一次構(gòu)圖工藝形成。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。