本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種顯示面板及其制程和顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示器具有機(jī)身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有市場(chǎng)上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶面板及背光模組(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，并在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動(dòng)電壓來控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向，以將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。

其中，薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，tft-lcd)由于具有低的功耗、優(yōu)異的畫面品質(zhì)以及較高的生產(chǎn)良率等性能，目前已經(jīng)逐漸占據(jù)了顯示領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。同樣，薄膜晶體管液晶顯示器包含液晶面板和背光模組，液晶面板包括彩膜基板(colorfiltersubstrate，cfsubstrate，也稱彩色濾光片基板)、薄膜晶體管陣列基板(thinfilmtransistorsubstrate，tftsubstrate)和光罩(mask)，上述基板的相對(duì)內(nèi)側(cè)存在透明電極。兩片基板之間夾一層液晶分子(liquidcrystal，lc)。

隨著薄膜晶體管液晶顯示器逐漸往超大尺寸、高驅(qū)動(dòng)頻率、高分辨率等方面發(fā)展，然而tft結(jié)構(gòu)常為倒置錯(cuò)排結(jié)構(gòu)，即為底柵電極且與源/漏極分別位于a-si層兩側(cè)，這樣該結(jié)構(gòu)器件中便會(huì)出現(xiàn)容易受背光影響的部分也因而產(chǎn)生漏電流，既不安全也不節(jié)能，同時(shí)不利于設(shè)備的正常工作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種降低漏電流、使用效率更高的顯示面板。

此外，本發(fā)明還提供一種顯示面板的制程。

另外，本發(fā)明還提供一種顯示裝置。

本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的：

一種顯示面板，所述顯示面板包括

基板；

多個(gè)主動(dòng)開關(guān)，所述主動(dòng)開關(guān)設(shè)置在所述基板上，所述主動(dòng)開關(guān)包括設(shè)置在底部的柵極層，所述柵極層上繞設(shè)有絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層包括設(shè)置在柵極層的側(cè)部的遮光層。

其中，所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部；所述第一側(cè)部或第二側(cè)部設(shè)置有所述遮光層。

其中，所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部；所述第一側(cè)部和第二側(cè)部均設(shè)置有所述遮光層。左右兩側(cè)都設(shè)置遮光層，能更好的遮擋背光產(chǎn)生的漏電流。

其中，所述遮光層采用非金屬材質(zhì)，所述遮光層與所述柵極層接觸連接。

其中，所述遮光層包括設(shè)置在所述第一側(cè)部上的第一遮光層和設(shè)置在所述第二側(cè)部上的第二遮光層，所述第一遮光層在所述第一側(cè)部的長(zhǎng)度小于所述第二遮光層在所述第二側(cè)部的長(zhǎng)度，所述第一遮光層的高度小于所述第一側(cè)部，所述第二遮光層的高度小于所述第二側(cè)部。這里是第一遮光層和第二遮光層的具體長(zhǎng)度比較和以及它們的高度形式，便于更好的遮擋背光產(chǎn)生的漏電流，提高利用率。

其中，所述絕緣介質(zhì)層上設(shè)置有與絕緣介質(zhì)層對(duì)應(yīng)的非晶硅層，所述非晶硅層上設(shè)置有與非晶硅層對(duì)應(yīng)的歐姆接觸層，所述歐姆接觸層上兩端設(shè)置有分隔的所述主動(dòng)開關(guān)的源極層和漏極層，所述源極層和所述漏極層之間設(shè)置有溝道，所述溝道穿過歐姆接觸層，所述溝道底部為非晶硅層。這里是柵極層和源極層、漏極層之間的具體設(shè)置。

其中，所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部，所述遮光層包括設(shè)置在所述第一側(cè)部上的第一遮光層和設(shè)置在所述第二側(cè)部上的第二遮光層，所述柵極層一側(cè)的絕緣介質(zhì)層、非晶硅層、歐姆接觸層和源極層的邊界平齊為第一邊界，所述第一遮光層的長(zhǎng)度處于或超出所述第一邊界；所述柵極層另一側(cè)的絕緣介質(zhì)層、非晶硅層、歐姆接觸層和漏極層的邊界平齊為第二邊界，所述第二遮光層的長(zhǎng)度處于或超出所述第二邊界。以其他層為參照明確第一遮光層和第二遮光層的具體長(zhǎng)度值。

其中，所述基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板上設(shè)置有主動(dòng)開關(guān)和彩色濾光層。coa工藝下顯示面板的具體設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明還公開了一種顯示面板的制程，所述顯示面板包括基板和主動(dòng)開關(guān)，所述制程包括步驟：

在所述基板上設(shè)置主動(dòng)開關(guān)；

在所述主動(dòng)開關(guān)的柵極層的兩側(cè)的絕緣介質(zhì)層上設(shè)置遮光層。

根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，本發(fā)明還公開了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括背光模組和如上所述的顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)效果是：

本發(fā)明由于在柵極層側(cè)邊的絕緣介質(zhì)層上設(shè)置遮光層，通過遮光層遮擋背光產(chǎn)生的漏電流，提高主動(dòng)開關(guān)(thinfilmtransistor，tft)器件的品質(zhì)，延長(zhǎng)顯示面板的有效正常使用壽命。

附圖說明

所包括的附圖用來提供對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步的理解，其構(gòu)成了說明書的一部分，用于例示本申請(qǐng)的實(shí)施方式，并與文字描述一起來闡釋本申請(qǐng)的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例一種顯示面板的制程的流程示意圖。

其中，1、基板；11、第一基板；12、第二基板；13、彩色濾光片；2、柵極層；3、源極層；4、漏極層；5、絕緣介質(zhì)層；51、第一遮光層；52、第二遮光層；53、遮光層；6、非晶硅層；7、歐姆接觸層；8、保護(hù)層；9、透明導(dǎo)電層。

具體實(shí)施方式

這里所公開的具體結(jié)構(gòu)和功能細(xì)節(jié)僅僅是代表性的，并且是用于描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例的目的。但是本發(fā)明可以通過許多替換形式來具體實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋成僅僅受限于這里所闡述的實(shí)施例。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“橫向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。另外，術(shù)語“包括”及其任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

這里所使用的術(shù)語僅僅是為了描述具體實(shí)施例而不意圖限制示例性實(shí)施例。除非上下文明確地另有所指，否則這里所使用的單數(shù)形式“一個(gè)”、“一項(xiàng)”還意圖包括復(fù)數(shù)。還應(yīng)當(dāng)理解的是，這里所使用的術(shù)語“包括”和/或“包含”規(guī)定所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、單元和/或組件的存在，而不排除存在或添加一個(gè)或更多其他特征、整數(shù)、步驟、操作、單元、組件和/或其組合。

下面結(jié)合附圖和較佳的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖1-4所示，所述顯示面板包括基板；多個(gè)主動(dòng)開關(guān)，所述主動(dòng)開關(guān)設(shè)置在所述基板上，所述主動(dòng)開關(guān)包括設(shè)置在底部的柵極層，所述柵極層上繞設(shè)有絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層包括設(shè)置在柵極層的側(cè)部的遮光層。由于在柵極層側(cè)邊的絕緣介質(zhì)層上設(shè)置遮光層，通過遮光層遮擋背光產(chǎn)生的漏電流，提高主動(dòng)開關(guān)器件的品質(zhì)，延長(zhǎng)顯示面板的有效正常使用壽命。

在不同實(shí)施例中，主動(dòng)開關(guān)可以為例如薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)。

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖1-2所示，所述顯示面板包括基板；主動(dòng)開關(guān)，所述主動(dòng)開關(guān)設(shè)置在所述基板上，所述主動(dòng)開關(guān)包括設(shè)置在底部的柵極層，所述柵極層上繞設(shè)有絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層包括設(shè)置在柵極層的側(cè)部的遮光層。所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部；所述第一側(cè)部或第二側(cè)部設(shè)置有所述遮光層。由于在柵極層側(cè)邊的絕緣介質(zhì)層上設(shè)置遮光層，通過遮光層遮擋背光產(chǎn)生的漏電流，提高主動(dòng)開關(guān)器件的品質(zhì)，延長(zhǎng)顯示面板的有效正常使用壽命。

具體的，所述遮光層采用非金屬材質(zhì)，所述遮光層與所述柵極層接觸連接。所述遮光層可采用樹脂材質(zhì)。樹脂(resincraft)一般是指原料，如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂等。遮光層可使用非金屬黑矩陣(blackmatrix，bm)用作防止背景光泄漏，提高顯示對(duì)比度，防止混色和增加顏色的純度。

具體的，所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部，所述遮光層包括設(shè)置在所述第一側(cè)部上的第一遮光層和設(shè)置在所述第二側(cè)部上的第二遮光層，所述第一遮光層在所述第一側(cè)部的長(zhǎng)度小于所述第二遮光層在所述第二側(cè)部的長(zhǎng)度，所述第一遮光層的高度小于所述第一側(cè)部，所述第二遮光層的高度小于所述第二側(cè)部。這里是第一遮光層和第二遮光層的具體長(zhǎng)度比較和以及它們的高度形式，便于更好的遮擋背光產(chǎn)生的漏電流，提高利用率。

具體的，所述絕緣介質(zhì)層上設(shè)置有與絕緣介質(zhì)層對(duì)應(yīng)的非晶硅層，所述非晶硅層上設(shè)置有與非晶硅層對(duì)應(yīng)的歐姆接觸層，所述歐姆接觸層上兩端設(shè)置有分隔的所述主動(dòng)開關(guān)的源極層和漏極層，所述源極層和所述漏極層之間設(shè)置有溝道，所述溝道穿過歐姆接觸層，所述溝道底部為非晶硅層。這里是柵極層和源極層、漏極層之間的具體設(shè)置。

具體的，所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部，所述遮光層包括設(shè)置在所述第一側(cè)部上的第一遮光層和設(shè)置在所述第二側(cè)部上的第二遮光層，所述柵極層一側(cè)的絕緣介質(zhì)層、非晶硅層、歐姆接觸層和源極層的邊界平齊為第一邊界，所述第一遮光層的長(zhǎng)度處于或超出所述第一邊界；所述柵極層另一側(cè)的絕緣介質(zhì)層、非晶硅層、歐姆接觸層和漏極層的邊界平齊為第二邊界，所述第二遮光層的長(zhǎng)度處于或超出所述第二邊界。以其他層為參照明確第一遮光層和第二遮光層的具體長(zhǎng)度值。

具體的，所述源極層和所述漏極層上設(shè)置有保護(hù)層，所述保護(hù)層上設(shè)有透明導(dǎo)電層，所述保護(hù)層對(duì)應(yīng)所述漏極層設(shè)置有過孔，所述透明導(dǎo)電層通過所述過孔與所述漏極層連接。

其中，柵極層(gate)采用鍍上鋁(al)，鉬(mo)的形式。非晶硅層作為通道層采用非結(jié)晶硅，當(dāng)然也可以采用其他半導(dǎo)體層材料。歐姆接觸層采用高濃度磷的硅用以降低界面電位差。源極層(source)和漏極層(drain)采用鉬(mo)，鋁(al)。鋁的重量輕和耐腐蝕，資源十分豐富，以其輕、良好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能、高反射性和耐氧化而被廣泛使用。鉬或鉬合金能實(shí)現(xiàn)較好的附著性，一邊能與中間導(dǎo)電層的金屬如銅、鋁、銀、金、鉻、鑰等較好的粘粘，另一邊能與顯示面板的其他層如基板、光阻層、絕緣層等較好的粘粘，選材方便，制作技術(shù)成熟。絕緣介質(zhì)層采用氮矽化合物(sinx)，也就是氮硅化合物。

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖3所示，所述顯示面板包括基板；主動(dòng)開關(guān)，所述主動(dòng)開關(guān)設(shè)置在所述基板上，所述主動(dòng)開關(guān)包括設(shè)置在底部的柵極層，所述柵極層上繞設(shè)有絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層包括設(shè)置在柵極層的側(cè)部的遮光層。所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部；所述第一側(cè)部和第二側(cè)部均設(shè)置有所述遮光層。左右兩側(cè)都設(shè)置遮光層，能更好的遮擋背光產(chǎn)生的漏電流。由于在柵極層側(cè)邊的絕緣介質(zhì)層上設(shè)置遮光層，通過遮光層遮擋背光產(chǎn)生的漏電流，提高主動(dòng)開關(guān)器件的品質(zhì)，延長(zhǎng)顯示面板的有效正常使用壽命。

具體的，所述遮光層采用非金屬材質(zhì)，所述遮光層與所述柵極層接觸連接。所述遮光層可采用樹脂材質(zhì)。樹脂(resincraft)一般是指原料，如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂等。遮光層可使用非金屬黑矩陣(blackmatrix，bm)用作防止背景光泄漏，提高顯示對(duì)比度，防止混色和增加顏色的純度。

具體的，所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部，所述遮光層包括設(shè)置在所述第一側(cè)部上的第一遮光層和設(shè)置在所述第二側(cè)部上的第二遮光層，所述第一遮光層在所述第一側(cè)部的長(zhǎng)度小于所述第二遮光層在所述第二側(cè)部的長(zhǎng)度，所述第一遮光層的高度小于所述第一側(cè)部，所述第二遮光層的高度小于所述第二側(cè)部。這里是第一遮光層和第二遮光層的具體長(zhǎng)度比較和以及它們的高度形式，便于更好的遮擋背光產(chǎn)生的漏電流，提高利用率。

具體的，所述絕緣介質(zhì)層上設(shè)置有與絕緣介質(zhì)層對(duì)應(yīng)的非晶硅層，所述非晶硅層上設(shè)置有與非晶硅層對(duì)應(yīng)的歐姆接觸層，所述歐姆接觸層上兩端設(shè)置有分隔的所述主動(dòng)開關(guān)的源極層和漏極層，所述源極層和所述漏極層之間設(shè)置有溝道，所述溝道穿過歐姆接觸層，所述溝道底部為非晶硅層。這里是柵極層和源極層、漏極層之間的具體設(shè)置。

具體的，所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部，所述遮光層包括設(shè)置在所述第一側(cè)部上的第一遮光層和設(shè)置在所述第二側(cè)部上的第二遮光層，所述柵極層一側(cè)的絕緣介質(zhì)層、非晶硅層、歐姆接觸層和源極層的邊界平齊為第一邊界，所述第一遮光層的長(zhǎng)度處于或超出所述第一邊界；所述柵極層另一側(cè)的絕緣介質(zhì)層、非晶硅層、歐姆接觸層和漏極層的邊界平齊為第二邊界，所述第二遮光層的長(zhǎng)度處于或超出所述第二邊界。以其他層為參照明確第一遮光層和第二遮光層的具體長(zhǎng)度值。

具體的，所述源極層和所述漏極層上設(shè)置有保護(hù)層，所述保護(hù)層上設(shè)有透明導(dǎo)電層，所述保護(hù)層對(duì)應(yīng)所述漏極層設(shè)置有過孔，所述透明導(dǎo)電層通過所述過孔與所述漏極層連接。

其中，柵極層(gate)采用鍍上鋁(al)，鉬(mo)的形式。非晶硅層作為通道層采用非結(jié)晶硅，當(dāng)然也可以采用其他半導(dǎo)體層材料。歐姆接觸層采用高濃度磷的硅用以降低界面電位差。源極層(source)和漏極層(drain)采用鉬(mo)，鋁(al)。鋁的重量輕和耐腐蝕，資源十分豐富，以其輕、良好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能、高反射性和耐氧化而被廣泛使用。鉬或鉬合金能實(shí)現(xiàn)較好的附著性，一邊能與中間導(dǎo)電層的金屬如銅、鋁、銀、金、鉻、鑰等較好的粘粘，另一邊能與顯示面板的其他層如基板、光阻層、絕緣層等較好的粘粘，選材方便，制作技術(shù)成熟。絕緣介質(zhì)層采用氮矽化合物(sinx)，也就是氮硅化合物。

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，如圖4所示，所述顯示面板包括基板；主動(dòng)開關(guān)，所述主動(dòng)開關(guān)設(shè)置在所述基板上，所述主動(dòng)開關(guān)包括設(shè)置在底部的柵極層，所述柵極層上繞設(shè)有絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層包括設(shè)置在柵極層的側(cè)部的遮光層。所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部；所述第一側(cè)部和第二側(cè)部均設(shè)置有所述遮光層。左右兩側(cè)都設(shè)置遮光層，能更好的遮擋背光產(chǎn)生的漏電流。所述基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板上設(shè)置有主動(dòng)開關(guān)和彩色濾光層。coa工藝下顯示面板的具體設(shè)置。由于在柵極層側(cè)邊的絕緣介質(zhì)層上設(shè)置遮光層，通過遮光層遮擋背光產(chǎn)生的漏電流，提高主動(dòng)開關(guān)器件的品質(zhì)，延長(zhǎng)顯示面板的有效正常使用壽命。

具體的，所述遮光層采用非金屬材質(zhì)，所述遮光層與所述柵極層接觸連接。所述遮光層可采用樹脂材質(zhì)。樹脂(resincraft)一般是指原料，如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂等。遮光層可使用非金屬黑矩陣(blackmatrix，bm)用作防止背景光泄漏，提高顯示對(duì)比度，防止混色和增加顏色的純度。

具體的，所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部，所述遮光層包括設(shè)置在所述第一側(cè)部上的第一遮光層和設(shè)置在所述第二側(cè)部上的第二遮光層，所述第一遮光層在所述第一側(cè)部的長(zhǎng)度小于所述第二遮光層在所述第二側(cè)部的長(zhǎng)度，所述第一遮光層的高度小于所述第一側(cè)部，所述第二遮光層的高度小于所述第二側(cè)部。這里是第一遮光層和第二遮光層的具體長(zhǎng)度比較和以及它們的高度形式，便于更好的遮擋背光產(chǎn)生的漏電流，提高利用率。

具體的，所述絕緣介質(zhì)層上設(shè)置有與絕緣介質(zhì)層對(duì)應(yīng)的非晶硅層，所述非晶硅層上設(shè)置有與非晶硅層對(duì)應(yīng)的歐姆接觸層，所述歐姆接觸層上兩端設(shè)置有分隔的所述主動(dòng)開關(guān)的源極層和漏極層，所述源極層和所述漏極層之間設(shè)置有溝道，所述溝道穿過歐姆接觸層，所述溝道底部為非晶硅層。這里是柵極層和源極層、漏極層之間的具體設(shè)置。

具體的，所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部，所述遮光層包括設(shè)置在所述第一側(cè)部上的第一遮光層和設(shè)置在所述第二側(cè)部上的第二遮光層，所述柵極層一側(cè)的絕緣介質(zhì)層、非晶硅層、歐姆接觸層和源極層的邊界平齊為第一邊界，所述第一遮光層的長(zhǎng)度處于或超出所述第一邊界；所述柵極層另一側(cè)的絕緣介質(zhì)層、非晶硅層、歐姆接觸層和漏極層的邊界平齊為第二邊界，所述第二遮光層的長(zhǎng)度處于或超出所述第二邊界。以其他層為參照明確第一遮光層和第二遮光層的具體長(zhǎng)度值。

具體的，所述源極層和所述漏極層上設(shè)置有保護(hù)層，所述保護(hù)層上設(shè)有透明導(dǎo)電層，所述保護(hù)層對(duì)應(yīng)所述漏極層設(shè)置有過孔，所述透明導(dǎo)電層通過所述過孔與所述漏極層連接。

其中，柵極層(gate)采用鍍上鋁(al)，鉬(mo)的形式。非晶硅層作為通道層采用非結(jié)晶硅，當(dāng)然也可以采用其他半導(dǎo)體層材料。歐姆接觸層采用高濃度磷的硅用以降低界面電位差。源極層(source)和漏極層(drain)采用鉬(mo)，鋁(al)。鋁的重量輕和耐腐蝕，資源十分豐富，以其輕、良好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能、高反射性和耐氧化而被廣泛使用。鉬或鉬合金能實(shí)現(xiàn)較好的附著性，一邊能與中間導(dǎo)電層的金屬如銅、鋁、銀、金、鉻、鑰等較好的粘粘，另一邊能與顯示面板的其他層如基板、光阻層、絕緣層等較好的粘粘，選材方便，制作技術(shù)成熟。絕緣介質(zhì)層采用氮矽化合物(sinx)，也就是氮硅化合物。

作為本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，如圖5所示，所述顯示面板包括基板和主動(dòng)開關(guān)，所述顯示面板的制程包括步驟：

在所述基板上設(shè)置主動(dòng)開關(guān)；

在所述主動(dòng)開關(guān)的柵極層的兩側(cè)的絕緣介質(zhì)層上設(shè)置遮光層。

具體的，所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部；所述第一側(cè)部和或第二側(cè)部設(shè)置有所述遮光層。

具體的，所述遮光層采用非金屬材質(zhì)，所述遮光層與所述柵極層接觸連接。所述遮光層可采用樹脂材質(zhì)。樹脂(resincraft)一般是指原料，如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂等。遮光層可使用非金屬黑矩陣(blackmatrix，bm)用作防止背景光泄漏，提高顯示對(duì)比度，防止混色和增加顏色的純度。

具體的，所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部，所述遮光層包括設(shè)置在所述第一側(cè)部上的第一遮光層和設(shè)置在所述第二側(cè)部上的第二遮光層，所述第一遮光層在所述第一側(cè)部的長(zhǎng)度小于所述第二遮光層在所述第二側(cè)部的長(zhǎng)度，所述第一遮光層的高度小于所述第一側(cè)部，所述第二遮光層的高度小于所述第二側(cè)部。這里是第一遮光層和第二遮光層的具體長(zhǎng)度比較和以及它們的高度形式，便于更好的遮擋背光產(chǎn)生的漏電流，提高利用率。

具體的，所述絕緣介質(zhì)層上設(shè)置有與絕緣介質(zhì)層對(duì)應(yīng)的非晶硅層，所述非晶硅層上設(shè)置有與非晶硅層對(duì)應(yīng)的歐姆接觸層，所述歐姆接觸層上兩端設(shè)置有分隔的所述主動(dòng)開關(guān)的源極層和漏極層，所述源極層和所述漏極層之間設(shè)置有溝道，所述溝道穿過歐姆接觸層，所述溝道底部為非晶硅層。這里是柵極層和源極層、漏極層之間的具體設(shè)置。

具體的，所述側(cè)部包括第一側(cè)部和第二側(cè)部，所述遮光層包括設(shè)置在所述第一側(cè)部上的第一遮光層和設(shè)置在所述第二側(cè)部上的第二遮光層，所述柵極層一側(cè)的絕緣介質(zhì)層、非晶硅層、歐姆接觸層和源極層的邊界平齊為第一邊界，所述第一遮光層的長(zhǎng)度處于或超出所述第一邊界；所述柵極層另一側(cè)的絕緣介質(zhì)層、非晶硅層、歐姆接觸層和漏極層的邊界平齊為第二邊界，所述第二遮光層的長(zhǎng)度處于或超出所述第二邊界。以其他層為參照明確第一遮光層和第二遮光層的具體長(zhǎng)度值。

具體的，所述源極層和所述漏極層上設(shè)置有保護(hù)層，所述保護(hù)層上設(shè)有透明導(dǎo)電層，所述保護(hù)層對(duì)應(yīng)所述漏極層設(shè)置有過孔，所述透明導(dǎo)電層通過所述過孔與所述漏極層連接。

具體的，所述基板包括第一基板和第二基板，所述第一基板上設(shè)置有主動(dòng)開關(guān)和彩色濾光層。coa工藝下顯示面板的具體設(shè)置。

作為本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述顯示裝置包括背光模組和如上所述的顯示面板。

需要說明的是，在上述實(shí)施例中，所述基板的材料可以選用玻璃、塑料等。

在上述實(shí)施例中，顯示面板包括液晶面板、oled(organiclight-emittingdiode)面板、曲面面板、等離子面板等，以液晶面板為例，液晶面板包括陣列基板(thinfilmtransistorsubstrate，tftsubstrate)和彩膜基板(colorfiltersubstrate，cfsubstrate)，所述陣列基板與彩膜基板相對(duì)設(shè)置，所述陣列基板與彩膜基板之間設(shè)有液晶和間隔單元(ps，photospacer)，所述陣列基板上設(shè)有主動(dòng)開關(guān)，主動(dòng)開關(guān)可采用薄膜晶體管(tft，thinfilmtransistor)，彩膜基板上設(shè)有彩色濾光層。

在上述實(shí)施例中，彩膜基板可包括tft陣列，彩膜及tft陣列可形成于同一基板上，陣列基板可包括彩色濾光層。

在上述實(shí)施例中，本發(fā)明的顯示面板可為曲面型面板。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。