本發(fā)明涉及掩模版技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種集成電路掩模版cr缺失的檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體、集成電路、光伏產(chǎn)品等電子產(chǎn)品制造過(guò)程中，需要對(duì)以半導(dǎo)體晶片和光掩模版為代表的各種基版進(jìn)行光刻處理，這些基版還包括液晶顯示器、等離子體顯示器用玻璃基版、磁盤(pán)、光磁盤(pán)母版等，以下統(tǒng)稱(chēng)為掩模版。在加工時(shí)，需要使用光致抗蝕材料(光刻膠)在基版上形成集成電路和半導(dǎo)體器件的布局圖案或者其它電路圖案和數(shù)據(jù)圖案。新基版以及完成曝光、顯影、蝕刻、去膠等加工工藝后的基版會(huì)出現(xiàn)一定的cr缺失缺陷，需要對(duì)基版經(jīng)行檢測(cè)，從而導(dǎo)致機(jī)臺(tái)負(fù)荷大，產(chǎn)能低的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有的新基版以及完成曝光、顯影、蝕刻、去膠等加工工藝后的基版會(huì)出現(xiàn)一定的cr缺失缺陷，需要對(duì)基版經(jīng)行檢測(cè)，從而導(dǎo)致機(jī)臺(tái)負(fù)荷大，產(chǎn)能低的問(wèn)題，提供一種背曝檢測(cè)方法。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案：
一種掩模版基版cr缺失的檢測(cè)方法，包括以下步驟：
1)、將掩模版涂有光刻膠玻璃面朝上，放在白光下照射；
2)、將照射完的掩模版放在顯影機(jī)里顯影；
3)、蝕刻機(jī)中進(jìn)行蝕刻；
4)、在光學(xué)量測(cè)設(shè)備上掃描蝕刻完的掩模版。
進(jìn)一步的，待檢測(cè)的掩模版可以是新基版或者已去膠重新涂有光刻膠的掩模版。涂有光刻膠的掩模版在白光照射下，由于玻璃面朝上，無(wú)cr的區(qū)域光線(xiàn)可以穿透，進(jìn)而將光線(xiàn)穿過(guò)的區(qū)域經(jīng)行曝光，而cr區(qū)由于cr的阻擋無(wú)法經(jīng)行曝光，后續(xù)再通過(guò)顯影、蝕刻工藝將無(wú)cr的區(qū)域顯現(xiàn)出來(lái)，再通過(guò)光學(xué)量測(cè)設(shè)備掃描，從而達(dá)到檢測(cè)cr缺失的目的。本方法對(duì)新基板的cr缺失的檢測(cè)也可適用。
本發(fā)明的掩模版背曝檢測(cè)方法使用現(xiàn)有的工藝設(shè)備完成，無(wú)需其它支撐性設(shè)備；曝光時(shí)在白光下曝光，無(wú)需使用曝光機(jī)臺(tái)和檢測(cè)機(jī)臺(tái)，有效地減輕了曝光機(jī)和檢測(cè)機(jī)臺(tái)壓力，提高產(chǎn)能，操作簡(jiǎn)便，快捷高效。
具體實(shí)施方式
以下對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
實(shí)施例
一種掩模版基版cr缺失的檢測(cè)方法，包括以下步驟：
1)、將掩模版涂有光刻膠玻璃面朝上，放在白光下照射；
2)、將照射完的掩模版放在顯影機(jī)里顯影；
3)、蝕刻機(jī)中進(jìn)行蝕刻；
4)、在光學(xué)量測(cè)設(shè)備上掃描蝕刻完的掩模版。
最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。