本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種RGBW顯示面板。

背景技術：

液晶顯示面板(Liquid Crystal Display，LCD)、及有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示面板均具有多個呈矩陣式排列的像素。傳統的像素通常包括紅(Red，R)、綠(Green，G)、藍(Blue，B)三種顏色的子像素，每個子像素由對應的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)進行控制?，F有技術中所采用的R、G、B彩色濾光片都是吸收型色層，當光線入射時，只有相應顏色的光才能透過，而另外兩種顏色的光均被吸收，使得顯示面板的透光率較低。由此，出現了在一個像素內形成紅、綠、藍、空白(White，W)四種顏色子像素的顯示技術，其中，W子像素不添加色層，通過控制其對應的灰階來控制該W子像素的透光量，可以提高顯示面板的透光率，此類顯示面板被稱為RGBW顯示面板。

RGBW顯示面板可以提高白畫面的亮度，大大降低背光功耗，達到節(jié)省成本的目的。但是，RGBW顯示面板只有在一個像素中的R、G、B三個子像素全開的時候，W子像素才會根據這三個子像素的最低灰階的亮度開啟，否則，W子像素不顯示；這種顯示效果具有一定的弊端，主要表現在顯示純色或者兩色混色的畫面時，與傳統的RGB三色顯示模式相比，純色或混色較暗，例如在白色背景下顯示黃色(紅色與綠色的混色)畫面，RGBW顯示面板所呈現的黃色會比傳統RGB顯示面板所呈現的黃色暗的多。

現有的一種改善RGBW顯示面板在純色或混色顯示時發(fā)暗的方案是將RGBW顯示面板中紅色子像素的TFT、綠色子像素的TFT、及藍色子像素的TFT全部設計在空白子像素中，通過損失空白子像素的開口率，來提升紅、綠、藍三色子像素的開口率，從而增大純色或者兩色混色的顯示亮度。圖1所示是一種經過改善的RGBW顯示面板，將紅、綠、藍三個子像素的TFT T10均設計在空白子像素W中，柵極線100采用直線走線的形式；假設各子像素的名義大小為a×b，黑色矩陣BM遮光的寬度為s，由圖1可以看出，位于空白子像素W上下的子像素的開口率有損失，進一步地，位于空白子像素W上下的子像素的開口率主要損失在半導體層30、及遮光層20對子像素區(qū)域的遮蓋，根據子像素設計的準則，設半導體層30進入子像素內部與子像素進行重疊的高度為l、寬度為m，那么位于空白子像素W上下的子像素的開口率的損失率ΔAR為：

ΔAR＝4×(l×m)/(a×b)，

而位于空白子像素W左右的子像素的開口率并不損失，明顯要大于位于空白子像素W上下的子像素的開口率，這會導致紅、綠、藍三種顏色子像素的開口率差別較大，在實際顯示中出現白點的色坐標漂移的現象，產生色偏，影響畫面的顯示品質。

技術實現要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種RGBW顯示面板，既能夠改善RGBW顯示面板在純色或混色顯示時發(fā)暗的問題，又能夠避免白點色坐標漂移，改善色偏，提高畫面的顯示品質。

為實現上述目的，本發(fā)明提供一種RGBW顯示面板，包括多條柵極線、與所述多條柵極線絕緣交叉的多條數據線、由所述多條柵極線與多條數據線界定出的多個呈陣列式排布的子像素、多個TFT、以及遮蓋柵極線與掃描線的黑色矩陣；一個TFT對應一個子像素設置；

所述多個子像素包括多個紅色子像素、多個綠色子像素、多個藍色子像素、及多個空白子像素；對于上下、左右相鄰的紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素、與空白子像素，所述紅色子像素的TFT、綠色子像素的TFT、與藍色子像素的TFT均設置在空白子像素中；

每一柵極線包括彎折部，所述彎折部位于空白子像素左右兩側的子像素的邊界上，使得位于空白子像素上下兩側的子像素的開口率增大。

所述彎折部包括第一彎折段和第二彎折段，所述第一彎折段相對遠離所述空白子像素朝向所述空白子像素傾斜，所述第二彎折段相對靠近所述空白子像素朝向所述空白子像素傾斜。

所述彎折部還包括連接第一彎折段和第二彎折段的直線段。

每一柵極線還包括設在兩彎折部之間用于連接該兩彎折部的直線部。

空白子像素的四個角分別分布一個TFT；所述TFT包括半導體層、設于半導體層上方與半導體層絕緣且與柵極線一體的柵極、位于柵極上方與柵極絕緣且與數據線一體的源極、及與數據線同層的漏極；所述漏極連接至半導體層；

所述半導體層的一部分伸出空白子像素分別進入位于空白子像素上下兩側的子像素的內部。

所述第一彎折段的最高點與最低點的高度差等于第二彎折段的最高點與最低點的高度差，第一彎折段與豎直方向的夾角等于第二彎折段與豎直方向的夾角。

設第一彎折段的最高點與最低點的高度差及第二彎折段的最高點與最低點的高度差均為d，第一彎折段與豎直方向的夾角及第二彎折段與豎直方向的夾角均為α，

位于空白子像素上下兩側的子像素的開口率的增大量ΔAR2為：

ΔAR2＝2××d/(a×b)

其中，a表示子像素的名義高度，b表示子像素的名義寬度，s表示黑色矩陣的遮光寬度。

第一彎折段的最高點與最低點的高度差及第二彎折段的最高點與最低點的高度差d的計算公式為：

d＝2×l×m/[s(tgα-1)+b]

其中，l表示TFT的半導體層進入位于空白子像素上下兩側的子像素的內部與相應子像素進行重疊的高度、m表示TFT的半導體層進入位于空白子像素上下兩側的子像素的內部與相應子像素進行重疊的寬度。

所述RGBW顯示面板還包括基板、及設于基板上于半導體層下方進行遮光的遮光層；所述半導體層的材料為多晶硅。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種RGBW顯示面板，對于上下、左右相鄰的紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素、與空白子像素，將紅色子像素的TFT、綠色子像素的TFT、與藍色子像素的TFT均設置在空白子像素中，并在空白子像素左右兩側的子像素的邊界上設置彎折部，使得位于空白子像素左右兩側的子像素的開口率減小，而位于空白子像素上下兩側的子像素的開口率增大，能夠將位于空白子像素四周的紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素的開口率調整至趨于一致，從而既能夠改善RGBW顯示面板在純色或混色顯示時發(fā)暗的問題，又能夠避免白點色坐標漂移，改善色偏，提高畫面的顯示品質。

附圖說明

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為現有的RGBW顯示面板的主視示意圖；

圖2為本發(fā)明的RGBW顯示面板的主視示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖2，本發(fā)明提供一種RGBW顯示面板，包括多條柵極線1、與所述多條柵極線1絕緣交叉的多條數據線2、由所述多條柵極線1與多條數據線2界定出的多個呈陣列式排布的子像素、多個TFT T、以及遮蓋柵極線1與掃描線2的黑色矩陣BM；一個TFT T對應一個子像素設置。

所述多個子像素包括多個紅色子像素(未標示)、多個綠色子像素(未標示)、多個藍色子像素(未標示)、及多個空白子像素W。對應一行子像素設置一條柵極線1，一行子像素內具有若干個空白子像素W、若干個紅色子像素、若干個綠色子像素、及若干個藍色子像素。對于上下、左右相鄰的紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素、與空白子像素W，所述紅色子像素的TFT、綠色子像素的TFT、與藍色子像素的TFT均設置在空白子像素W中，這樣設置的好處在于通過損失空白子像素W的開口率來提升紅、綠、藍三色子像素的開口率，從而增大純色或者兩色混色的顯示亮度。

值得注意的是，本發(fā)明中，每一柵極線1包括多個彎折部11，所述彎折部11位于空白子像素W左右兩側的子像素的邊界上，進一步地，所述彎折部11朝著空白子像素W向內彎折，而設在兩彎折部11之間用于連接該兩彎折部11的是直線形式的直線部12，使得位于空白子像素W左右兩側的子像素的開口率減小，而位于空白子像素W上下兩側的子像素的開口率增大。

具體地，空白子像素W的四個角分別分布一個TFT T；所述TFT T包括半導體層3、設于半導體層3上方與半導體層3絕緣且與柵極線1一體的柵極、位于柵極上方與柵極絕緣且與數據線2一體的源極、及與數據線2同層的漏極D；所述漏極D連接至半導體層3；所述半導體層3的一部分伸出空白子像素W分別進入位于空白子像素W上下兩側的子像素的內部。進一步地，本發(fā)明的RGBW顯示面板還包括基板(未圖示)、及設于基板上于半導體層3下方進行遮光的遮光層5；所述半導體層3的材料優(yōu)選多晶硅(Poly-Si)。

具體地，所述彎折部11包括第一彎折段111、第二彎折段113、及連接第一彎折段111和第二彎折段113的直線段112，所述第一彎折段111相對遠離所述空白子像素W朝向所述空白子像素W傾斜，所述第二彎折段113相對靠近所述空白子像素W朝向所述空白子像素W傾斜。進一步地，所述第一彎折段111的最高點與最低點的高度差等于第二彎折段113的最高點與最低點的高度差，第一彎折段111與豎直方向的夾角等于第二彎折段113與豎直方向的夾角。設第一彎折段111的最高點與最低點的高度差及第二彎折段113的最高點與最低點的高度差均為d，第一彎折段111與豎直方向的夾角及第二彎折段113與豎直方向的夾角均為α，位于空白子像素W左右兩側的子像素的開口率的減小量ΔAR1為：

ΔAR1＝2×s×d×tgα/(a×b)

其中，s表示黑色矩陣BM的遮光寬度，a表示子像素的名義高度，b表示子像素的名義寬度。

位于空白子像素W上下兩側的子像素的開口率的增大量ΔAR2為：

ΔAR2＝2×(b-s)×d/(a×b)

圖1所示的現有的RGBW顯示面板由于將柵極線100全部以直線形式設置，將紅色子像素的TFT、綠色子像素的TFT、及藍色子像素的TFT全部設計在空白子像素W中，會造成位于空白子像素W上下的子像素的開口率有損失，位于空白子像素W左右的子像素的開口率并不損失，即位于空白子像素W左右的子像素的開口率要明顯大于位于空白子像素W上下的子像素的開口率，造成實際顯示中出現白點的色坐標漂移的現象，產生色偏。而本發(fā)明的RGBW顯示面板恰恰是將每一柵極線1與位于空白子像素W左右兩側的子像素的邊界相對應的部分設置成朝著空白子像素W向內彎折的彎折部11，其余部分保持直線形式，使得位于空白子像素W左右兩側的子像素的開口率減小，而位于空白子像素W上下兩側的子像素的開口率增大，能夠將位于空白子像素W四周的紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素的開口率調整至趨于一致，從而避免白點色坐標漂移，改善色偏，提高畫面的顯示品質。

進一步地，在位于空白子像素W左右兩側的子像素的開口率減小，而位于空白子像素W上下兩側的子像素的開口率增大這兩方面的共同作用下，相當于把位于空白子像素W上下兩側的子像素的開口率總共增大至ΔAR：

ΔAR＝ΔAR1+ΔAR2

進一步地，第一彎折段111的最高點與最低點的高度差及第二彎折段113的最高點與最低點的高度差d的計算公式為：

d＝2×l×m/[s(tgα-1)+b]

其中，l表示TFT的半導體層3進入位于空白子像素W上下兩側的子像素的內部與相應子像素進行重疊的高度、m表示TFT的半導體層3進入位于空白子像素W上下兩側的子像素的內部與相應子像素進行重疊的寬度。

綜上所述，本發(fā)明的RGBW顯示面板，對于上下、左右相鄰的紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素、與空白子像素，將紅色子像素的TFT、綠色子像素的TFT、與藍色子像素的TFT均設置在空白子像素中，并在空白子像素左右兩側的子像素的邊界上設置彎折部，使得位于空白子像素左右兩側的子像素的開口率減小，而位于空白子像素上下兩側的子像素的開口率增大，能夠將位于空白子像素四周的紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素的開口率調整至趨于一致，從而既能夠改善RGBW顯示面板在純色或混色顯示時發(fā)暗的問題，又能夠避免白點色坐標漂移，改善色偏，提高畫面的顯示品質。

以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明后附的權利要求的保護范圍。