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一種無掩膜激光直寫光刻設(shè)備的快速邊緣曝光方法與流程

文檔序號:11728540閱讀:1171來源:國知局
一種無掩膜激光直寫光刻設(shè)備的快速邊緣曝光方法與流程

本發(fā)明涉及激光直寫光刻設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種無掩膜激光直寫光刻設(shè)備的快速邊緣曝光方法。



背景技術(shù):

在激光直寫光刻設(shè)備中,采用激光光束經(jīng)透鏡聚焦在光刻膠上,實(shí)現(xiàn)對光刻膠的選擇曝光。曝光過程中,計算機(jī)控制曝光強(qiáng)度,并進(jìn)行自動對焦。一般情況下,將待曝光襯底放置到機(jī)臺上,曝光過程為機(jī)臺沿x軸方向勻速運(yùn)動,曝光一路結(jié)束后,沿y軸方向步進(jìn)一次,再沿x軸方向進(jìn)行下一路的曝光,以此類推,直至完成整個襯底的曝光。在一些情況下需要對襯底的邊緣進(jìn)行曝光,上述曝光方式用于邊緣曝光時,由于整個襯底都會被掃描一遍,曝光效率低下,降低了設(shè)備產(chǎn)能。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于提供一種無掩膜激光直寫光刻設(shè)備的快速邊緣曝光方法,以提高圓形襯底的邊緣曝光效率。

本發(fā)明的技術(shù)方案為:

一種無掩膜激光直寫光刻設(shè)備的快速邊緣曝光方法,包括以下步驟:

(1)將待曝光襯底置于機(jī)臺上,所述待曝光襯底為圓形襯底,所述機(jī)臺為二維精密運(yùn)動機(jī)臺;

(2)計算機(jī)識別輸入的邊緣曝光圖形并將其分解為dmd投影圖;

(3)計算機(jī)確定待曝光襯底實(shí)現(xiàn)邊緣曝光所需的最少的dmd投影圖和各dmd投影圖在機(jī)臺上對應(yīng)的位置坐標(biāo);

(4)計算機(jī)控制機(jī)臺沿著待曝光襯底的邊緣圓周方向運(yùn)動,同時控制dmd系統(tǒng)輸出對應(yīng)的dmd投影圖實(shí)現(xiàn)待曝光襯底的邊緣曝光。

所述的無掩膜激光直寫光刻設(shè)備的快速邊緣曝光方法,所述步驟(4)中,計算機(jī)控制機(jī)臺以恒定的速度大小沿著待曝光襯底的邊緣圓周方向運(yùn)動。

本發(fā)明的有益效果為:

由上述技術(shù)方案可知,本發(fā)明通過控制機(jī)臺沿著待曝光襯底的邊緣圓周方向運(yùn)動,使得機(jī)臺同時沿x、y方向運(yùn)動,并且只使得待曝光襯底的邊緣得到曝光;本發(fā)明與整個襯底掃描式曝光相比,減少了機(jī)臺的運(yùn)動距離,提高了dmd系統(tǒng)的利用率,進(jìn)而使設(shè)備產(chǎn)能得到提高。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的曝光系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖;

圖2是本發(fā)明的邊緣曝光示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明。

如圖1所示,無掩膜激光直寫光刻設(shè)備中,曝光光源1發(fā)出的光經(jīng)過鏡頭調(diào)整后入射到dmd系統(tǒng)2,光線經(jīng)dmd系統(tǒng)2反射進(jìn)入位于機(jī)臺3上的待曝光襯底4。曝光光源1為405nm的激光器,dmd系統(tǒng)2控制每個像素的開關(guān)以得到想要的曝光圖形,機(jī)臺3可在xy方向自由運(yùn)動,通過機(jī)臺3與dmd系統(tǒng)2的配合可以在待曝光襯底4上得到任意想要的曝光圖形。

一種無掩膜激光直寫光刻設(shè)備的快速邊緣曝光方法,包括以下步驟:

s1、將圓形的待曝光襯底4置于機(jī)臺3上。

s2、將曝光模式設(shè)定為邊緣曝光模式,然后將要曝光的gds圖形傳遞給計算機(jī)中的分圖處理器,分圖處理器按照邊緣曝光模式將要曝光的gds圖轉(zhuǎn)換為dmd投影圖5,如圖2所示,dmd投影圖5深色區(qū)域?yàn)榱翍B(tài),其余為暗態(tài)。

s3、計算機(jī)確定待曝光襯底4實(shí)現(xiàn)邊緣曝光所需的最少的dmd投影圖5和各dmd投影圖5在機(jī)臺3上對應(yīng)的位置坐標(biāo)。

s4、計算機(jī)中的控制器控制機(jī)臺3到達(dá)曝光的原點(diǎn),待曝光開始后,按照圖2中的圓周方向6控制機(jī)臺3運(yùn)動,使機(jī)臺3在x、y方向同時分別移動δx、δy,同時控制dmd系統(tǒng)2輸出對應(yīng)的dmd投影圖5,以此類推,持續(xù)以恒定的速度大小控制機(jī)臺3沿著待曝光襯底4的邊緣7旋轉(zhuǎn)曝光。

本發(fā)明的特點(diǎn)在于只對待曝光襯底4的邊緣7進(jìn)行曝光,曝光順序?yàn)檠刂毓庖r底4的邊緣7圓周方向運(yùn)動并使用dmd投影圖5曝光,與背景技術(shù)中所述曝光方式相比,機(jī)臺3的運(yùn)動距離減少,并且提高了dmd系統(tǒng)2的利用率,使設(shè)備的產(chǎn)能提高。

對于12寸襯底,曝光能量需求為6500mj/cm2,機(jī)臺3運(yùn)行軌跡如圖2中的圓周方向6所示,運(yùn)行速度為25mm/s,當(dāng)dmd投影圖5為全白圖時,假設(shè)曝光光源1功率為10w,以40%的能量利用率,可以計算得到dmd投影圖5的能量密度為227.5w/cm2。

每個dmd投影圖5的曝光時間為0.0285s,整個圓環(huán)曝光時間為37.75s??梢杂嬎憷碚撋献畲螽a(chǎn)能為95片/時,要遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)曝光方式下的產(chǎn)能。

以上所述實(shí)施方式僅僅是對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述,并非對本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定,在不脫離本發(fā)明設(shè)計精神的前提下,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對本發(fā)明的技術(shù)方案作出的各種變形和改進(jìn),均應(yīng)落入本發(fā)明的權(quán)利要求書確定的保護(hù)范圍內(nèi)。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種無掩膜激光直寫光刻設(shè)備的快速邊緣曝光方法,通過控制機(jī)臺沿著待曝光襯底的邊緣圓周方向運(yùn)動,使得機(jī)臺同時沿X、Y方向運(yùn)動,并且只使得待曝光襯底的邊緣得到曝光;本發(fā)明與整個襯底掃描式曝光相比,減少了機(jī)臺的運(yùn)動距離,提高了DMD系統(tǒng)的利用率,進(jìn)而使設(shè)備產(chǎn)能得到提高。

技術(shù)研發(fā)人員:吳瓊;楊宇航;蔡濰;葉芳云;曹永珍
受保護(hù)的技術(shù)使用者:合肥芯碁微電子裝備有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.04.16
技術(shù)公布日:2017.07.14
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